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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SISS72DN-T1-GE3 VISHAY siss72dn.pdf SISS72DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS73DN-T1-GE3 VISHAY siss73dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; ThunderFET; unipolar; -150V; -12.9A; 42.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: ThunderFET; TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -12.9A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 42.1W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISS76LDN-T1-GE3 VISHAY siss76ldn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 54A; Idm: 120A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISS78LDN-T1-GE3 VISHAY siss78ldn.pdf SISS78LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS80DN-T1-GE3 VISHAY siss80dn.pdf SISS80DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS92DN-T1-GE3 VISHAY siss92dn.pdf SISS92DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS94DN-T1-GE3 VISHAY siss94dn.pdf SISS94DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiSS98DN-T1-GE3 VISHAY siss98dn.pdf SISS98DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY siud401ed.pdf SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIUD402ED-T1-GE3 VISHAY siud402ed.pdf SIUD402ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiUD403ED-T1-GE3 VISHAY siud403ed.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.5A; Idm: -0.8A
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.7nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.8A
Case: PowerPAK® 0806-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -500mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIUD406ED-T1-GE3 VISHAY siud406ed.pdf SIUD406ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiUD412ED-T1-GE3 VISHAY siud412ed.pdf SIUD412ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ200DT-T1-GE3 VISHAY siz200dt.pdf SIZ200DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ240DT-T1-GE3 VISHAY siz240dt.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 48A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 13.3/12.25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIZ250DT-T1-GE3 VISHAY siz250dt.pdf SIZ250DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ256DT-T1-GE3 VISHAY siz256dt.pdf SIZ256DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ260DT-T1-GE3 VISHAY siz260dt.pdf SIZ260DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIZ270DT-T1-GE3 VISHAY siz270dt.pdf SIZ270DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ300DT-T1-GE3 VISHAY siz300dt.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28/11A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28/11A
Pulsed drain current: 40...30A
Power dissipation: 31/16.7W
Case: PowerPAIR® 3x3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5/32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIZ320DT-T1-GE3 VISHAY siz320dt.pdf SIZ320DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ322DT-T1-GE3 VISHAY siz322dt.pdf SIZ322DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ340ADT-T1-GE3 VISHAY siz340adt.pdf SIZ340ADT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ340BDT-T1-GE3 VISHAY siz340bdt.pdf SIZ340BDT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ340DT-T1-GE3 VISHAY siz340dt.pdf SIZ340DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ342ADT-T1-GE3 VISHAY siz342adt.pdf SIZ342ADT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ342DT-T1-GE3 VISHAY siz342dt.pdf SIZ342DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIZ346DT-T1-GE3 VISHAY siz346dt.pdf SIZ346DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIZ348DT-T1-GE3 VISHAY siz348dt.pdf SIZ348DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ350DT-T1-GE3 VISHAY siz350dt.pdf SIZ350DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ704DT-T1-GE3 VISHAY siz704dt.pdf SIZ704DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ710DT-T1-GE3 VISHAY siz710dt.pdf SIZ710DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ902DT-T1-GE3 VISHAY siz902dt.pdf SIZ902DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ904DT-T1-GE3 VISHAY siz904dt.pdf SIZ904DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ918DT-T1-GE3 VISHAY siz918dt.pdf SIZ918DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ926DT-T1-GE3 VISHAY siz926dt.pdf SIZ926DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ980BDT-T1-GE3 VISHAY siz980bdt.pdf SIZ980BDT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIZ980DT-T1-GE3 VISHAY siz980dt.pdf SIZ980DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIZ998DT-T1-GE3 VISHAY siz998dt.pdf SIZ998DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIZF300DT-T1-GE3 VISHAY sizf300dt.pdf SIZF300DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIZF906ADT-T1-GE3 VISHAY sizf906adt.pdf SIZF906ADT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SiZF906DT-T1-GE3 VISHAY sizf906dt.pdf SIZF906DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIZF914DT-T1-GE3 VISHAY sizf914dt.pdf SIZF914DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIZF916DT-T1-GE3 VISHAY sizf916dt.pdf SIZF916DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIZF918DT-T1-GE3 VISHAY sizf918dt.pdf SIZF918DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SL02-GS08 VISHAY sl02.pdf SL02-GS08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.52 EUR
720+0.099 EUR
762+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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SL03-GS08 VISHAY sl02.pdf SL03-GS08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 24066 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.5 EUR
747+0.096 EUR
