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SiR690DP-T1-GE3 VISHAY sir690dp.pdf SIR690DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiR692DP-T1-RE3 VISHAY sir692dp.pdf SIR692DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SiR696DP-T1-GE3 VISHAY sir696dp.pdf SIR696DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR698DP-T1-GE3 VISHAY sir698dp.pdf SIR698DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR770DP-T1-GE3 VISHAY sir770dp.pdf SIR770DP-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIR800ADP-T1-GE3 VISHAY sir800adp.pdf SIR800ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR800DP-T1-RE3 VISHAY doc?65738 SIR800DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR804DP-T1-GE3 VISHAY sir804dp.pdf SIR804DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR820DP-T1-GE3 VISHAY sir460bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR826ADP-T1-GE3 VISHAY sir826adp.pdf SIR826ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR826BDP-T1-RE3 VISHAY sir826bdp.pdf SIR826BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR826DP-T1-GE3 VISHAY sir826dp.pdf SIR826DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR826LDP-T1-RE3 VISHAY sir826ldp.pdf SIR826LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR836DP-T1-GE3 VISHAY sir836dp.pdf SIR836DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR846ADP-T1-GE3 VISHAY sir846adp.pdf SIR846ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR846BDP-T1-RE3 VISHAY sir846bdp.pdf SIR846BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR846DP-T1-GE3 VISHAY sir846dp.pdf SIR846DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR862DP-T1-GE3 VISHAY sir862dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 90nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR870ADP-T1-GE3 VISHAY sir870adp.pdf SIR870ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR870ADP-T1-RE3 VISHAY sir870adp.pdf SIR870ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR870BDP-T1-RE3 VISHAY sir870bdp.pdf SIR870BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR870DP-T1-GE3 VISHAY sir870dp.pdf SIR870DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR871DP-T1-GE3 VISHAY sir871dp.pdf SIR871DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIR872ADP-T1-GE3 VISHAY sir872adp.pdf SIR872ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR872ADP-T1-RE3 VISHAY SIR872ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR872DP-T1-GE3 VISHAY sir872dp.pdf SIR872DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR873DP-T1-GE3 VISHAY sir873dp.pdf SIR873DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIR876ADP-T1-GE3 VISHAY sir876adp.pdf SIR876ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR876BDP-T1-RE3 VISHAY sir876bdp.pdf SIR876BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR878BDP-T1-RE3 VISHAY sir878bdp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR880ADP-T1-GE3 VISHAY sir880adp.pdf SIR880ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR880DP-T1-GE3 VISHAY sir880dp.pdf SIR880DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR882ADP-T1-GE3 VISHAY sir882adp.pdf SIR882ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR882BDP-T1-RE3 VISHAY sir882bdp.pdf SIR882BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR882DP-T1-GE3 VISHAY sir882dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIRA00DP-T1-GE3 VISHAY sira00dp.pdf SIRA00DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA01DP-T1-GE3 VISHAY sira01dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.8A; 40W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.8A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 112nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -20...16V
Pulsed drain current: -150A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIRA02DP-T1-GE3 VISHAY sira02dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 45.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIRA04DP-T1-GE3 VISHAY sira04dp.pdf SIRA04DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY sira06dp.pdf SIRA06DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA10BDP-T1-GE3 VISHAY sira10bdp.pdf SIRA10BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 VISHAY sira10dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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112+0.64 EUR
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209+0.34 EUR
221+0.32 EUR
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auf Bestellung 2974 Stücke:
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186+0.39 EUR
271+0.26 EUR
286+0.25 EUR
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SIRA24DP-T1-GE3 VISHAY sira24dp.pdf SIRA24DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA28BDP-T1-GE3 VISHAY sira28bdp.pdf SIRA28BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA32DP-T1-RE3 VISHAY sira32dp.pdf SIRA32DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIRA36DP-T1-GE3 VISHAY sira36dp.pdf SIRA36DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA50ADP-T1-RE3 VISHAY sira50adp.pdf SIRA50ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR690DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR690DP-T1-RE3 sir690dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR690DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR692DP-T1-RE3 sir692dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR692DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiR696DP-T1-GE3 sir696dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR696DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR698DP-T1-GE3 sir698dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR698DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR770DP-T1-GE3 sir770dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR770DP-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR800ADP-T1-GE3 sir800adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR800ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR800ADP-T1-RE3 sir800adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR800ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR800DP-T1-GE3 sir800dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR800DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR800DP-T1-RE3 doc?65738
Hersteller: VISHAY
SIR800DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR804DP-T1-GE3 sir804dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR804DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR818DP-T1-GE3 sir818dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR818DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR820DP-T1-GE3 sir460bdp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826ADP-T1-GE3 sir826adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR826ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826BDP-T1-RE3 sir826bdp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR826BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826DP-T1-GE3 sir826dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR826DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826LDP-T1-RE3 sir826ldp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR826LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR836DP-T1-GE3 sir836dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR836DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR846ADP-T1-GE3 sir846adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR846ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR846BDP-T1-RE3 sir846bdp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR846BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR846DP-T1-GE3 sir846dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR846DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR862DP-T1-GE3 sir862dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 50A; Idm: 70A; 69W
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 90nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR870ADP-T1-GE3 sir870adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR870ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR870ADP-T1-RE3 sir870adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR870ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR870BDP-T1-RE3 sir870bdp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR870BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR870DP-T1-GE3 sir870dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR870DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR871DP-T1-GE3 sir871dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR871DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR872ADP-T1-GE3 sir872adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR872ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR872ADP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
SIR872ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR872DP-T1-GE3 sir872dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR872DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR873DP-T1-GE3 sir873dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR873DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR876ADP-T1-GE3 sir876adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR876ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR876BDP-T1-RE3 sir876bdp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR876BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIR880ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR880DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR882ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR882BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 83W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SIRA00DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.8A; 40W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.8A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 112nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -20...16V
Pulsed drain current: -150A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 45.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIRA04DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIRA06DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIRA10BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA10DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
91+0.79 EUR
106+0.68 EUR
112+0.64 EUR
113+0.63 EUR
250+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIRA12BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA12DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIRA14BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA14DP-T1-GE3 sira14dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA14DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
209+0.34 EUR
221+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 81
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Hersteller: VISHAY
SIRA18ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
271+0.26 EUR
286+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 186
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Hersteller: VISHAY
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Hersteller: VISHAY
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Hersteller: VISHAY
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