Produkte > STMICROELECTRONICS > Alle Produkte des Herstellers STMICROELECTRONICS (132313) > Seite 1135 nach 2206

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 220 440 660 880 1100 1130 1131 1132 1133 1134 1135 1136 1137 1138 1139 1140 1320 1540 1760 1980 2200 2206  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
M29W320DB70N6E STMicroelectronics description Память (32 Mbit (32M (4Mx8 or 2Mx16)¶, Page, Boot Block), T=70ns , Vcc=2.7 to 3.6 V, T=-40...+85 C)... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NAND04GW3B2BN6E STMicroelectronics Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Орг. пам. = 512M x 8, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NAND08GW3B2CN6E STMicroelectronics Память Nand FLASH 8GBIT 48-TSOP... Інтегральні мікросхеми Корпус: 48-TSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSD4256G6V-10UI STMicroelectronics PSD4256G6V_STM.pdf Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, Тдост/Частота = 100 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-80 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 119 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA2003AV STMicroelectronics tda2003.pdf Аудіопідсилювач, Po, Вт = 12 x 1 @ 1,6 Ом, Uживл, В = 8 ... 18, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,15, Тексп, °С = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: PENTAWATT-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 47 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA2009A STMicroelectronics TDA2009A.pdf 2-канальний аудіопідсилювач, Fmax = 80 кГц, Po, Вт = 12,5 х 2 @ 4 Ом, Uживл, В = 8...28, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,2, Тексп, °С = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: MULTIWATT-11 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA2030AV TDA2030AV STMicroelectronics TDA2030A.pdf Аудіопідсилювач, Po, Вт = 18 х 1 @ 4 Ом, Uживл, В = 12...44, ±6...22, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,5, Тексп, °С = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: PENTAWATT-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA2822D013TR STMicroelectronics en.CD00000133.pdf Аудіопідсилювач, Uживл, В = 1,8...15, Клас підсил. = AB, Р, Вт = 1, 0,38, Тексп, °C = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 14 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA7263M STMicroelectronics en.CD00000143.pdf Аудио усилитель... Інтегральні мікросхеми Корпус: ...... Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA7266 STMicroelectronics TDA7266_STM.pdf 2-канальний аудіопідсилювач, Po, Вт = 7 x 2 @ 8 Ом, Uживл, В = 3...18, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 10, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: MULTIWATT-15 Очікується: 10 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
verfügbar 26 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA7266D STMicroelectronics TDA7266D_STM.pdf 2-канальний аудіопідсилювач, Uживл, В = 3,5...12, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 10, Р, Вт = 5 x 2 @ 8 Ом Вт, Тексп, °C = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: POWERSOIC-20 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 31 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA7267 STMicroelectronics TDA7267.pdf Аудіопідсилювач, Po, Вт = 2 x 1 @ 8 Ом, Uживл, В = 4,5...18, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 1, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA7294V STMicroelectronics tda7294.pdf Аудіопідсилювач, Po, Вт = 100 x 1 @ 8 Ом, Uживл, В = ±10...40, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,1, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: MULTIWATT-15 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA7360 STMicroelectronics TDA7360.pdf Микросхема IC AMP AUDIO PWR 22W MULTIWATT11, Po,Вт 22W x 1 @ 3.2 Ohm, , THD,% xx, Vcc,В 8 V ~ 18 V,... Інтегральні мікросхеми Корпус: xxx Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA7496L STMicroelectronics en.CD00001216.pdf Усилитель стерео class AB, 2W+2W AMPLIFIER WITH DC VOLUME CONTROL, POWERDIP (14+3+3) PACKAGE... Інтегральні мікросхеми Корпус: POWERDIP (14+3+3) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA7498MVTR STMicroelectronics en.CD00252944.pdf одноканальний підсилювач (моно), Uживл, В = 14-39, Р, Вт = 100,... Інтегральні мікросхеми Корпус: PowerSSO-36 EPU Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24128-BWMN6P STMicroelectronics M24128-EEPROM.pdf description Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Кбіт, Орг. пам. = 16К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24256-BWMN6P STMicroelectronics M24256_STM.pdf description Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24256-BWMN6TP STMicroelectronics M24256_STM.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24512-DFMC6TG STMicroelectronics M24512-xxx.pdf Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,7...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85, tдост = 500 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: UFDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24512-WMN6P STMicroelectronics M24512-xxx.pdf description Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64K x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 6 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24512-WMW6TG STMicroelectronics M24512-xxx.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C02-WDW6TP STMicroelectronics en.DM00071904.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2.5...5.5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 2 Кбайт, Орг. пам. = 256 x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...85°C,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 8-TSSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C02-WMN6TP STMicroelectronics en.DM00071904.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C04-WMN6TP STMicroelectronics M24C04-W.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 4 Кбіт, Орг. пам. = 512K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C16-RMN6TP STMicroelectronics M24C16W_STM.pdf Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний, t = 900 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C16-WBN6P STMicroelectronics M24C16W_STM.pdf description Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C16-WMN6 STMicroelectronics M24C16W_STM.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C32-RMN6TP STMicroelectronics en.CD00001012.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 32 Кбайт, Орг. пам. = 4К x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = I2C,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C64-RMN6TP STMicroelectronics M24C64.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C64-WMN6TP STMicroelectronics M24C64.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24M01-RMN6P STMicroelectronics M24C04-W.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128K x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24M01-RMN6TP STMicroelectronics m24m01xxx_stm.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C46-MN6P STMicroelectronics M93C46.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 45 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C46-WMN6 STMicroelectronics M93C46.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C46-WMN6TP STMicroelectronics M93C46.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C56-BN6 STMicroelectronics M93C56_M93C66_M93C86_STM.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 33 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C56-WMN6P STMicroelectronics M93C86.pdf description Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 х 8, 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C66-WMN6P STMicroelectronics M93C56_M93C66_M93C86_STM.pdf Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 4 Кбіт, Орг. пам. = 512 х 8, 256 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C86-WBN6 STMicroelectronics M93C86.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 256 х 8, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C86-WMN6P STMicroelectronics M93C86.pdf description Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8 або 1К х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93С46-BN6 STMicroelectronics M93C46.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 х 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95256-WMN6P STMicroelectronics M95256-xxx.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95256-WMN6T STMicroelectronics M95256-xxx.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32K x 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+130, Tдост. = 60 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95256-WMW6G STMicroelectronics M95256-xxx.pdf description Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 90 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95512-WDW6TP STMicroelectronics M95512-W_STM.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64K x 8, Тдост/Частота = 10 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95640-DRDW8TP/K STMicroelectronics M95640-WMN6TP_STM.pdf Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8К х 8, Тдост/Частота = 16 МГц, Тексп, °C = -40...+105, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95640-WMN6TP STMicroelectronics M95640-WMN6TP_STM.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8K x 8, Тдост/Частота = 20 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 608 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95M01-RMN6P STMicroelectronics M95M01.pdf Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 6 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95M01-RMN6TP STMicroelectronics M95M01.pdf Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 16 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95M04-DRMN6TP STMicroelectronics m95m04-dr.pdf Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512К х 8, Тдост/Частота = 10 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25P128-VME6GB STMicroelectronics M25P128_STM.pdf Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 8, Тексп, °С = –40 to 85 °C.,,... Інтегральні мікросхеми Корпус: MLP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25P128-VMF6P STMicroelectronics M25P128_STM.pdf Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 8, Тдост/Частота = 54 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 49 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25P40-VMN6TP STMicroelectronics M25P40_STM.pdf Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,3...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512K x 8, Тдост/Частота = 50 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25P80-VMW6 STMicroelectronics M25P80_STM.pdf Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 40 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25P80-VMW6G STMicroelectronics M25P80_STM.pdf Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
verfügbar 514 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25PE16-VMW6G STMicroelectronics M25PE16-VMW6G-STM.pdf Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 2М х 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPIC6C595TTR STMicroelectronics TPIC6B595_ti.pdf Стандартна логіка, Uживл, В = 4,5...5,5, К-сть. л.е./тип л. е. = 1 8-бітний регістр зсуву з відкритим стоком, Тексп, °С = -40...+125, Функція = Послідовний в паралельний, Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISO8200B STMicroelectronics ISO8200B_STM.pdf Мікросхема-реле/драйвер котушки, Iживл, мА = 700, Uживл, В = 10,5...36, Тексп, °C = -40...+125, Тип вих. конф. = High-Side, Вх:Вих = 1:1, К-сть вих. = 8, Інтерфейс = Паралельний, Rds = 120 мОм,... Інтегральні мікросхеми Корпус: POWERSO-36 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 31 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LNBH23LQTR STMicroelectronics lnbh23l_STMicroelectronics.pdf Підвищуючий регулятор напруги, Uживл, В = 8...15, Тексп, °C = 0...+85, К-сть вих. = 1, Uвих, В = 13,4, 18,4,... Інтегральні мікросхеми Корпус: QFN-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M29W320DB70N6E description
Hersteller: STMicroelectronics
Память (32 Mbit (32M (4Mx8 or 2Mx16)¶, Page, Boot Block), T=70ns , Vcc=2.7 to 3.6 V, T=-40...+85 C)... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NAND04GW3B2BN6E
Hersteller: STMicroelectronics
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Орг. пам. = 512M x 8, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NAND08GW3B2CN6E
Hersteller: STMicroelectronics
Память Nand FLASH 8GBIT 48-TSOP... Інтегральні мікросхеми Корпус: 48-TSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSD4256G6V-10UI PSD4256G6V_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, Тдост/Частота = 100 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-80 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 119 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA2003AV tda2003.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Аудіопідсилювач, Po, Вт = 12 x 1 @ 1,6 Ом, Uживл, В = 8 ... 18, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,15, Тексп, °С = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: PENTAWATT-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 47 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA2009A TDA2009A.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
2-канальний аудіопідсилювач, Fmax = 80 кГц, Po, Вт = 12,5 х 2 @ 4 Ом, Uживл, В = 8...28, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,2, Тексп, °С = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: MULTIWATT-11 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA2030AV TDA2030A.pdf
TDA2030AV
Hersteller: STMicroelectronics
Аудіопідсилювач, Po, Вт = 18 х 1 @ 4 Ом, Uживл, В = 12...44, ±6...22, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,5, Тексп, °С = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: PENTAWATT-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA2822D013TR en.CD00000133.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Аудіопідсилювач, Uживл, В = 1,8...15, Клас підсил. = AB, Р, Вт = 1, 0,38, Тексп, °C = -40...+150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 14 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA7263M en.CD00000143.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Аудио усилитель... Інтегральні мікросхеми Корпус: ...... Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA7266 TDA7266_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
2-канальний аудіопідсилювач, Po, Вт = 7 x 2 @ 8 Ом, Uживл, В = 3...18, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 10, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: MULTIWATT-15 Очікується: 10 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
verfügbar 26 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA7266D TDA7266D_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
2-канальний аудіопідсилювач, Uживл, В = 3,5...12, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 10, Р, Вт = 5 x 2 @ 8 Ом Вт, Тексп, °C = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: POWERSOIC-20 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 31 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA7267 TDA7267.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Аудіопідсилювач, Po, Вт = 2 x 1 @ 8 Ом, Uживл, В = 4,5...18, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 1, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA7294V tda7294.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Аудіопідсилювач, Po, Вт = 100 x 1 @ 8 Ом, Uживл, В = ±10...40, Клас підсил. = AB, КНС (THD), % = 0,1, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: MULTIWATT-15 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA7360 TDA7360.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Микросхема IC AMP AUDIO PWR 22W MULTIWATT11, Po,Вт 22W x 1 @ 3.2 Ohm, , THD,% xx, Vcc,В 8 V ~ 18 V,... Інтегральні мікросхеми Корпус: xxx Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA7496L en.CD00001216.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Усилитель стерео class AB, 2W+2W AMPLIFIER WITH DC VOLUME CONTROL, POWERDIP (14+3+3) PACKAGE... Інтегральні мікросхеми Корпус: POWERDIP (14+3+3) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDA7498MVTR en.CD00252944.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
одноканальний підсилювач (моно), Uживл, В = 14-39, Р, Вт = 100,... Інтегральні мікросхеми Корпус: PowerSSO-36 EPU Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24128-BWMN6P description M24128-EEPROM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Кбіт, Орг. пам. = 16К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24256-BWMN6P description M24256_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24256-BWMN6TP M24256_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24512-DFMC6TG M24512-xxx.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,7...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85, tдост = 500 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: UFDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24512-WMN6P description M24512-xxx.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64K x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 6 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24512-WMW6TG M24512-xxx.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C02-WDW6TP en.DM00071904.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2.5...5.5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 2 Кбайт, Орг. пам. = 256 x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...85°C,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 8-TSSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C02-WMN6TP en.DM00071904.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C04-WMN6TP M24C04-W.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 4 Кбіт, Орг. пам. = 512K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C16-RMN6TP M24C16W_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний, t = 900 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C16-WBN6P description M24C16W_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C16-WMN6 M24C16W_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C32-RMN6TP en.CD00001012.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 32 Кбайт, Орг. пам. = 4К x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = I2C,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C64-RMN6TP M24C64.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24C64-WMN6TP M24C64.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24M01-RMN6P M24C04-W.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128K x 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M24M01-RMN6TP m24m01xxx_stm.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C46-MN6P M93C46.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 45 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C46-WMN6 M93C46.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C46-WMN6TP M93C46.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C56-BN6 M93C56_M93C66_M93C86_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 33 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C56-WMN6P description M93C86.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 х 8, 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C66-WMN6P M93C56_M93C66_M93C86_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 4 Кбіт, Орг. пам. = 512 х 8, 256 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C86-WBN6 M93C86.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 256 х 8, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93C86-WMN6P description M93C86.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Кбіт, Орг. пам. = 2К х 8 або 1К х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M93С46-BN6 M93C46.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 х 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95256-WMN6P M95256-xxx.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95256-WMN6T M95256-xxx.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32K x 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+130, Tдост. = 60 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95256-WMW6G description M95256-xxx.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 90 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95512-WDW6TP M95512-W_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Кбіт, Орг. пам. = 64K x 8, Тдост/Частота = 10 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95640-DRDW8TP/K M95640-WMN6TP_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8К х 8, Тдост/Частота = 16 МГц, Тексп, °C = -40...+105, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95640-WMN6TP M95640-WMN6TP_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Кбіт, Орг. пам. = 8K x 8, Тдост/Частота = 20 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 608 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95M01-RMN6P M95M01.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 5 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 6 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95M01-RMN6TP M95M01.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 16 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M95M04-DRMN6TP m95m04-dr.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Об'єм RAM = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512К х 8, Тдост/Частота = 10 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25P128-VME6GB M25P128_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 8, Тексп, °С = –40 to 85 °C.,,... Інтегральні мікросхеми Корпус: MLP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25P128-VMF6P M25P128_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 8, Тдост/Частота = 54 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 49 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25P40-VMN6TP M25P40_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,3...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512K x 8, Тдост/Частота = 50 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25P80-VMW6 M25P80_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 40 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25P80-VMW6G M25P80_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
verfügbar 514 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M25PE16-VMW6G M25PE16-VMW6G-STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 2М х 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPIC6C595TTR TPIC6B595_ti.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Стандартна логіка, Uживл, В = 4,5...5,5, К-сть. л.е./тип л. е. = 1 8-бітний регістр зсуву з відкритим стоком, Тексп, °С = -40...+125, Функція = Послідовний в паралельний, Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISO8200B ISO8200B_STM.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Мікросхема-реле/драйвер котушки, Iживл, мА = 700, Uживл, В = 10,5...36, Тексп, °C = -40...+125, Тип вих. конф. = High-Side, Вх:Вих = 1:1, К-сть вих. = 8, Інтерфейс = Паралельний, Rds = 120 мОм,... Інтегральні мікросхеми Корпус: POWERSO-36 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 31 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LNBH23LQTR lnbh23l_STMicroelectronics.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Підвищуючий регулятор напруги, Uживл, В = 8...15, Тексп, °C = 0...+85, К-сть вих. = 1, Uвих, В = 13,4, 18,4,... Інтегральні мікросхеми Корпус: QFN-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 220 440 660 880 1100 1130 1131 1132 1133 1134 1135 1136 1137 1138 1139 1140 1320 1540 1760 1980 2200 2206  [ Nächste Seite >> ]