| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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PTF565K0000BZEK | VISHAY |
Description: VISHAY - PTF565K0000BZEK - Widerstand für Durchsteckmontage, 5 kohm, PTF Series, 125 mW, ± 0.1%, Axial bedrahtet, 300 VtariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 125mW Widerstandstyp: Hohe Genauigkeit, hohe Stabilität isCanonical: Y Widerstand: 5kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 0.1% Temperaturkoeffizient: ± 5ppm/°C Produktlänge: 7.62mm euEccn: NLR Produktpalette: PTF Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 300V Produktdurchmesser: 2.31mm Betriebstemperatur, max.: 150°C Produktbreite: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISA12BDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 5660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISS30DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.00685 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4768 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7212DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7212DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISA12BDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 52W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 5660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS888DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS888DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 52W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 14684 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISA18BDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 36.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 11707 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSA34-E3/61T | VISHAY |
Description: VISHAY - SSA34-E3/61T - Schottky-Gleichrichterdiode, Baureihe SS, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 490 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 490mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SSA34 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RCS0603220RFKEA | VISHAY |
Description: VISHAY - RCS0603220RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 250mW Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest Widerstand: 220ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 1.55mm euEccn: NLR Produktpalette: RCS e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RCS0603220RFKEA | VISHAY |
Description: VISHAY - RCS0603220RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 250mW Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest Widerstand: 220ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 1.55mm euEccn: NLR Produktpalette: RCS e3 Series productTraceability: No Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VOIH063AT | VISHAY |
Description: VISHAY - VOIH063AT - Optokoppler, 2 Kanäle, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV euEccn: NLR Bauform - Optokoppler: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Übertragungsrate: 10Mbaud Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VOIH063AT | VISHAY |
Description: VISHAY - VOIH063AT - Optokoppler, 2 Kanäle, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV euEccn: NLR Bauform - Optokoppler: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Übertragungsrate: 10Mbaud Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PEP0402Y1002WNTA | VISHAY |
Description: VISHAY - PEP0402Y1002WNTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 kohm, ± 0.05%, 125 mW, 0402 [Metrisch 1005]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 125mW Widerstandstyp: Präzisionswiderstand isCanonical: N Widerstand: 10kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 0.05% Temperaturkoeffizient: ± 10ppm/°C Produktlänge: 1mm euEccn: NLR Produktpalette: PEP Series productTraceability: No Nennspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PEP0402Y1502WNTA | VISHAY |
Description: VISHAY - PEP0402Y1502WNTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 0.05%, 125 mW, 0402 [Metrisch 1005]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 125mW Widerstandstyp: Präzisionswiderstand Widerstand: 15kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 0.05% Temperaturkoeffizient: 10ppm/C Produktlänge: 1mm euEccn: NLR Produktpalette: PEP Series productTraceability: No Nennspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CRCW0402464KFKED | VISHAY |
Description: VISHAY - CRCW0402464KFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 464 kohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 62.5mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 464kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 1mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.5mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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A104M15X7RF5UAA | VISHAY |
Description: VISHAY - A104M15X7RF5UAA - Keramikvielschichtkondensator, 0.1 µF, 50 V, ± 20%, Axial bedrahtet, X7RtariffCode: 85322400 Produkthöhe: - Bauform / Gehäuse des Kondensators: - rohsCompliant: YES Anschlussabstand: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 20% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: X7R Produktlänge: 3.8mm euEccn: NLR Kapazität: 0.1µF Spannung (DC): 50V Produktpalette: A Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktdurchmesser: 2.6mm Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 10800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ140ELP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 0.0017 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 266A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 20834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IFDC5050JZER1R8N | VISHAY |
Description: VISHAY - IFDC5050JZER1R8N - Leistungsinduktivität (SMD), 1.8 µH, 10.2 A, Geschirmt, IFDC5050JZ SeriestariffCode: 85045000 Produkthöhe: 10mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1.8µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 30% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 8000µohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 10.2A Sättigungsstrom (Isat): - Produktlänge: 12.5mm euEccn: NLR Produktpalette: IFDC5050JZ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 12.5mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IFSC2020DZER1R8M01 | VISHAY |
Description: VISHAY - IFSC2020DZER1R8M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 1.8 µH, 4.3 A, Geschirmt, 6.4 A, IFSC2020DZ-01 SeriestariffCode: 85045000 Produkthöhe: 4mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1.8µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.021ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 4.3A Sättigungsstrom (Isat): 6.4A Produktlänge: 5mm euEccn: NLR Produktpalette: IFSC2020DZ-01 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 5mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VDMG10C0 | VISHAY |
Description: VISHAY - VDMG10C0 - 7-Segment-LED-Anzeige, Grün, 20 mA, 2 V, 4.4 mcd, 1, 10 mmtariffCode: 85312020 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Gemeinsame Verbindung: Gemeinsame Kathode usEccn: EAR99 Durchlassstrom If: 20mA Lichtstärke: 4.4mcd Zeichengröße: 10mm euEccn: NLR Durchlassspannung: 2V LED-Farbe: Grün Produktpalette: VDM.10.0 productTraceability: No Anzahl der Ziffern / Zeichen: 1 SVHC: Hexahydromethylphthalic anhydride [1], Hexahydro-4-methylphthalic anhydride [2], Hexahydro-1-methylphthalic anhydride[3] (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CRCW2010301RFKEF | VISHAY |
Description: VISHAY - CRCW2010301RFKEF - RES, THICK FILM, 301R, 1%, 0.75W, 2010tariffCode: 85331000 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric] Widerstandstechnologie: Thick Film hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 750mW Widerstandstyp: General Purpose Widerstand: 301ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 5mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 2.5mm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 673 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RCS0402301RFKED | VISHAY |
