Produkte > VISHAY > Alle Produkte des Herstellers VISHAY (366286) > Seite 1062 nach 6105

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 610 1057 1058 1059 1060 1061 1062 1063 1064 1065 1066 1067 1220 1830 2440 3050 3660 4270 4880 5490 6100 6105  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFI740GLCPBF VISHAY 91155.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.7A; Idm: 23A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 23A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GPBF IRFI740GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE2B1F0DB2A8EFE6135&compId=irfi740gpbf.pdf?ci_sign=22a063b238ba05123f7f1fd49a30448fd89e02a5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.15 EUR
27+2.66 EUR
91+0.79 EUR
99+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI820GPBF VISHAY sihfi820.pdf IRFI820GPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.72 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GPBF IRFI830GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F1E10F882E143&compId=IRFI830G.pdf?ci_sign=8f8749a6e108da4639eccf899ae2ea783e909890 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.29 EUR
43+1.7 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCPBF IRFI840GLCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F24AFF7D14143&compId=IRFI840GLC.pdf?ci_sign=61a568fa8c7fe1f39f440b8c3b979238157aa1b0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBF IRFI840GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ABEA75EC0E469&compId=IRFI840GPBF.pdf?ci_sign=3b1cb21447751f6a70ee8518831459f235e91772 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67nC
On-state resistance: 0.85Ω
Drain current: 2.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 40W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.63 EUR
30+2.42 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9520GPBF IRFI9520GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90F6CEFC21C143&compId=IRFI9520G.pdf?ci_sign=587dbd3a1ddb3426c3d02d0035a275d2eeb94bfa Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 37W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9530GPBF IRFI9530GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90E7015EEA2143&compId=IRFI9530G.pdf?ci_sign=2d8aaba937e7337c35e0101f82b4ee472206543e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.4A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9540GPBF IRFI9540GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90E15AA409C143&compId=IRFI9540G.pdf?ci_sign=2f69adf9189fc5b5a9f2752c3036e83856470532 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.6A; 48W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
34+2.13 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9610GPBF VISHAY irfi9610g.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -8A; 27W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9620GPBF VISHAY irfi9620g.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3A; Idm: -12A; 30W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9630GPBF IRFI9630GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AC132D3002469&compId=IRFI9630GPBF.pdf?ci_sign=fb760884a4196e9c1bd01f7ae8a92d2afdcb62ea Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.7A
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 35W
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.87 EUR
52+1.39 EUR
80+0.9 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9634GPBF IRFI9634GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AC4F54EEAC469&compId=IRFI9634GPBF.pdf?ci_sign=6887378217ed31e1cde01dc3e807be548f0f3340 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -2.6A; 35W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -2.6A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 35W
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.09 EUR
72+1 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9640GPBF IRFI9640GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90AEB6E0F92143&compId=IRFI9640G.pdf?ci_sign=70a347cc2fe62cbdac19797c4d8f8ab46e123b76 description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.9A; 40W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.9A
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 40W
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.1 EUR
41+1.77 EUR
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z14GPBF VISHAY irfi9z14g.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A; 27W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -21A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GPBF VISHAY 91171.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; 8.5A; Idm: -34A; 37W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: -34A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD910AD7B8E7E143&compId=IRFI9Z34G.pdf?ci_sign=1c699a177c38388fe2c5ca7c3152fa6cd6a85c0e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
70+1.03 EUR
88+0.82 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB5N65APBF VISHAY sihfib5n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.1A; Idm: 21A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 930mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 48nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 60W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA496F2EB0143&compId=IRFIB6N60A.pdf?ci_sign=be77c75cc5a3bff9e60c6ac5fe6476ffcb756bee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 49nC
Power dissipation: 60W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.46 EUR
23+3.2 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50APBF IRFIB7N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B405B251E880C7&compId=irfib7n50a.pdf?ci_sign=e692870b6c289516528b491732c6b4e0ff3caabd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 44A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ACBC527CBE469&compId=IRFIBC30GPBF.pdf?ci_sign=f99bb9f336c49b903c739a1292cef39c8fd14560 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.57 EUR
51+1.42 EUR
58+1.24 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GPBF IRFIBC40GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ACF0D9C7C4469&compId=IRFIBC40GPBF.pdf?ci_sign=2e64080882756ec4c6b2d056a1022ad79167e752 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.2A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.03 EUR
38+1.89 EUR
41+1.74 EUR
44+1.64 EUR
50+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20GPBF VISHAY 91183.pdf IRFIBE20GPBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD907069CE9AA143&compId=IRFIBE30G.pdf?ci_sign=c15b139bb0cb5e69692309eff8b86ee12b4927cd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2 EUR
40+1.79 EUR
46+1.59 EUR
53+1.37 EUR
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBF IRFIBF20GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90790CDDDB8143&compId=IRFIBF20G.pdf?ci_sign=581a7edfe976907183314c465ad1a5e64ef12c15 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 0.79A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.62 EUR
31+2.36 EUR
40+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30GPBF IRFIBF30GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9094626C970143&compId=IRFIBF30G.pdf?ci_sign=3aff58b962a0e92f73022557f0d175b46984c3f7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.2A; 35W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 3.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ14GPBF VISHAY 90224.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 32A; 27W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24GPBF VISHAY 91187.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 56A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ34GPBF VISHAY 91188.pdf IRFIZ34GPBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ44GPBF VISHAY 91189.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ48GPBF IRFIZ48GPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E8BE6B5300143&compId=IRFIZ48G.pdf?ci_sign=1933aab56fbd5aaff519a0ab4bf9ddb3b516fc42 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.96 EUR
40+1.82 EUR
41+1.76 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAB2C9D8692480C4&compId=IRFL014.pdf?ci_sign=e968744c4116c73c52897afdc5b5792ce1ca4476 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1116 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
91+0.79 EUR
101+0.71 EUR
113+0.64 EUR
227+0.32 EUR
240+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBF-BE3 VISHAY sihfl014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AD5EDD8CD4469&compId=IRFL110PBF.pdf?ci_sign=d6163363db908cdabaaa8ae9f6493621a6f13ae8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1021 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
93+0.77 EUR
110+0.65 EUR
231+0.31 EUR
244+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EA921BD106D0745&compId=IRFL210.pdf?ci_sign=7f6031d50a342dfa37944838da9382addd6ef919 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 7.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.92 EUR
86+0.84 EUR
147+0.49 EUR
155+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL210TRPBF-BE3 VISHAY sihfl210.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 7.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL214TRPBF VISHAY sihfl214.pdf IRFL214TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE697DE8CADB6242FA8&compId=IRFL9014-DTE.pdf?ci_sign=55bc1511357d5ebad38d13a71f5551a4067fec3c description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
210+0.34 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBF-BE3 VISHAY sihfl901.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ADB2890B3C469&compId=IRFL9110PBF.pdf?ci_sign=e6856d66840c829bc42f1655d46b67569bd7dc20 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.69A
Pulsed drain current: -8.8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
82+0.87 EUR
89+0.81 EUR
213+0.34 EUR
226+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBF-BE3 VISHAY sihfl911.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.69A
Pulsed drain current: -8.8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP048PBF VISHAY irfp048.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 290A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP048RPBF IRFP048RPBF VISHAY sihfp048.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 290A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.13 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP054PBF IRFP054PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AE31FF9EB2469&compId=IRFP054PBF.pdf?ci_sign=d4305381c76283bc071e06a2d37597a7eacef970 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.93 EUR
33+2.2 EUR
35+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP064PBF IRFP064PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AE918641C0469&compId=IRFP064PBF.pdf?ci_sign=f96cff53cbbcb17c18ec4b52dba178fd69454b2e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.52 EUR
24+2.99 EUR
26+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP140PBF IRFP140PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB9B17D40E0E220D4&compId=irfp140.pdf?ci_sign=eedb8e5a9e6e15e33004653e8b02444d7a8f6a86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.6 EUR
31+2.33 EUR
34+2.13 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP150PBF IRFP150PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B1A260681C469&compId=IRFP150PBF.pdf?ci_sign=d53e0b757325c6cfb5bd7844136cc27705b965ed Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.05 EUR
20+3.7 EUR
21+3.47 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP17N50LPBF VISHAY IRFP17N50LPBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP21N60LPBF VISHAY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B20D6B4600469&compId=IRFP22N50APBF.pdf?ci_sign=bb16b270a5c69cc6bbf9737dedd7320eb5415255 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 277W
