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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIHG47N60EF-GE3 VISHAY sihg47n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; Idm: 138A; 379W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 138A
Power dissipation: 379W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N65E-GE3 VISHAY tf-sihg47n65e-ge3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 139A; 417W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 139A
Power dissipation: 417W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 273nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG61N65EF-GE3 VISHAY sihg61n65ef.pdf SIHG61N65EF-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHG64N65E-GE3 VISHAY sihg64n65e.pdf SIHG64N65E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG70N60AEF-GE3 VISHAY sihg70n60aef.pdf SIHG70N60AEF-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG70N60EF-GE3 VISHAY sihg70n60ef.pdf SIHG70N60EF-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60AE-GE3 VISHAY sihg73n60ae.pdf SIHG73N60AE-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD906BD8333C0143&compId=SIHG73N60E.pdf?ci_sign=e22d1d02f504fd0f6006dd6fda5d233ca807c85b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.82 EUR
7+10.97 EUR
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Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60E-GE3 VISHAY sihg80n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG80N60EF-GE3 VISHAY sihg80n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH068N60E-T1-GE3 VISHAY sihh068n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 100A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH070N60EF-T1GE3 VISHAY sihh070n60ef.pdf SIHH070N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH080N60E-T1-GE3 VISHAY sihh080n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 96A; 184W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 184W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH100N60E-T1-GE3 VISHAY sihh100n60e.pdf SIHH100N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH105N60EF-T1GE3 VISHAY sihh105n60ef.pdf SIHH105N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH11N60EF-T1-GE3 VISHAY sihh11n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 27A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 114W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 357mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
Pulsed drain current: 27A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH11N65E-T1-GE3 VISHAY sihh11n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 27A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 130W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 363mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Gate charge: 68nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH11N65EF-T1-GE3 VISHAY sihh11n65ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 27A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 130W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 382mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Gate charge: 70nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH120N60E-T1-GE3 VISHAY sihh120n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 57A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 156W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 57A
Gate charge: 44nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH125N60EF-T1GE3 VISHAY sihh125n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 8x8L
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.125Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH14N60E-T1-GE3 VISHAY sihh14n60e.pdf SIHH14N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH14N60EF-T1-GE3 VISHAY sihh14n60ef.pdf SIHH14N60EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH14N65E-T1-GE3 VISHAY sihh14n65e.pdf SIHH14N65E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH14N65EF-T1-GE3 VISHAY sihh14n65ef.pdf SIHH14N65EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH180N60E-T1-GE3 VISHAY sihh180n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 114W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Case: PowerPAK® 8x8L
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH20N50E-T1-GE3 VISHAY sihh20n50e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 53A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 174W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 147mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH21N60E-T1-GE3 VISHAY sihh21n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH21N65E-T1-GE3 VISHAY sihh21n65e.pdf SIHH21N65E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH21N65EF-T1-GE3 VISHAY sihh21n65ef.pdf SIHH21N65EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH24N65E-T1-GE3 VISHAY sihh24n65e.pdf SIHH24N65E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH24N65EF-T1-GE3 VISHAY sihh24n65ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 55A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 55A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH26N60E-T1-GE3 VISHAY sihh26n60e.pdf SIHH26N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH27N60EF-T1-GE3 VISHAY sihh27n60ef.pdf SIHH27N60EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH28N60E-T1-GE3 VISHAY sihh28n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 76A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 129nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ10N60E-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC84482C95D4143&compId=SIHJ10N60E.pdf?ci_sign=1ccabff12e3bda83ae75fb4a4feead052f2b4622 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 89W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 313mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ240N60E-T1-GE3 VISHAY sihj240n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ690N60E-T1-GE3 VISHAY sihj690n60e.pdf SIHJ690N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ6N65E-T1-GE3 VISHAY sihj6n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 74W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 868mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ7N65E-T1-GE3 VISHAY sihj7n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 17A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 96W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 598mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ8N60E-T1-GE3 VISHAY sihj8n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK045N60E-T1-GE3 VISHAY sihk045n60e.pdf SIHK045N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK045N60EF-T1GE3 VISHAY sihk045n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 133A; 278W
Case: PowerPAK® 1012
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 133A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK055N60EF-T1GE3 VISHAY sihk055n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 110A; 236W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 236W
Case: PowerPAK® 1012
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK075N60EF-T1GE3 VISHAY sihk075n60ef.pdf SIHK075N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N60EF-T1GE3 VISHAY sihk125n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 54A; 132W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 132W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 54A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1012
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.125Ω
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL510STRL-GE3 VISHAY SIHL510STRL-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL530STRR-GE3 VISHAY SIHL530STRR-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL620S-GE3 VISHAY sihl620s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 21A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL630STRL-GE3 VISHAY sihl630s.pdf SIHL630STRL-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL640STRL-GE3 VISHAY SIHL640STRL-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLL014TR-GE3 VISHAY SIHLL014TR-GE3 SMD N channel transistors
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SIHLL110TR-GE3 SIHLL110TR-GE3 VISHAY sihll110.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLR024TRL-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLR110TR-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHLU014-GE3 VISHAY SIHLU014-GE3 THT N channel transistors
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SIHLU024-GE3 VISHAY sihlr024.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLU120-GE3 VISHAY SIHLU120-GE3 THT N channel transistors
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SIHLZ24L-GE3 VISHAY SIHLZ24L-GE3 THT N channel transistors
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SIHLZ44S-GE3 VISHAY SIHLZ44S-GE3 SMD N channel transistors
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SIHP050N60E-GE3 VISHAY sihp050n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHG47N60EF-GE3 sihg47n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; Idm: 138A; 379W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 138A
Power dissipation: 379W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHG47N65E-GE3 tf-sihg47n65e-ge3.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 139A; 417W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 139A
