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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CRCW080547K0JNEAC CRCW080547K0JNEAC VISHAY 3937398.pdf Description: VISHAY - CRCW080547K0JNEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 47 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 47kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 200ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 99430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7693+0.032 EUR
12500+0.019 EUR
16667+0.013 EUR
20000+0.011 EUR
25000+0.0086 EUR
33334+0.0064 EUR
Mindestbestellmenge: 7693 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW0402220RFKED CRCW0402220RFKED VISHAY dcrcwe3.pdf Description: VISHAY - CRCW0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 100 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: N
Widerstand: 220ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11112+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 11112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RCS0402220RFKED RCS0402220RFKED VISHAY 2848043.pdf Description: VISHAY - RCS0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RCS0402220RFKED RCS0402220RFKED VISHAY 2848043.pdf Description: VISHAY - RCS0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW0402510KFKED CRCW0402510KFKED VISHAY dcrcwe3.pdf Description: VISHAY - CRCW0402510KFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 510 kohm, ± 1%, 100 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: N
Widerstand: 510kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
auf Bestellung 13790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.05 EUR
6897+0.033 EUR
8548+0.025 EUR
10310+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PR01000103301JR500. PR01000103301JR500. VISHAY Description: VISHAY - PR01000103301JR500. - METAL FILM RESISTOR, 3.3 KOHM, 1 W, 5%
tariffCode: 85331000
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 3.3kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 250ppm/°C
Produktlänge: 8mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PR01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 2.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
directShipCharge: 25
auf Bestellung 3213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+0.7 EUR
417+0.56 EUR
599+0.36 EUR
1064+0.2 EUR
1323+0.17 EUR
1749+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4103DY-T1-GE3 SI4103DY-T1-GE3 VISHAY si4103dy.pdf Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 6848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.8 EUR
142+1.64 EUR
215+1 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AC07000002209JAC00 AC07000002209JAC00 VISHAY ac_ac-at_ac-ni.pdf Description: VISHAY - AC07000002209JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 22 ohm, AC Series, 7 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 12 V
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 7W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 22ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 12V
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.82 EUR
122+1.9 EUR
136+1.58 EUR
152+1.4 EUR
200+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AC07000002209JAC00 AC07000002209JAC00 VISHAY ac_ac-at_ac-ni.pdf Description: VISHAY - AC07000002209JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 22 ohm, AC Series, 7 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 12 V
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 7W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 22ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 12V
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCT06030E7501BP100 MCT06030E7501BP100 VISHAY VISH-S-A0014726790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - MCT06030E7501BP100 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 0.1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Schwefelbeständig
isCanonical: N
Widerstand: 7.5kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 15ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: MCT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+2.08 EUR
169+1.38 EUR
238+0.9 EUR
255+0.84 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW06037K50FKEAC CRCW06037K50FKEAC VISHAY crcwce3.pdf Description: VISHAY - CRCW06037K50FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 7.5kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
auf Bestellung 70600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6135+0.04 EUR
7247+0.032 EUR
11628+0.018 EUR
12988+0.017 EUR
14926+0.014 EUR
17544+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 6135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW06037K50FKEAC CRCW06037K50FKEAC VISHAY crcwce3.pdf Description: VISHAY - CRCW06037K50FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: N
Widerstand: 7.5kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
auf Bestellung 70600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6135+0.04 EUR
7247+0.032 EUR
11628+0.018 EUR
12988+0.017 EUR
14926+0.014 EUR
17544+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 6135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TNPW06037K50BEEA TNPW06037K50BEEA VISHAY VISH-S-A0025054537-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - TNPW06037K50BEEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 0.1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hohe Stabilität
isCanonical: Y
Widerstand: 7.5kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: TNPW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
auf Bestellung 4878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
451+0.56 EUR
461+0.5 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 451 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW06037K50FKTA CRCW06037K50FKTA VISHAY VISH-S-A0021451384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - CRCW06037K50FKTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 7.5kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
auf Bestellung 17355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2326+0.11 EUR
2907+0.08 EUR
3876+0.055 EUR
4695+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 2326 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZF928DT-T1-GE3 SIZF928DT-T1-GE3 VISHAY sizf928dt.pdf Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 530 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 530µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 530µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.4 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.68 EUR
