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IRL640STRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 796 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRL640STRRPBF | VISHAY |
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IRLD014PBF | VISHAY |
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IRLD024PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.8A Power dissipation: 1.3W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1331 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLD110PBF | VISHAY |
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auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLD120PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.94A Power dissipation: 1.3W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 948 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLI520GPBF | VISHAY |
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IRLI530GPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; Idm: 39A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.7A Pulsed drain current: 39A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 28nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRLI630GPBF | VISHAY |
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IRLI640GPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.9A; Idm: 40A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.9A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 665 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLIZ14GPBF | VISHAY |
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IRLIZ34GPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRLIZ44GPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 484 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLL014TRPBF | VISHAY |
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IRLL014TRPBF-BE3 | VISHAY |
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IRLL110TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.93A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 760mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2041 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLR014PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 31A On-state resistance: 0.28Ω Gate charge: 8.4nC Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLR014TRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 31A On-state resistance: 0.28Ω Gate charge: 8.4nC Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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IRLR014TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 31A On-state resistance: 0.2Ω Gate charge: 8.4nC Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IRLR024PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRLR024TRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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IRLR024TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IRLR110PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 17A On-state resistance: 0.54Ω Gate charge: 6.1nC Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 609 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLR110TRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 17A On-state resistance: 760mΩ Gate charge: 6.1nC Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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IRLR110TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Pulsed drain current: 17A On-state resistance: 0.54Ω Gate charge: 6.1nC Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IRLR120TRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.9A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 31A On-state resistance: 0.38Ω Gate charge: 12nC Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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IRLR120TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.9A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 31A On-state resistance: 0.27Ω Gate charge: 12nC Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1184 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLR120TRRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.9A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 31A On-state resistance: 0.38Ω Gate charge: 12nC Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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IRLU014PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 8.4nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2638 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU024PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.2A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU110PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.3A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 6.1nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Pulsed drain current: 17A Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLZ14PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.2A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.28Ω Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 40A Gate charge: 8.4nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3111 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLZ14SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.2A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.28Ω Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 40A Gate charge: 8.4nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRLZ14STRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.2A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.28Ω Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 40A Gate charge: 8.4nC Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRLZ24PBF | VISHAY |
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auf Bestellung 1325 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLZ34PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 110A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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IRLZ44PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Kind of package: tube Gate charge: 66nC On-state resistance: 28mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 738 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLZ44SPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Kind of package: tube Pulsed drain current: 200A Gate charge: 66nC On-state resistance: 39mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRLZ44STRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 200A Gate charge: 66nC On-state resistance: 39mΩ Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRLZ44STRRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 200A Gate charge: 66nC On-state resistance: 39mΩ Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
K101J15C0GL5UH5 | VISHAY |
![]() Description: Capacitor: ceramic; 100pF; 500V; C0G (NP0); ±5%; THT; 5mm Type of capacitor: ceramic Capacitance: 0.1nF Dielectric: C0G (NP0) Tolerance: ±5% Mounting: THT Terminal pitch: 5mm Operating temperature: -55...125°C Operating voltage: 500V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
K101K10C0GF5UL2 | VISHAY |
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K102K15X7RH53L2 | VISHAY |
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K102K15X7RH5TH5 | VISHAY |
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K103K10X7RF5UH5 | VISHAY |
![]() Description: Capacitor: ceramic; 10nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm Type of capacitor: ceramic Mounting: THT Dielectric: X7R Operating temperature: -55...125°C Capacitance: 10nF Terminal pitch: 5mm Operating voltage: 50V Tolerance: ±10% Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 963 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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K103K10X7RH5UL2 | VISHAY |
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K103K15X7RF53L2 | VISHAY |
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K103K15X7RF5UH5 | VISHAY |
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K104K10X7RF5UH5 | VISHAY |
