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SI8472DB-T2-E1 VISHAY si8472db.pdf SI8472DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Si8481DB-T1-E1 VISHAY SI8481DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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SI8483DB-T2-E1 VISHAY si8483db.pdf SI8483DB-T2-E1 SMD P channel transistors
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SI8487DB-T1-E1 VISHAY si8487db.pdf SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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66+1.09 EUR
216+0.33 EUR
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SI8489EDB-T2-E1 VISHAY si8489edb.pdf SI8489EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
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SI8497DB-T2-E1 VISHAY si8497db.pdf SI8497DB-T2-E1 SMD P channel transistors
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SI8499DB-T2-E1 VISHAY si8499db.pdf SI8499DB-T2-E1 SMD P channel transistors
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SI8800EDB-T2-E1 VISHAY si8800edb.pdf SI8800EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
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SI8802DB-T2-E1 VISHAY si8802db.pdf SI8802DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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SI8806DB-T2-E1 VISHAY si8806db.pdf SI8806DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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SI8808DB-T2-E1 VISHAY si8808db.pdf SI8808DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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SI8810EDB-T2-E1 VISHAY si8810edb.pdf SI8810EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
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SI8812DB-T2-E1 VISHAY si8812db.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 20A
Case: MICROFOOT®
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8816EDB-T2-E1 VISHAY si8816edb.pdf SI8816EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
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SI8817DB-T2-E1 VISHAY si8817db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A
Case: MICROFOOT®
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8819EDB-T2-E1 VISHAY si8819edb.pdf SI8819EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
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SI8821EDB-T2-E1 VISHAY si8821edb.pdf SI8821EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
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Si8823EDB-T2-E1 VISHAY si8823edb.pdf SI8823EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
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SI8824EDB-T2-E1 VISHAY si8824edb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.9A; Idm: 15A
Case: MICROFOOT®
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.9A
On-state resistance: 0.175Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 15A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8851EDB-T2-E1 VISHAY si8851edb.pdf SI8851EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
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SI8902AEDB-T2-E1 VISHAY si8902aedb.pdf SI8902AEDB-T2-E1 Multi channel transistors
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SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3655 Stücke:
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45+1.6 EUR
130+0.55 EUR
137+0.52 EUR
10000+0.51 EUR
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SI9407BDY-T1-E3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2312 Stücke:
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45+1.6 EUR
143+0.5 EUR
151+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 45
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Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA350D05D9D0469&compId=SI9433BDY-E3.pdf?ci_sign=861b70a3464634b28140c084ffde3c92cddd8c1f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.64 EUR
80+0.9 EUR
87+0.83 EUR
88+0.82 EUR
91+0.79 EUR
100+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA350D05D9D0469&compId=SI9433BDY-E3.pdf?ci_sign=861b70a3464634b28140c084ffde3c92cddd8c1f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.64 EUR
80+0.9 EUR
87+0.83 EUR
88+0.82 EUR
91+0.79 EUR
100+0.76 EUR
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SI9433BDY-T1-GE3 VISHAY si9433bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDY-T1-E3 VISHAY Si9435BDY.PDF SI9435BDY-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1733 Stücke:
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120+0.6 EUR
162+0.44 EUR
172+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDY-T1-E3 VISHAY Si9435BDY.PDF SI9435BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI9435BDY-T1-GE3 VISHAY si9435bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA35812DDA70469&compId=SI9926CDY-T1-E3.pdf?ci_sign=0ab71b5605d47da470f4dbbf053fc6273f4cf80a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 33nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1201 Stücke:
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69+1.04 EUR
103+0.69 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
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SI9926CDY-T1-GE3 VISHAY si9926cd.pdf SI9926CDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si9933CDY-T1-E3 VISHAY si9933cdy.pdf SI9933CDY-T1-E3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY si9933cdy.pdf SI9933CDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2635 Stücke:
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77+0.94 EUR
187+0.38 EUR
198+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 77
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SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY si9945bdy.pdf SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 11558 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.89 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA106DJ-T1-GE3 VISHAY sia106dj.pdf SIA106DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIA108DJ-T1-GE3 VISHAY sia108dj.pdf SIA108DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIA110DJ-T1-GE3 VISHAY sia110dj.pdf SIA110DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIA112LDJ-T1-GE3 VISHAY SIA112LDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA400EDJ-T1-GE3 VISHAY sia400edj.pdf SIA400EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA413ADJ-T1-GE3 VISHAY sia413adj.pdf SIA413ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIA413DJ-T1-GE3 VISHAY SiA413DJ_RevD_21-May-12.pdf SIA413DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIA414DJ-T1-GE3 VISHAY sia414dj.pdf SIA414DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIA416DJ-T1-GE3 VISHAY sia416dj.pdf SIA416DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIA421DJ-T1-GE3 VISHAY sia421dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -35A; 12W
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SC70
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -35A
Drain current: -12A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA4263DJ-T1-GE3 VISHAY sia4263dj.pdf SIA4263DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA4265EDJ-T1-GE3 VISHAY SIA4265EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA427ADJ-T1-GE3 VISHAY sia427adj.pdf SIA427ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIA429DJT-T1-GE3 VISHAY sia429dj.pdf SIA429DJT-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA430DJT-T1-GE3 VISHAY SIA430DJT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA431DJ-T1-GE3 VISHAY sia431dj.pdf SIA431DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA432DJ-T1-GE3 VISHAY sia432dj.pdf SIA432DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA433EDJ-T1-GE3 VISHAY sia433edj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SC70
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA436DJ-T1-GE3 VISHAY sia436dj.pdf SIA436DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA437DJ-T1-GE3 VISHAY sia437dj.pdf SIA437DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA440DJ-T1-GE3 VISHAY sia440dj.pdf SIA440DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA441DJ-T1-GE3 VISHAY sia441dj.pdf SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA445EDJ-T1-GE3 VISHAY sia445edj.pdf SIA445EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA445EDJT-T1-GE3 VISHAY sia445edjt.pdf SIA445EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA446DJ-T1-GE3 VISHAY sia446dj.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 7.7A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 177mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8472DB-T2-E1 si8472db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8472DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si8481DB-T1-E1
