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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY si2343cd.pdf SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
92+0.78 EUR
288+0.25 EUR
305+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2347DS-T1-GE3 VISHAY si2347ds.pdf SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2742 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
153+0.47 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 153
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-GE3 SI2356DS-T1-GE3 VISHAY si2356ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
217+0.33 EUR
298+0.24 EUR
338+0.21 EUR
481+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY si2365eds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
283+0.25 EUR
407+0.18 EUR
477+0.15 EUR
633+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-GE3 SI2366DS-T1-GE3 VISHAY si2366ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
153+0.47 EUR
205+0.35 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY si2369d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
164+0.44 EUR
219+0.33 EUR
291+0.25 EUR
307+0.23 EUR
500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2374DS-T1-GE3 VISHAY si2374ds.pdf SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2545 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
176+0.41 EUR
404+0.18 EUR
428+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9102A252AA0143&compId=SI2377EDS.pdf?ci_sign=c227daa464243247d05f0aca605a935fdf23cfea Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 61mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
97+0.74 EUR
115+0.63 EUR
131+0.55 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2392ADS-T1-GE3 VISHAY si2392ads.pdf SI2392ADS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
92+0.78 EUR
277+0.26 EUR
293+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 VISHAY si2393ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Gate charge: 25.2nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 2.5W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3244 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
160+0.45 EUR
219+0.33 EUR
341+0.21 EUR
360+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2631 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
202+0.35 EUR
221+0.32 EUR
235+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3 VISHAY si3421dv.pdf SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2807 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
96+0.75 EUR
257+0.28 EUR
271+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-E3 VISHAY 72749.pdf description SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
177+0.4 EUR
280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90844D94CA0143&compId=SI3457CDV.pdf?ci_sign=25586387bfcf9fd5d614a04f6b2f0c1c1871ce4b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -4.1A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 113mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
82+0.87 EUR
125+0.57 EUR
158+0.45 EUR
319+0.22 EUR
338+0.21 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3458BDV-T1-GE3 VISHAY Si3458BDV.PDF SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
169+0.42 EUR
178+0.4 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3 VISHAY si3459bd.pdf SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.78 EUR
228+0.31 EUR
241+0.3 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 VISHAY si3460ddv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
214+0.33 EUR
258+0.28 EUR
295+0.24 EUR
329+0.22 EUR
390+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY si3473cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 4.2W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
93+0.78 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483CDV-T1-GE3 VISHAY si3483cd.pdf SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2064 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
30000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DV-T1-E3 VISHAY si3552dv.pdf SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2873 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3865DDV-T1-GE3 SI3865DDV-T1-GE3 VISHAY Si3865DDV.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TSOP6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOP6
On-state resistance: 45mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.5...12V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2437 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
114+0.63 EUR
136+0.53 EUR
191+0.38 EUR
201+0.36 EUR
250+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4134DY-T1-GE3 VISHAY si4134dy.pdf SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6881 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
250+0.29 EUR
265+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4162DY-T1-GE3 VISHAY si4162dy.pdf SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.05 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4174DY-T1-GE3 VISHAY si4174dy.pdf SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 5W
Drain current: 6.7A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
151+0.48 EUR
163+0.44 EUR
221+0.32 EUR
233+0.31 EUR
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4288DY-T1-GE3 VISHAY si4288dy.pdf SI4288DY-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 4399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
13+5.51 EUR
35+2.04 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 VISHAY si4401dd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
84+0.86 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 18.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.17 EUR
72+1 EUR
80+0.9 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 VISHAY si4403cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2097 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
100+0.72 EUR
108+0.66 EUR
113+0.64 EUR
127+0.56 EUR
135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1706 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
154+0.47 EUR
161+0.44 EUR
169+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90B8DB544A4143&compId=SI4425DDY.pdf?ci_sign=4ca0d5ee73aa4e0b86d6ab4403edb62cdb9017db Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 3.6W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2847 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
91+0.79 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 VISHAY si4431bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.54 EUR
66+1.09 EUR
93+0.77 EUR
98+0.73 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
84+0.86 EUR