Description: VISHAY - RCS0402301RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 301 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 200mW Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest Widerstand: 301ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 100ppm/K Produktlänge: 1mm euEccn: NLR Produktpalette: RCS e3 Series productTraceability: No Nennspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.5mm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 5330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RCS0402301RFKED | VISHAY |
Description: VISHAY - RCS0402301RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 301 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 200mW Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest Widerstand: 301ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 100ppm/K Produktlänge: 1mm euEccn: NLR Produktpalette: RCS e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.5mm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 5330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SQA470CEJW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 8560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SI4459ADY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8106 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIA817EDJ-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIA817EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.054 ohm, PowerPAK SC-70, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: LITTLE FOOT productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQA470CEJW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 13.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 8560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIZF5300DT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 13410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIZF5300DT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 13410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQM30010EL_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQM30010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 1350 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIS415DNT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1529 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISH410DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG075N65E-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHB075N65E-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHB075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHLE4040DDEW6R8M5A | VISHAY |
Description: VISHAY - IHLE4040DDEW6R8M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, 8.4 A, Geschirmt, 8 A, IHLE-4040DD-5A SeriestariffCode: 85045000 Produkthöhe: 4.3mm rohsCompliant: YES Induktivität: 6.8µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.02236ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 8.4A Sättigungsstrom (Isat): 8A Produktlänge: 10.89mm euEccn: NLR Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series productTraceability: No Produktbreite: 10.89mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHLE4040DDEW6R8M5A | VISHAY |
Description: VISHAY - IHLE4040DDEW6R8M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, 8.4 A, Geschirmt, 8 A, IHLE-4040DD-5A SeriestariffCode: 85045000 Produkthöhe: 4.3mm rohsCompliant: YES Induktivität: 6.8µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.02236ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 8.4A Sättigungsstrom (Isat): 8A Produktlänge: 10.89mm euEccn: NLR Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series productTraceability: No Produktbreite: 10.89mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VJ1812Y102KBGTW1HV | VISHAY |
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBGTW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 1 kV, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7RtariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532] rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kapazitätstoleranz: ± 10% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: X7R Produktlänge: 4.5mm euEccn: NLR Spannung (AC): - Kapazität: 1000pF Spannung (DC): 1kV Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 3.2mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VJ1812Y102KBLTW1HV | VISHAY |
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBLTW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 630 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7RtariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532] rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kapazitätstoleranz: ± 10% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: X7R Produktlänge: 4.5mm euEccn: NLR Spannung (AC): - Kapazität: 1000pF Spannung (DC): 630V Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 3.2mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 686 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VJ1812Y102KBETW1HV | VISHAY |
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBETW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 500 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7RtariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532] rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kapazitätstoleranz: ± 10% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: X7R Produktlänge: 4.5mm euEccn: NLR Spannung (AC): - Kapazität: 1000pF Spannung (DC): 500V Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 3.2mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 674 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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293D156X9016B2TE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - 293D156X9016B2TE3 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 16 V, 1411 [Metrisch 3528], ± 10%tariffCode: 85322100 Produkthöhe: 1.9mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1411 [Metrisch 3528] rohsCompliant: YES Ausfallrate: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 10% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 2ohm Produktlänge: 3.5mm euEccn: NLR Kapazität: 15µF Spannung (DC): 16V Rippelstrom: 210mA Produktpalette: TANTAMOUNT 293D Series Hersteller-Größencode: B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 2.8mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MRS25000C8259FCT00 | VISHAY |
Description: VISHAY - MRS25000C8259FCT00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 82.5 ohm, MRS25 Series, 600 mW, ± 1%, Axial bedrahtet, 350 VtariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 600mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 82.5ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 50ppm/C Produktlänge: 6.5mm euEccn: NLR Produktpalette: MRS25 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 350V Produktdurchmesser: 2.5mm Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: - SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3099 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJQ144AE-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 700 µohm, PowerPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 575A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET GEN IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DG447DV-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - DG447DV-T1-E3 - SCHALTER, LOW POWER, HIGH V, SPST,447tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analogschalter rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: ± 4.5V bis ± 20V Einschaltwiderstand, max.: 45ohm Einschaltwiderstand, typ.: 17ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSOP MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: - Schalterkonfiguration: SPST - NC euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Schnittstellen: - Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
auf Bestellung 3128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ES1PC-M3/84A | VISHAY |
Description: VISHAY - ES1PC-M3/84A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMD Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 920mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1PC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 543 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MMU01020C5609FB300 | VISHAY |
