Produkte > SMC DIODE SOLUTIONS > Alle Produkte des Herstellers SMC DIODE SOLUTIONS (9706) > Seite 125 nach 162
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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S1GTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S1JBTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S1JBTR-SMC SMD universal diodes |
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S1KBTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S1KBTR-SMC SMD universal diodes |
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S1M1000170D | SMC DIODE SOLUTIONS | S1M1000170D-SMC THT N channel transistors |
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S1M1000170J | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.1A; Idm: 15A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 100W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S1M1000170J | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.1A; Idm: 15A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 100W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S1M1000170K | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 15A; 81W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 3.7A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 81W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Gate charge: 10nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S1MBTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S1MBTR-SMC SMD universal diodes |
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S1MTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S2303TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S2305TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S2312TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S2315TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S2324TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S2336TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S23C03TR | SMC DIODE SOLUTIONS | S23C03TR-SMC Protection diodes - arrays |
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S23C05TR | SMC DIODE SOLUTIONS | S23C05TR-SMC Protection diodes - arrays |
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S23C12TR | SMC DIODE SOLUTIONS | S23C12TR-SMC Protection diodes - arrays |
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S23C15TR | SMC DIODE SOLUTIONS | S23C15TR-SMC Protection diodes - arrays |
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S23C24TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S23C36TR | SMC DIODE SOLUTIONS | S23C36TR-SMC Protection diodes - arrays |
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S23LC03TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S23LC05TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S23LC12TR | SMC DIODE SOLUTIONS | S23LC12TR-SMC Protection diodes - arrays |
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S23LC15TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S23LC24TR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S23LC36TR | SMC DIODE SOLUTIONS | S23LC36TR-SMC Protection diodes - arrays |
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S2ATR | SMC DIODE SOLUTIONS | S2ATR-SMC SMD universal diodes |
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S2BTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S2BTR-SMC SMD universal diodes |
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S2DTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S2DTR-SMC SMD universal diodes |
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S2GTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S2GTR-SMC SMD universal diodes |
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S2JTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S2KTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S2KTR-SMC SMD universal diodes |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S2M0016120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 140A Pulsed drain current: 314A Power dissipation: 714W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 224nC Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S2M0016120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 140A Pulsed drain current: 314A Power dissipation: 714W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 224nC Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S2M0025120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S2M0025120J | SMC DIODE SOLUTIONS | S2M0025120J-SMC SMD N channel transistors |
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S2M0025120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 250A; 517W Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 130nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 250A Case: TO247-4 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 39A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 517W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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S2M0040120K-1 | SMC DIODE SOLUTIONS | S2M0040120K-1-SMC THT N channel transistors |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S2M0080120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
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auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S2M0080120J | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S2M0080120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S2M0080120N | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; Idm: 82A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 137mΩ Pulsed drain current: 82A Power dissipation: 176W Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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S2M0080120T | SMC DIODE SOLUTIONS | S2M0080120T-SMC SMD N channel transistors |
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S2M0120120J | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 153W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 212mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S2M0120120J | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 153W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 212mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S2M0120120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S2M0120120T | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S2M0160120J | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 11A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 122W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 26.5nC Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S2M0160120J | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 11A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 122W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 26.5nC Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S2M0160120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 130W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 26.5nC Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S2M0160120T | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 121W; TOLL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 121W Case: TOLL Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 26.5nC Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S2MTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S2MTR-SMC SMD universal diodes |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3ABTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3ABTR-SMC SMD universal diodes |
