Produkte > VISHAY > Alle Produkte des Herstellers VISHAY (358308) > Seite 1131 nach 5972

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 597 1126 1127 1128 1129 1130 1131 1132 1133 1134 1135 1136 1194 1791 2388 2985 3582 4179 4776 5373 5970 5972  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFR310PBF VISHAY sihfr310.pdf IRFR310PBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR320PBF IRFR320PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B98C684A7C469&compId=IRFR320PBF.pdf?ci_sign=144c8f4193095ea2e371048f7313e2b4be60a4ef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 769 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
96+0.75 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR320TRLPBF IRFR320TRLPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD7DDFA3EC469&compId=IRFU320PBF.pdf?ci_sign=32454cd43853c412361b06dbd4625f14ad535ae8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1679 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
106+0.68 EUR
139+0.52 EUR
147+0.49 EUR
3000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420APBF IRFR420APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4D3F090DFC143&compId=IRFR420A.pdf?ci_sign=7a59ccd322a9e1e15d3555a555de08f5d78e30f3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Pulsed drain current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1378 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.84 EUR
44+1.64 EUR
49+1.47 EUR
60+1.21 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420PBF IRFR420PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B9CCE2C9DC469&compId=IRFR420PBF.pdf?ci_sign=fa54f6d5e6dfdbae67bddb0d7e3d3d4f6501c25f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 3Ω
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 500V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
84+0.85 EUR
132+0.54 EUR
140+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBF IRFR420TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B9CCE2C9DC469&compId=IRFR420PBF.pdf?ci_sign=fa54f6d5e6dfdbae67bddb0d7e3d3d4f6501c25f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
79+0.92 EUR
158+0.45 EUR
167+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBF VISHAY sihfr430.pdf IRFR430APBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
142+0.51 EUR
150+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014PBF IRFR9014PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91217430092143&compId=IRFx9014.pdf?ci_sign=a6201196e5e614a6a5a297dc8dfa555241b579f4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024PBF IRFR9024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BADF890DA2469&compId=IRFR9024PBF.pdf?ci_sign=2fbdead3996fea997cc8835e3bad9aab291c7be0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
61+1.18 EUR
70+1.03 EUR
82+0.87 EUR
133+0.54 EUR
141+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110PBF IRFR9110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91009C0DF70143&compId=IRFR9110.pdf?ci_sign=87c34679c2306ccd4020f72260d5c05793860085 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -12A
Drain current: -2A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
77+0.94 EUR
171+0.42 EUR
180+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBF IRFR9220PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB0AAA5598469&compId=IRFR9220PBF.pdf?ci_sign=139f7fc26db21eca07e225d43ae02287d84b6435 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Pulsed drain current: -14A
Drain current: -2.3A
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 1.5Ω
Power dissipation: 42W
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
60+1.19 EUR
129+0.55 EUR
137+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBF IRFR9220TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F40633AF422259&compId=IRFR9220TRPBF.pdf?ci_sign=60d24173353656370f6b4ae58637daeae302118f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Gate charge: 20nC
Power dissipation: 42W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
60+1.2 EUR
141+0.51 EUR
150+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310PBF IRFR9310PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.87 EUR
72+1 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRPBF IRFR9310TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F403692E83A259&compId=IRFR9310TRPBF.pdf?ci_sign=2b97e2bc377a846b6e0e02820271344b9c4813ab Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2231 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
54+1.33 EUR
60+1.21 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20PBF IRFRC20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB66C98720469&compId=IRFRC20PBF.pdf?ci_sign=bda6af96133b0f41b40386cac8e8186c7262f241 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.4Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Power dissipation: 42W
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
77+0.94 EUR
85+0.85 EUR
130+0.55 EUR
137+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4416A18130143&compId=IRFS11N50A.pdf?ci_sign=ff5d5f7ae0059c649da486f5e8f9d4f37b91fc8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.37 EUR
26+2.76 EUR
34+2.13 EUR
36+2 EUR
100+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC446ED373AE143&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=6ddd17bd5623756d55d42b1e84b8128deadad4a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.33 EUR