5000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZF928DT-T1-GE3 SIZF928DT-T1-GE3 VISHAY sizf928dt.pdf Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 530 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 530µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 530µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.3 EUR
62+3.78 EUR
100+2.4 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.68 EUR
5000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2338DS-T1-GE3 SI2338DS-T1-GE3 VISHAY si2338ds.pdf Description: VISHAY - SI2338DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 19244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.86 EUR
216+1.08 EUR
334+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR870ADP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-GE3 VISHAY sir870adp.pdf Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
auf Bestellung 30618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.75 EUR
57+4.08 EUR
100+2.94 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 VISHAY sir826adp.pdf Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.15 EUR
55+4.25 EUR
100+2.74 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50034E_GE3 SQD50034E_GE3 VISHAY 2795472.pdf Description: VISHAY - SQD50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.22 EUR
79+2.98 EUR
111+1.94 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ462ADP-T1-GE3 SIJ462ADP-T1-GE3 VISHAY sij462adp.pdf Description: VISHAY - SIJ462ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 39.3 A, 7200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.8 EUR
86+2.71 EUR
122+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P11H1F0GHFW10502KA P11H1F0GHFW10502KA VISHAY VISH-S-A0019155722-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - P11H1F0GHFW10502KA - Drehpotentiometer, Hohes Drehmoment, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 1 W, ± 10%, P11H Series
tariffCode: 85334090
Produkthöhe: 13.6mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en)
Widerstandstechnologie: Cermet
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Potentiometermontage: Panelmontage
Nennleistung: 1W
Einstellungsart: Drehschalter
isCanonical: Y
Bahnwiderstand: 5kohm
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl der Einbaustellen: 1
Wellendurchmesser: 6.35mm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 10%
Temperaturkoeffizient: ± 150ppm/°C
Produktlänge: 35.6mm
euEccn: NLR
Potentiometer: Modular
Länge der Welle: 9.65mm
Produktpalette: P11H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Potentiometeranschlüsse: Leiterplattenstift
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 12.8mm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+52.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3129DV-T1-GE3 SI3129DV-T1-GE3 VISHAY si3129dv.pdf Description: VISHAY - SI3129DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 5.4 A, 0.0689 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0689ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.93 EUR
183+1.27 EUR
268+0.8 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.57 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ260DT-T1-GE3 SIZ260DT-T1-GE3 VISHAY siz260dt.pdf Description: VISHAY - SIZ260DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0204ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0204ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 13613 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.43 EUR
122+1.92 EUR
151+1.43 EUR
500+1.2 EUR
1500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA86EP-T1_GE3 SQJA86EP-T1_GE3 VISHAY sqja86ep.pdf Description: VISHAY - SQJA86EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 11913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
127+1.83 EUR
163+1.32 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.92 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 VISHAY sir826adp.pdf Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJH800E-T1-GE3 SIJH800E-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0020332029-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 1550 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1550µohm
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.74 EUR
23+10.48 EUR
100+7.07 EUR
500+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS30DN-T1-GE3 SISS30DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010924909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 8250 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8250µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.88 EUR
126+1.84 EUR
167+1.29 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS30ADN-T1-GE3 SISS30ADN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0024456859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISS30ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 8900 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
119+1.96 EUR
174+1.24 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS126DN-T1-GE3 SIS126DN-T1-GE3 VISHAY sis126dn.pdf Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.75 EUR
136+1.71 EUR
180+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS32LDN-T1-GE3 SISS32LDN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0024456861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 36429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.4 EUR
107+2.17 EUR
156+1.38 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ478DP-T1-GE3 SIJ478DP-T1-GE3 VISHAY sij478dp.pdf Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.53 EUR
114+1.89 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.45 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJH800E-T1-GE3 SIJH800E-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0020332029-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 1550 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00122ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1550µohm
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.07 EUR
500+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB80EP-T1_GE3 SQJB80EP-T1_GE3 VISHAY sqjb80ep.pdf Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
103+2.26 EUR
131+1.64 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ480E-T1_GE3 SQJQ480E-T1_GE3 VISHAY sqjq480e.pdf Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 3000 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.22 EUR