Hersteller: VISHAY
SI8481DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8483DB-T2-E1 si8483db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8483DB-T2-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8487DB-T1-E1 si8487db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
216+0.33 EUR
228+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8489EDB-T2-E1 si8489edb.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8489EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8497DB-T2-E1 si8497db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8497DB-T2-E1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8499DB-T2-E1 si8499db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8499DB-T2-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8800EDB-T2-E1 si8800edb.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8800EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8802DB-T2-E1 si8802db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8802DB-T2-E1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8806DB-T2-E1 si8806db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8806DB-T2-E1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8808DB-T2-E1 si8808db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8808DB-T2-E1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8810EDB-T2-E1 si8810edb.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8810EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8812DB-T2-E1 si8812db.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 20A
Case: MICROFOOT®
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8816EDB-T2-E1 si8816edb.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8816EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A
Case: MICROFOOT®
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI8819EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI8821EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI8823EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.9A; Idm: 15A
Case: MICROFOOT®
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.9A
On-state resistance: 0.175Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 15A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI8851EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI8902AEDB-T2-E1 Multi channel transistors
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SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3655 Stücke:
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Anzahl Preis
45+1.6 EUR
130+0.55 EUR
137+0.52 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 45
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Hersteller: VISHAY
SI9407BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2312 Stücke:
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45+1.6 EUR
143+0.5 EUR
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Si9433BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA350D05D9D0469&compId=SI9433BDY-E3.pdf?ci_sign=861b70a3464634b28140c084ffde3c92cddd8c1f
Si9433BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
80+0.9 EUR
87+0.83 EUR
88+0.82 EUR
91+0.79 EUR
100+0.76 EUR
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Si9433BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 389 Stücke:
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44+1.64 EUR
80+0.9 EUR
87+0.83 EUR
88+0.82 EUR
91+0.79 EUR
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI9435BDY-T1-E3 Si9435BDY.PDF
Hersteller: VISHAY
SI9435BDY-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1733 Stücke:
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Anzahl Preis
120+0.6 EUR
162+0.44 EUR
172+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI9435BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9926CDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA35812DDA70469&compId=SI9926CDY-T1-E3.pdf?ci_sign=0ab71b5605d47da470f4dbbf053fc6273f4cf80a
SI9926CDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 33nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1201 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
103+0.69 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI9926CDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI9933CDY-T1-E3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI9933CDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.94 EUR
187+0.38 EUR
198+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9945BDY-T1-GE3 si9945bdy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 11558 Stücke:
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Anzahl Preis
80+0.89 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA106DJ-T1-GE3 sia106dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA106DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA108DJ-T1-GE3 sia108dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA108DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA110DJ-T1-GE3 sia110dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA110DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA112LDJ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SIA112LDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA400EDJ-T1-GE3 sia400edj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA400EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA413ADJ-T1-GE3 sia413adj.pdf
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SIA413ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIA413DJ-T1-GE3 SiA413DJ_RevD_21-May-12.pdf
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SIA413DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIA414DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA416DJ-T1-GE3 sia416dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA416DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA421DJ-T1-GE3 sia421dj.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -35A; 12W
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SC70
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -35A
Drain current: -12A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIA4263DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA4265EDJ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SIA4265EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA427ADJ-T1-GE3 sia427adj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA427ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA429DJT-T1-GE3 sia429dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA429DJT-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA430DJT-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SIA430DJT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA431DJ-T1-GE3 sia431dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA431DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA432DJ-T1-GE3 sia432dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA432DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA433EDJ-T1-GE3 sia433edj.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SC70
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA436DJ-T1-GE3 sia436dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA436DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA437DJ-T1-GE3 sia437dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA437DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA440DJ-T1-GE3 sia440dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA440DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA441DJ-T1-GE3 sia441dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA445EDJ-T1-GE3 sia445edj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA445EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA445EDJT-T1-GE3 sia445edjt.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA445EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA446DJ-T1-GE3 sia446dj.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 7.7A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 177mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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