91+0.79 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C69A768524469&compId=SI4435DDY.pdf?ci_sign=6829347c9329e1b0ba269f70ba31db9896ce121c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
168+0.43 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 132
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SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY si4435ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
90+0.8 EUR
211+0.34 EUR
224+0.32 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 70
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SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D973D138F000D3&compId=si4435fdy.pdf?ci_sign=d351e26323940fdb9f90a1077a0912fb922686d7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
160+0.45 EUR
217+0.33 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 129
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SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 VISHAY si4447ad.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 664 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.9 EUR
104+0.69 EUR
180+0.4 EUR
191+0.38 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 80
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SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90C142F2FE4143&compId=SI4459ADY.pdf?ci_sign=a632b04d83d41d426c26f1481d7f98aa30f7e1ae Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.86 EUR
35+2.04 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 VISHAY si4463cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1592 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
79+0.92 EUR
109+0.66 EUR
116+0.62 EUR
250+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90CA8864F96143&compId=SI4483ADY.pdf?ci_sign=27b7abb0c033e6e30b73937a34c59faabcacd2ca Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1707 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
57+1.26 EUR
62+1.16 EUR
65+1.12 EUR
66+1.09 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY si4532cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
84+0.85 EUR
124+0.58 EUR
214+0.33 EUR
227+0.32 EUR
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 VISHAY si4559ady.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
55+1.3 EUR
125+0.57 EUR
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 VISHAY si4599dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 632 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
76+0.94 EUR
184+0.39 EUR
195+0.37 EUR
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4686DY-T1-E3 SI4686DY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7DBBEB74DE143&compId=SI4686DY.pdf?ci_sign=1aaed05271f5f7dd291bc392d2d38bc1bbf5e033 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1224 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
101+0.71 EUR
141+0.51 EUR
149+0.48 EUR
2500+0.47 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7AE4786FA469&compId=SI4800BDY-E3.pdf?ci_sign=ef227de5271d149492adc5fd67359e1457b08a4a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
118+0.61 EUR
195+0.37 EUR
206+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4835DDY-T1-E3 VISHAY si4835ddy.pdf SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.85 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4835DDY-T1-GE3 VISHAY si4835ddy.pdf SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.9 EUR
124+0.58 EUR
132+0.54 EUR
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 3.8W
Drain current: 9.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.53 EUR
53+1.36 EUR
57+1.27 EUR
97+0.74 EUR
102+0.7 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 VISHAY si4848dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 3W
Drain current: 3.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 150V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2044 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.84 EUR
50+1.44 EUR
72+1 EUR
75+0.96 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 VISHAY 71146.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.46 EUR
35+2.09 EUR
38+1.89 EUR
110+0.65 EUR
116+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C99448EA20469&compId=SI4925DDY-T1-GE3.pdf?ci_sign=247ad2cca8e568a9e5989b1e2e4f6f77ff7828b1 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
60+1.21 EUR
66+1.09 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB85D37AA64F60C7&compId=si4936cdy-t1-e3.pdf?ci_sign=90fd2b1e62740aefc82a1551863ac9c65766bedb Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 4.6A
Gate charge: 9nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2921 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A6A1347E540DF&compId=SI4948BEY.pdf?ci_sign=238d2536006e9317b5f25d4bdf26d23435775940 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2241 Stücke:
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35+2.06 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-GE3 SI7113DN-T1-GE3 VISHAY si7113dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.5A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 0.134Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2542 Stücke:
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38+1.9 EUR
46+1.57 EUR
65+1.1 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-GE3 VISHAY si7115dn.pdf SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY si7121adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 17.8W
Gate-source voltage: ±25V
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2564 Stücke:
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105+0.68 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88CA235F95D40C4&compId=si7149adp.pdf?ci_sign=f7d6243395fc5c14db861871eff0338269919b8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 43.1nC
On-state resistance: 9.5mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 31W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3571 Stücke:
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71+1.02 EUR
79+0.91 EUR
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146+0.49 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7153DN-T1-GE3 VISHAY si7153dn.pdf SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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63+1.15 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7288DP-T1-GE3 VISHAY si7288dp.pdf SI7288DP-T1-GE3 Multi channel transistors
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73+0.99 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2347DS-T1-GE3 si2347ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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481+0.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-GE3 si2356ds.pdf