Description: VISHAY - MMU01020C5609FB300 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 56 ohm, MMU Series, 100 V, Metallschichtwiderstand, 200 mWtariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: MicroMELF 0102 Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 200mW Widerstand: 56ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 50ppm/C euEccn: NLR Produktpalette: MMU Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 12175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CRCW060356R0FKEAHP | VISHAY |
Description: VISHAY - CRCW060356R0FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 56 ohm, ± 1%, 333.3 mW, 0603 [Metrisch 1608]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 333.3mW Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung Widerstand: 56ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 100ppm/K Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW-HP e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 17540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SIHH080N60E-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.08 ohm, PowerPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 184W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 8200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SIHH080N60E-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.08 ohm, PowerPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 184W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 184W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 8200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DG409LEDQ-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - DG409LEDQ-T1-GE3 - Analoger Multiplexer, 4:1, 2 Schaltkreise, 23 Ohm, 3V bis 16V, TSSOP-16tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analoger Multiplexer rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 16V Einschaltwiderstand, max.: 23ohm Einschaltwiderstand, typ.: 17ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 4:1 Schalterkonfiguration: - euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Schaltkreise: 2Schaltkreis(e) Schnittstellen: - Durchlasswiderstand, max.: 23ohm Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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4N32 | VISHAY |
Description: VISHAY - 4N32 - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, 6 Pin(s), 60 mA, 5.3 kV, 500 %tariffCode: 85414900 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false CTR, min.: 500% isCanonical: Y usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5.3kV Durchlassstrom If, max.: 60mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 55V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CRCW12103K00JNEA | VISHAY |
Description: VISHAY - CRCW12103K00JNEA - RES, THICK FILM, 3K, 5%, 0.33W, 1210tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1210 [3225 Metric] Widerstandstechnologie: Thick Film hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 500mW Widerstandstyp: General Purpose Widerstand: 3kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 2.5mm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 2073 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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VOM452T | VISHAY |
Description: VISHAY - VOM452T - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SOP, 5 Pin(s), 25 mA, 3.75 kV, 20 %tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 20% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV Durchlassstrom If, max.: 25mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -V Bauform - Optokoppler: SOP Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 5456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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VJ0603A100FXAAC | VISHAY |
Description: VISHAY - VJ0603A100FXAAC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 10 pF, 50 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 1%, C0G / NP0tariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608] rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 1% Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: C0G / NP0 Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Kapazität: 10pF Spannung (DC): 50V Produktpalette: VJ Commercial Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss Betriebstemperatur, max.: 150°C Produktbreite: 0.8mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SI7111EDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7111EDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SI7111EDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7111EDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRC10DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRC10DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3039 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SIRA64DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA64DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2100 µohm, PowerPAK SO-8S, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SIRA64DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA64DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2100 µohm, PowerPAK SO-8S, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SIZ988DT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIZ988DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 60 A, 2800 µohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2800µohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 40W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PTF565K0000BZEK |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - PTF565K0000BZEK - Widerstand für Durchsteckmontage, 5 kohm, PTF Series, 125 mW, ± 0.1%, Axial bedrahtet, 300 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hohe Genauigkeit, hohe Stabilität
isCanonical: Y
Widerstand: 5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 5ppm/°C
Produktlänge: 7.62mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PTF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 300V
Produktdurchmesser: 2.31mm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: VISHAY - PTF565K0000BZEK - Widerstand für Durchsteckmontage, 5 kohm, PTF Series, 125 mW, ± 0.1%, Axial bedrahtet, 300 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hohe Genauigkeit, hohe Stabilität
isCanonical: Y
Widerstand: 5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 5ppm/°C
Produktlänge: 7.62mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PTF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 300V
Produktdurchmesser: 2.31mm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SISA12BDN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SISS30DN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.00685 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.00685 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI7212DN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2663 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI7212DN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2663 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SISA12BDN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIS888DN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS888DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIS888DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 14684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SISA18BDN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SSA34-E3/61T |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SSA34-E3/61T - Schottky-Gleichrichterdiode, Baureihe SS, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 490 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 490mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SSA34
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SSA34-E3/61T - Schottky-Gleichrichterdiode, Baureihe SS, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 490 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 490mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SSA34