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S3ATR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3ATR-SMC SMD universal diodes |
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S3BBTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3BTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3BTR-SMC SMD universal diodes |
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S3D03065A | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3D03065ETR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 3A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DPAK Max. forward voltage: 2V Max. forward impulse current: 265A Kind of package: reel; tape Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3D03065F | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 3A; ITO220AC; Ufmax: 2V Power dissipation: 39W Case: ITO220AC Mounting: THT Kind of package: tube Max. load current: 14A Max. forward voltage: 2V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 25A Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
S1GTR |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S1GTR-SMC SMD universal diodes
S1GTR-SMC SMD universal diodes
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S1JBTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S1JBTR-SMC SMD universal diodes
S1JBTR-SMC SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S1KBTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S1KBTR-SMC SMD universal diodes
S1KBTR-SMC SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S1M1000170D |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S1M1000170D-SMC THT N channel transistors
S1M1000170D-SMC THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S1M1000170J |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.1A; Idm: 15A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.1A; Idm: 15A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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20+ | 3.73 EUR |
22+ | 3.36 EUR |
23+ | 3.12 EUR |
25+ | 2.92 EUR |
50+ | 2.83 EUR |
S1M1000170J |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.1A; Idm: 15A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.1A; Idm: 15A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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20+ | 3.73 EUR |
22+ | 3.36 EUR |
23+ | 3.12 EUR |
25+ | 2.92 EUR |
50+ | 2.83 EUR |
S1M1000170K |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 15A; 81W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 81W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 15A; 81W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 81W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 7.15 EUR |
21+ | 3.4 EUR |
S1MBTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S1MBTR-SMC SMD universal diodes
S1MBTR-SMC SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S1MTR |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S1MTR-SMC SMD universal diodes
S1MTR-SMC SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S2303TR |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2303TR-SMC Protection diodes - arrays
S2303TR-SMC Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S2305TR |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2305TR-SMC Protection diodes - arrays
S2305TR-SMC Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S2312TR |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2312TR-SMC Protection diodes - arrays
S2312TR-SMC Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S2315TR |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2315TR-SMC Protection diodes - arrays
S2315TR-SMC Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S2324TR |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2324TR-SMC Protection diodes - arrays
S2324TR-SMC Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S2336TR |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2336TR-SMC Protection diodes - arrays
S2336TR-SMC Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S23C03TR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S23C03TR-SMC Protection diodes - arrays
S23C03TR-SMC Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S23C05TR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S23C05TR-SMC Protection diodes - arrays
S23C05TR-SMC Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S23C12TR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S23C12TR-SMC Protection diodes - arrays
S23C12TR-SMC Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S23C15TR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S23C15TR-SMC Protection diodes - arrays
S23C15TR-SMC Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S23C24TR |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S23C24TR-SMC Protection diodes - arrays
S23C24TR-SMC Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S23C36TR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S23C36TR-SMC Protection diodes - arrays
S23C36TR-SMC Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S23LC03TR |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S23LC03TR-SMC Protection diodes - arrays
S23LC03TR-SMC Protection diodes - arrays
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S23LC05TR |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S23LC05TR-SMC Protection diodes - arrays
S23LC05TR-SMC Protection diodes - arrays
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S23LC12TR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S23LC12TR-SMC Protection diodes - arrays
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S23LC15TR |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S23LC15TR-SMC Protection diodes - arrays
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S23LC24TR |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S23LC24TR-SMC Protection diodes - arrays
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S23LC36TR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S23LC36TR-SMC Protection diodes - arrays
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S2ATR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2ATR-SMC SMD universal diodes
S2ATR-SMC SMD universal diodes
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S2BTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2BTR-SMC SMD universal diodes
S2BTR-SMC SMD universal diodes
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S2DTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2DTR-SMC SMD universal diodes
S2DTR-SMC SMD universal diodes
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S2GTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2GTR-SMC SMD universal diodes
S2GTR-SMC SMD universal diodes