37+1.94 EUR
39+1.84 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B6C121B38BE671BF&compId=IRFSL11N50APBF-dte.pdf?ci_sign=2bb80132b57c7fbaede079be1a5400f12d3c9634 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.13 EUR
38+1.92 EUR
42+1.72 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
50+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU110PBF VISHAY sihfu110.pdf IRFU110PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
179+0.4 EUR
189+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120PBF IRFU120PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
104+0.69 EUR
118+0.61 EUR
119+0.6 EUR
125+0.58 EUR
150+0.57 EUR
525+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU220PBF IRFU220PBF VISHAY sihfr220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
83+0.86 EUR
97+0.74 EUR
160+0.45 EUR
169+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU320PBF VISHAY sihfr320.pdf IRFU320PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 906 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420PBF IRFU420PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B9CCE2C9DC469&compId=IRFR420PBF.pdf?ci_sign=fa54f6d5e6dfdbae67bddb0d7e3d3d4f6501c25f pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BE79BD6FBA469&compId=IRFU420PBF.pdf?ci_sign=8972d772883a5389c3b0602466bd2d56d6297433 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1884 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
123+0.58 EUR
132+0.54 EUR
152+0.47 EUR
162+0.44 EUR
300+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9014PBF IRFU9014PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91217430092143&compId=IRFx9014.pdf?ci_sign=a6201196e5e614a6a5a297dc8dfa555241b579f4 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
85+0.85 EUR
164+0.44 EUR
174+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF IRFU9024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BEA267C278469&compId=IRFU9024PBF.pdf?ci_sign=8afab3af225b019e1d8b9238ed3e2d9bd4250c04 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
83+0.87 EUR
191+0.38 EUR
202+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110PBF IRFU9110PBF VISHAY sihfr911.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -12A
Drain current: -3.1A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
84+0.86 EUR
180+0.4 EUR
190+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120PBF IRFU9120PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90F2315E50A143&compId=IRFx9120.pdf?ci_sign=6529dad110010c2953ef84cb2306efff72e7909b Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1629 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
59+1.23 EUR
65+1.1 EUR
157+0.46 EUR
167+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9310PBF IRFU9310PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F403692E83A259&compId=IRFR9310TRPBF.pdf?ci_sign=2b97e2bc377a846b6e0e02820271344b9c4813ab Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
Kind of package: tube
On-state resistance: 7Ω
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 13nC
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2216 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
52+1.39 EUR
69+1.05 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFUC20PBF IRFUC20PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB8DE18B44469&compId=IRFRC20TRPBF.pdf?ci_sign=775cb096056f6d98194289f9a9022fb617613a12 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 4.4Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Power dissipation: 42W
Drain current: 1.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
110+0.65 EUR
117+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF IRFZ14PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E73F759464143&compId=IRFZ14.pdf?ci_sign=9ef4669555dc399fca4f5c60a7cf18269205e617 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
154+0.46 EUR
163+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24PBF IRFZ24PBF VISHAY irl620.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.7 EUR
70+1.03 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44PBF IRFZ44PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E915DBE7A8143&compId=IRFZ44.pdf?ci_sign=458528282ba83399954c12bf5082fc3043138130 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2 EUR
41+1.76 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48RPBF IRFZ48RPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EA7941B59C00C4&compId=IRFZ48RPBF.pdf?ci_sign=28b16d364a0be7d50506adfa5752e6fe34f1663f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.66 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
2000+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL510PBF IRL510PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EB3F77B2BC143&compId=IRL510.pdf?ci_sign=f5d9673ff66950ac5c22853d0193077d86c3db26 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
72+1 EUR
151+0.48 EUR
159+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL640PBF IRL640PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BEF796BA7E469&compId=IRL640PBF.pdf?ci_sign=90f0df144af63495d804a38e54556a72be3b1e49 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 66nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.22 EUR
38+1.9 EUR
62+1.16 EUR