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RCS0603220RFKEA |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0603220RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - RCS0603220RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RCS0603220RFKEA |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0603220RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - RCS0603220RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| VOIH063AT |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VOIH063AT - Optokoppler, 2 Kanäle, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - VOIH063AT - Optokoppler, 2 Kanäle, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| VOIH063AT |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VOIH063AT - Optokoppler, 2 Kanäle, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - VOIH063AT - Optokoppler, 2 Kanäle, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| PEP0402Y1002WNTA |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - PEP0402Y1002WNTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 kohm, ± 0.05%, 125 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Präzisionswiderstand
isCanonical: N
Widerstand: 10kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.05%
Temperaturkoeffizient: ± 10ppm/°C
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PEP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.6mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - PEP0402Y1002WNTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 kohm, ± 0.05%, 125 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Präzisionswiderstand
isCanonical: N
Widerstand: 10kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.05%
Temperaturkoeffizient: ± 10ppm/°C
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PEP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.6mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| PEP0402Y1502WNTA |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - PEP0402Y1502WNTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 0.05%, 125 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Präzisionswiderstand
Widerstand: 15kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.05%
Temperaturkoeffizient: 10ppm/C
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PEP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.6mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - PEP0402Y1502WNTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 0.05%, 125 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Präzisionswiderstand
Widerstand: 15kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.05%
Temperaturkoeffizient: 10ppm/C
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PEP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.6mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CRCW0402464KFKED |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW0402464KFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 464 kohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 464kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - CRCW0402464KFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 464 kohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 464kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| A104M15X7RF5UAA |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - A104M15X7RF5UAA - Keramikvielschichtkondensator, 0.1 µF, 50 V, ± 20%, Axial bedrahtet, X7R
tariffCode: 85322400
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: -
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.8mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.1µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 2.6mm
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - A104M15X7RF5UAA - Keramikvielschichtkondensator, 0.1 µF, 50 V, ± 20%, Axial bedrahtet, X7R
tariffCode: 85322400
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: -
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.8mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.1µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 2.6mm
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SQJ140ELP-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 0.0017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 0.0017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 20834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IFDC5050JZER1R8N |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IFDC5050JZER1R8N - Leistungsinduktivität (SMD), 1.8 µH, 10.2 A, Geschirmt, IFDC5050JZ Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 10mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 30%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 8000µohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 10.2A
Sättigungsstrom (Isat): -
Produktlänge: 12.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IFDC5050JZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 12.5mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IFDC5050JZER1R8N - Leistungsinduktivität (SMD), 1.8 µH, 10.2 A, Geschirmt, IFDC5050JZ Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 10mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 30%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 8000µohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 10.2A
Sättigungsstrom (Isat): -
Produktlänge: 12.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IFDC5050JZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 12.5mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IFSC2020DZER1R8M01 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IFSC2020DZER1R8M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 1.8 µH, 4.3 A, Geschirmt, 6.4 A, IFSC2020DZ-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.021ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 4.3A
Sättigungsstrom (Isat): 6.4A
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IFSC2020DZ-01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 5mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IFSC2020DZER1R8M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 1.8 µH, 4.3 A, Geschirmt, 6.4 A, IFSC2020DZ-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.021ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 4.3A
Sättigungsstrom (Isat): 6.4A
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IFSC2020DZ-01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 5mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| VDMG10C0 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VDMG10C0 - 7-Segment-LED-Anzeige, Grün, 20 mA, 2 V, 4.4 mcd, 1, 10 mm
tariffCode: 85312020
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gemeinsame Verbindung: Gemeinsame Kathode
usEccn: EAR99
Durchlassstrom If: 20mA
Lichtstärke: 4.4mcd
Zeichengröße: 10mm
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 2V
LED-Farbe: Grün
Produktpalette: VDM.10.0
productTraceability: No
Anzahl der Ziffern / Zeichen: 1
SVHC: Hexahydromethylphthalic anhydride [1], Hexahydro-4-methylphthalic anhydride [2], Hexahydro-1-methylphthalic anhydride[3] (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - VDMG10C0 - 7-Segment-LED-Anzeige, Grün, 20 mA, 2 V, 4.4 mcd, 1, 10 mm
tariffCode: 85312020
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gemeinsame Verbindung: Gemeinsame Kathode
usEccn: EAR99
Durchlassstrom If: 20mA
Lichtstärke: 4.4mcd
Zeichengröße: 10mm
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 2V
LED-Farbe: Grün
Produktpalette: VDM.10.0
productTraceability: No
Anzahl der Ziffern / Zeichen: 1
SVHC: Hexahydromethylphthalic anhydride [1], Hexahydro-4-methylphthalic anhydride [2], Hexahydro-1-methylphthalic anhydride[3] (07-Nov-2024)
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CRCW2010301RFKEF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW2010301RFKEF - RES, THICK FILM, 301R, 1%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85331000
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 750mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 2.5mm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - CRCW2010301RFKEF - RES, THICK FILM, 301R, 1%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85331000
