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SIRA50DP-T1-RE3 VISHAY sira50dp.pdf SIRA50DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIRA54DP-T1-GE3 VISHAY SIRA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA74DP-T1-GE3 VISHAY doc?77640 SIRA74DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA84BDP-T1-GE3 VISHAY SIRA84BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY sira90dp.pdf SIRA90DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiRA96DP-T1-GE3 VISHAY sira96dp.pdf SIRA96DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY sira99dp.pdf SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIRB40DP-T1-GE3 VISHAY sirb40dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 100A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 29.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 100A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIRC06DP-T1-GE3 VISHAY sirc06dp.pdf SIRC06DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRC10DP-T1-GE3 VISHAY sirc10dp.pdf SIRC10DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiRC16DP-T1-GE3 VISHAY sirc16dp.pdf SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRC18DP-T1-GE3 VISHAY sirc18dp.pdf SIRC18DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRS700DP-T1-RE3 VISHAY SIRS700DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIS106DN-T1-GE3 VISHAY sis106dn.pdf SIS106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS108DN-T1-GE3 VISHAY SIS108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS110DN-T1-GE3 VISHAY sis110dn.pdf SIS110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS126DN-T1-GE3 VISHAY sis126dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 36.1A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 36.1A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 33.3W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIS128LDN-T1-GE3 VISHAY sis128ldn.pdf SIS128LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS176LDN-T1-GE3 VISHAY sis176ldn.pdf SIS176LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS178LDN-T1-GE3 VISHAY sis178ldn.pdf SIS178LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS184DN-T1-GE3 VISHAY sis184dn.pdf SIS184DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS322DNT-T1-GE3 VISHAY sis322dnt.pdf SIS322DNT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS402DN-T1-GE3 VISHAY sis402dn.pdf SIS402DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiS406DN-T1-GE3 VISHAY sis406dn.pdf SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2984 Stücke:
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70+1.03 EUR
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SIS407ADN-T1-GE3 VISHAY sis407adn.pdf SIS407ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIS407DN-T1-GE3 VISHAY sis407dn.pdf SIS407DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIS410DN-T1-GE3 VISHAY sis410dn.pdf SIS410DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 VISHAY sis412dn_new.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2929 Stücke:
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163+0.44 EUR
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SIS413DN-T1-GE3 VISHAY sis413dn.pdf SIS413DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2940 Stücke:
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100+0.72 EUR
215+0.33 EUR
227+0.32 EUR
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SIS415DNT-T1-GE3 VISHAY sis415dnt.pdf SIS415DNT-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIS427EDN-T1-GE3 VISHAY sis427edn.pdf SIS427EDN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIS429DNT-T1-GE3 VISHAY sis429dnt.pdf SIS429DNT-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIS434DN-T1-GE3 VISHAY sis434dn.pdf SIS434DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS435DNT-T1-GE3 VISHAY sis435dnt.pdf SIS435DNT-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SiS438DN-T1-GE3 VISHAY sis438dn.pdf SIS438DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS443DN-T1-GE3 VISHAY sis443dn.pdf SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2913 Stücke:
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28+2.59 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
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SIS444DN-T1-GE3 VISHAY sis444dn.pdf SIS444DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS447DN-T1-GE3 VISHAY sis447dn.pdf SIS447DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIS454DN-T1-GE3 VISHAY sis454dn.pdf SIS454DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS4604LDN-T1-GE3 VISHAY sis4604ldn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 36.7A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36.7A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 21.6W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIS4608LDN-T1-GE3 VISHAY sis4608ldn.pdf SIS4608LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS468DN-T1-GE3 VISHAY sis468dn.pdf SIS468DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS472ADN-T1-GE3 VISHAY sis472adn.pdf SIS472ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS472BDN-T1-GE3 VISHAY sis472bdn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.6A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 12.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIS472DN-T1-GE3 VISHAY sis472dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 18W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIS476DN-T1-GE3 VISHAY sis476dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS488DN-T1-GE3 VISHAY sis488dn.pdf SIS488DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA50DP-T1-RE3 sira50dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA50DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIRA52ADP-T1-RE3 sira52adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA52ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIRA52DP-T1-GE3 sira52dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA52DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA54DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SIRA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA58ADP-T1-RE3 sira58adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA58ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIRA58DP-T1-GE3 sira58dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA58DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA60DP-T1-GE3 sira60dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA60DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA62DP-T1-RE3 sira62dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA62DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIRA64DP-T1-GE3 sira64dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA64DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiRA72DP-T1-GE3 sira72dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA72DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA74DP-T1-GE3 doc?77640
Hersteller: VISHAY
SIRA74DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA80DP-T1-RE3 sira80dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA80DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIRA84BDP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SIRA84BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA84DP-T1-GE3 sira84dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA84DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA88BDP-T1-GE3 sira88bdp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA88BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiRA88DP-T1-GE3 sira88dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA88DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA90DP-T1-GE3 sira90dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA90DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA90DP-T1-RE3 sira90dp.pdf
Hersteller: VISHAY
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SiRA96DP-T1-GE3 sira96dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA96DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA99DP-T1-GE3 sira99dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIRB40DP-T1-GE3 sirb40dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 100A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 29.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 100A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIRC06DP-T1-GE3 sirc06dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRC06DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRC10DP-T1-GE3 sirc10dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRC10DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiRC16DP-T1-GE3 sirc16dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRC18DP-T1-GE3 sirc18dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRC18DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRS700DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
SIRS700DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIS106DN-T1-GE3 sis106dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS108DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SIS108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS110DN-T1-GE3 sis110dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS126DN-T1-GE3 sis126dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 36.1A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 36.1A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 33.3W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS128LDN-T1-GE3 sis128ldn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS128LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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70+1.03 EUR
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SIS407ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIS412DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2929 Stücke:
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Anzahl Preis
106+0.68 EUR
117+0.61 EUR
154+0.47 EUR
163+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 106
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Hersteller: VISHAY
SIS413DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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100+0.72 EUR
215+0.33 EUR
227+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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Hersteller: VISHAY
SIS415DNT-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
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SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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Hersteller: VISHAY
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 36.7A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36.7A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 21.6W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
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SIS468DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.6A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 12.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 18W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIS488DN-T1-GE3 sis488dn.pdf
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