38+6.25 EUR
100+4.07 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSA80ENW-T1_GE3 SQSA80ENW-T1_GE3 VISHAY sqsa80enw.pdf Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.12 EUR
121+1.93 EUR
167+1.29 EUR
500+1.12 EUR
1500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB80EP-T1_GE3 SQJB80EP-T1_GE3 VISHAY sqjb80ep.pdf Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.47 EUR
103+2.26 EUR
131+1.64 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSA80ENW-T1_GE3 SQSA80ENW-T1_GE3 VISHAY sqsa80enw.pdf Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.12 EUR
121+1.93 EUR
167+1.29 EUR
500+1.12 EUR
1500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA86EP-T1_GE3 SQJA86EP-T1_GE3 VISHAY sqja86ep.pdf Description: VISHAY - SQJA86EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 11913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.82 EUR
127+1.83 EUR
163+1.32 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.92 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ480E-T1_GE3 SQJQ480E-T1_GE3 VISHAY sqjq480e.pdf Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 3000 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.07 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS128LDN-T1-GE3 SIS128LDN-T1-GE3 VISHAY tf-sis128ldn-t1-ge3.pdf Description: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.82 EUR
147+1.58 EUR
183+1.17 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50P08-28_GE3 SQD50P08-28_GE3 VISHAY VISH-S-A0001225101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ478DP-T1-GE3 SIJ478DP-T1-GE3 VISHAY sij478dp.pdf Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.3 EUR
92+2.53 EUR
114+1.89 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.45 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184ER-T1_GE3 SQJQ184ER-T1_GE3 VISHAY sqjq184er.pdf Description: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.45 EUR
500+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184ER-T1_GE3 SQJQ184ER-T1_GE3 VISHAY sqjq184er.pdf Description: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.02 EUR
35+6.66 EUR
100+4.45 EUR
500+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ186ER-T1_GE3 SQJQ186ER-T1_GE3 VISHAY sqjq186er.pdf Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.34 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ186ER-T1_GE3 SQJQ186ER-T1_GE3 VISHAY sqjq186er.pdf Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.57 EUR
46+5.15 EUR
100+3.34 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS181ELNW-T1_GE3 SQS181ELNW-T1_GE3 VISHAY 3973110.pdf Description: VISHAY - SQS181ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0241 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0241ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.55 EUR
109+2.14 EUR
154+1.4 EUR
500+1.12 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJH5800E-T1-GE3 SIJH5800E-T1-GE3 VISHAY sijh5800e.pdf Description: VISHAY - SIJH5800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 302 A, 1350 µohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.56 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSA82CENW-T1_GE3 SQSA82CENW-T1_GE3 VISHAY sqsa82cenw.pdf Description: VISHAY - SQSA82CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.046 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.49 EUR
260+0.89 EUR
307+0.7 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ1470AEH-T1_GE3 SQ1470AEH-T1_GE3 VISHAY sq1470aeh.pdf Description: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.065 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 5444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+2 EUR
200+1.17 EUR
309+0.69 EUR
500+0.56 EUR
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ1421EDH-T1_GE3 SQ1421EDH-T1_GE3 VISHAY sq1421edh.pdf Description: VISHAY - SQ1421EDH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.29 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 24914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.96 EUR
206+1.13 EUR
318+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS76LDN-T1-GE3 SISS76LDN-T1-GE3 VISHAY siss76ldn.pdf Description: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 6250 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.45 EUR
72+3.25 EUR
107+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ1470AEH-T1_GE3 SQ1470AEH-T1_GE3 VISHAY sq1470aeh.pdf Description: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.065 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 5534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+1.98 EUR
203+1.15 EUR
312+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA483ADJ-T1-GE3 SIA483ADJ-T1-GE3 VISHAY sia483adj.pdf Description: VISHAY - SIA483ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.02 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 17.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 17.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 2824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.87 EUR
216+1.07 EUR
335+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 VISHAY sia400edj.pdf Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
206+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA918EDJ-T1-GE3 SIA918EDJ-T1-GE3 VISHAY sia918edj.pdf Description: VISHAY - SIA918EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.68 EUR
240+0.98 EUR
372+0.57 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA401EJ-T1_GE3 SQA401EJ-T1_GE3 VISHAY 2328164.pdf Description: VISHAY - SQA401EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.77 EUR
211+1.09 EUR
319+0.68 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA431DJ-T1-GE3 SIA431DJ-T1-GE3 VISHAY sia431dj.pdf Description: VISHAY - SIA431DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+2.59 EUR
155+1.5 EUR
238+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA429DJT-T1-GE3 SIA429DJT-T1-GE3 VISHAY sia429dj.pdf Description: VISHAY - SIA429DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0205 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.42 EUR
168+1.39 EUR
258+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW080547K0JNEAC 3937398.pdf
CRCW080547K0JNEAC
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW080547K0JNEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 47 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 47kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 200ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 99430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7693+0.032 EUR