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 750mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 2.5mm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RCS0402301RFKED |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0402301RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 301 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - RCS0402301RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 301 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RCS0402301RFKED |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0402301RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 301 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - RCS0402301RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 301 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SQA470CEJW-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 8560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI4459ADY-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIA817EDJ-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIA817EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.054 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: LITTLE FOOT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIA817EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.054 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: LITTLE FOOT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SQA470CEJW-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 8560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIZF5300DT-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 13410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIZF5300DT-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 13410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SQM30010EL_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM30010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 1350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SQM30010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 1350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIS415DNT-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SISH410DN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIHG075N65E-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIHG075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIHB075N65E-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHB075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIHB075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IHLE4040DDEW6R8M5A |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IHLE4040DDEW6R8M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, 8.4 A, Geschirmt, 8 A, IHLE-4040DD-5A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4.3mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.02236ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 8.4A
Sättigungsstrom (Isat): 8A
Produktlänge: 10.89mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series
productTraceability: No
Produktbreite: 10.89mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IHLE4040DDEW6R8M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, 8.4 A, Geschirmt, 8 A, IHLE-4040DD-5A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4.3mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.02236ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 8.4A
Sättigungsstrom (Isat): 8A
Produktlänge: 10.89mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series
productTraceability: No
Produktbreite: 10.89mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IHLE4040DDEW6R8M5A |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IHLE4040DDEW6R8M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, 8.4 A, Geschirmt, 8 A, IHLE-4040DD-5A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4.3mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.02236ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 8.4A
Sättigungsstrom (Isat): 8A
Produktlänge: 10.89mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series
productTraceability: No
Produktbreite: 10.89mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IHLE4040DDEW6R8M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, 8.4 A, Geschirmt, 8 A, IHLE-4040DD-5A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4.3mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.02236ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 8.4A
Sättigungsstrom (Isat): 8A
Produktlänge: 10.89mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series
productTraceability: No
Produktbreite: 10.89mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| VJ1812Y102KBGTW1HV |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBGTW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 1 kV, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 1kV
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBGTW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 1 kV, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 1kV
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| VJ1812Y102KBLTW1HV |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBLTW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 630 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 630V
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBLTW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 630 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 630V
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| VJ1812Y102KBETW1HV |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBETW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 500 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 500V
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBETW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 500 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 500V
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 293D156X9016B2TE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - 293D156X9016B2TE3 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 16 V, 1411 [Metrisch 3528], ± 10%
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.9mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1411 [Metrisch 3528]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 2ohm
Produktlänge: 3.5mm
euEccn: NLR
Kapazität: 15µF
Spannung (DC): 16V
Rippelstrom: 210mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 293D Series
Hersteller-Größencode: B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 2.8mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - 293D156X9016B2TE3 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 16 V, 1411 [Metrisch 3528], ± 10%
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.9mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1411 [Metrisch 3528]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 2ohm
Produktlänge: 3.5mm
euEccn: NLR
Kapazität: 15µF
Spannung (DC): 16V
Rippelstrom: 210mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 293D Series
Hersteller-Größencode: B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 2.8mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MRS25000C8259FCT00 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - MRS25000C8259FCT00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 82.5 ohm, MRS25 Series, 600 mW, ± 1%, Axial bedrahtet, 350 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 600mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 82.5ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Produktlänge: 6.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MRS25 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 2.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - MRS25000C8259FCT00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 82.5 ohm, MRS25 Series, 600 mW, ± 1%, Axial bedrahtet, 350 V
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 600mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 82.5ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Produktlänge: 6.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MRS25 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 2.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SQJQ144AE-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQJQ144AE-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 575 A, 700 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 575A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DG447DV-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - DG447DV-T1-E3 - SCHALTER, LOW POWER, HIGH V, SPST,447
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 4.5V bis ± 20V