Drain-source voltage: 500V
Case: TO247AC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.11 EUR
25+2.87 EUR
27+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N60KPBF VISHAY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 88A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP23N50LPBF VISHAY description IRFP23N50LPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.02 EUR
20+3.63 EUR
21+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240PBF IRFP240PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B23ADB673A469&compId=IRFP240PBF.pdf?ci_sign=854a52ba9a05bc8ed6e78b964013a295ce578df3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.57 EUR
31+2.37 EUR
55+1.3 EUR
58+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP244PBF IRFP244PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B264E39866469&compId=IRFP244PBF.pdf?ci_sign=728bb25c17a7c6c5adb2974fabf65c2499b27929 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.36 EUR
33+2.19 EUR
35+2.06 EUR
50+1.46 EUR
53+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B2A12B12F0469&compId=IRFP250PBF.pdf?ci_sign=e6aedf22443bad83185168735d7e428c36e0d1e6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.83 EUR
28+2.56 EUR
45+1.6 EUR
48+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP254PBF IRFP254PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B42288558D40C7&compId=IRFP254.pdf?ci_sign=3c01157832ea352f8fdcf89e051261da896780b7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 92A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.89 EUR
35+2.04 EUR
38+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260PBF IRFP260PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EFA4091678143&compId=IRFP260.pdf?ci_sign=47208904119e52a0f2d9ec951334dca888363a8b description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.86 EUR
23+3.17 EUR
24+3 EUR
500+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBF IRFP264PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAC6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp264.pdf?ci_sign=f3f52c438e5d84d9f3a9f23116c6b02ed736895b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.83 EUR
25+2.87 EUR
27+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP26N60LPBF VISHAY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 100A; 470W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 470W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP27N60KPBF IRFP27N60KPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A789AEBF12325E27&compId=IRFP27N60-DTE.pdf?ci_sign=7a8a5c491d546571c742be68e4a2b76adf96ae5f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GLCPBF description 91155.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.7A; Idm: 23A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 23A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI740GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE2B1F0DB2A8EFE6135&compId=irfi740gpbf.pdf?ci_sign=22a063b238ba05123f7f1fd49a30448fd89e02a5
IRFI740GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.15 EUR
27+2.66 EUR
91+0.79 EUR
99+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI820GPBF sihfi820.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFI820GPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.72 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI830GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F1E10F882E143&compId=IRFI830G.pdf?ci_sign=8f8749a6e108da4639eccf899ae2ea783e909890
IRFI830GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.29 EUR
43+1.7 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GLCPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F24AFF7D14143&compId=IRFI840GLC.pdf?ci_sign=61a568fa8c7fe1f39f440b8c3b979238157aa1b0
IRFI840GLCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
65+1.12 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI840GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ABEA75EC0E469&compId=IRFI840GPBF.pdf?ci_sign=3b1cb21447751f6a70ee8518831459f235e91772
IRFI840GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67nC
On-state resistance: 0.85Ω
Drain current: 2.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 40W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.63 EUR
30+2.42 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9520GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90F6CEFC21C143&compId=IRFI9520G.pdf?ci_sign=587dbd3a1ddb3426c3d02d0035a275d2eeb94bfa
IRFI9520GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 37W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9530GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90E7015EEA2143&compId=IRFI9530G.pdf?ci_sign=2d8aaba937e7337c35e0101f82b4ee472206543e
IRFI9530GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.4A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9540GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90E15AA409C143&compId=IRFI9540G.pdf?ci_sign=2f69adf9189fc5b5a9f2752c3036e83856470532
IRFI9540GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.6A; 48W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
34+2.13 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9610GPBF irfi9610g.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2A; Idm: -8A; 27W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9620GPBF irfi9620g.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3A; Idm: -12A; 30W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9630GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AC132D3002469&compId=IRFI9630GPBF.pdf?ci_sign=fb760884a4196e9c1bd01f7ae8a92d2afdcb62ea
IRFI9630GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.7A
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 35W
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.87 EUR