![]() Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm Type of capacitor: ceramic Capacitance: 0.1µF Operating voltage: 50V Mounting: THT Tolerance: ±10% Operating temperature: -55...125°C Terminal pitch: 5mm Dielectric: X7R Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 1310 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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K104K10X7RF5UL2 | VISHAY |
![]() Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm Type of capacitor: ceramic Capacitance: 0.1µF Operating voltage: 50V Mounting: THT Tolerance: ±10% Operating temperature: -55...125°C Terminal pitch: 2.5mm Dielectric: X7R Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 19432 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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K104K15X7RF5TH5 | VISHAY |
![]() Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm Type of capacitor: ceramic Capacitance: 0.1µF Operating voltage: 50V Mounting: THT Tolerance: ±10% Operating temperature: -55...125°C Terminal pitch: 5mm Dielectric: X7R Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2382 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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K104K15X7RF5TL2 | VISHAY |
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K104K20X7RH5TH5 | VISHAY |
![]() Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 100V; X7R; ±10%; THT; 5mm Type of capacitor: ceramic Capacitance: 0.1µF Operating voltage: 100V Dielectric: X7R Tolerance: ±10% Mounting: THT Terminal pitch: 5mm Operating temperature: -55...125°C Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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K104M15X7RF5TH5 | VISHAY |
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K154K20X7RF5TL2 | VISHAY |
![]() Description: Capacitor: ceramic; 150nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm Type of capacitor: ceramic Capacitance: 0.15µF Operating voltage: 50V Mounting: THT Tolerance: ±10% Operating temperature: -55...125°C Terminal pitch: 2.5mm Dielectric: X7R Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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K180J10C0GF5UL2 | VISHAY |
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K223K15X7RF53L2 | VISHAY |
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K471J15C0GF5UH5 | VISHAY |
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K472K15X7RH53L2 | VISHAY |
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K473K15X7RF5TL2 | VISHAY |
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IRL640STRLPBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
26+ | 2.77 EUR |
35+ | 2.04 EUR |
61+ | 1.19 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
500+ | 1.07 EUR |
IRL640STRRPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
IRL640STRRPBF SMD N channel transistors
IRL640STRRPBF SMD N channel transistors
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IRLD014PBF |
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Hersteller: VISHAY
IRLD014PBF THT N channel transistors
IRLD014PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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35+ | 2.06 EUR |
99+ | 0.73 EUR |
1000+ | 0.51 EUR |
IRLD024PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1331 Stücke:
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34+ | 2.16 EUR |
44+ | 1.64 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
124+ | 0.58 EUR |
IRLD110PBF |
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Hersteller: VISHAY
IRLD110PBF THT N channel transistors
IRLD110PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 687 Stücke:
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---|---|
30+ | 2.42 EUR |
160+ | 0.45 EUR |
169+ | 0.42 EUR |
IRLD120PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 948 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
35+ | 2.06 EUR |
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152+ | 0.47 EUR |
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IRLI520GPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
IRLI520GPBF THT N channel transistors
IRLI520GPBF THT N channel transistors
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IRLI530GPBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; Idm: 39A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; Idm: 39A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRLI630GPBF |
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Hersteller: VISHAY
IRLI630GPBF THT N channel transistors
IRLI630GPBF THT N channel transistors
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IRLI640GPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.9A; Idm: 40A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.9A; Idm: 40A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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41+ | 1.76 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
IRLIZ14GPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
IRLIZ14GPBF THT N channel transistors
IRLIZ14GPBF THT N channel transistors
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IRLIZ34GPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRLIZ44GPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 484 Stücke:
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---|---|
18+ | 3.98 EUR |
44+ | 1.66 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
IRLL014TRPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
IRLL014TRPBF SMD N channel transistors
IRLL014TRPBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 3576 Stücke:
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---|---|
68+ | 1.06 EUR |
239+ | 0.3 EUR |
252+ | 0.28 EUR |
IRLL014TRPBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
IRLL014TRPBF-BE3 SMD N channel transistors
IRLL014TRPBF-BE3 SMD N channel transistors
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IRLL110TRPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2041 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
79+ | 0.92 EUR |
84+ | 0.85 EUR |
89+ | 0.8 EUR |
112+ | 0.64 EUR |
247+ | 0.29 EUR |
262+ | 0.27 EUR |
IRLR014PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.28Ω
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.28Ω
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 1 EUR |
106+ | 0.68 EUR |
111+ | 0.64 EUR |
121+ | 0.59 EUR |
IRLR014TRLPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.28Ω
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.28Ω
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
IRLR014TRPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.2Ω
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.2Ω
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRLR024PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRLR024TRLPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRLR024TRPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRLR110PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 609 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
49+ | 1.49 EUR |
89+ | 0.81 EUR |
183+ | 0.39 EUR |
194+ | 0.37 EUR |
IRLR110TRLPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 760mΩ
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 760mΩ
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRLR110TRPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRLR120TRLPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.38Ω
Gate charge: 12nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.38Ω
Gate charge: 12nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRLR120TRPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.27Ω
Gate charge: 12nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.27Ω
Gate charge: 12nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
65+ | 1.12 EUR |
124+ | 0.58 EUR |
141+ | 0.51 EUR |
162+ | 0.44 EUR |
172+ | 0.42 EUR |
IRLR120TRRPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.38Ω
Gate charge: 12nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.38Ω
Gate charge: 12nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRLU014PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2638 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
90+ | 0.8 EUR |
105+ | 0.69 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
176+ | 0.41 EUR |
IRLU024PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.51 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
