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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
CSD18543Q3AT CSD18543Q3AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18543q3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 66W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11.1nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 8.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.03 EUR
50+1.46 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
100+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18563Q5AT CSD18563Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18563q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 116W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 5.7mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.79 EUR
45+1.6 EUR
49+1.47 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
100+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19501KCS CSD19501KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19501kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 217W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 217W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.49 EUR
45+1.6 EUR
49+1.49 EUR
50+1.44 EUR
52+1.4 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19502Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19502q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19503KCS CSD19503KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19503kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
49+1.47 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
100+1.17 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19505KCS CSD19505KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.32 EUR
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
250+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19505KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19505KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19506KCS CSD19506KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19506kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
4+17.88 EUR
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19506KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19506ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19506KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19506ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19531KCS CSD19531KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.47 EUR
32+2.29 EUR
37+1.96 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19531Q5AT CSD19531Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.56 EUR
40+1.8 EUR
42+1.72 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19532KTT CSD19532KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.12 EUR
27+2.69 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19532KTTT CSD19532KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19532Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19533KCS CSD19533KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.96 EUR
41+1.77 EUR
48+1.5 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19533Q5AT CSD19533Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 96W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.53 EUR
35+2.06 EUR
40+1.83 EUR
53+1.37 EUR
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19534KCS CSD19534KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 118W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 118W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.77 EUR
50+1.44 EUR
57+1.27 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
100+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19534Q5A CSD19534Q5A TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
83+0.87 EUR
91+0.79 EUR
137+0.52 EUR
146+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19535KCS CSD19535KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.28 EUR
26+2.82 EUR
27+2.66 EUR
50+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19535KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19535KTTT CSD19535KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.29 EUR
15+4.86 EUR
22+3.37 EUR
23+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19536KCS CSD19536KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.83 EUR
14+5.45 EUR
19+3.79 EUR
20+3.59 EUR
25+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19536KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19536KTTT CSD19536KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.69 EUR
11+7.11 EUR
14+5.12 EUR
25+5.05 EUR
50+4.92 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19537Q3T CSD19537Q3T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19537q3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 83W; VSON-CLIP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 83W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.02 EUR
45+1.59 EUR
100+1 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2T CSD19538Q2T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 20.2W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
Power dissipation: 20.2W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 2x2mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2070 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
106+0.67 EUR
108+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q3AT CSD19538Q3AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 23W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 23W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
84+0.85 EUR
95+0.75 EUR
101+0.71 EUR
105+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD22204WT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd22204w Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -5A; Idm: -80A; 1.7W; DSBGA9
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -5A
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±6V
Polarisation: unipolar
Case: DSBGA9
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD22205LT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd22205l CSD22205LT SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD22206WT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd22206w Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -5A; Idm: -108A; 1.7W; DSBGA9
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -108A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -5A
On-state resistance: 9.1mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±6V
Polarisation: unipolar
Case: DSBGA9
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD23202W10T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23202w10 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.2A; Idm: -25A; 1W; DSBGA4
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.2A
On-state resistance: 123mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: reel; tape
Case: DSBGA4
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD23203WT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23203w CSD23203WT SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD23280F3T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23280f3 CSD23280F3T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD23285F5T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23285f5 CSD23285F5T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD23381F4T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23381f4 CSD23381F4T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD23382F4T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23382f4 CSD23382F4T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25202W15T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25202w15 CSD25202W15T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25304W1015T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25304w1015 CSD25304W1015T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25310Q2 TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25310q2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -20A; Idm: 48A; 2.9W; WSON6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 2.9W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25310Q2T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25310q2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -20A; Idm: 48A; 2.9W; WSON6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 2.9W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25402Q3AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25402q3a CSD25402Q3AT SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25404Q3T CSD25404Q3T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25404q3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; 96W; VSON-CLIP8
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -60A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 10.9nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 96W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: VSON-CLIP8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.09 EUR
50+1.43 EUR
55+1.32 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25480F3T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25480f3 CSD25480F3T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25481F4T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25481f4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -13.1A; 500mW
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Case: PICOSTAR3
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -13.1A
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 0.8Ω
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25483F4T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25483f4 CSD25483F4T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25484F4T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25484f4 CSD25484F4T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25485F5T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25485f5 CSD25485F5T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25501F3T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25501f3 CSD25501F3T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD75208W1015T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd75208w1015 CSD75208W1015T Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85301q2 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 26A; 2.3W; WSON6
Case: WSON6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 99mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85302LT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85302l Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.7W; PICOSTAR4; ESD
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PICOSTAR4
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.7W
Semiconductor structure: common drain
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD87335Q3DT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87335q3d CSD87335Q3DT Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD87502Q2T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87502q2 CSD87502Q2T SMD N channel transistors
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.96 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD88537NDT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd CSD88537NDT Multi channel transistors
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD88539NDT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd CSD88539NDT Multi channel transistors
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
100+0.81 EUR
102+0.7 EUR
108+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAC0800LCM/NOPB DAC0800LCM/NOPB TEXAS INSTRUMENTS snas538c.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; SO16; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Case: SO16
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...18V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.6 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
31+2.37 EUR
48+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAC0800LCN/NOPB TEXAS INSTRUMENTS snas538c.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 6.6Msps; Ch: 1; PDIP16; 0÷70°C; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Case: PDIP16
Mounting: THT
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 4.5...18V DC
Integrated circuit features: multiplying
Sampling speed: 6.6Msps
Interface: parallel
Number of channels: 1
Relative accuracy: 1LSB
Converter resolution: 8bit
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18543Q3AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18543q3a
CSD18543Q3AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 66W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11.1nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 8.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.03 EUR
50+1.46 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
100+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD18563Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18563q5a
CSD18563Q5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Power dissipation: 116W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 5.7mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
45+1.6 EUR
49+1.47 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
100+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19501KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19501kcs
CSD19501KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 217W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 217W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.49 EUR
45+1.6 EUR
49+1.49 EUR
50+1.44 EUR
52+1.4 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19502Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19502q5b
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19503KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19503kcs
CSD19503KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.23 EUR
49+1.47 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
100+1.17 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19505KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs
CSD19505KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.32 EUR
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
250+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19505KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505ktt
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19505KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505ktt
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19506KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19506kcs
CSD19506KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
4+17.88 EUR
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19506KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19506ktt
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19506KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19506ktt
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19531KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531kcs
CSD19531KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.47 EUR
32+2.29 EUR
37+1.96 EUR
46+1.57 EUR
49+1.49 EUR
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19531Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531q5a
CSD19531Q5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.56 EUR
40+1.8 EUR
42+1.72 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19532KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt
CSD19532KTT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.12 EUR
27+2.69 EUR
36+2.03 EUR
38+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19532KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt
CSD19532KTTT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19532Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19533KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533kcs
CSD19533KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
41+1.77 EUR
48+1.5 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19533Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a
CSD19533Q5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 96W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.53 EUR
35+2.06 EUR
40+1.83 EUR
53+1.37 EUR
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19534KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534kcs
CSD19534KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 118W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 118W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
50+1.44 EUR
57+1.27 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
100+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19534Q5A suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a
CSD19534Q5A
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
83+0.87 EUR
91+0.79 EUR
137+0.52 EUR
146+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19534Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a
CSD19534Q5AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 5x6mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19535KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535kcs
CSD19535KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.28 EUR
26+2.82 EUR
27+2.66 EUR
50+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19535KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19535KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt
CSD19535KTTT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
15+4.86 EUR
22+3.37 EUR
23+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19536KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536kcs
CSD19536KCS
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.83 EUR
14+5.45 EUR
19+3.79 EUR
20+3.59 EUR
25+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19536KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19536KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt
CSD19536KTTT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.69 EUR
11+7.11 EUR
14+5.12 EUR
25+5.05 EUR
50+4.92 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19537Q3T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19537q3
CSD19537Q3T
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 83W; VSON-CLIP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 83W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.02 EUR
45+1.59 EUR
100+1 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2
CSD19538Q2T
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 20.2W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
Power dissipation: 20.2W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 2x2mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2070 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
106+0.67 EUR
108+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD19538Q3AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q3a
CSD19538Q3AT
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 23W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 23W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Dimensions: 3.3x3.3mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
84+0.85 EUR
95+0.75 EUR
101+0.71 EUR
105+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD22204WT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd22204w
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -5A; Idm: -80A; 1.7W; DSBGA9
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -5A
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±6V
Polarisation: unipolar
Case: DSBGA9
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD22205LT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd22205l
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD22205LT SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD22206WT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd22206w
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -5A; Idm: -108A; 1.7W; DSBGA9
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -108A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -5A
On-state resistance: 9.1mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±6V
Polarisation: unipolar
Case: DSBGA9
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD23202W10T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23202w10
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.2A; Idm: -25A; 1W; DSBGA4
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.2A
On-state resistance: 123mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: reel; tape
Case: DSBGA4
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD23203WT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23203w
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD23203WT SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD23280F3T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23280f3
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD23280F3T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD23285F5T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23285f5
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD23285F5T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD23381F4T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23381f4
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD23381F4T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD23382F4T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23382f4
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD23382F4T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25202W15T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25202w15
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25202W15T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25304W1015T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25304w1015
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25304W1015T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25310Q2 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25310q2
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -20A; Idm: 48A; 2.9W; WSON6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 2.9W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25310Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25310q2
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -20A; Idm: 48A; 2.9W; WSON6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 2.9W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25402Q3AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25402q3a
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25402Q3AT SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25404Q3T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25404q3
CSD25404Q3T
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; 96W; VSON-CLIP8
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -60A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 10.9nC
Dimensions: 3.3x3.3mm
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 96W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: VSON-CLIP8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.09 EUR
50+1.43 EUR
55+1.32 EUR
66+1.09 EUR
70+1.03 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25480F3T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25480f3
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25480F3T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25481F4T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25481f4
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -13.1A; 500mW
Kind of channel: enhancement
Technology: NexFET™
Case: PICOSTAR3
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -13.1A
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 0.8Ω
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25483F4T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25483f4
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25483F4T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25484F4T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25484f4
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25484F4T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25485F5T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25485f5
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25485F5T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD25501F3T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25501f3
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25501F3T SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD75208W1015T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd75208w1015
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD75208W1015T Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85301Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85301q2
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 26A; 2.3W; WSON6
Case: WSON6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 99mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD85302LT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85302l
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.7W; PICOSTAR4; ESD
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PICOSTAR4
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.7W
Semiconductor structure: common drain
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD87335Q3DT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87335q3d
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD87335Q3DT Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD87502Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87502q2
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD87502Q2T SMD N channel transistors
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD88537NDT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD88537NDT Multi channel transistors
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CSD88539NDT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
CSD88539NDT Multi channel transistors
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
100+0.81 EUR
102+0.7 EUR
108+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAC0800LCM/NOPB snas538c.pdf?t.download=true&u=5oefqw
DAC0800LCM/NOPB
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; SO16; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Case: SO16
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...18V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.6 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
31+2.37 EUR
48+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAC0800LCN/NOPB snas538c.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 6.6Msps; Ch: 1; PDIP16; 0÷70°C; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Case: PDIP16
Mounting: THT
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 4.5...18V DC
Integrated circuit features: multiplying
Sampling speed: 6.6Msps
Interface: parallel
Number of channels: 1
Relative accuracy: 1LSB
Converter resolution: 8bit
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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