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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 VISHAY si7461dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.27 EUR
30+2.4 EUR
45+1.6 EUR
48+1.52 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3 VISHAY 73113.pdf SI7465DP-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1783 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
3000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY si7615adn.pdf SI7615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7617DN-T1-GE3 VISHAY si7617dn.pdf SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
103+0.7 EUR
109+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 VISHAY si7655adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 225nC
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 36W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
75+0.96 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.9W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.95 EUR
30+2.39 EUR
34+2.16 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
1500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 VISHAY si7938dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 46W
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.96 EUR
51+1.42 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
100+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8487DB-T1-E1 VISHAY si8487db.pdf SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
229+0.31 EUR
242+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
64+1.12 EUR
143+0.5 EUR
151+0.47 EUR
7500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
83+0.87 EUR
91+0.79 EUR
173+0.41 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
64+1.12 EUR
143+0.5 EUR
151+0.47 EUR
7500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si9433BDY-T1-E3 VISHAY si9433bd.pdf SI9433BDY-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
21+3.4 EUR
56+1.27 EUR
500+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA35812DDA70469&compId=SI9926CDY-T1-E3.pdf?ci_sign=0ab71b5605d47da470f4dbbf053fc6273f4cf80a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
Gate charge: 33nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
63+1.15 EUR
70+1.03 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A7E29059520DF&compId=SI9933CDY.pdf?ci_sign=149105d3216bdce939e4bc6c890a58e5005e972c Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1514 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
85+0.85 EUR
97+0.74 EUR
187+0.38 EUR
197+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY si9945bdy.pdf SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4935 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
102+0.71 EUR
107+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA441DJ-T1-GE3 VISHAY sia441dj.pdf SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
208+0.34 EUR
220+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA469DJ-T1-GE3 VISHAY sia469dj.pdf SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2682 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA483DJ-T1-GE3 VISHAY sia483dj.pdf SIA483DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2778 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
83+0.87 EUR
268+0.27 EUR
283+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA517DJ-T1-GE3 SIA517DJ-T1-GE3 VISHAY sia517dj.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2719 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
97+0.74 EUR
113+0.63 EUR
205+0.35 EUR
217+0.33 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.16 EUR
22+3.36 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
50+2.17 EUR
100+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD2N80AE-GE3 VISHAY sihd2n80ae.pdf SIHD2N80AE-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.91 EUR
13+5.51 EUR
34+2.1 EUR
300+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF22N60E-GE3 SIHF22N60E-GE3 VISHAY sihf22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.81 EUR
21+3.42 EUR
23+3.23 EUR
50+3.17 EUR
100+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF644S-GE3 VISHAY SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9530S-GE3 SIHF9530S-GE3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
86+0.84 EUR
97+0.74 EUR
112+0.64 EUR
117+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.9 EUR
93+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR220TRL-GE3 SIHFR220TRL-GE3 VISHAY sihfr220.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
106+0.68 EUR
117+0.61 EUR
152+0.47 EUR
162+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.8 EUR
18+4.06 EUR
23+3.25 EUR
24+3.07 EUR
100+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9064578CFE4143&compId=SIHG47N60E.pdf?ci_sign=dc5f5c5da56beb3aa5eee02d998e7ce3c39409be Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.45 EUR
8+9.57 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD906BD8333C0143&compId=SIHG73N60E.pdf?ci_sign=e22d1d02f504fd0f6006dd6fda5d233ca807c85b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795E5474B61FCE747&compId=SIHP065N60E.pdf?ci_sign=6f79f5ba913d01040ae1231e9800499694cc785e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP100N60E-GE3 VISHAY sihp100n60e.pdf SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP12N50E-GE3 VISHAY sihp12n50e.pdf SIHP12N50E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 VISHAY sihp15n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP22N60E-GE3 SIHP22N60E-GE3 VISHAY sihp22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
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13+5.82 EUR
18+4.02 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 VISHAY sihp24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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17+4.26 EUR
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24+3.02 EUR
25+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY sihp24n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 409 Stücke:
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18+4.15 EUR
19+3.8 EUR
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25+2.9 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32431DNP3-T1GE4 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: P-Channel
Case: TDFN4
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1262 Stücke:
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122+0.59 EUR
175+0.41 EUR
194+0.37 EUR
202+0.35 EUR
222+0.32 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32431DR3-T1GE3 SIP32431DR3-T1GE3 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: P-Channel
Case: SC70
Mounting: SMD
On-state resistance: 147mΩ
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 269 Stücke:
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114+0.63 EUR
165+0.43 EUR
184+0.39 EUR
205+0.35 EUR
213+0.34 EUR
217+0.33 EUR
250+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32509DT-T1-GE3 SIP32509DT-T1-GE3 VISHAY sip32508.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
253+0.28 EUR
285+0.25 EUR
304+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32510DT-T1-GE3 SIP32510DT-T1-GE3 VISHAY sip32510.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1483 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
212+0.34 EUR
242+0.3 EUR
283+0.25 EUR
343+0.21 EUR
363+0.2 EUR
374+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186LDP-T1-RE3 VISHAY sir186ldp.pdf SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
126+0.57 EUR
134+0.54 EUR
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422DP-T1-GE3 VISHAY sir422dp.pdf SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
77+0.93 EUR