35+ | 2.04 EUR |
95+ | 0.76 EUR |
IRLU110PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 17A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 17A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
74+ | 0.97 EUR |
115+ | 0.63 EUR |
130+ | 0.55 EUR |
191+ | 0.38 EUR |
200+ | 0.36 EUR |
IRLZ14PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3111 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
56+ | 1.29 EUR |
88+ | 0.81 EUR |
141+ | 0.51 EUR |
149+ | 0.48 EUR |
IRLZ14SPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRLZ14STRLPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRLZ24PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
IRLZ24PBF THT N channel transistors
IRLZ24PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 1325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
34+ | 2.13 EUR |
134+ | 0.54 EUR |
141+ | 0.51 EUR |
IRLZ34PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 110A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 110A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRLZ44PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 28mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 28mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.86 EUR |
34+ | 2.14 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
72+ | 1 EUR |
IRLZ44SPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 39mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 39mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRLZ44STRLPBF |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 39mΩ
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 39mΩ
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRLZ44STRRPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 39mΩ
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 39mΩ
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
K101J15C0GL5UH5 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100pF; 500V; C0G (NP0); ±5%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1nF
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±5%
Mounting: THT
Terminal pitch: 5mm
Operating temperature: -55...125°C
Operating voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100pF; 500V; C0G (NP0); ±5%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1nF
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±5%
Mounting: THT
Terminal pitch: 5mm
Operating temperature: -55...125°C
Operating voltage: 500V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
K101K10C0GF5UL2 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
K101K10C0GF5UL2 MLCC THT capacitors
K101K10C0GF5UL2 MLCC THT capacitors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
K102K15X7RH53L2 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
K102K15X7RH53L2 MLCC THT capacitors
K102K15X7RH53L2 MLCC THT capacitors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
K102K15X7RH5TH5 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
K102K15X7RH5TH5 MLCC THT capacitors
K102K15X7RH5TH5 MLCC THT capacitors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
K103K10X7RF5UH5 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 10nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Mounting: THT
Dielectric: X7R
Operating temperature: -55...125°C
Capacitance: 10nF
Terminal pitch: 5mm
Operating voltage: 50V
Tolerance: ±10%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 10nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Mounting: THT
Dielectric: X7R
Operating temperature: -55...125°C
Capacitance: 10nF
Terminal pitch: 5mm
Operating voltage: 50V
Tolerance: ±10%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
385+ | 0.19 EUR |
676+ | 0.11 EUR |
758+ | 0.094 EUR |
962+ | 0.074 EUR |
1020+ | 0.07 EUR |
K103K10X7RH5UL2 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
K103K10X7RH5UL2 MLCC THT capacitors
K103K10X7RH5UL2 MLCC THT capacitors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
K103K15X7RF53L2 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
K103K15X7RF53L2 MLCC THT capacitors
K103K15X7RF53L2 MLCC THT capacitors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
K103K15X7RF5UH5 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
K103K15X7RF5UH5 MLCC THT capacitors
K103K15X7RF5UH5 MLCC THT capacitors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
K104K10X7RF5UH5 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
Dielectric: X7R
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
Dielectric: X7R
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
340+ | 0.21 EUR |
670+ | 0.11 EUR |
880+ | 0.082 EUR |
1010+ | 0.071 EUR |
2500+ | 0.067 EUR |
5000+ | 0.065 EUR |
10000+ | 0.064 EUR |
K104K10X7RF5UL2 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 2.5mm
Dielectric: X7R
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 2.5mm
Dielectric: X7R
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19432 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
278+ | 0.26 EUR |
472+ | 0.15 EUR |
527+ | 0.14 EUR |
676+ | 0.11 EUR |
756+ | 0.095 EUR |
1003+ | 0.071 EUR |
1150+ | 0.062 EUR |
K104K15X7RF5TH5 |
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Hersteller: VISHAY
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
Dielectric: X7R
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
Dielectric: X7R
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2382 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
278+ | 0.26 EUR |
477+ | 0.15 EUR |
658+ | 0.11 EUR |
1306+ | 0.055 EUR |
1378+ | 0.052 EUR |
K104K15X7RF5TL2 |
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Hersteller: VISHAY
K104K15X7RF5TL2 MLCC THT capacitors
K104K15X7RF5TL2 MLCC THT capacitors
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K104K20X7RH5TH5 |
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Hersteller: VISHAY
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 100V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 100V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Terminal pitch: 5mm
Operating temperature: -55...125°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 100V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 100V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Terminal pitch: 5mm
Operating temperature: -55...125°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
179+ | 0.4 EUR |
274+ | 0.26 EUR |
350+ | 0.2 EUR |
382+ | 0.19 EUR |
491+ | 0.15 EUR |
521+ | 0.14 EUR |
3000+ | 0.13 EUR |
K104M15X7RF5TH5 |
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Hersteller: VISHAY
K104M15X7RF5TH5 MLCC THT capacitors
K104M15X7RF5TH5 MLCC THT capacitors
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K154K20X7RF5TL2 |
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Hersteller: VISHAY
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 150nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.15µF
Operating voltage: 50V
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 2.5mm
Dielectric: X7R
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 150nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.15µF
Operating voltage: 50V
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 2.5mm
Dielectric: X7R
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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K180J10C0GF5UL2 |
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Hersteller: VISHAY
K180J10C0GF5UL2 MLCC THT capacitors
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Stück im Wert von UAH
K223K15X7RF53L2 |
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Hersteller: VISHAY
K223K15X7RF53L2 MLCC THT capacitors
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K471J15C0GF5UH5 |
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Hersteller: VISHAY
K471J15C0GF5UH5 MLCC THT capacitors
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K472K15X7RH53L2 |
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Hersteller: VISHAY
K472K15X7RH53L2 MLCC THT capacitors
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K473K15X7RF5TL2 |
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Hersteller: VISHAY
K473K15X7RF5TL2 MLCC THT capacitors
K473K15X7RF5TL2 MLCC THT capacitors
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