52+1.39 EUR
80+0.9 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9634GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AC4F54EEAC469&compId=IRFI9634GPBF.pdf?ci_sign=6887378217ed31e1cde01dc3e807be548f0f3340
IRFI9634GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -2.6A; 35W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -2.6A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 1Ω
Power dissipation: 35W
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.09 EUR
72+1 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9640GPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90AEB6E0F92143&compId=IRFI9640G.pdf?ci_sign=70a347cc2fe62cbdac19797c4d8f8ab46e123b76
IRFI9640GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.9A; 40W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.9A
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 40W
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.1 EUR
41+1.77 EUR
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z14GPBF irfi9z14g.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A; 27W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -21A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z24GPBF 91171.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; 8.5A; Idm: -34A; 37W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: -34A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI9Z34GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD910AD7B8E7E143&compId=IRFI9Z34G.pdf?ci_sign=1c699a177c38388fe2c5ca7c3152fa6cd6a85c0e
IRFI9Z34GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
70+1.03 EUR
88+0.82 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB5N65APBF sihfib5n.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.1A; Idm: 21A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 930mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 48nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 60W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8FA496F2EB0143&compId=IRFIB6N60A.pdf?ci_sign=be77c75cc5a3bff9e60c6ac5fe6476ffcb756bee
IRFIB6N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 49nC
Power dissipation: 60W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.46 EUR
23+3.2 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB7N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B405B251E880C7&compId=irfib7n50a.pdf?ci_sign=e692870b6c289516528b491732c6b4e0ff3caabd
IRFIB7N50APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 44A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC30GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ACBC527CBE469&compId=IRFIBC30GPBF.pdf?ci_sign=f99bb9f336c49b903c739a1292cef39c8fd14560
IRFIBC30GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
51+1.42 EUR
58+1.24 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBC40GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ACF0D9C7C4469&compId=IRFIBC40GPBF.pdf?ci_sign=2e64080882756ec4c6b2d056a1022ad79167e752
IRFIBC40GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.2A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.03 EUR
38+1.89 EUR
41+1.74 EUR
44+1.64 EUR
50+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE20GPBF 91183.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFIBE20GPBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBE30GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD907069CE9AA143&compId=IRFIBE30G.pdf?ci_sign=c15b139bb0cb5e69692309eff8b86ee12b4927cd
IRFIBE30GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2 EUR
40+1.79 EUR
46+1.59 EUR
53+1.37 EUR
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF20GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90790CDDDB8143&compId=IRFIBF20G.pdf?ci_sign=581a7edfe976907183314c465ad1a5e64ef12c15
IRFIBF20GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 0.79A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.62 EUR
31+2.36 EUR
40+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIBF30GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9094626C970143&compId=IRFIBF30G.pdf?ci_sign=3aff58b962a0e92f73022557f0d175b46984c3f7
IRFIBF30GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.2A; 35W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 3.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ14GPBF 90224.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 32A; 27W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ24GPBF 91187.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 56A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ34GPBF 91188.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFIZ34GPBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ44GPBF 91189.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIZ48GPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E8BE6B5300143&compId=IRFIZ48G.pdf?ci_sign=1933aab56fbd5aaff519a0ab4bf9ddb3b516fc42
IRFIZ48GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
40+1.82 EUR
41+1.76 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAB2C9D8692480C4&compId=IRFL014.pdf?ci_sign=e968744c4116c73c52897afdc5b5792ce1ca4476
IRFL014TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1116 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
91+0.79 EUR
101+0.71 EUR
113+0.64 EUR
227+0.32 EUR
240+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL014TRPBF-BE3 sihfl014.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL110TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AD5EDD8CD4469&compId=IRFL110PBF.pdf?ci_sign=d6163363db908cdabaaa8ae9f6493621a6f13ae8
IRFL110TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1021 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
93+0.77 EUR
110+0.65 EUR
231+0.31 EUR
244+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL210TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EA921BD106D0745&compId=IRFL210.pdf?ci_sign=7f6031d50a342dfa37944838da9382addd6ef919
IRFL210TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 7.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.92 EUR
86+0.84 EUR
147+0.49 EUR
155+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL210TRPBF-BE3 sihfl210.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 7.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL214TRPBF sihfl214.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFL214TRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE697DE8CADB6242FA8&compId=IRFL9014-DTE.pdf?ci_sign=55bc1511357d5ebad38d13a71f5551a4067fec3c
IRFL9014TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
210+0.34 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9014TRPBF-BE3 sihfl901.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8ADB2890B3C469&compId=IRFL9110PBF.pdf?ci_sign=e6856d66840c829bc42f1655d46b67569bd7dc20
IRFL9110TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.69A
Pulsed drain current: -8.8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
82+0.87 EUR
89+0.81 EUR
213+0.34 EUR
226+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL9110TRPBF-BE3 sihfl911.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.69A
Pulsed drain current: -8.8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP048PBF irfp048.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 290A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP048RPBF sihfp048.pdf
IRFP048RPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 290A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.13 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP054PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AE31FF9EB2469&compId=IRFP054PBF.pdf?ci_sign=d4305381c76283bc071e06a2d37597a7eacef970
IRFP054PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.93 EUR
33+2.2 EUR
35+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP064PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AE918641C0469&compId=IRFP064PBF.pdf?ci_sign=f96cff53cbbcb17c18ec4b52dba178fd69454b2e
IRFP064PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.52 EUR
24+2.99 EUR
26+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP140PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB9B17D40E0E220D4&compId=irfp140.pdf?ci_sign=eedb8e5a9e6e15e33004653e8b02444d7a8f6a86
IRFP140PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.6 EUR
31+2.33 EUR
34+2.13 EUR
57+1.27 EUR
60+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP150PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B1A260681C469&compId=IRFP150PBF.pdf?ci_sign=d53e0b757325c6cfb5bd7844136cc27705b965ed
IRFP150PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.05 EUR
20+3.7 EUR
21+3.47 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP17N50LPBF
Hersteller: VISHAY
IRFP17N50LPBF THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP21N60LPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B20D6B4600469&compId=IRFP22N50APBF.pdf?ci_sign=bb16b270a5c69cc6bbf9737dedd7320eb5415255
IRFP22N50APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 277W
Drain-source voltage: 500V
Case: TO247AC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.11 EUR
25+2.87 EUR
27+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N60KPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 88A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP23N50LPBF description
Hersteller: VISHAY
IRFP23N50LPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.02 EUR
20+3.63 EUR
21+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP240PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B23ADB673A469&compId=IRFP240PBF.pdf?ci_sign=854a52ba9a05bc8ed6e78b964013a295ce578df3
IRFP240PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
31+2.37 EUR
55+1.3 EUR
58+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP244PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B264E39866469&compId=IRFP244PBF.pdf?ci_sign=728bb25c17a7c6c5adb2974fabf65c2499b27929
IRFP244PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.36 EUR
33+2.19 EUR
35+2.06 EUR
50+1.46 EUR
53+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B2A12B12F0469&compId=IRFP250PBF.pdf?ci_sign=e6aedf22443bad83185168735d7e428c36e0d1e6
IRFP250PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.83 EUR
28+2.56 EUR
45+1.6 EUR
48+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP254PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B42288558D40C7&compId=IRFP254.pdf?ci_sign=3c01157832ea352f8fdcf89e051261da896780b7
IRFP254PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 92A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.89 EUR
35+2.04 EUR
38+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP260PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EFA4091678143&compId=IRFP260.pdf?ci_sign=47208904119e52a0f2d9ec951334dca888363a8b
IRFP260PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.86 EUR
23+3.17 EUR
24+3 EUR
500+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP264PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAC6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp264.pdf?ci_sign=f3f52c438e5d84d9f3a9f23116c6b02ed736895b
IRFP264PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.83 EUR
25+2.87 EUR
27+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP26N60LPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 100A; 470W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 470W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP27N60KPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A789AEBF12325E27&compId=IRFP27N60-DTE.pdf?ci_sign=7a8a5c491d546571c742be68e4a2b76adf96ae5f
IRFP27N60KPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 610 1057 1058 1059 1060 1061 1062 1063 1064 1065 1066 1067 1220 1830 2440 3050 3660 4270 4880 5490 6100 6105  [ Nächste Seite >> ]