SI2356DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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217+0.33 EUR
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338+0.21 EUR
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511+0.14 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3 si2365eds.pdf
SI2365EDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
283+0.25 EUR
407+0.18 EUR
477+0.15 EUR
633+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-GE3 si2366ds.pdf
SI2366DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
153+0.47 EUR
205+0.35 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
164+0.44 EUR
219+0.33 EUR
291+0.25 EUR
307+0.23 EUR
500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2545 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
176+0.41 EUR
404+0.18 EUR
428+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2377EDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9102A252AA0143&compId=SI2377EDS.pdf?ci_sign=c227daa464243247d05f0aca605a935fdf23cfea
SI2377EDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Gate charge: 7.6nC
On-state resistance: 61mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
115+0.63 EUR
131+0.55 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2392ADS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
92+0.78 EUR
277+0.26 EUR
293+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2393DS-T1-GE3 si2393ds.pdf
SI2393DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Gate charge: 25.2nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 2.5W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3244 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
160+0.45 EUR
219+0.33 EUR
341+0.21 EUR
360+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3407DV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b
Si3407DV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2631 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
202+0.35 EUR
221+0.32 EUR
235+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3 si3421dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2807 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
96+0.75 EUR
257+0.28 EUR
271+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 96
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3443BDV-T1-E3 description 72749.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
177+0.4 EUR
280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 177
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3457CDV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90844D94CA0143&compId=SI3457CDV.pdf?ci_sign=25586387bfcf9fd5d614a04f6b2f0c1c1871ce4b
SI3457CDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -4.1A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 113mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
125+0.57 EUR
158+0.45 EUR
319+0.22 EUR
338+0.21 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3458BDV-T1-GE3 Si3458BDV.PDF
Hersteller: VISHAY
SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1439 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
169+0.42 EUR
178+0.4 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3459BDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.78 EUR
228+0.31 EUR
241+0.3 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-GE3 si3460ddv.pdf
SI3460DDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
214+0.33 EUR
258+0.28 EUR
295+0.24 EUR
329+0.22 EUR
390+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
SI3473CDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 4.2W
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
93+0.78 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3483CDV-T1-GE3 si3483cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2064 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
196+0.37 EUR
207+0.35 EUR
30000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DV-T1-E3 si3552dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3552DV-T1-E3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2873 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3865DDV-T1-GE3 Si3865DDV.pdf
SI3865DDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TSOP6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOP6
On-state resistance: 45mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.5...12V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2437 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
114+0.63 EUR
136+0.53 EUR
191+0.38 EUR
201+0.36 EUR
250+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4134DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6881 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
250+0.29 EUR
265+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4162DY-T1-GE3 si4162dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4162DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.05 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4174DY-T1-GE3 si4174dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4178DY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6
SI4178DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 5W
Drain current: 6.7A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
151+0.48 EUR
163+0.44 EUR
221+0.32 EUR
233+0.31 EUR
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4288DY-T1-GE3 si4288dy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI4288DY-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 4399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a
SI4401BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
13+5.51 EUR
35+2.04 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
84+0.86 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4401FDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463
SI4401FDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 18.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.17 EUR
72+1 EUR
80+0.9 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4403CDY-T1-GE3 si4403cd.pdf
SI4403CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2097 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
100+0.72 EUR
108+0.66 EUR
113+0.64 EUR
127+0.56 EUR
135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4403DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380
SI4403DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1706 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
154+0.47 EUR
161+0.44 EUR
169+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4425DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90B8DB544A4143&compId=SI4425DDY.pdf?ci_sign=4ca0d5ee73aa4e0b86d6ab4403edb62cdb9017db
