Produkte > TT ELECTRONICS / SEMELAB > Alle Produkte des Herstellers TT ELECTRONICS / SEMELAB (12) > Seite 1 nach 1
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2N6845 | TT ELECTRONICS / SEMELAB |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 20 Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
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ALF16N16W | TT ELECTRONICS / SEMELAB |
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - ALF16N16W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 160 V, 16 A, TO-264, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 160 Dauer-Drainstrom Id: 16 Rds(on)-Messspannung Vgs: - Verlustleistung Pd: 250 Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): - Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: - SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
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BD647 | TT ELECTRONICS / SEMELAB |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 1500 Verlustleistung Pd: 62.5 Übergangsfrequenz ft: 10 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
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BD649 | TT ELECTRONICS / SEMELAB |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 1500 MSL: - Verlustleistung Pd: 62.5 Übergangsfrequenz ft: 10 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
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BD650 | TT ELECTRONICS / SEMELAB |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 2700 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8 MSL: - Verlustleistung: 62.5 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
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BD956 | TT ELECTRONICS / SEMELAB |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40 DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2 MSL: - Verlustleistung: 40 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
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BDT65A | TT ELECTRONICS / SEMELAB |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 1500 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 12 Verlustleistung: 125 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
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BUZ900 | TT ELECTRONICS / SEMELAB |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 160 Dauer-Drainstrom Id: 8 Rds(on)-Messspannung Vgs: - MSL: - Verlustleistung Pd: 125 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.5 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
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BUZ901D | TT ELECTRONICS / SEMELAB |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 16 Rds(on)-Messspannung Vgs: - MSL: - Verlustleistung Pd: 250 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.75 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.5 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
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BUZ905P | TT ELECTRONICS / SEMELAB |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 160 Dauer-Drainstrom Id: 8 Rds(on)-Messspannung Vgs: - MSL: - Verlustleistung Pd: 125 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.5 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
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BZY93-C8V2 | TT ELECTRONICS / SEMELAB |
![]() Zener-Spannung, nom.: 8.2 Verlustleistung: 20 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: DO-4 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 20 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: BZY93C SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
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VN10K | TT ELECTRONICS / SEMELAB |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 170 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 1.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4 Verlustleistung: 1.5 Bauform - Transistor: TO-18 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
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2N6845 |
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Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - 2N6845 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.6 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 20
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - 2N6845 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.6 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 20
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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ALF16N16W |
Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - ALF16N16W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 160 V, 16 A, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 160
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - ALF16N16W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 160 V, 16 A, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 160
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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Stück im Wert von UAH
BD647 |
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Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BD647 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 80 V, 8 A, 62.5 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1500
Verlustleistung Pd: 62.5
Übergangsfrequenz ft: 10
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BD647 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 80 V, 8 A, 62.5 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1500
Verlustleistung Pd: 62.5
Übergangsfrequenz ft: 10
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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Stück im Wert von UAH
BD649 |
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Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BD649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 100 V, 8 A, 62.5 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1500
MSL: -
Verlustleistung Pd: 62.5
Übergangsfrequenz ft: 10
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BD649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 100 V, 8 A, 62.5 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1500
MSL: -
Verlustleistung Pd: 62.5
Übergangsfrequenz ft: 10
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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Stück im Wert von UAH
BD650 |
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Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BD650 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 8 A, 62.5 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 2700
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
MSL: -
Verlustleistung: 62.5
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BD650 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 8 A, 62.5 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 2700
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
MSL: -
Verlustleistung: 62.5
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BD956 |
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Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BD956 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 120 V, 2 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: -
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BD956 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 120 V, 2 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: -
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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Stück im Wert von UAH
BDT65A |
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Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BDT65A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 80 V, 12 A, 125 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1500
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BDT65A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, NPN, 80 V, 12 A, 125 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1500
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUZ900 |
![]() |
Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BUZ900 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 160 V, 8 A, 1.5 ohm, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 160
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BUZ900 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 160 V, 8 A, 1.5 ohm, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 160
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUZ901D |
![]() |
Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BUZ901D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.75 ohm, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.75
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BUZ901D - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.75 ohm, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.75
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BUZ905P |
![]() |
Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BUZ905P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 160 V, 8 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 160
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BUZ905P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 160 V, 8 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 160
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BZY93-C8V2 |
![]() |
Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BZY93-C8V2 - Zener-Diode, Baureihe BZY93C, 8.2 V, 20 W, DO-4, 2 Pin(s), 175 °C
Zener-Spannung, nom.: 8.2
Verlustleistung: 20
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: BZY93C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BZY93-C8V2 - Zener-Diode, Baureihe BZY93C, 8.2 V, 20 W, DO-4, 2 Pin(s), 175 °C
Zener-Spannung, nom.: 8.2
Verlustleistung: 20
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: BZY93C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
VN10K |
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Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - VN10K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3 ohm, TO-18, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: TO-18
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - VN10K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3 ohm, TO-18, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: TO-18
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH