Produkte > VISHAY > Alle Produkte des Herstellers VISHAY (357854) > Seite 1170 nach 5965

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 596 1165 1166 1167 1168 1169 1170 1171 1172 1173 1174 1175 1192 1788 2384 2980 3576 4172 4768 5364 5960 5965  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI1062X-T1-GE3 VISHAY si1062x.pdf SI1062X-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4844 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
234+0.31 EUR
798+0.09 EUR
844+0.085 EUR
6000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 234
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC741F42B04E143&compId=SI1302DL.pdf?ci_sign=0e47094d7460bbf8757050183f77302d44966af5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; Idm: 1.5A; 0.18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.18W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
150+0.48 EUR
168+0.43 EUR
350+0.2 EUR
371+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 VISHAY si1308edl.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Power dissipation: 0.3W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 132mΩ
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1858 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
191+0.38 EUR
224+0.32 EUR
256+0.28 EUR
382+0.19 EUR
404+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-GE3 VISHAY si1317dl.pdf SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1836 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
417+0.17 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1442DH-T1-GE3 VISHAY si1442dh.pdf SI1442DH-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
175+0.41 EUR
491+0.15 EUR
521+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1443EDH-T1-GE3 SI1443EDH-T1-GE3 VISHAY si1443edh.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A; 1.8W; ESD
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -4A
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 54mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
160+0.45 EUR
196+0.37 EUR
228+0.31 EUR
341+0.21 EUR
360+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY si1902cdl.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.235Ω
Drain current: 0.9A
Gate charge: 2nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
191+0.37 EUR
223+0.32 EUR
358+0.2 EUR
432+0.17 EUR
459+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 VISHAY si2300ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2566 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
290+0.25 EUR
309+0.23 EUR
327+0.22 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
81+0.89 EUR
221+0.33 EUR
3000+0.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD839B390EFF83A0D2&compId=si2301cds.pdf?ci_sign=d4aa7f78301d7ab60fad71ebe961198b9879d6ca Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4484 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
161+0.44 EUR
185+0.39 EUR
254+0.28 EUR
538+0.13 EUR
21000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79935417D6143&compId=si2302cds.pdf?ci_sign=34ad82b4a4e4bbcce1ee89b45eda96c4079cb0b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2027 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
159+0.45 EUR
202+0.35 EUR
382+0.19 EUR
404+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79DE494CA2143&compId=si2302dds.pdf?ci_sign=ffc0abc65cc01b56a97def224c49af6063d8b26c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
195+0.37 EUR
220+0.33 EUR
275+0.26 EUR
481+0.15 EUR
511+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
132+0.54 EUR
175+0.41 EUR
198+0.36 EUR
428+0.17 EUR
451+0.16 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF8CB0D602D3D7&compId=SI2304DDS.pdf?ci_sign=95ef3ca732170878e414a35ea9ea6f42a08fd886 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4406 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
216+0.33 EUR
291+0.25 EUR
329+0.22 EUR
428+0.17 EUR
455+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY si2305cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1848 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
265+0.27 EUR
288+0.25 EUR
319+0.22 EUR
410+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 4.5nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2012 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
175+0.41 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787BCE1F6230D6745&compId=SI2307CDS-T1-GE3.pdf?ci_sign=0e68f187c351520fd9a36877902641072ec5e87d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2317 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
126+0.57 EUR
175+0.41 EUR
371+0.19 EUR
394+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.8nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
134+0.54 EUR
261+0.27 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY si2308cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
240+0.3 EUR
288+0.25 EUR
376+0.19 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
129+0.55 EUR
170+0.42 EUR
336+0.21 EUR
358+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY si2312cd.pdf SI2312CDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.68 EUR
333+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2315BDS-T1-E3 VISHAY si2315bd.pdf SI2315BDS-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
52+1.37 EUR
142+0.5 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2315BDS-T1-GE3 VISHAY si2315bd.pdf SI2315BDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
257+0.28 EUR
271+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AB05E85B46033D7&compId=si2318cds.pdf?ci_sign=0c176385f3d62a85465756e8056b99325fd9812d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
194+0.37 EUR
226+0.32 EUR
382+0.19 EUR
404+0.18 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAFC88707C753D7&compId=SI2318DS.pdf?ci_sign=ee5767015e0283adb239c741ea5762be7aa01eca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2.4A; Idm: 16A; 0.75W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.75W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
171+0.42 EUR
190+0.38 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 171
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF9DAA948853D7&compId=si2319cds.pdf?ci_sign=64bdacd284ecc776da0ce9fcde1da45273922ddb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4072 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
115+0.62 EUR
213+0.34 EUR
225+0.32 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY si2319dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
136+0.53 EUR
181+0.4 EUR
280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2663 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
98+0.74 EUR
108+0.66 EUR
141+0.51 EUR
150+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1928 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
96+0.75 EUR
123+0.58 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY si2323cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
141+0.51 EUR
329+0.22 EUR
348+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB46CCAC12F38BF&compId=SI2323DDS.pdf?ci_sign=2d10d3b27bf6d96adaa54a9af723a3b621d994a7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
120+0.6 EUR
162+0.44 EUR
218+0.33 EUR
231+0.31 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
63+1.13 EUR
100+0.72 EUR
250+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A41FD92BA143&compId=si2324ds.pdf?ci_sign=f1682294c926f8f629558c3b26e38ef41d87eb49 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.9nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11378 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
174+0.41 EUR
182+0.39 EUR
206+0.35 EUR
222+0.32 EUR
234+0.31 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2328DS-T1-GE3 VISHAY si2328ds.pdf SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2764 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF91549B5CF80143&compId=SI2329DS.pdf?ci_sign=f75b1c479856ee90ced92e277b4a8eef9146a713 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11.8nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
121+0.59 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1385 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
107+0.67 EUR
180+0.4 EUR
190+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.92 EUR
108+0.66 EUR
332+0.22 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY si2333dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
125+0.57 EUR
142+0.5 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AB0BD13802753D7&compId=si2336ds.pdf?ci_sign=962d2d3f76ac6bd02781750941977a5dca4c02cc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
188+0.38 EUR
239+0.3 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF902890339D2143&compId=SI2337DS.pdf?ci_sign=cb73a2039e3415bf5787f902365bd67d81fa9f04 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
73+0.99 EUR
131+0.55 EUR
138+0.52 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2338DS-T1-GE3 VISHAY si2338ds.pdf SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
102+0.71 EUR
283+0.25 EUR
300+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2342DS-T1-GE3 VISHAY si2342ds.pdf SI2342DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
110+0.65 EUR
285+0.25 EUR
300+0.24 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY si2343cd.pdf SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
92+0.78 EUR
288+0.25 EUR
305+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2347DS-T1-GE3 VISHAY si2347ds.pdf SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2742 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
153+0.47 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 153
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-GE3 SI2356DS-T1-GE3 VISHAY si2356ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
217+0.33 EUR
298+0.24 EUR
338+0.21 EUR
481+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY si2365eds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
283+0.25 EUR
407+0.18 EUR
477+0.15 EUR
633+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-GE3 SI2366DS-T1-GE3 VISHAY si2366ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
153+0.47 EUR
205+0.35 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY si2369d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
164+0.44 EUR
219+0.33 EUR
291+0.25 EUR
307+0.23 EUR
500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2374DS-T1-GE3 VISHAY si2374ds.pdf SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2545 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
176+0.41 EUR
404+0.18 EUR
428+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9102A252AA0143&compId=SI2377EDS.pdf?ci_sign=c227daa464243247d05f0aca605a935fdf23cfea Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 61mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
97+0.74 EUR
115+0.63 EUR
131+0.55 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2392ADS-T1-GE3 VISHAY si2392ads.pdf SI2392ADS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
92+0.78 EUR
277+0.26 EUR
293+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 VISHAY si2393ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Gate charge: 25.2nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 2.5W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3244 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
160+0.45 EUR
219+0.33 EUR
341+0.21 EUR
360+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2631 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
202+0.35 EUR
221+0.32 EUR
235+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3 VISHAY si3421dv.pdf SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2807 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
96+0.75 EUR
257+0.28 EUR
271+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-E3 VISHAY 72749.pdf description SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
177+0.4 EUR
280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90844D94CA0143&compId=SI3457CDV.pdf?ci_sign=25586387bfcf9fd5d614a04f6b2f0c1c1871ce4b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -4.1A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 113mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
125+0.57 EUR
158+0.45 EUR
319+0.22 EUR
338+0.21 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3458BDV-T1-GE3 VISHAY Si3458BDV.PDF SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
169+0.42 EUR
178+0.4 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY si3459bd.pdf SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.78 EUR
228+0.31 EUR
241+0.3 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 VISHAY si3460ddv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
214+0.33 EUR
258+0.28 EUR
295+0.24 EUR
329+0.22 EUR
390+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY si3473cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 4.2W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
93+0.78 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062X-T1-GE3 si1062x.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1062X-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4844 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
234+0.31 EUR
798+0.09 EUR
844+0.085 EUR
6000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 234
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1302DL-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC741F42B04E143&compId=SI1302DL.pdf?ci_sign=0e47094d7460bbf8757050183f77302d44966af5