SI4425DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 3.6W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2847 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
91+0.79 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.54 EUR
66+1.09 EUR
93+0.77 EUR
98+0.73 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
84+0.86 EUR
91+0.79 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C69A768524469&compId=SI4435DDY.pdf?ci_sign=6829347c9329e1b0ba269f70ba31db9896ce121c
SI4435DDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
168+0.43 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
90+0.8 EUR
211+0.34 EUR
224+0.32 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435FDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D973D138F000D3&compId=si4435fdy.pdf?ci_sign=d351e26323940fdb9f90a1077a0912fb922686d7
SI4435FDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
160+0.45 EUR
217+0.33 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4447ADY-T1-GE3 si4447ad.pdf
SI4447ADY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 664 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
104+0.69 EUR
180+0.4 EUR
191+0.38 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4459ADY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90C142F2FE4143&compId=SI4459ADY.pdf?ci_sign=a632b04d83d41d426c26f1481d7f98aa30f7e1ae
SI4459ADY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.86 EUR
35+2.04 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463CDY-T1-GE3 si4463cd.pdf
SI4463CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1592 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
79+0.92 EUR
109+0.66 EUR
116+0.62 EUR
250+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4483ADY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90CA8864F96143&compId=SI4483ADY.pdf?ci_sign=27b7abb0c033e6e30b73937a34c59faabcacd2ca
SI4483ADY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1707 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
57+1.26 EUR
62+1.16 EUR
65+1.12 EUR
66+1.09 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532CDY-T1-GE3 si4532cd.pdf
SI4532CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.19 EUR
84+0.85 EUR
124+0.58 EUR
214+0.33 EUR
227+0.32 EUR
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4559ADY-T1-GE3 si4559ady.pdf
SI4559ADY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
55+1.3 EUR
125+0.57 EUR
132+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4599DY-T1-GE3 si4599dy.pdf
SI4599DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 632 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
76+0.94 EUR
184+0.39 EUR
195+0.37 EUR
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4686DY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7DBBEB74DE143&compId=SI4686DY.pdf?ci_sign=1aaed05271f5f7dd291bc392d2d38bc1bbf5e033
SI4686DY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1224 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
101+0.71 EUR
141+0.51 EUR
149+0.48 EUR
2500+0.47 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4800BDY-T1-E3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7AE4786FA469&compId=SI4800BDY-E3.pdf?ci_sign=ef227de5271d149492adc5fd67359e1457b08a4a
SI4800BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
95+0.76 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4840BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e
SI4840BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 3.8W
Drain current: 9.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4848DY-T1-E3 si4848dy.pdf
SI4848DY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 3W
Drain current: 3.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 150V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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75+0.96 EUR
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SI4850EY-T1-E3 71146.pdf
SI4850EY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4925DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C99448EA20469&compId=SI4925DDY-T1-GE3.pdf?ci_sign=247ad2cca8e568a9e5989b1e2e4f6f77ff7828b1
SI4925DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
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Anzahl Preis
43+1.69 EUR
60+1.21 EUR
66+1.09 EUR
135+0.53 EUR
143+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4936CDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB85D37AA64F60C7&compId=si4936cdy-t1-e3.pdf?ci_sign=90fd2b1e62740aefc82a1551863ac9c65766bedb
SI4936CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 4.6A
Gate charge: 9nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2921 Stücke:
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Anzahl Preis
65+1.12 EUR
94+0.76 EUR
166+0.43 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4948BEY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A6A1347E540DF&compId=SI4948BEY.pdf?ci_sign=238d2536006e9317b5f25d4bdf26d23435775940
SI4948BEY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2241 Stücke:
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Anzahl Preis
35+2.06 EUR
47+1.53 EUR
130+0.55 EUR
137+0.52 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-GE3 si7113dn.pdf
SI7113DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.5A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 0.134Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2542 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.9 EUR
46+1.57 EUR
65+1.1 EUR
69+1.04 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7115DN-T1-GE3 si7115dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1843 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.19 EUR
59+1.23 EUR
62+1.16 EUR
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121ADN-T1-GE3 si7121adn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 17.8W
Gate-source voltage: ±25V
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
105+0.68 EUR
116+0.62 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7149ADP-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88CA235F95D40C4&compId=si7149adp.pdf?ci_sign=f7d6243395fc5c14db861871eff0338269919b8f
SI7149ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 43.1nC
On-state resistance: 9.5mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 31W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3571 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
79+0.91 EUR
138+0.52 EUR
146+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7153DN-T1-GE3 si7153dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.15 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7288DP-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.92 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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