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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RS3ATR SMC DIODE SOLUTIONS RS3ATR-SMC SMD universal diodes
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RS3BTR SMC DIODE SOLUTIONS RS3BTR-SMC SMD universal diodes
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RS3DTR SMC DIODE SOLUTIONS RS3DTR-SMC SMD universal diodes
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RS3GTR SMC DIODE SOLUTIONS RS3GTR-SMC SMD universal diodes
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RS3JTR SMC DIODE SOLUTIONS RS3JTR-SMC SMD universal diodes
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S1ABTR SMC DIODE SOLUTIONS S1ABTR-SMC SMD universal diodes
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S1BBTR SMC DIODE SOLUTIONS S1AB-S1MB%20N0568%20REV.A.pdf S1BBTR-SMC SMD universal diodes
auf Bestellung 5920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
635+0.11 EUR
1480+0.048 EUR
1568+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 635
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S1DBTR SMC DIODE SOLUTIONS S1DBTR-SMC SMD universal diodes
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S1GBTR SMC DIODE SOLUTIONS S1AB-S1MB%20N0568%20REV.A.pdf S1GBTR-SMC SMD universal diodes
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S1GTR SMC DIODE SOLUTIONS S1A-S1M%20N0560%20REV.B.pdf S1GTR-SMC SMD universal diodes
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S1JBTR SMC DIODE SOLUTIONS S1JBTR-SMC SMD universal diodes
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S1KBTR SMC DIODE SOLUTIONS S1KBTR-SMC SMD universal diodes
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S1M1000170D SMC DIODE SOLUTIONS S1M1000170D-SMC THT N channel transistors
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S1M1000170J SMC DIODE SOLUTIONS S1M1000170J-SMC THT N channel transistors
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S1M1000170J SMC DIODE SOLUTIONS S1M1000170JTR-SMC SMD N channel transistors
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S1M1000170K SMC DIODE SOLUTIONS S1M1000170K-SMC THT N channel transistors
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S1MBTR SMC DIODE SOLUTIONS S1MBTR-SMC SMD universal diodes
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S1MTR SMC DIODE SOLUTIONS S1A-S1M%20N0560%20REV.B.pdf S1MTR-SMC SMD universal diodes
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S2303TR SMC DIODE SOLUTIONS S2303%20THRU%20S2336%20N0291%20REV.B.pdf S2303TR-SMC Protection diodes - arrays
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S2305TR SMC DIODE SOLUTIONS S2303%20THRU%20S2336%20N0291%20REV.B.pdf S2305TR-SMC Protection diodes - arrays
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S2312TR SMC DIODE SOLUTIONS S2303%20THRU%20S2336%20N0291%20REV.B.pdf S2312TR-SMC Protection diodes - arrays
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S2315TR SMC DIODE SOLUTIONS S2303%20THRU%20S2336%20N0291%20REV.A.pdf S2315TR-SMC Protection diodes - arrays
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S2324TR SMC DIODE SOLUTIONS S2303%20THRU%20S2336%20N0291%20REV.B.pdf S2324TR-SMC Protection diodes - arrays
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S2336TR SMC DIODE SOLUTIONS S2303%20THRU%20S2336%20N0291%20REV.B.pdf S2336TR-SMC Protection diodes - arrays
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S23C03TR SMC DIODE SOLUTIONS S23C03TR-SMC Protection diodes - arrays
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S23C05TR SMC DIODE SOLUTIONS S23C05TR-SMC Protection diodes - arrays
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S23C12TR SMC DIODE SOLUTIONS S23C12TR-SMC Protection diodes - arrays
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S23C15TR SMC DIODE SOLUTIONS S23C15TR-SMC Protection diodes - arrays
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S23C24TR SMC DIODE SOLUTIONS S23C03%20THRU%20S23C36%20N1001%20REV.A.pdf S23C24TR-SMC Protection diodes - arrays
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S23C36TR SMC DIODE SOLUTIONS S23C36TR-SMC Protection diodes - arrays
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S23LC03TR SMC DIODE SOLUTIONS S23LC03_36_ser.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 0.2mA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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S23LC05TR SMC DIODE SOLUTIONS S23LC03_36_ser.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 20µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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S23LC12TR SMC DIODE SOLUTIONS S23LC03_36_ser.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.3V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 13.3V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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S23LC15TR SMC DIODE SOLUTIONS S23LC03_36_ser.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 16.7V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 16.7V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 15V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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S23LC24TR SMC DIODE SOLUTIONS S23LC03_36_ser.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.7V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.7V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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S23LC36TR SMC DIODE SOLUTIONS S23LC03_36_ser.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 40V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 40V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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S2ATR SMC DIODE SOLUTIONS S2ATR-SMC SMD universal diodes
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S2BTR SMC DIODE SOLUTIONS S2BTR-SMC SMD universal diodes
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S2DTR SMC DIODE SOLUTIONS S2DTR-SMC SMD universal diodes
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S2GTR SMC DIODE SOLUTIONS S2GTR-SMC SMD universal diodes
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S2JTR SMC DIODE SOLUTIONS S2A-S2M%20N0562%20REV.A.pdf S2JTR-SMC SMD universal diodes
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S2KTR SMC DIODE SOLUTIONS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9C22354DFB2A0D3&compId=S2A-S2M.pdf?ci_sign=1cafa0cf352db793c83d00a6c4a105a15e5f23b9 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 2A; SMB; Ufmax: 1.1V; Ir: 5uA; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Capacitance: 30pF
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
395+0.18 EUR
575+0.12 EUR
650+0.11 EUR
695+0.1 EUR
740+0.097 EUR
3000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 395
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S2M0016120D SMC DIODE SOLUTIONS S2M0016120D-SMC THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.9 EUR