SI1302DL-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; Idm: 1.5A; 0.18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.18W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
150+0.48 EUR
168+0.43 EUR
350+0.2 EUR
371+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1308EDL-T1-GE3 si1308edl.pdf
SI1308EDL-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Power dissipation: 0.3W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 132mΩ
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1858 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
191+0.38 EUR
224+0.32 EUR
256+0.28 EUR
382+0.19 EUR
404+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-GE3 si1317dl.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1836 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
417+0.17 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1442DH-T1-GE3 si1442dh.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1442DH-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
175+0.41 EUR
491+0.15 EUR
521+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1443EDH-T1-GE3 si1443edh.pdf
SI1443EDH-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A; 1.8W; ESD
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -4A
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 54mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
160+0.45 EUR
196+0.37 EUR
228+0.31 EUR
341+0.21 EUR
360+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1902CDL-T1-GE3 si1902cdl.pdf
SI1902CDL-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.235Ω
Drain current: 0.9A
Gate charge: 2nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
191+0.37 EUR
223+0.32 EUR
358+0.2 EUR
432+0.17 EUR
459+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si2300DS-T1-GE3 si2300ds.pdf
Si2300DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2566 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
290+0.25 EUR
309+0.23 EUR
327+0.22 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301BDS-T1-GE3 si2301bds.pdf
SI2301BDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
81+0.89 EUR
221+0.33 EUR
3000+0.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD839B390EFF83A0D2&compId=si2301cds.pdf?ci_sign=d4aa7f78301d7ab60fad71ebe961198b9879d6ca
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4484 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
161+0.44 EUR
185+0.39 EUR
254+0.28 EUR
538+0.13 EUR
21000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79935417D6143&compId=si2302cds.pdf?ci_sign=34ad82b4a4e4bbcce1ee89b45eda96c4079cb0b1
SI2302CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2027 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
159+0.45 EUR
202+0.35 EUR
382+0.19 EUR
404+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79DE494CA2143&compId=si2302dds.pdf?ci_sign=ffc0abc65cc01b56a97def224c49af6063d8b26c
SI2302DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
195+0.37 EUR
220+0.33 EUR
275+0.26 EUR
481+0.15 EUR
511+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-GE3 si2303cd.pdf
SI2303CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
132+0.54 EUR
175+0.41 EUR
198+0.36 EUR
428+0.17 EUR
451+0.16 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF8CB0D602D3D7&compId=SI2304DDS.pdf?ci_sign=95ef3ca732170878e414a35ea9ea6f42a08fd886
SI2304DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4406 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
216+0.33 EUR
291+0.25 EUR
329+0.22 EUR
428+0.17 EUR
455+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2305CDS-T1-GE3 si2305cd.pdf
SI2305CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1848 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
265+0.27 EUR
288+0.25 EUR
319+0.22 EUR
410+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2306BDS-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac
SI2306BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Gate charge: 4.5nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2012 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
175+0.41 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2307CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787BCE1F6230D6745&compId=SI2307CDS-T1-GE3.pdf?ci_sign=0e68f187c351520fd9a36877902641072ec5e87d
SI2307CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2317 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
126+0.57 EUR
175+0.41 EUR
371+0.19 EUR
394+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308BDS-T1-E3
SI2308BDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.8nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
134+0.54 EUR
261+0.27 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2308CDS-T1-GE3 si2308cds.pdf
SI2308CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5176 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
240+0.3 EUR
288+0.25 EUR
376+0.19 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2309CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e
SI2309CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
129+0.55 EUR
170+0.42 EUR
336+0.21 EUR
358+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2312CDS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.68 EUR
333+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2315BDS-T1-E3 si2315bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2315BDS-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
52+1.37 EUR
142+0.5 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2315BDS-T1-GE3 si2315bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2315BDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
257+0.28 EUR
271+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AB05E85B46033D7&compId=si2318cds.pdf?ci_sign=0c176385f3d62a85465756e8056b99325fd9812d
SI2318CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
194+0.37 EUR
226+0.32 EUR
382+0.19 EUR
404+0.18 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2318DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAFC88707C753D7&compId=SI2318DS.pdf?ci_sign=ee5767015e0283adb239c741ea5762be7aa01eca
SI2318DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2.4A; Idm: 16A; 0.75W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.75W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
171+0.42 EUR
190+0.38 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 171
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF9DAA948853D7&compId=si2319cds.pdf?ci_sign=64bdacd284ecc776da0ce9fcde1da45273922ddb
SI2319CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4072 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
115+0.62 EUR
213+0.34 EUR
225+0.32 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
136+0.53 EUR
181+0.4 EUR
