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BUZ900 SML



Hersteller: SML

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Technische Details BUZ900 SML

Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BUZ900 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 160 V, 8 A, 1.5 ohm, TO-3, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 160, Dauer-Drainstrom Id: 8, Rds(on)-Messspannung Vgs: -, MSL: -, Verlustleistung Pd: 125, Bauform - Transistor: TO-3, Anzahl der Pins: 2, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 1.5, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUZ900 ---- N–CHANNEL POWER MOSFET TO-3 Транзистори
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BUZ900 Semelab / TT Electronics 2N2369ADCSM-844773.pdf MOSFETs
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BUZ900 BUZ900 TT ELECTRONICS / SEMELAB 35730.pdf Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BUZ900 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 160 V, 8 A, 1.5 ohm, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 160
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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BUZ900
Hersteller: ----
N–CHANNEL POWER MOSFET TO-3 Транзистори
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BUZ900 2N2369ADCSM-844773.pdf
Hersteller: Semelab / TT Electronics
MOSFETs
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BUZ900 35730.pdf
Hersteller: TT ELECTRONICS / SEMELAB
Description: TT ELECTRONICS / SEMELAB - BUZ900 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 160 V, 8 A, 1.5 ohm, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 160
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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