4+18.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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S2M0016120K S2M0016120K SMC DIODE SOLUTIONS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE94F25C4B5C39C0D5&compId=S2M0016120K.pdf?ci_sign=68ee622787b6143654404a48a26dfdd8fc2d8e1a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 314A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 224nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+37.44 EUR
120+36.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0025120D SMC DIODE SOLUTIONS S2M0025120D%20N2399%20REV.-.pdf S2M0025120D-SMC THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0025120J SMC DIODE SOLUTIONS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE94F2511B2C37A0D5&compId=S2M0025120J.pdf?ci_sign=54c1be7a9dcbd350ca097af80003dfabb1d3d8c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 70A; Idm: 250A; 311W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 70A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 311W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 177nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0025120K SMC DIODE SOLUTIONS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA7C51C5FD15560D3&compId=S2M0025120K.pdf?ci_sign=6cd0e350e588404ca8b533e3d2816907f8c58cd3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 250A; 517W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 130nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 250A
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 39A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0040120K-1 SMC DIODE SOLUTIONS S2M0040120K-1-SMC THT N channel transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.04 EUR
5+16.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0080120D SMC DIODE SOLUTIONS S2M0080120D%20N2477%20REV.-.pdf S2M0080120D-SMC THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.82 EUR
6+12.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0080120J SMC DIODE SOLUTIONS S2M0080120J%20N2527%20REV.-.pdf S2M0080120J-SMC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0080120K SMC DIODE SOLUTIONS S2M0080120K%20N2494%20REV.-.pdf S2M0080120K-SMC THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0080120N S2M0080120N SMC DIODE SOLUTIONS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9396BD640BC720D5&compId=S2M0080120N.pdf?ci_sign=332de6e2e362531f7498398663a61a2d5edeae88 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; Idm: 82A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 137mΩ
Pulsed drain current: 82A
Power dissipation: 176W
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0080120T SMC DIODE SOLUTIONS S2M0080120T-SMC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0120120J S2M0120120J SMC DIODE SOLUTIONS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD085D836C196B5E0DC&compId=S2M0120120J.pdf?ci_sign=7c609f8b72ee99d9ee43b0d457926436a58067ef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 153W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.84 EUR
18+4.02 EUR
19+3.79 EUR
500+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0120120J S2M0120120J SMC DIODE SOLUTIONS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD085D836C196B5E0DC&compId=S2M0120120J.pdf?ci_sign=7c609f8b72ee99d9ee43b0d457926436a58067ef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 153W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.84 EUR
18+4.02 EUR
19+3.79 EUR
500+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0120120K SMC DIODE SOLUTIONS S2M0120120K%20N2716%20REV.A.pdf S2M0120120K-SMC THT N channel transistors
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S2M0120120T SMC DIODE SOLUTIONS S2M0120120T.pdf S2M0120120T-SMC SMD N channel transistors
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S2M0160120J SMC DIODE SOLUTIONS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD085D83CA32ED9A0DC&compId=S2M0160120J.pdf?ci_sign=bfe766042ca148970dd205a49d27a46bb24dad10 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 122W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.22 EUR
19+3.88 EUR
20+3.66 EUR
250+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0160120J SMC DIODE SOLUTIONS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD085D83CA32ED9A0DC&compId=S2M0160120J.pdf?ci_sign=bfe766042ca148970dd205a49d27a46bb24dad10 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 122W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.22 EUR
19+3.88 EUR
20+3.66 EUR
250+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0160120K S2M0160120K SMC DIODE SOLUTIONS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 130W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.5 EUR
18+3.98 EUR
300+2.63 EUR
600+2.57 EUR
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S1M1000170J-SMC THT N channel transistors
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S1MTR S1A-S1M%20N0560%20REV.B.pdf
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S1MTR-SMC SMD universal diodes
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S2303TR S2303%20THRU%20S2336%20N0291%20REV.B.pdf
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S2303TR-SMC Protection diodes - arrays
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S2305TR S2303%20THRU%20S2336%20N0291%20REV.B.pdf
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S2305TR-SMC Protection diodes - arrays
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S2312TR S2303%20THRU%20S2336%20N0291%20REV.B.pdf
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S2315TR S2303%20THRU%20S2336%20N0291%20REV.A.pdf
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S2315TR-SMC Protection diodes - arrays
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S2324TR S2303%20THRU%20S2336%20N0291%20REV.B.pdf
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S2336TR S2303%20THRU%20S2336%20N0291%20REV.B.pdf
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S2336TR-SMC Protection diodes - arrays
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S23C05TR
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S23C12TR
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S23C24TR S23C03%20THRU%20S23C36%20N1001%20REV.A.pdf
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S23C24TR-SMC Protection diodes - arrays
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S23C36TR
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S23C36TR-SMC Protection diodes - arrays
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S23LC03TR S23LC03_36_ser.pdf
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 0.2mA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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S23LC05TR S23LC03_36_ser.pdf
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 20µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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S23LC12TR S23LC03_36_ser.pdf
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.3V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 13.3V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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S23LC15TR S23LC03_36_ser.pdf