66+1.09 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL640SPBF IRL640SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC8285A7FBD4E0C4&compId=sihl640s.pdf?ci_sign=92230260ba31063310f291fe51f09e2643daa4f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 68A
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 0.27Ω
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.33 EUR
43+1.69 EUR
52+1.4 EUR
54+1.33 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL640STRLPBF IRL640STRLPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99295F7ABF340C7&compId=IRL640S.pdf?ci_sign=65c0d377bbe85ca5efc317bcbe04a2735b8d6c86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.77 EUR
35+2.04 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD024PBF IRLD024PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BF2D9CCD80469&compId=IRLD024PBF.pdf?ci_sign=ce643f6183bc977de7eea3a4c06ef953682641fd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI640GPBF VISHAY 91314.pdf IRLI640GPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.66 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ44GPBF IRLIZ44GPBF VISHAY 91318.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 39mΩ
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 120A
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.85 EUR
32+2.25 EUR
44+1.66 EUR
46+1.57 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRPBF IRLL110TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BFCAABFDBA469&compId=IRLL110PBF.pdf?ci_sign=ea4ae21d58897bca7902ff68bd6b60d7e49bab3e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
90+0.8 EUR
246+0.29 EUR
261+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014PBF IRLR014PBF VISHAY sihlr014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.28Ω
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
99+0.73 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110PBF IRLR110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4DD815161A143&compId=IRLR110.pdf?ci_sign=f7f41d46f216200c57961b932f0cd5087469aa93 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.33 EUR
118+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRPBF IRLR120TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4E888667DC143&compId=IRLR120.pdf?ci_sign=0b476ece41be08e437a54214b8e37bbdb00bf14b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.27Ω
Gate charge: 12nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
124+0.58 EUR
141+0.51 EUR
162+0.44 EUR
171+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU014PBF IRLU014PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED88380FFA742E26A18&compId=IRLU014.pdf?ci_sign=b7a52a6acac74278ee05344bba9a223ae011c44b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2576 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
124+0.58 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF IRLU110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4DD815161A143&compId=IRLR110.pdf?ci_sign=f7f41d46f216200c57961b932f0cd5087469aa93 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
192+0.37 EUR
203+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ14PBF IRLZ14PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB9D4A2B39971BF&compId=IRLZ14PBF-DTE.pdf?ci_sign=91b0d98a6dc8779b1ecdd35e44f2752f752d81d8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2889 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
113+0.63 EUR
148+0.48 EUR
156+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44PBF IRLZ44PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E96235A3C4143&compId=IRLZ44.pdf?ci_sign=886b38f546f9ad1c0811c7aaa445e0f324116415 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 28mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.14 EUR
44+1.64 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K104K10X7RF5UH5 K104K10X7RF5UH5 VISHAY kseries.pdf Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Terminal pitch: 5mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Operating voltage: 50V
Dielectric: X7R
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
481+0.15 EUR
674+0.11 EUR
767+0.093 EUR
999+0.072 EUR
1102+0.065 EUR
2500+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K104K10X7RF5UL2 K104K10X7RF5UL2 VISHAY kseries.pdf Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Terminal pitch: 2.5mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Operating voltage: 50V
Dielectric: X7R
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
496+0.14 EUR
680+0.11 EUR
776+0.092 EUR
1011+0.071 EUR
1114+0.064 EUR
2500+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K104K15X7RF5TH5 K104K15X7RF5TH5 VISHAY kseries.pdf Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3747 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
603+0.12 EUR
767+0.093 EUR
851+0.084 EUR
973+0.074 EUR
1303+0.055 EUR
1378+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K104K20X7RH5TH5 K104K20X7RH5TH5 VISHAY kseries.pdf Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 100V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 100V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2785 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
254+0.28 EUR
343+0.21 EUR
385+0.19 EUR
491+0.15 EUR
516+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL02-E4/51 VISHAY kbl005.pdf KBL02-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.73 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL04-E4/51 KBL04-E4/51 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BB9680883927C143&compId=kbl005.pdf?ci_sign=8a9bd6e617f15f17739c1bba039bc765382107f5 Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 4A; Ifsm: 200A