82+0.87 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR622DP-T1-RE3 VISHAY sir622dp.pdf SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5662 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626LDP-T1-RE3 VISHAY sir626ldp.pdf SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2209 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.3 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY sira06dp.pdf SIRA06DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.24 EUR
113+0.63 EUR
120+0.6 EUR
3000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 VISHAY sira10dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
89+0.81 EUR
106+0.68 EUR
112+0.64 EUR
250+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA14DP-T1-GE3 SIRA14DP-T1-GE3 VISHAY sira14dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
103+0.7 EUR
208+0.34 EUR
220+0.33 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA18ADP-T1-GE3 SIRA18ADP-T1-GE3 VISHAY sira18adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 9.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
143+0.5 EUR
161+0.45 EUR
269+0.27 EUR
286+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA28BDP-T1-GE3 VISHAY sira28bdp.pdf SIRA28BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
131+0.55 EUR
221+0.32 EUR
233+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52ADP-T1-RE3 SIRA52ADP-T1-RE3 VISHAY sira52adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
49+1.49 EUR
53+1.37 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90DP-T1-GE3 SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY sira90dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.12 EUR
46+1.57 EUR
76+0.94 EUR
80+0.9 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY sira99dp.pdf SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.03 EUR
36+1.99 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRC16DP-T1-GE3 VISHAY sirc16dp.pdf SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2943 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiS406DN-T1-GE3 VISHAY sis406dn.pdf SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
92+0.79 EUR
106+0.68 EUR
112+0.64 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 VISHAY sis412dn_new.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2916 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
137+0.52 EUR
142+0.5 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 VISHAY sis413dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 13.2mΩ
Power dissipation: 33W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
102+0.7 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS443DN-T1-GE3 VISHAY sis443dn.pdf SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1779 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.03 EUR
76+0.94 EUR
80+0.9 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS892ADN-T1-GE3 VISHAY sis892adn.pdf SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2842 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
104+0.69 EUR
110+0.65 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH625DN-T1-GE3 VISHAY sish625dn.pdf SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 5173 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.05 EUR
148+0.49 EUR
156+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3 SISS05DN-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9395D2EB486E00C4&compId=siss05dn.pdf?ci_sign=a6ad886a87c78f05ec0f27231ba6a5e604ee0763 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -86.6A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: -20...16V
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.32 EUR
61+1.17 EUR
62+1.16 EUR
68+1.06 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.27 EUR
30+2.4 EUR
45+1.6 EUR
48+1.52 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3 73113.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7465DP-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1783 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
3000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7617DN-T1-GE3 si7617dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7655ADN-T1-GE3 si7655adn.pdf
SI7655ADN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 225nC
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 36W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
75+0.96 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-GE3 71625.pdf
SI7850DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.9W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.95 EUR
30+2.39 EUR
34+2.16 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
1500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3 si7938dp.pdf
SI7938DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 46W
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
51+1.42 EUR
59+1.22 EUR
62+1.16 EUR
100+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8487DB-T1-E1 si8487db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
229+0.31 EUR
242+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa
SI9407BDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
64+1.12 EUR
143+0.5 EUR
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Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa
SI9407BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2187 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
83+0.87 EUR
91+0.79 EUR
173+0.41 EUR
184+0.39 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa
SI9407BDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
64+1.12 EUR
143+0.5 EUR
151+0.47 EUR
7500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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Si9433BDY-T1-E3 si9433bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI9433BDY-E3 SMD P channel transistors
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1+71.5 EUR
21+3.4 EUR
56+1.27 EUR
500+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9926CDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA35812DDA70469&compId=SI9926CDY-T1-E3.pdf?ci_sign=0ab71b5605d47da470f4dbbf053fc6273f4cf80a
SI9926CDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
Gate charge: 33nC
Gate-source voltage: ±12V
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.46 EUR
63+1.15 EUR
70+1.03 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9933CDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A7E29059520DF&compId=SI9933CDY.pdf?ci_sign=149105d3216bdce939e4bc6c890a58e5005e972c
SI9933CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1514 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
85+0.85 EUR
97+0.74 EUR
187+0.38 EUR
197+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9945BDY-T1-GE3 si9945bdy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4935 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
102+0.71 EUR
107+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA441DJ-T1-GE3 sia441dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
208+0.34 EUR
220+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA469DJ-T1-GE3 sia469dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2682 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA483DJ-T1-GE3 sia483dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA483DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2778 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
83+0.87 EUR
268+0.27 EUR
283+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA517DJ-T1-GE3 sia517dj.pdf
SIA517DJ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2719 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
97+0.74 EUR
113+0.63 EUR
205+0.35 EUR
217+0.33 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.16 EUR
22+3.36 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
50+2.17 EUR