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 16.7V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 16.7V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 15V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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S23LC24TR S23LC03_36_ser.pdf
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.7V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.7V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S23LC36TR S23LC03_36_ser.pdf
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 40V; 0.3kW; SOT23; Ch: 1; reel,tape; S23LCxx; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 40V
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: S23LCxx
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2ATR
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2ATR-SMC SMD universal diodes
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S2BTR
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2BTR-SMC SMD universal diodes
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S2DTR
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2DTR-SMC SMD universal diodes
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S2GTR
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2GTR-SMC SMD universal diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2JTR S2A-S2M%20N0562%20REV.A.pdf
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2JTR-SMC SMD universal diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2KTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9C22354DFB2A0D3&compId=S2A-S2M.pdf?ci_sign=1cafa0cf352db793c83d00a6c4a105a15e5f23b9
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 2A; SMB; Ufmax: 1.1V; Ir: 5uA; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Capacitance: 30pF
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
395+0.18 EUR
575+0.12 EUR
650+0.11 EUR
695+0.1 EUR
740+0.097 EUR
3000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 395
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0016120D
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0016120D-SMC THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.9 EUR
4+18.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0016120K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE94F25C4B5C39C0D5&compId=S2M0016120K.pdf?ci_sign=68ee622787b6143654404a48a26dfdd8fc2d8e1a
S2M0016120K
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 314A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 224nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+37.44 EUR
120+36.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0025120D S2M0025120D%20N2399%20REV.-.pdf
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0025120D-SMC THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0025120J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE94F2511B2C37A0D5&compId=S2M0025120J.pdf?ci_sign=54c1be7a9dcbd350ca097af80003dfabb1d3d8c2
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 70A; Idm: 250A; 311W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 70A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 311W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 177nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0025120K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA7C51C5FD15560D3&compId=S2M0025120K.pdf?ci_sign=6cd0e350e588404ca8b533e3d2816907f8c58cd3
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 250A; 517W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 130nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 250A
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 39A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0040120K-1
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0040120K-1-SMC THT N channel transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+26.04 EUR
5+16.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0080120D S2M0080120D%20N2477%20REV.-.pdf
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120D-SMC THT N channel transistors
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.82 EUR
6+12.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0080120J S2M0080120J%20N2527%20REV.-.pdf
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120J-SMC SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0080120K S2M0080120K%20N2494%20REV.-.pdf
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120K-SMC THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0080120N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9396BD640BC720D5&compId=S2M0080120N.pdf?ci_sign=332de6e2e362531f7498398663a61a2d5edeae88
S2M0080120N
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; Idm: 82A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 137mΩ
Pulsed drain current: 82A
Power dissipation: 176W
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0080120T
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120T-SMC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0120120J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD085D836C196B5E0DC&compId=S2M0120120J.pdf?ci_sign=7c609f8b72ee99d9ee43b0d457926436a58067ef
S2M0120120J
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 153W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.84 EUR
18+4.02 EUR
19+3.79 EUR
500+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0120120J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD085D836C196B5E0DC&compId=S2M0120120J.pdf?ci_sign=7c609f8b72ee99d9ee43b0d457926436a58067ef
S2M0120120J
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 66A; 153W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 153W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.84 EUR
18+4.02 EUR
19+3.79 EUR
500+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0120120K S2M0120120K%20N2716%20REV.A.pdf
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0120120K-SMC THT N channel transistors
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S2M0120120T S2M0120120T.pdf
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0120120T-SMC SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0160120J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD085D83CA32ED9A0DC&compId=S2M0160120J.pdf?ci_sign=bfe766042ca148970dd205a49d27a46bb24dad10
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 122W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.22 EUR
19+3.88 EUR
20+3.66 EUR
250+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0160120J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD085D83CA32ED9A0DC&compId=S2M0160120J.pdf?ci_sign=bfe766042ca148970dd205a49d27a46bb24dad10
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 122W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.22 EUR
19+3.88 EUR
20+3.66 EUR
250+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S2M0160120K
S2M0160120K
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 40A; 130W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 26.5nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.5 EUR
18+3.98 EUR
300+2.63 EUR
600+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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