Case: KBL
Leads: wire Ø 1.3mm
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Kind of package: in-tray
Version: flat
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+3.98 EUR
21+3.5 EUR
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
1200+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL06-E4/51 KBL06-E4/51 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BB9680883927C143&compId=kbl005.pdf?ci_sign=8a9bd6e617f15f17739c1bba039bc765382107f5 Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 4A; Ifsm: 200A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: KBL
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.3mm
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.93 EUR
26+2.85 EUR
27+2.69 EUR
300+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL08-E4/51 KBL08-E4/51 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BB9680883927C143&compId=kbl005.pdf?ci_sign=8a9bd6e617f15f17739c1bba039bc765382107f5 Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 4A; Ifsm: 200A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: KBL
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.3mm
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.2 EUR
20+3.6 EUR
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL10-E4/51 KBL10-E4/51 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BB9680883927C143&compId=kbl005.pdf?ci_sign=8a9bd6e617f15f17739c1bba039bc765382107f5 Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 200A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: KBL
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.3mm
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.32 EUR
16+4.6 EUR
31+2.32 EUR
33+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBU4D-E4/51 VISHAY kbu4.pdf KBU4D-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.32 EUR
30+2.4 EUR
32+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBU4G-E4/51 VISHAY kbu4.pdf KBU4G-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.19 EUR
27+2.69 EUR
29+2.55 EUR
2500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBU4K-E4/51 VISHAY kbu4.pdf KBU4K-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.65 EUR
30+2.39 EUR
32+2.26 EUR
5000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR310PBF sihfr310.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFR310PBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR320PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B98C684A7C469&compId=IRFR320PBF.pdf?ci_sign=144c8f4193095ea2e371048f7313e2b4be60a4ef
IRFR320PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 769 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
96+0.75 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR320TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD7DDFA3EC469&compId=IRFU320PBF.pdf?ci_sign=32454cd43853c412361b06dbd4625f14ad535ae8
IRFR320TRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1679 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
106+0.68 EUR
139+0.52 EUR
147+0.49 EUR
3000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4D3F090DFC143&compId=IRFR420A.pdf?ci_sign=7a59ccd322a9e1e15d3555a555de08f5d78e30f3
IRFR420APBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Pulsed drain current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1378 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.84 EUR
44+1.64 EUR
49+1.47 EUR
60+1.21 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B9CCE2C9DC469&compId=IRFR420PBF.pdf?ci_sign=fa54f6d5e6dfdbae67bddb0d7e3d3d4f6501c25f
IRFR420PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Kind of package: tube
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 3Ω
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 500V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
84+0.85 EUR
132+0.54 EUR
140+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR420TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B9CCE2C9DC469&compId=IRFR420PBF.pdf?ci_sign=fa54f6d5e6dfdbae67bddb0d7e3d3d4f6501c25f
IRFR420TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.19 EUR
79+0.92 EUR
158+0.45 EUR
167+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR430APBF sihfr430.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFR430APBF SMD N channel transistors
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.54 EUR
142+0.51 EUR
150+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9014PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91217430092143&compId=IRFx9014.pdf?ci_sign=a6201196e5e614a6a5a297dc8dfa555241b579f4
IRFR9014PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 461 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9024PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BADF890DA2469&compId=IRFR9024PBF.pdf?ci_sign=2fbdead3996fea997cc8835e3bad9aab291c7be0
IRFR9024PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
61+1.18 EUR
70+1.03 EUR
82+0.87 EUR
133+0.54 EUR
141+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91009C0DF70143&compId=IRFR9110.pdf?ci_sign=87c34679c2306ccd4020f72260d5c05793860085
IRFR9110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -12A; 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -12A
Drain current: -2A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
77+0.94 EUR
171+0.42 EUR
180+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB0AAA5598469&compId=IRFR9220PBF.pdf?ci_sign=139f7fc26db21eca07e225d43ae02287d84b6435
IRFR9220PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Pulsed drain current: -14A
Drain current: -2.3A
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 1.5Ω
Power dissipation: 42W
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
60+1.19 EUR
129+0.55 EUR
137+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9220TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F40633AF422259&compId=IRFR9220TRPBF.pdf?ci_sign=60d24173353656370f6b4ae58637daeae302118f
IRFR9220TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Gate charge: 20nC
Power dissipation: 42W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
60+1.2 EUR
141+0.51 EUR
150+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d
IRFR9310PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.87 EUR
72+1 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR9310TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F403692E83A259&compId=IRFR9310TRPBF.pdf?ci_sign=2b97e2bc377a846b6e0e02820271344b9c4813ab
IRFR9310TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2231 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
54+1.33 EUR
60+1.21 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFRC20PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB66C98720469&compId=IRFRC20PBF.pdf?ci_sign=bda6af96133b0f41b40386cac8e8186c7262f241
IRFRC20PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.4Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Power dissipation: 42W
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
77+0.94 EUR
85+0.85 EUR
130+0.55 EUR
137+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS11N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4416A18130143&compId=IRFS11N50A.pdf?ci_sign=ff5d5f7ae0059c649da486f5e8f9d4f37b91fc8f
IRFS11N50APBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.37 EUR
26+2.76 EUR
34+2.13 EUR
36+2 EUR
100+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS9N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC446ED373AE143&compId=IRFS9N60A.pdf?ci_sign=6ddd17bd5623756d55d42b1e84b8128deadad4a7
IRFS9N60APBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.33 EUR
37+1.94 EUR
39+1.84 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFSL11N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B6C121B38BE671BF&compId=IRFSL11N50APBF-dte.pdf?ci_sign=2bb80132b57c7fbaede079be1a5400f12d3c9634
IRFSL11N50APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.13 EUR
38+1.92 EUR
42+1.72 EUR
43+1.67 EUR
46+1.59 EUR
50+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU110PBF sihfu110.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFU110PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
179+0.4 EUR
189+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC451A201C06143&compId=IRFR120.pdf?ci_sign=62eb78ea31d13b0cf6e99662587c932e680a00ac
IRFU120PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
104+0.69 EUR
118+0.61 EUR
119+0.6 EUR
125+0.58 EUR
150+0.57 EUR
525+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU220PBF sihfr220.pdf
IRFU220PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
83+0.86 EUR
97+0.74 EUR
160+0.45 EUR
169+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU320PBF sihfr320.pdf
Hersteller: VISHAY
IRFU320PBF THT N channel transistors
auf Bestellung 906 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU420PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B9CCE2C9DC469&compId=IRFR420PBF.pdf?ci_sign=fa54f6d5e6dfdbae67bddb0d7e3d3d4f6501c25f pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BE79BD6FBA469&compId=IRFU420PBF.pdf?ci_sign=8972d772883a5389c3b0602466bd2d56d6297433
IRFU420PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1884 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
123+0.58 EUR
132+0.54 EUR
152+0.47 EUR
162+0.44 EUR
300+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9014PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91217430092143&compId=IRFx9014.pdf?ci_sign=a6201196e5e614a6a5a297dc8dfa555241b579f4
IRFU9014PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
85+0.85 EUR
164+0.44 EUR
174+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9024PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BEA267C278469&compId=IRFU9024PBF.pdf?ci_sign=8afab3af225b019e1d8b9238ed3e2d9bd4250c04
IRFU9024PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
83+0.87 EUR
191+0.38 EUR
202+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9110PBF sihfr911.pdf
IRFU9110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.1A; Idm: -12A; 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -12A
Drain current: -3.1A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
84+0.86 EUR
180+0.4 EUR
190+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9120PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90F2315E50A143&compId=IRFx9120.pdf?ci_sign=6529dad110010c2953ef84cb2306efff72e7909b
IRFU9120PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1629 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
59+1.23 EUR
65+1.1 EUR
157+0.46 EUR