782+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL04-E3-08 VISHAY sl04.pdf SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 1809 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.52 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL12-E3/61T VISHAY sl12.pdf SL12-E3/61T SMD Schottky diodes
auf Bestellung 3301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
110+0.65 EUR
220+0.33 EUR
233+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL13-E3/61T VISHAY sl12.pdf SL13-E3/61T SMD Schottky diodes
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SL23-E3/52T SL23-E3/52T VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB2BC114CB5E143&compId=sl22.pdf?ci_sign=d845a15d49585f496119e949b942c35363b8de2e Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.32V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 750pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1212 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
162+0.44 EUR
231+0.31 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 109
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SL43-E3/57T VISHAY sl42.pdf SL43-E3/57T SMD Schottky diodes
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.69 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL44-E3/57T SL44-E3/57T VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869A6EEDFAA36469&compId=SL44-E3-57T.pdf?ci_sign=0beb91395508f61203cd0f4cb3508967d2840dbf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
25+2.86 EUR
31+2.3 EUR
84+0.86 EUR
850+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM15T33A-E3/57T SM15T33A-E3/57T VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93DF67C7AB7A00C4&compId=sm15t.pdf?ci_sign=b73dc845fdabb56d2b4c8af331c6e9d0da5be9ee Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 31.4V; 33A; unidirectional; SMC; TransZorb®
Mounting: SMD
Manufacturer series: SM15T
Max. forward impulse current: 33A
Breakdown voltage: 31.4V
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 28.2V
Semiconductor structure: unidirectional
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM15T33CA-E3/57T SM15T33CA-E3/57T VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93DF67C7AB7A00C4&compId=sm15t.pdf?ci_sign=b73dc845fdabb56d2b4c8af331c6e9d0da5be9ee Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 31.4V; 33A; bidirectional; SMC; 7 inch reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 31.4V
Max. forward impulse current: 33A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM15T
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
164+0.44 EUR
283+0.25 EUR
300+0.24 EUR
5950+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM6T100A-E3/52 VISHAY sm6t.pdf SM6T100A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.76 EUR
154+0.46 EUR
423+0.17 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM6T10A-E3/52 VISHAY sm6t.pdf SM6T10A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM6T12A-E3/52 VISHAY sm6t.pdf SM6T12A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 1926 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
332+0.22 EUR
670+0.11 EUR
709+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 332
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM6T15A-E3/52 SM6T15A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Mounting: SMD
Case: SMB
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 12.8V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 28A
Breakdown voltage: 15V
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
Technology: TransZorb®
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
189+0.38 EUR
302+0.24 EUR
667+0.11 EUR
705+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM6T15CA-E3/52 SM6T15CA-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
Technology: TransZorb®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2979 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
252+0.28 EUR
345+0.21 EUR
575+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS72DN-T1-GE3 siss72dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS72DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS73DN-T1-GE3 siss73dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; ThunderFET; unipolar; -150V; -12.9A; 42.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: ThunderFET; TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -12.9A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 42.1W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS76LDN-T1-GE3 siss76ldn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 54A; Idm: 120A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 36W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS78LDN-T1-GE3 siss78ldn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS78LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DN-T1-GE3 siss80dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS80DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SISS92DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS94DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISS98DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIUD402ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.5A; Idm: -0.8A
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.7nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.8A
Case: PowerPAK® 0806-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -500mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIUD406ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIUD412ED-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ200DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 48A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAIR® 3x3
On-state resistance: 13.3/12.25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SIZ250DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ256DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ260DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIZ270DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 28/11A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28/11A