100+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD2N80AE-GE3 sihd2n80ae.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHD2N80AE-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.91 EUR
13+5.51 EUR
34+2.1 EUR
300+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF22N60E-GE3 sihf22n60e.pdf
SIHF22N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.81 EUR
21+3.42 EUR
23+3.23 EUR
50+3.17 EUR
100+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF644S-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 977 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9530S-GE3
SIHF9530S-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
86+0.84 EUR
97+0.74 EUR
112+0.64 EUR
117+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR1N60A-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31
SIHFR1N60A-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Pulsed drain current: 5.6A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.9 EUR
93+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR220TRL-GE3 sihfr220.pdf
SIHFR220TRL-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
106+0.68 EUR
117+0.61 EUR
152+0.47 EUR
162+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.8 EUR
18+4.06 EUR
23+3.25 EUR
24+3.07 EUR
100+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9064578CFE4143&compId=SIHG47N60E.pdf?ci_sign=dc5f5c5da56beb3aa5eee02d998e7ce3c39409be
SIHG47N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.45 EUR
8+9.57 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD906BD8333C0143&compId=SIHG73N60E.pdf?ci_sign=e22d1d02f504fd0f6006dd6fda5d233ca807c85b
SIHG73N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.74 EUR
7+10.97 EUR
10+10.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N60E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795E5474B61FCE747&compId=SIHP065N60E.pdf?ci_sign=6f79f5ba913d01040ae1231e9800499694cc785e
SIHP065N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 469 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP100N60E-GE3 sihp100n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
auf Bestellung 200 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP12N50E-GE3 sihp12n50e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHP12N50E-GE3 THT N channel transistors
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51+1.42 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP15N50E-GE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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Anzahl Preis
26+2.76 EUR
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53+1.36 EUR
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP22N60E-GE3 sihp22n60e.pdf
SIHP22N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.82 EUR
18+4.02 EUR
19+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.26 EUR
20+3.68 EUR
23+3.19 EUR
24+3.02 EUR
25+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.15 EUR
19+3.8 EUR
24+3.07 EUR
25+2.9 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32431DNP3-T1GE4 sip32431.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: P-Channel
Case: TDFN4
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
175+0.41 EUR
194+0.37 EUR
202+0.35 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32431DR3-T1GE3 sip32431.pdf
SIP32431DR3-T1GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: P-Channel
Case: SC70
Mounting: SMD
On-state resistance: 147mΩ
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
165+0.43 EUR
184+0.39 EUR
205+0.35 EUR
213+0.34 EUR
217+0.33 EUR
250+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32509DT-T1-GE3 sip32508.pdf
SIP32509DT-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
253+0.28 EUR
285+0.25 EUR
304+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32510DT-T1-GE3 sip32510.pdf
SIP32510DT-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1483 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
212+0.34 EUR
242+0.3 EUR
283+0.25 EUR
343+0.21 EUR
363+0.2 EUR
374+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186LDP-T1-RE3 sir186ldp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
126+0.57 EUR
134+0.54 EUR
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
77+0.93 EUR
82+0.87 EUR
84+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR622DP-T1-RE3 sir622dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5662 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626LDP-T1-RE3 sir626ldp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2209 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA06DP-T1-GE3 sira06dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA06DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
113+0.63 EUR
120+0.6 EUR
3000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
89+0.81 EUR
106+0.68 EUR
112+0.64 EUR
250+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA14DP-T1-GE3 sira14dp.pdf
SIRA14DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
103+0.7 EUR
208+0.34 EUR
220+0.33 EUR
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA18ADP-T1-GE3 sira18adp.pdf
SIRA18ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 9.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
143+0.5 EUR
161+0.45 EUR
269+0.27 EUR
286+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA28BDP-T1-GE3 sira28bdp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA28BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
131+0.55 EUR
221+0.32 EUR
233+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52ADP-T1-RE3 sira52adp.pdf
SIRA52ADP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
49+1.49 EUR
53+1.37 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90DP-T1-GE3 sira90dp.pdf
SIRA90DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.12 EUR
46+1.57 EUR
76+0.94 EUR
80+0.9 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA99DP-T1-GE3 sira99dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.03 EUR
36+1.99 EUR
39+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRC16DP-T1-GE3 sirc16dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2943 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiS406DN-T1-GE3 sis406dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
92+0.79 EUR
106+0.68 EUR
112+0.64 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS412DN-T1-GE3 sis412dn_new.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2916 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
137+0.52 EUR
142+0.5 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS413DN-T1-GE3 sis413dn.pdf
SIS413DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 13.2mΩ
Power dissipation: 33W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
102+0.7 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS443DN-T1-GE3 sis443dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1779 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.03 EUR
76+0.94 EUR
80+0.9 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS892ADN-T1-GE3 sis892adn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2842 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
104+0.69 EUR
110+0.65 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH625DN-T1-GE3 sish625dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 5173 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.05 EUR
148+0.49 EUR
156+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9395D2EB486E00C4&compId=siss05dn.pdf?ci_sign=a6ad886a87c78f05ec0f27231ba6a5e604ee0763
SISS05DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -86.6A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: -20...16V
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
61+1.17 EUR
62+1.16 EUR
68+1.06 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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