167+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU9310PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB38B8FC86469&compId=IRFR9310PBF.pdf?ci_sign=25fed4cc79b87a2e888ee9b27f36d0c6abcf152d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F403692E83A259&compId=IRFR9310TRPBF.pdf?ci_sign=2b97e2bc377a846b6e0e02820271344b9c4813ab
IRFU9310PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
Kind of package: tube
On-state resistance: 7Ω
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Gate charge: 13nC
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2216 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
52+1.39 EUR
69+1.05 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFUC20PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BB8DE18B44469&compId=IRFRC20TRPBF.pdf?ci_sign=775cb096056f6d98194289f9a9022fb617613a12
IRFUC20PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Mounting: THT
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 4.4Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Power dissipation: 42W
Drain current: 1.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
110+0.65 EUR
117+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ14PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E73F759464143&compId=IRFZ14.pdf?ci_sign=9ef4669555dc399fca4f5c60a7cf18269205e617
IRFZ14PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
154+0.46 EUR
163+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ24PBF description irl620.pdf
IRFZ24PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.7 EUR
70+1.03 EUR
121+0.59 EUR
128+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E915DBE7A8143&compId=IRFZ44.pdf?ci_sign=458528282ba83399954c12bf5082fc3043138130
IRFZ44PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2 EUR
41+1.76 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48RPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EA7941B59C00C4&compId=IRFZ48RPBF.pdf?ci_sign=28b16d364a0be7d50506adfa5752e6fe34f1663f
IRFZ48RPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.66 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
2000+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8EB3F77B2BC143&compId=IRL510.pdf?ci_sign=f5d9673ff66950ac5c22853d0193077d86c3db26
IRL510PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
72+1 EUR
151+0.48 EUR
159+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL640PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BEF796BA7E469&compId=IRL640PBF.pdf?ci_sign=90f0df144af63495d804a38e54556a72be3b1e49
IRL640PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 66nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.22 EUR
38+1.9 EUR
62+1.16 EUR
66+1.09 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL640SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC8285A7FBD4E0C4&compId=sihl640s.pdf?ci_sign=92230260ba31063310f291fe51f09e2643daa4f7
IRL640SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 68A
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 0.27Ω
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.33 EUR
43+1.69 EUR
52+1.4 EUR
54+1.33 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL640STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99295F7ABF340C7&compId=IRL640S.pdf?ci_sign=65c0d377bbe85ca5efc317bcbe04a2735b8d6c86
IRL640STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.77 EUR
35+2.04 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLD024PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BF2D9CCD80469&compId=IRLD024PBF.pdf?ci_sign=ce643f6183bc977de7eea3a4c06ef953682641fd
IRLD024PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI640GPBF 91314.pdf
Hersteller: VISHAY
IRLI640GPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.66 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ44GPBF 91318.pdf
IRLIZ44GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 39mΩ
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 120A
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.85 EUR
32+2.25 EUR
44+1.66 EUR
46+1.57 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL110TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BFCAABFDBA469&compId=IRLL110PBF.pdf?ci_sign=ea4ae21d58897bca7902ff68bd6b60d7e49bab3e
IRLL110TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 749 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
90+0.8 EUR
246+0.29 EUR
261+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR014PBF sihlr014.pdf
IRLR014PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.28Ω
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
99+0.73 EUR
121+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4DD815161A143&compId=IRLR110.pdf?ci_sign=f7f41d46f216200c57961b932f0cd5087469aa93
IRLR110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.33 EUR
118+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR120TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4E888667DC143&compId=IRLR120.pdf?ci_sign=0b476ece41be08e437a54214b8e37bbdb00bf14b
IRLR120TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.27Ω
Gate charge: 12nC
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
124+0.58 EUR
141+0.51 EUR
162+0.44 EUR
171+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU014PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED88380FFA742E26A18&compId=IRLU014.pdf?ci_sign=b7a52a6acac74278ee05344bba9a223ae011c44b
IRLU014PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2576 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