280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2663 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
98+0.74 EUR
108+0.66 EUR
141+0.51 EUR
150+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1928 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
96+0.75 EUR
123+0.58 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1685 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
141+0.51 EUR
329+0.22 EUR
348+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB46CCAC12F38BF&compId=SI2323DDS.pdf?ci_sign=2d10d3b27bf6d96adaa54a9af723a3b621d994a7
SI2323DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
120+0.6 EUR
162+0.44 EUR
218+0.33 EUR
231+0.31 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c
SI2323DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
63+1.13 EUR
100+0.72 EUR
250+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A41FD92BA143&compId=si2324ds.pdf?ci_sign=f1682294c926f8f629558c3b26e38ef41d87eb49
SI2324DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.9nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11378 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
174+0.41 EUR
182+0.39 EUR
206+0.35 EUR
222+0.32 EUR
234+0.31 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2328DS-T1-GE3 si2328ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2764 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2329DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF91549B5CF80143&compId=SI2329DS.pdf?ci_sign=f75b1c479856ee90ced92e277b4a8eef9146a713
SI2329DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11.8nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
121+0.59 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-E3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1385 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
107+0.67 EUR
180+0.4 EUR
190+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.92 EUR
108+0.66 EUR
332+0.22 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333DDS-T1-GE3 si2333dds.pdf
SI2333DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
125+0.57 EUR
142+0.5 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2336DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AB0BD13802753D7&compId=si2336ds.pdf?ci_sign=962d2d3f76ac6bd02781750941977a5dca4c02cc
SI2336DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
188+0.38 EUR
239+0.3 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2337DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF902890339D2143&compId=SI2337DS.pdf?ci_sign=cb73a2039e3415bf5787f902365bd67d81fa9f04
SI2337DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
73+0.99 EUR
131+0.55 EUR
138+0.52 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2338DS-T1-GE3 si2338ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
102+0.71 EUR
283+0.25 EUR
300+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2342DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
110+0.65 EUR
285+0.25 EUR
300+0.24 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
92+0.78 EUR
288+0.25 EUR
305+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2347DS-T1-GE3 si2347ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2742 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
153+0.47 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 153
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-GE3 si2356ds.pdf
SI2356DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
217+0.33 EUR
298+0.24 EUR
338+0.21 EUR
481+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3 si2365eds.pdf
SI2365EDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
283+0.25 EUR
407+0.18 EUR
477+0.15 EUR
633+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-GE3 si2366ds.pdf
SI2366DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
153+0.47 EUR
205+0.35 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
164+0.44 EUR
219+0.33 EUR
291+0.25 EUR
307+0.23 EUR
500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2545 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
176+0.41 EUR
404+0.18 EUR
428+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2377EDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9102A252AA0143&compId=SI2377EDS.pdf?ci_sign=c227daa464243247d05f0aca605a935fdf23cfea
SI2377EDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 61mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
115+0.63 EUR
131+0.55 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2392ADS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
92+0.78 EUR
277+0.26 EUR
293+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2393DS-T1-GE3 si2393ds.pdf
SI2393DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Gate charge: 25.2nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 2.5W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3244 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
160+0.45 EUR
219+0.33 EUR
341+0.21 EUR
360+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3407DV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b
Si3407DV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2631 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
202+0.35 EUR
221+0.32 EUR
235+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3 si3421dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2807 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
96+0.75 EUR
257+0.28 EUR
271+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-E3 description 72749.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
177+0.4 EUR
280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3457CDV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90844D94CA0143&compId=SI3457CDV.pdf?ci_sign=25586387bfcf9fd5d614a04f6b2f0c1c1871ce4b
SI3457CDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -4.1A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 113mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
125+0.57 EUR
158+0.45 EUR
319+0.22 EUR
338+0.21 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3458BDV-T1-GE3 Si3458BDV.PDF
Hersteller: VISHAY
SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
169+0.42 EUR
178+0.4 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.78 EUR
228+0.31 EUR
241+0.3 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-GE3 si3460ddv.pdf
SI3460DDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
214+0.33 EUR
258+0.28 EUR
295+0.24 EUR
329+0.22 EUR
390+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
SI3473CDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 4.2W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
93+0.78 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 596 1165 1166 1167 1168 1169 1170 1171 1172 1173 1174 1175 1192 1788 2384 2980 3576 4172 4768 5364 5960 5965  [ Nächste Seite >> ]