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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI8487DB-T1-E1 VISHAY si8487db.pdf SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.1 EUR
228+0.31 EUR
242+0.3 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2877 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2 EUR
141+0.51 EUR
149+0.48 EUR
5000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-E3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
171+0.42 EUR
182+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.92 EUR
141+0.51 EUR
149+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9926CDY-T1-E3 VISHAY si9926cd.pdf SI9926CDY-E3 Multi channel transistors
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.14 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY si9933cdy.pdf SI9933CDY-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
187+0.38 EUR
198+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA441DJ-T1-GE3 VISHAY sia441dj.pdf SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.11 EUR
207+0.35 EUR
219+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA469DJ-T1-GE3 VISHAY sia469dj.pdf SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
106+0.68 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA483DJ-T1-GE3 VISHAY sia483dj.pdf SIA483DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
83+0.87 EUR
268+0.27 EUR
285+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA517DJ-T1-GE3 VISHAY sia517dj.pdf SIA517DJ-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
206+0.35 EUR
218+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.8 EUR
24+3.06 EUR
27+2.72 EUR
31+2.32 EUR
50+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA24N80AE-GE3 VISHAY siha24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 51A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.4 EUR
23+3.16 EUR
24+2.99 EUR
25+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB100N60E-GE3 VISHAY sihb100n60e.pdf SIHB100N60E-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.01 EUR
17+4.22 EUR
50+4.1 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHD14N60E-GE3 SiHD14N60E-GE3 VISHAY sihd14n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.36 EUR
37+1.96 EUR
40+1.8 EUR
75+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD2N80AE-GE3 SIHD2N80AE-GE3 VISHAY tf-sihd2n80ae-ge3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 2.5Ω
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
5+14.3 EUR
25+2.86 EUR
75+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF22N60E-GE3 SIHF22N60E-GE3 VISHAY sihf22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.03 EUR
18+4.02 EUR
21+3.52 EUR
25+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF644S-GE3 VISHAY SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.6 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF9530S-GE3 VISHAY SIHF9530S-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.05 EUR
112+0.64 EUR
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 VISHAY IRFR1N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.03 EUR
75+0.96 EUR
300+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR220TRL-GE3 VISHAY sihfr220.pdf SIHFR220TRL-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
152+0.47 EUR
162+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.35 EUR
20+3.72 EUR
22+3.3 EUR
25+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG20N50E-GE3 SIHG20N50E-GE3 VISHAY sihg20n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.93 EUR
20+3.75 EUR
22+3.32 EUR
25+2.95 EUR
28+2.57 EUR
100+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 VISHAY SIHG47N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.71 EUR
25+9.21 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG73N60E-GE3 VISHAY sihg73n60e.pdf SIHG73N60E-GE3 THT N channel transistors
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.36 EUR
7+10.95 EUR
25+10.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E-GE3 VISHAY SIHP065N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP100N60E-GE3 VISHAY sihp100n60e.pdf SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.03 EUR
17+4.38 EUR
18+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP12N50E-GE3 SIHP12N50E-GE3 VISHAY sihp12n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
40+1.83 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 VISHAY sihp15n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.56 EUR
37+1.94 EUR
44+1.64 EUR
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP22N60E-GE3 SIHP22N60E-GE3 VISHAY sihp22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.73 EUR
19+3.86 EUR
20+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 VISHAY sihp24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.39 EUR
23+3.16 EUR
25+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY sihp24n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.89 EUR
17+4.33 EUR
18+4.03 EUR
22+3.36 EUR
24+3.06 EUR
50+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32431DNP3-T1GE4 SIP32431DNP3-T1GE4 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: TDFN4
On-state resistance: 0.105Ω
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3618 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
198+0.36 EUR
218+0.33 EUR
223+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32431DR3-T1GE3 SIP32431DR3-T1GE3 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC70
On-state resistance: 147mΩ
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1571 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
188+0.38 EUR
225+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32509DT-T1-GE3 SIP32509DT-T1-GE3 VISHAY sip32508.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186LDP-T1-RE3 VISHAY sir186ldp.pdf SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
47+1.55 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422DP-T1-GE3 VISHAY sir422dp.pdf SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2528 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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SIR622DP-T1-RE3 VISHAY sir622dp.pdf SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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30+2.42 EUR
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SIR626LDP-T1-RE3 VISHAY sir626ldp.pdf SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY sira06dp.pdf SIRA06DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 VISHAY sira10dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2741 Stücke:
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75+0.96 EUR
86+0.83 EUR
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SIRA14DP-T1-GE3 VISHAY sira14dp.pdf SIRA14DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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58+1.24 EUR
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SIRA18ADP-T1-GE3 VISHAY sira18adp.pdf SIRA18ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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91+0.79 EUR
271+0.26 EUR
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SIRA28BDP-T1-GE3 VISHAY sira28bdp.pdf SIRA28BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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100+0.72 EUR
222+0.32 EUR
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SIRA52ADP-T1-RE3 SIRA52ADP-T1-RE3 VISHAY sira52adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -16...20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 30.7W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2950 Stücke:
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45+1.6 EUR
52+1.39 EUR
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65+1.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 45
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SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY sira90dp.pdf SIRA90DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2415 Stücke:
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28+2.63 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
1500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY sira99dp.pdf SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2300 Stücke:
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18+3.99 EUR
36+1.99 EUR
39+1.87 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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SiRC16DP-T1-GE3 VISHAY sirc16dp.pdf SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2937 Stücke:
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39+1.86 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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SiS406DN-T1-GE3 VISHAY sis406dn.pdf SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2982 Stücke:
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83+0.87 EUR
104+0.69 EUR
106+0.67 EUR
113+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 83
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SIS412DN-T1-GE3 VISHAY sis412dn_new.pdf SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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87+0.83 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 87
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SIS892ADN-T1-GE3 VISHAY sis892adn.pdf SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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39+1.85 EUR
105+0.69 EUR
111+0.65 EUR
250+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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SISH625DN-T1-GE3 VISHAY sish625dn.pdf SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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62+1.16 EUR
148+0.48 EUR
157+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 62
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SISS05DN-T1-GE3 VISHAY siss05dn.pdf SISS05DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2465 Stücke:
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55+1.32 EUR
63+1.14 EUR
66+1.09 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 55
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SISS23DN-T1-GE3 VISHAY siss23dn.pdf SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 8437 Stücke:
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50+1.45 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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SISS61DN-T1-GE3 VISHAY siss61dn.pdf SISS61DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 5708 Stücke:
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41+1.75 EUR
120+0.6 EUR
127+0.56 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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SISS80DN-T1-GE3 VISHAY siss80dn.pdf SISS80DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5944 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.76 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY siud401ed.pdf SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 5900 Stücke:
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143+0.5 EUR
532+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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SL02-GS08 VISHAY sl02.pdf SL02-GS08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 1477 Stücke:
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358+0.2 EUR
715+0.1 EUR
747+0.096 EUR
30000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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SL03-GS08 VISHAY sl02.pdf SL03-GS08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 21254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
151+0.48 EUR
736+0.097 EUR
782+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 151
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SL04-E3-08 VISHAY sl04.pdf SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 2547 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
151+0.48 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
30000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 151
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SL12-E3/61T VISHAY sl12.pdf SL12-E3/61T SMD Schottky diodes
auf Bestellung 2642 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
219+0.33 EUR
296+0.24 EUR
307+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 219
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SI8487DB-T1-E1 si8487db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.1 EUR
228+0.31 EUR
242+0.3 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2877 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2 EUR
141+0.51 EUR
149+0.48 EUR
5000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-E3 si9407bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI9407BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1568 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
171+0.42 EUR
182+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.92 EUR
141+0.51 EUR
149+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9926CDY-T1-E3 si9926cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI9926CDY-E3 Multi channel transistors
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
Hersteller: VISHAY
SI9933CDY-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
187+0.38 EUR
198+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA441DJ-T1-GE3 sia441dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2815 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.11 EUR
207+0.35 EUR
219+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA469DJ-T1-GE3 sia469dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2182 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
106+0.68 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA483DJ-T1-GE3 sia483dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA483DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
83+0.87 EUR
268+0.27 EUR
285+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA517DJ-T1-GE3 sia517dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA517DJ-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
206+0.35 EUR
218+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.8 EUR
24+3.06 EUR
27+2.72 EUR
31+2.32 EUR
50+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA24N80AE-GE3 siha24n80ae.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 51A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.4 EUR
23+3.16 EUR
24+2.99 EUR
25+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB100N60E-GE3 sihb100n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHB100N60E-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.01 EUR
17+4.22 EUR
50+4.1 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHD14N60E-GE3 sihd14n60e.pdf
SiHD14N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 147W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.36 EUR
37+1.96 EUR
40+1.8 EUR
75+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD2N80AE-GE3 tf-sihd2n80ae-ge3.pdf
SIHD2N80AE-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 2.5Ω
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
5+14.3 EUR
25+2.86 EUR
75+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF22N60E-GE3 sihf22n60e.pdf
SIHF22N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.03 EUR
18+4.02 EUR
21+3.52 EUR
25+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHF644S-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 45
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SIHF9530S-GE3
Hersteller: VISHAY
SIHF9530S-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.05 EUR
112+0.64 EUR
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR1N60A-GE3 IRFR1N60A.pdf
SIHFR1N60A-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.03 EUR
75+0.96 EUR
300+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHFR220TRL-GE3 sihfr220.pdf
Hersteller: VISHAY
SIHFR220TRL-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
152+0.47 EUR
162+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.35 EUR
20+3.72 EUR
22+3.3 EUR