Power dissipation: 417W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 273nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHG61N65EF-GE3 sihg61n65ef.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHG61N65EF-GE3 THT N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIHG64N65E-GE3 THT N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIHG70N60AEF-GE3 THT N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIHG73N60AE-GE3 THT N channel transistors
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SIHG73N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHG80N60E-GE3 sihg80n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 268A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 443nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHG80N60EF-GE3 sihg80n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 254A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH068N60E-T1-GE3 sihh068n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 100A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SIHH070N60EF-T1GE3 sihh070n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHH070N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
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SIHH080N60E-T1-GE3 sihh080n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 96A; 184W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 184W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHH100N60E-T1-GE3 sihh100n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHH100N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIHH105N60EF-T1GE3 sihh105n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHH105N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
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SiHH11N60EF-T1-GE3 sihh11n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 27A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 114W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 357mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
Pulsed drain current: 27A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH11N65E-T1-GE3 sihh11n65e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 27A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 130W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 363mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Gate charge: 68nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH11N65EF-T1-GE3 sihh11n65ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 27A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 130W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 382mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 27A
Gate charge: 70nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH120N60E-T1-GE3 sihh120n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 57A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 156W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 57A
Gate charge: 44nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH125N60EF-T1GE3 sihh125n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 8x8L
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.125Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH14N60E-T1-GE3 sihh14n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHH14N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH14N60EF-T1-GE3 sihh14n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHH14N60EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH14N65E-T1-GE3 sihh14n65e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHH14N65E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH14N65EF-T1-GE3 sihh14n65ef.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHH14N65EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH180N60E-T1-GE3 sihh180n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 114W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Case: PowerPAK® 8x8L
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH20N50E-T1-GE3 sihh20n50e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 53A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 174W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 147mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH21N60E-T1-GE3 sihh21n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH21N65E-T1-GE3 sihh21n65e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHH21N65E-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH21N65EF-T1-GE3 sihh21n65ef.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHH21N65EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH24N65E-T1-GE3 sihh24n65e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHH24N65E-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH24N65EF-T1-GE3 sihh24n65ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 55A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 55A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 158mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH26N60E-T1-GE3 sihh26n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHH26N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH27N60EF-T1-GE3 sihh27n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHH27N60EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH28N60E-T1-GE3 sihh28n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 76A; 202W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 202W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 129nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ10N60E-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC84482C95D4143&compId=SIHJ10N60E.pdf?ci_sign=1ccabff12e3bda83ae75fb4a4feead052f2b4622
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 89W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 313mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ240N60E-T1-GE3 sihj240n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ690N60E-T1-GE3 sihj690n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHJ690N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ6N65E-T1-GE3 sihj6n65e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 74W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 868mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ7N65E-T1-GE3 sihj7n65e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 17A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 96W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 598mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ8N60E-T1-GE3 sihj8n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK045N60E-T1-GE3 sihk045n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHK045N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIHK045N60EF-T1GE3 sihk045n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 133A; 278W
Case: PowerPAK® 1012
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 133A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK055N60EF-T1GE3 sihk055n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 110A; 236W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 236W
Case: PowerPAK® 1012
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHK075N60EF-T1GE3 sihk075n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHK075N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK125N60EF-T1GE3 sihk125n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 54A; 132W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 132W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 54A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1012
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.125Ω
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL510STRL-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHL510STRL-GE3 SMD N channel transistors
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SIHL530STRR-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHL530STRR-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHL620S-GE3 sihl620s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 21A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHL630STRL-GE3 sihl630s.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHL630STRL-GE3 SMD N channel transistors
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SIHL640STRL-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHL640STRL-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLL014TR-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHLL014TR-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLL110TR-GE3 sihll110.pdf
SIHLL110TR-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLR024TRL-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLR110TR-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLU014-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHLU014-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLU024-GE3 sihlr024.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLU120-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHLU120-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHLZ24L-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHLZ24L-GE3 THT N channel transistors
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SIHLZ44S-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHLZ44S-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP050N60E-GE3 sihp050n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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