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SIR4604LDP-T1-GE3 VISHAY sir4604ldp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 51A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR4606DP-T1-GE3 VISHAY sir4606dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
On-state resistance: 22.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIR470DP-T1-GE3 VISHAY sir470dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 155nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
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SIR474DP-T1-GE3 VISHAY sir474dp.pdf SIR474DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR5708DP-T1-RE3 VISHAY sir5708dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR570DP-T1-RE3 VISHAY sir570dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 77.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SIR640ADP-T1-GE3 VISHAY sir640adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR662DP-T1-GE3 VISHAY sir662dp.pdf SIR662DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR664DP-T1-GE3 VISHAY sir664dp.pdf SIR664DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR668ADP-T1-RE3 VISHAY sir668adp.pdf SIR668ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR670DP-T1-GE3 VISHAY sir670dp.pdf SIR670DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR680ADP-T1-RE3 VISHAY sir680adp.pdf SIR680ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR680LDP-T1-RE3 VISHAY sir680ldp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 130A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR681DP-T1-RE3 VISHAY sir681dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -71.9A; 104W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -71.9A
Pulsed drain current: -125A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR688DP-T1-GE3 VISHAY sir688dp.pdf SIR688DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR414DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR418DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
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Hersteller: VISHAY
SIR424DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIR438DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR440DP-T1-GE3 sir440dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR440DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR4602LDP-T1-RE3 sir4602ldp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR4602LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIR4604LDP-T1-GE3 sir4604ldp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 51A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
On-state resistance: 22.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIR4608DP-T1-GE3 sir4608dp.pdf
Hersteller: VISHAY
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Hersteller: VISHAY
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SIR464DP-T1-GE3 sir464dp.pdf
Hersteller: VISHAY
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SIR466DP-T1-GE3 sir466dp.pdf
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SIR470DP-T1-GE3 sir470dp.pdf
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 155nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIR474DP-T1-GE3 sir474dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR474DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIR5102DP-T1-RE3 sir5102dp.pdf
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SIR510DP-T1-RE3 sir510dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR510DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR570DP-T1-RE3 sir570dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 77.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 130A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -71.9A; 104W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -71.9A
Pulsed drain current: -125A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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