| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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TC1301 Produktcode: 89151
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Lieblingsprodukt
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Transcom |
 Transistoren > HF-TransistorenGehäuse: ohne Gehäuse 760x290mm Frequenz, fT: 12 GHz Typ: rauscharmer GaAs-FET mittlerer Leistung |
auf Bestellung 120 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| TC3341/201-303341-921 | TRANSCOM | 04+ |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| TC4541 | TRANSCOM | SMD |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ TC1301 Transcom | Transcom | Транз. Пол. НВЧ GaAs FETs; 12GHz; low noise, Medium Power TC1301.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ TC2181 Transcom | Transcom | Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=12 dB, P1dB=18 dBm, Nf=0,5 dB @ 12 GHz TC2181.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ TC2281P0811 Transcom | Transcom | Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=12 dB, P1dB=22 dBm, Nf=0,5 dB @ 12 GHz TC2281P0811.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ TC2281 Transcom | Transcom | Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=12 dB, P1dB=22 dBm, Nf=0,5 dB @ 12 GHz TC2281.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ TC2282 Transcom | Transcom | Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=12 dB, Nf=0,5 dB @ 12 GHz TC2282.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ TC2381 Transcom | Transcom | Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=9 dB, P1dB=24 dBm, Nf=0,9 dB @ 12 GHz TC2381.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ TC2471 Transcom | Transcom | Транз. пол. НВЧ 0,5 W GaAs PHEMT, G=15 dB, IP3=37 dBm, PAE=40% @ 6 GHz TC2471.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ TC2481 Transcom | Transcom | Транз. пол. НВЧ 0,5 W GaAs PHEMT, G=11 dB, IP3=37 dBm, PAE=37% @ 6 GHz TC2481.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ TC3938 Transcom | Transcom | Транз. пол. НВЧ Single-Bias Medium Power PHEMT GaAs FET Ga=8 dB, P1dB=24 dBm, Nf=1 dB @ 12 GHz TC3938.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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| TC1301 Produktcode: 89151
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Transcom
Transistoren > HF-Transistoren
Gehäuse: ohne Gehäuse 760x290mm
Frequenz, fT: 12 GHz
Typ: rauscharmer GaAs-FET mittlerer Leistung
Transistoren > HF-Transistoren
Gehäuse: ohne Gehäuse 760x290mm
Frequenz, fT: 12 GHz
Typ: rauscharmer GaAs-FET mittlerer Leistung
auf Bestellung 120 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.92 EUR |
| 10+ | 7.97 EUR |
| 100+ | 5.71 EUR |
| TC3341/201-303341-921 |
Hersteller: TRANSCOM
04+
04+
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| TC4541 |
Hersteller: TRANSCOM
SMD
SMD
auf Bestellung 100 Stücke:
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ TC1301 Transcom |
Hersteller: Transcom
Транз. Пол. НВЧ GaAs FETs; 12GHz; low noise, Medium Power TC1301.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ GaAs FETs; 12GHz; low noise, Medium Power TC1301.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ TC2181 Transcom |
Hersteller: Transcom
Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=12 dB, P1dB=18 dBm, Nf=0,5 dB @ 12 GHz TC2181.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=12 dB, P1dB=18 dBm, Nf=0,5 dB @ 12 GHz TC2181.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ TC2281P0811 Transcom |
Hersteller: Transcom
Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=12 dB, P1dB=22 dBm, Nf=0,5 dB @ 12 GHz TC2281P0811.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=12 dB, P1dB=22 dBm, Nf=0,5 dB @ 12 GHz TC2281P0811.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ TC2281 Transcom |
Hersteller: Transcom
Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=12 dB, P1dB=22 dBm, Nf=0,5 dB @ 12 GHz TC2281.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=12 dB, P1dB=22 dBm, Nf=0,5 dB @ 12 GHz TC2281.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ TC2282 Transcom |
Hersteller: Transcom
Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=12 dB, Nf=0,5 dB @ 12 GHz TC2282.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=12 dB, Nf=0,5 dB @ 12 GHz TC2282.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ TC2381 Transcom |
Hersteller: Transcom
Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=9 dB, P1dB=24 dBm, Nf=0,9 dB @ 12 GHz TC2381.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=9 dB, P1dB=24 dBm, Nf=0,9 dB @ 12 GHz TC2381.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ TC2471 Transcom |
Hersteller: Transcom
Транз. пол. НВЧ 0,5 W GaAs PHEMT, G=15 dB, IP3=37 dBm, PAE=40% @ 6 GHz TC2471.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. пол. НВЧ 0,5 W GaAs PHEMT, G=15 dB, IP3=37 dBm, PAE=40% @ 6 GHz TC2471.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ TC2481 Transcom |
Hersteller: Transcom
Транз. пол. НВЧ 0,5 W GaAs PHEMT, G=11 dB, IP3=37 dBm, PAE=37% @ 6 GHz TC2481.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. пол. НВЧ 0,5 W GaAs PHEMT, G=11 dB, IP3=37 dBm, PAE=37% @ 6 GHz TC2481.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ TC3938 Transcom |
Hersteller: Transcom
Транз. пол. НВЧ Single-Bias Medium Power PHEMT GaAs FET Ga=8 dB, P1dB=24 dBm, Nf=1 dB @ 12 GHz TC3938.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. пол. НВЧ Single-Bias Medium Power PHEMT GaAs FET Ga=8 dB, P1dB=24 dBm, Nf=1 dB @ 12 GHz TC3938.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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