Pulsed drain current: 40...30A
Power dissipation: 31/16.7W
Case: PowerPAIR® 3x3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5/32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
SIZ320DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIZ322DT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIZ980BDT-T1-GE3 Multi channel transistors
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Hersteller: VISHAY
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Hersteller: VISHAY
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Hersteller: VISHAY
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Hersteller: VISHAY
SIZF914DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIZF916DT-T1-GE3 sizf916dt.pdf
Hersteller: VISHAY
SIZF916DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIZF918DT-T1-GE3 sizf918dt.pdf
Hersteller: VISHAY
SIZF918DT-T1-GE3 Multi channel transistors
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SL02-GS08 sl02.pdf
Hersteller: VISHAY
SL02-GS08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.52 EUR
720+0.099 EUR
762+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL03-GS08 sl02.pdf
Hersteller: VISHAY
SL03-GS08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 24066 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
747+0.096 EUR
782+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL04-E3-08 sl04.pdf
Hersteller: VISHAY
SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 1809 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.52 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL12-E3/61T sl12.pdf
Hersteller: VISHAY
SL12-E3/61T SMD Schottky diodes
auf Bestellung 3301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
110+0.65 EUR
220+0.33 EUR
233+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL13-E3/61T sl12.pdf
Hersteller: VISHAY
SL13-E3/61T SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL23-E3/52T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB2BC114CB5E143&compId=sl22.pdf?ci_sign=d845a15d49585f496119e949b942c35363b8de2e
SL23-E3/52T
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.32V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 750pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1212 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
162+0.44 EUR
231+0.31 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL43-E3/57T sl42.pdf
Hersteller: VISHAY
SL43-E3/57T SMD Schottky diodes
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.69 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL44-E3/57T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869A6EEDFAA36469&compId=SL44-E3-57T.pdf?ci_sign=0beb91395508f61203cd0f4cb3508967d2840dbf
SL44-E3/57T
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
25+2.86 EUR
31+2.3 EUR
84+0.86 EUR
850+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM15T33A-E3/57T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93DF67C7AB7A00C4&compId=sm15t.pdf?ci_sign=b73dc845fdabb56d2b4c8af331c6e9d0da5be9ee
SM15T33A-E3/57T
Hersteller: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 31.4V; 33A; unidirectional; SMC; TransZorb®
Mounting: SMD
Manufacturer series: SM15T
Max. forward impulse current: 33A
Breakdown voltage: 31.4V
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Case: SMC
Max. off-state voltage: 28.2V
Semiconductor structure: unidirectional
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM15T33CA-E3/57T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93DF67C7AB7A00C4&compId=sm15t.pdf?ci_sign=b73dc845fdabb56d2b4c8af331c6e9d0da5be9ee
SM15T33CA-E3/57T
Hersteller: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 31.4V; 33A; bidirectional; SMC; 7 inch reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 31.4V
Max. forward impulse current: 33A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM15T
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
164+0.44 EUR
283+0.25 EUR
300+0.24 EUR
5950+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM6T100A-E3/52 sm6t.pdf
Hersteller: VISHAY
SM6T100A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.76 EUR
154+0.46 EUR
423+0.17 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM6T10A-E3/52 sm6t.pdf
Hersteller: VISHAY
SM6T10A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
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SM6T12A-E3/52 sm6t.pdf
Hersteller: VISHAY
SM6T12A-E3/52 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 1926 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
332+0.22 EUR
670+0.11 EUR
709+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 332
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM6T15A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T15A-E3/52
Hersteller: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Mounting: SMD
Case: SMB
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 12.8V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 28A
Breakdown voltage: 15V
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
Technology: TransZorb®
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
189+0.38 EUR
302+0.24 EUR
667+0.11 EUR
705+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SM6T15CA-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T15CA-E3/52
Hersteller: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
Technology: TransZorb®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2979 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
252+0.28 EUR
345+0.21 EUR
575+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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