Einschaltwiderstand, max.: 45ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 17ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST - NC
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: VISHAY - DG447DV-T1-E3 - SCHALTER, LOW POWER, HIGH V, SPST,447
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 4.5V bis ± 20V
Einschaltwiderstand, max.: 45ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 17ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPST - NC
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 3128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ES1PC-M3/84A |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - ES1PC-M3/84A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1PC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - ES1PC-M3/84A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1PC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MMU01020C5609FB300 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - MMU01020C5609FB300 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 56 ohm, MMU Series, 100 V, Metallschichtwiderstand, 200 mW
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: MicroMELF 0102
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstand: 56ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Produktpalette: MMU Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - MMU01020C5609FB300 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 56 ohm, MMU Series, 100 V, Metallschichtwiderstand, 200 mW
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: MicroMELF 0102
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstand: 56ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Produktpalette: MMU Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 12175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CRCW060356R0FKEAHP |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW060356R0FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 56 ohm, ± 1%, 333.3 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 333.3mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
Widerstand: 56ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - CRCW060356R0FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 56 ohm, ± 1%, 333.3 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 333.3mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
Widerstand: 56ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIHH080N60E-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.08 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIHH080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.08 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 8200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIHH080N60E-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.08 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 184W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIHH080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.08 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 184W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 8200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DG409LEDQ-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - DG409LEDQ-T1-GE3 - Analoger Multiplexer, 4:1, 2 Schaltkreise, 23 Ohm, 3V bis 16V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 16V
Einschaltwiderstand, max.: 23ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 17ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 4:1
Schalterkonfiguration: -
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 2Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 23ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - DG409LEDQ-T1-GE3 - Analoger Multiplexer, 4:1, 2 Schaltkreise, 23 Ohm, 3V bis 16V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 16V
Einschaltwiderstand, max.: 23ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 17ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 4:1
Schalterkonfiguration: -
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 2Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 23ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 4N32 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - 4N32 - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, 6 Pin(s), 60 mA, 5.3 kV, 500 %
tariffCode: 85414900
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
CTR, min.: 500%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5.3kV
Durchlassstrom If, max.: 60mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 55V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - 4N32 - Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, 6 Pin(s), 60 mA, 5.3 kV, 500 %
tariffCode: 85414900
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
CTR, min.: 500%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5.3kV
Durchlassstrom If, max.: 60mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 55V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CRCW12103K00JNEA |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW12103K00JNEA - RES, THICK FILM, 3K, 5%, 0.33W, 1210
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1210 [3225 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 3kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 2.5mm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - CRCW12103K00JNEA - RES, THICK FILM, 3K, 5%, 0.33W, 1210
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1210 [3225 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 3kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 2.5mm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| VOM452T |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VOM452T - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SOP, 5 Pin(s), 25 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 25mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -V
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - VOM452T - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SOP, 5 Pin(s), 25 mA, 3.75 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 25mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -V
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| VJ0603A100FXAAC |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603A100FXAAC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 10 pF, 50 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 1%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 1%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10pF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - VJ0603A100FXAAC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 10 pF, 50 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 1%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 1%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10pF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI7111EDN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7111EDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI7111EDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SI7111EDN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7111EDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI7111EDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIRC10DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRC10DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIRC10DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIRA64DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA64DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2100 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIRA64DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2100 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIRA64DP-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA64DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2100 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIRA64DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 2100 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SIZ988DT-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ988DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 60 A, 2800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIZ988DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 60 A, 2800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH









