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S2JTR |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2JTR-SMC SMD universal diodes
S2JTR-SMC SMD universal diodes
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S2KTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2KTR-SMC SMD universal diodes
S2KTR-SMC SMD universal diodes
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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353+ | 0.2 EUR |
695+ | 0.1 EUR |
736+ | 0.097 EUR |
S2M0016120D |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 314A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 224nC
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 314A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 224nC
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.3 EUR |
25+ | 17.6 EUR |
S2M0016120K |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 314A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 224nC
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 314A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 224nC
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 37.42 EUR |
120+ | 35.98 EUR |
S2M0025120D |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0025120D-SMC THT N channel transistors
S2M0025120D-SMC THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
S2M0025120J |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0025120J-SMC SMD N channel transistors
S2M0025120J-SMC SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
S2M0025120K |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 250A; 517W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 130nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 250A
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 39A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 250A; 517W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 130nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 250A
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 39A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
S2M0040120K-1 |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0040120K-1-SMC THT N channel transistors
S2M0040120K-1-SMC THT N channel transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 26.04 EUR |
5+ | 16.27 EUR |
S2M0080120D |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120D-SMC THT N channel transistors
S2M0080120D-SMC THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.82 EUR |
6+ | 12.2 EUR |
S2M0080120J |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120J-SMC SMD N channel transistors
S2M0080120J-SMC SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
S2M0080120K |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120K-SMC THT N channel transistors
S2M0080120K-SMC THT N channel transistors
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S2M0080120N |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; Idm: 82A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 137mΩ
Pulsed drain current: 82A
Power dissipation: 176W
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; Idm: 82A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 137mΩ
Pulsed drain current: 82A
Power dissipation: 176W
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
S2M0080120T |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120T-SMC SMD N channel transistors
S2M0080120T-SMC SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
S2M0120120J |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 153W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 153W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.58 EUR |
18+ | 4.02 EUR |
19+ | 3.8 EUR |
250+ | 3.69 EUR |
500+ | 3.65 EUR |
S2M0120120J |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 153W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 153W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.58 EUR |
18+ | 4.02 EUR |
19+ | 3.8 EUR |
250+ | 3.69 EUR |
500+ | 3.65 EUR |
S2M0120120K |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0120120K-SMC THT N channel transistors
S2M0120120K-SMC THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S2M0120120T |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0120120T-SMC SMD N channel transistors
S2M0120120T-SMC SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S2M0160120J |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 122W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 122W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 6.05 EUR |
19+ | 3.9 EUR |
20+ | 3.69 EUR |
100+ | 3.56 EUR |
S2M0160120J |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 122W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 122W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 6.05 EUR |
19+ | 3.9 EUR |
20+ | 3.69 EUR |
100+ | 3.56 EUR |
S2M0160120K |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
17+ | 4.38 EUR |
18+ | 3.98 EUR |
150+ | 2.67 EUR |
300+ | 2.59 EUR |
S2M0160120T |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 121W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 121W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 121W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 121W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.72 EUR |
35+ | 2.04 EUR |
38+ | 1.93 EUR |
250+ | 1.92 EUR |
300+ | 1.9 EUR |
600+ | 1.86 EUR |
S2MTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2MTR-SMC SMD universal diodes
S2MTR-SMC SMD universal diodes
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
353+ | 0.2 EUR |
695+ | 0.1 EUR |
736+ | 0.097 EUR |
S3ABTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3ABTR-SMC SMD universal diodes
S3ABTR-SMC SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3ATR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3ATR-SMC SMD universal diodes
S3ATR-SMC SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3BBTR |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3BBTR-SMC SMD universal diodes
S3BBTR-SMC SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3BTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3BTR-SMC SMD universal diodes
S3BTR-SMC SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3D03065A |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D03065A-SMC THT Schottky diodes
S3D03065A-SMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3D03065ETR |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 265A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 265A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
148+ | 0.49 EUR |
167+ | 0.43 EUR |
179+ | 0.4 EUR |
200+ | 0.36 EUR |
S3D03065F |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 3A; ITO220AC; Ufmax: 2V
Power dissipation: 39W
Case: ITO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. load current: 14A
Max. forward voltage: 2V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 25A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 3A; ITO220AC; Ufmax: 2V
Power dissipation: 39W
Case: ITO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. load current: 14A
Max. forward voltage: 2V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 25A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH