Produkte > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Alle Produkte des Herstellers TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25056) > Seite 49 nach 418
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RS1BLHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE GP 100V 800MA SUB SMAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
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RS1BLHMHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA |
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RS1D M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC |
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RS1DHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC |
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RS1K M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC |
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RS1KHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC |
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RS1KL M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
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RS1KL MHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
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RS2D M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA |
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RS2J M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA |
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RS2JA M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC |
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RS2JAHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC |
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RS2K M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA |
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RS2KA M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC |
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RS2KAHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC |
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RS2M M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 2A DO214AA |
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RS2MA M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC |
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RS2MAHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC |
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S1BB M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA |
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S1GB M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA |
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S2D M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA |
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S2DHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA |
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S2JA M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC |
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S2K M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA |
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S2KA M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC |
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S2KHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA |
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S3BB M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA |
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S3BBHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA |
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S3DB M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA |
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S3DBHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA |
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S3GB M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA |
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S3MB M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 3A DO214AA |
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S3MBHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 3A DO214AA |
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S5GB M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AA |
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S5JB M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA |
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S5JBHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA |
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S5MB M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 5A DO214AA |
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S5MBHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 5A DO214AA |
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SK110B M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AA |
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SK110BHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AA |
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SK13B M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AA |
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SK13BHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AA |
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SK14B M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AA |
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SK14BHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AA |
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SK15B M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO214AA |
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SK15BHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO214AA |
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SK16B M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AA |
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SK16BHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AA |
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SK210A M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC |
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SK210AHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC |
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SK23A M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC |
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SK23AHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC |
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SK24A M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC |
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SK24AHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC |
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SK25A M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V |
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SK25AHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
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SK310A M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC |
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SK310AHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC |
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SK310B M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AA |
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SK310BHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AA |
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| RS1BLHM2G |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 100V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GP 100V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RS1BLHMHG |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
Description: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RS1D M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RS1DHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RS1K M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RS1KHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RS1KL M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RS1KL MHG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Description: DIODE GP 800V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RS2D M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RS2J M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RS2JA M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RS2JAHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RS2K M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RS2KA M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RS2KAHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RS2M M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 2A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RS2MA M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RS2MAHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S1BB M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S1GB M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S2D M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S2DHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S2JA M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S2K M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S2KA M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S2KHM4G |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S3BB M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S3BBHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| S3DB M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
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| S3DBHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
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| S3GB M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
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| S3MB M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 3A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| S3MBHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 3A DO214AA
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| S5GB M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AA
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| S5JB M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| S5JBHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA
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| S5MB M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 5A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| S5MBHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 5A DO214AA
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| SK110B M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| SK110BHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| SK13B M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| SK13BHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| SK14B M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| SK14BHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| SK15B M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| SK15BHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| SK16B M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| SK16BHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| SK210A M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
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Stück im Wert von UAH
| SK210AHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
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Stück im Wert von UAH
| SK23A M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC
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Stück im Wert von UAH
| SK23AHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC
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Stück im Wert von UAH
| SK24A M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC
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Stück im Wert von UAH
| SK24AHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC
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Stück im Wert von UAH
| SK25A M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
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Stück im Wert von UAH
| SK25AHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
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| SK310A M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC
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Stück im Wert von UAH
| SK310AHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC
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| SK310B M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AA
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AA
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| SK310BHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AA
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AA
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