124+0.58 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC4DD815161A143&compId=IRLR110.pdf?ci_sign=f7f41d46f216200c57961b932f0cd5087469aa93
IRLU110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
100+0.72 EUR
112+0.64 EUR
192+0.37 EUR
203+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ14PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB9D4A2B39971BF&compId=IRLZ14PBF-DTE.pdf?ci_sign=91b0d98a6dc8779b1ecdd35e44f2752f752d81d8
IRLZ14PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.28Ω
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2889 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
113+0.63 EUR
148+0.48 EUR
156+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8E96235A3C4143&compId=IRLZ44.pdf?ci_sign=886b38f546f9ad1c0811c7aaa445e0f324116415
IRLZ44PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 28mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
44+1.64 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K104K10X7RF5UH5 kseries.pdf
K104K10X7RF5UH5
Hersteller: VISHAY
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Terminal pitch: 5mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Operating voltage: 50V
Dielectric: X7R
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
481+0.15 EUR
674+0.11 EUR
767+0.093 EUR
999+0.072 EUR
1102+0.065 EUR
2500+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K104K10X7RF5UL2 kseries.pdf
K104K10X7RF5UL2
Hersteller: VISHAY
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Terminal pitch: 2.5mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Operating voltage: 50V
Dielectric: X7R
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
496+0.14 EUR
680+0.11 EUR
776+0.092 EUR
1011+0.071 EUR
1114+0.064 EUR
2500+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K104K15X7RF5TH5 kseries.pdf
K104K15X7RF5TH5
Hersteller: VISHAY
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3747 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
603+0.12 EUR
767+0.093 EUR
851+0.084 EUR
973+0.074 EUR
1303+0.055 EUR
1378+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K104K20X7RH5TH5 kseries.pdf
K104K20X7RH5TH5
Hersteller: VISHAY
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 100V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 100V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2785 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
254+0.28 EUR
343+0.21 EUR
385+0.19 EUR
491+0.15 EUR
516+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL02-E4/51 kbl005.pdf
Hersteller: VISHAY
KBL02-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.73 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL04-E4/51 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BB9680883927C143&compId=kbl005.pdf?ci_sign=8a9bd6e617f15f17739c1bba039bc765382107f5
KBL04-E4/51
Hersteller: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 4A; Ifsm: 200A
Case: KBL
Leads: wire Ø 1.3mm
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Kind of package: in-tray
Version: flat
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+3.98 EUR
21+3.5 EUR
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
1200+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL06-E4/51 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BB9680883927C143&compId=kbl005.pdf?ci_sign=8a9bd6e617f15f17739c1bba039bc765382107f5
KBL06-E4/51
Hersteller: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 4A; Ifsm: 200A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: KBL
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.3mm
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.93 EUR
26+2.85 EUR
27+2.69 EUR
300+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL08-E4/51 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BB9680883927C143&compId=kbl005.pdf?ci_sign=8a9bd6e617f15f17739c1bba039bc765382107f5
KBL08-E4/51
Hersteller: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 4A; Ifsm: 200A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: KBL
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.3mm
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.2 EUR
20+3.6 EUR
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL10-E4/51 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BB9680883927C143&compId=kbl005.pdf?ci_sign=8a9bd6e617f15f17739c1bba039bc765382107f5
KBL10-E4/51
Hersteller: VISHAY
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 200A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 200A
Version: flat
Case: KBL
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.3mm
Kind of package: in-tray
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.32 EUR
16+4.6 EUR
31+2.32 EUR
33+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBU4D-E4/51 kbu4.pdf
Hersteller: VISHAY
KBU4D-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.32 EUR
30+2.4 EUR
32+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBU4G-E4/51 kbu4.pdf
Hersteller: VISHAY
KBU4G-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.19 EUR
27+2.69 EUR
29+2.55 EUR
2500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBU4K-E4/51 kbu4.pdf
Hersteller: VISHAY
KBU4K-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.65 EUR
30+2.39 EUR
32+2.26 EUR
5000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 597 1126 1127 1128 1129 1130 1131 1132 1133 1134 1135 1136 1194 1791 2388 2985 3582 4179 4776 5373 5970 5972  [ Nächste Seite >> ]