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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
CSD16570Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16570q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3 CSD17308Q3 TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17308q3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
89+0.81 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3T CSD17308Q3T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17308q3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.34 EUR
71+1.02 EUR
107+0.67 EUR
113+0.64 EUR
250+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2Q1T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2q1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 57A; 17W; WSON6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 57A
Power dissipation: 17W
Case: WSON6
Gate-source voltage: -8...10V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2T CSD17313Q2T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 17W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 2x2mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
63+1.14 EUR
87+0.82 EUR
93+0.78 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17318q2 CSD17318Q2T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17381F4T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17381f4 CSD17381F4T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17382F4T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17382f4 CSD17382F4T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17483F4T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17483f4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; Idm: 5A; 500mW; PICOSTAR3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 5A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17484f4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 18A; 500mW; PICOSTAR3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 18A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17556q5b CSD17556Q5BT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17559q5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17570Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17570q5b CSD17570Q5BT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17571Q2 TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17571q2 CSD17571Q2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17573q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 1.19Ω
Dimensions: 5x6mm
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 195W
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17575Q3T CSD17575Q3T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17575q3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 108W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate charge: 23nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.66 EUR
56+1.29 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
100+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17576Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b CSD17576Q5BT SMD N channel transistors
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17577Q3AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17577q3a CSD17577Q3AT SMD N channel transistors
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17578Q3AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17578q3a CSD17578Q3AT SMD N channel transistors
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
250+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17579Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17579q5a CSD17579Q5AT SMD N channel transistors
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17581Q3AT CSD17581Q3AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17581q3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: VSONP8
Gate charge: 20nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 63W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
73+0.99 EUR
94+0.76 EUR
100+0.72 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17585F5T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17585f5 CSD17585F5T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18502KCS CSD18502KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18502kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 259W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 259W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 52nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.16 EUR
36+2.02 EUR
38+1.9 EUR
50+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18502Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18502q5b CSD18502Q5BT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18503Q5AT CSD18503Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18503q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 120W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 120W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
42+1.73 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18504KCS CSD18504KCS TEXAS INSTRUMENTS slps365 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 115W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.8 EUR
54+1.34 EUR
58+1.24 EUR
63+1.14 EUR
64+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18504Q5AT CSD18504Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18504q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 77W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 7.7nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18509Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1mΩ
Dimensions: 5x6mm
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 195W
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18510KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510kcs CSD18510KCS THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18510KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 250W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 400A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18510KTTT CSD18510KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 250W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 400A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 119nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.45 EUR
29+2.53 EUR
30+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18510Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 156W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 0.79mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18511KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18511kcs CSD18511KCS THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18511KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18511ktt CSD18511KTT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18511KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18511ktt CSD18511KTTT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18511Q5AT CSD18511Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18511q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 104W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 63nC
On-state resistance: 1.9mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18512Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18512q5b CSD18512Q5BT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18514Q5AT CSD18514Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18514q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 74W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 4.1mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 839 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.89 EUR
51+1.42 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
100+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18531Q5A CSD18531Q5A TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18531q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 156W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 3.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
43+1.67 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18531Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18531q5a CSD18531Q5AT SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18532KCS CSD18532KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 250W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 250W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
50+1.6 EUR
100+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18532NQ5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532nq5b CSD18532NQ5BT SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18532Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18533KCS CSD18533KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18533kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 192W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 192W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 5mΩ
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18533Q5AT CSD18533Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18533q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 116W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.07 EUR
52+1.4 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
100+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18534KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18534kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 164A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 164A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18534Q5AT CSD18534Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18534q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 77W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 7.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
34+2.12 EUR
39+1.87 EUR
45+1.6 EUR
46+1.57 EUR
48+1.52 EUR
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18535KCS CSD18535KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 63nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 1.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.83 EUR
30+2.46 EUR
31+2.33 EUR
50+2.3 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18535KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18535KTTT CSD18535KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18536KCS CSD18536KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Gate charge: 83nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 1.3mΩ
Power dissipation: 375W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.06 EUR
16+4.75 EUR
21+3.47 EUR
22+3.29 EUR
50+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18536KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt CSD18536KTT SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18536KTTT CSD18536KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 375W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 400A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 108nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.54 EUR
17+4.32 EUR
18+4.09 EUR
100+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18537NKCS CSD18537NKCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nkcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1.14÷1.4mm
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 94W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 11mΩ
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.79 EUR
57+1.27 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18537NQ5AT CSD18537NQ5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 75W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 10mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.57 EUR
53+1.37 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18540Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18540q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18541F5T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18541f5 CSD18541F5T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18542KCS CSD18542KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18542kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.97 EUR
37+1.94 EUR
39+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18542KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18542ktt CSD18542KTT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18542KTTT CSD18542KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18542ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Power dissipation: 250W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1802 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.16 EUR
40+1.82 EUR
42+1.72 EUR
50+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD16570Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd16570q5b
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17308q3
CSD17308Q3
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
89+0.81 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17308Q3T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17308q3
CSD17308Q3T
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
71+1.02 EUR
107+0.67 EUR
113+0.64 EUR
250+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17313Q2Q1T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17313q2q1
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 57A; 17W; WSON6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 57A
Power dissipation: 17W
Case: WSON6
Gate-source voltage: -8...10V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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CSD17313Q2T
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 17W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 2x2mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1704 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