25+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG20N50E-GE3 sihg20n50e.pdf
SIHG20N50E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E.pdf
SIHG47N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIHG73N60E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E.pdf
SIHP065N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP12N50E-GE3 sihp12n50e.pdf
SIHP12N50E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.38Ω
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP15N50E-GE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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28+2.56 EUR
37+1.94 EUR
44+1.64 EUR
55+1.3 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP22N60E-GE3 sihp22n60e.pdf
SIHP22N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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16+4.73 EUR
19+3.86 EUR
20+3.73 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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23+3.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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15+4.89 EUR
17+4.33 EUR
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24+3.06 EUR
50+2.8 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32431DNP3-T1GE4 sip32431.pdf
SIP32431DNP3-T1GE4
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: TDFN4
On-state resistance: 0.105Ω
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3618 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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136+0.53 EUR
198+0.36 EUR
218+0.33 EUR
223+0.32 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32431DR3-T1GE3 sip32431.pdf
SIP32431DR3-T1GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC70
On-state resistance: 147mΩ
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1571 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
188+0.38 EUR
225+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIP32509DT-T1-GE3 sip32508.pdf
SIP32509DT-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TSOT23-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSOT23-6
On-state resistance: 46mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.1...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: output discharge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
100+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR186LDP-T1-RE3 sir186ldp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
47+1.55 EUR
126+0.57 EUR
133+0.54 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 47
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2528 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR622DP-T1-RE3 sir622dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5650 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR626LDP-T1-RE3 sir626ldp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.3 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA06DP-T1-GE3 sira06dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA06DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
3000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2741 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
86+0.83 EUR
93+0.77 EUR
117+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA14DP-T1-GE3 sira14dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA14DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1904 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
206+0.35 EUR
218+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA18ADP-T1-GE3 sira18adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA18ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2677 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
271+0.26 EUR
286+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA28BDP-T1-GE3 sira28bdp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA28BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2989 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
222+0.32 EUR
234+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA52ADP-T1-RE3 sira52adp.pdf
SIRA52ADP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -16...20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 30.7W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.6 EUR
52+1.39 EUR
57+1.27 EUR
65+1.12 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90DP-T1-GE3 sira90dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA90DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.63 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
1500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA99DP-T1-GE3 sira99dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+3.99 EUR
36+1.99 EUR
39+1.87 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiRC16DP-T1-GE3 sirc16dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2937 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
68+1.06 EUR
72+1 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiS406DN-T1-GE3 sis406dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
83+0.87 EUR
104+0.69 EUR
106+0.67 EUR
113+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS412DN-T1-GE3 sis412dn_new.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2816 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS892ADN-T1-GE3 sis892adn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2842 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.85 EUR
105+0.69 EUR
111+0.65 EUR
250+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH625DN-T1-GE3 sish625dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 5096 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
148+0.48 EUR
157+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS05DN-T1-GE3 siss05dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS05DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.32 EUR
63+1.14 EUR
66+1.09 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS23DN-T1-GE3 siss23dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS23DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 8437 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.45 EUR
159+0.45 EUR
168+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS61DN-T1-GE3 siss61dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS61DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 5708 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.75 EUR
120+0.6 EUR
127+0.56 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS80DN-T1-GE3 siss80dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SISS80DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5944 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.76 EUR
63+1.14 EUR
67+1.07 EUR
100+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIUD401ED-T1-GE3 siud401ed.pdf
Hersteller: VISHAY
SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.5 EUR
532+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL02-GS08 sl02.pdf
Hersteller: VISHAY
SL02-GS08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 1477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
715+0.1 EUR
747+0.096 EUR
30000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL03-GS08 sl02.pdf
Hersteller: VISHAY
SL03-GS08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 21254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
151+0.48 EUR
736+0.097 EUR
782+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL04-E3-08 sl04.pdf
Hersteller: VISHAY
SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 2547 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
151+0.48 EUR
685+0.1 EUR
725+0.099 EUR
30000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 151
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SL12-E3/61T sl12.pdf
Hersteller: VISHAY
SL12-E3/61T SMD Schottky diodes
auf Bestellung 2642 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
219+0.33 EUR
296+0.24 EUR
307+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 219
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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