63+1.14 EUR
87+0.82 EUR
93+0.78 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17318Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17318q2
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD17318Q2T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD17381F4T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17382F4T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17382f4
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD17382F4T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17483F4T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17483f4
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; Idm: 5A; 500mW; PICOSTAR3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 5A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17484F4T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17484f4
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 18A; 500mW; PICOSTAR3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 18A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17556Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17556q5b
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD17556Q5BT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17559Q5T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17559q5
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17570Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17570q5b
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD17570Q5BT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17571Q2 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17571q2
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD17571Q2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17573Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17573q5b
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 1.19Ω
Dimensions: 5x6mm
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 195W
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17575Q3T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17575q3
CSD17575Q3T
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 108W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate charge: 23nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.66 EUR
56+1.29 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
100+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17576Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD17576Q5BT SMD N channel transistors
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17577Q3AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17577q3a
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD17577Q3AT SMD N channel transistors
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17578Q3AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17578q3a
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD17578Q3AT SMD N channel transistors
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
250+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17579Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17579q5a
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD17579Q5AT SMD N channel transistors
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17581Q3AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17581q3a
CSD17581Q3AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: VSONP8
Gate charge: 20nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 63W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
73+0.99 EUR
94+0.76 EUR
100+0.72 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD17585F5T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17585f5
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD17585F5T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18502KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18502kcs
CSD18502KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 259W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 259W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 52nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.16 EUR
36+2.02 EUR
38+1.9 EUR
50+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18502Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18502q5b
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18502Q5BT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18503Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18503q5a
CSD18503Q5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 120W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 120W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
42+1.73 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18504KCS slps365
CSD18504KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 115W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.8 EUR
54+1.34 EUR
58+1.24 EUR
63+1.14 EUR
64+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18504Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18504q5a
CSD18504Q5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 77W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 7.7nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18509Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 1mΩ
Dimensions: 5x6mm
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 195W
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18510KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510kcs
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18510KCS THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18510KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 250W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 400A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18510KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt
CSD18510KTTT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 250W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 400A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 119nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.45 EUR
29+2.53 EUR
30+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18510Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510q5b
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSON-CLIP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 156W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 0.79mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18511KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18511kcs
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18511KCS THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18511KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18511ktt
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18511KTT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18511KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18511ktt
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18511KTTT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18511Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18511q5a
CSD18511Q5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 104W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 63nC
On-state resistance: 1.9mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18512Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18512q5b
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18512Q5BT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18514Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18514q5a
CSD18514Q5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 74W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 40V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 4.1mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 839 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.89 EUR
51+1.42 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
100+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18531Q5A suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18531q5a
CSD18531Q5A
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 156W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 3.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
43+1.67 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18531Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18531q5a
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18531Q5AT SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18532KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532kcs
CSD18532KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 250W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 250W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
42+1.73 EUR
44+1.63 EUR
50+1.6 EUR
100+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18532NQ5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532nq5b
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18532NQ5BT SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18532Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532q5b
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18533KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18533kcs
CSD18533KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 192W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 192W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 5mΩ
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18533Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18533q5a
CSD18533Q5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 116W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 4.7mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1149 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.07 EUR
52+1.4 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
100+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18534KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18534kcs
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 164A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 164A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18534Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18534q5a
CSD18534Q5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 77W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 7.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
34+2.12 EUR
39+1.87 EUR
45+1.6 EUR
46+1.57 EUR
48+1.52 EUR
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18535KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535kcs
CSD18535KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 63nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 1.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.83 EUR
30+2.46 EUR
31+2.33 EUR
50+2.3 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18535KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535ktt
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18535KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535ktt
CSD18535KTTT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18536KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536kcs
CSD18536KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Gate charge: 83nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 1.3mΩ
Power dissipation: 375W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.06 EUR
16+4.75 EUR
21+3.47 EUR
22+3.29 EUR
50+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18536KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18536KTT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18536KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt
CSD18536KTTT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 375W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 400A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 108nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.54 EUR
17+4.32 EUR
18+4.09 EUR
100+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18537NKCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nkcs
CSD18537NKCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1.14÷1.4mm
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 94W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 11mΩ
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
57+1.27 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
100+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18537NQ5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a
CSD18537NQ5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 75W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 10mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
53+1.37 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18540Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18540q5b
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18541F5T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18541f5
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18541F5T SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18542KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18542kcs
CSD18542KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 200W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.97 EUR
37+1.94 EUR
39+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18542KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18542ktt
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD18542KTT SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18542KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18542ktt
CSD18542KTTT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Power dissipation: 250W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1802 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.16 EUR
40+1.82 EUR
42+1.72 EUR
50+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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