12500+0.019 EUR
16667+0.013 EUR
20000+0.011 EUR
25000+0.0086 EUR
33334+0.0064 EUR
Mindestbestellmenge: 7693 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW0402220RFKED dcrcwe3.pdf
CRCW0402220RFKED
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 100 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: N
Widerstand: 220ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11112+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 11112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RCS0402220RFKED 2848043.pdf
RCS0402220RFKED
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RCS0402220RFKED 2848043.pdf
RCS0402220RFKED
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW0402510KFKED dcrcwe3.pdf
CRCW0402510KFKED
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW0402510KFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 510 kohm, ± 1%, 100 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: N
Widerstand: 510kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
auf Bestellung 13790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.05 EUR
6897+0.033 EUR
8548+0.025 EUR
10310+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PR01000103301JR500.
PR01000103301JR500.
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - PR01000103301JR500. - METAL FILM RESISTOR, 3.3 KOHM, 1 W, 5%
tariffCode: 85331000
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstandstyp: High Power
Widerstand: 3.3kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 250ppm/°C
Produktlänge: 8mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PR01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 2.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
directShipCharge: 25
auf Bestellung 3213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
356+0.7 EUR
417+0.56 EUR
599+0.36 EUR
1064+0.2 EUR
1323+0.17 EUR
1749+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4103DY-T1-GE3 si4103dy.pdf
SI4103DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 6848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.8 EUR
142+1.64 EUR
215+1 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AC07000002209JAC00 ac_ac-at_ac-ni.pdf
AC07000002209JAC00
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - AC07000002209JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 22 ohm, AC Series, 7 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 12 V
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 7W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 22ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 12V
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+3.82 EUR
122+1.9 EUR
136+1.58 EUR
152+1.4 EUR
200+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AC07000002209JAC00 ac_ac-at_ac-ni.pdf
AC07000002209JAC00
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - AC07000002209JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 22 ohm, AC Series, 7 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 12 V
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 7W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 22ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 12V
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCT06030E7501BP100 VISH-S-A0014726790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MCT06030E7501BP100
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - MCT06030E7501BP100 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 0.1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Schwefelbeständig
isCanonical: N
Widerstand: 7.5kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 15ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: MCT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
121+2.08 EUR
169+1.38 EUR
238+0.9 EUR
255+0.84 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW06037K50FKEAC crcwce3.pdf
CRCW06037K50FKEAC
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06037K50FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 7.5kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
auf Bestellung 70600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6135+0.04 EUR
7247+0.032 EUR
11628+0.018 EUR
12988+0.017 EUR
14926+0.014 EUR
17544+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 6135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW06037K50FKEAC crcwce3.pdf
CRCW06037K50FKEAC
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06037K50FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: N
Widerstand: 7.5kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
auf Bestellung 70600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6135+0.04 EUR
7247+0.032 EUR
11628+0.018 EUR
12988+0.017 EUR
14926+0.014 EUR
17544+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 6135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TNPW06037K50BEEA VISH-S-A0025054537-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TNPW06037K50BEEA
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - TNPW06037K50BEEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 0.1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hohe Stabilität
isCanonical: Y
Widerstand: 7.5kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 25ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: TNPW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
auf Bestellung 4878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
451+0.56 EUR
461+0.5 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 451 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW06037K50FKTA VISH-S-A0021451384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CRCW06037K50FKTA
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06037K50FKTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 7.5kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
auf Bestellung 17355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2326+0.11 EUR
2907+0.08 EUR
3876+0.055 EUR
4695+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 2326 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZF928DT-T1-GE3 sizf928dt.pdf
SIZF928DT-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 530 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 530µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 530µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.4 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.68 EUR
5000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZF928DT-T1-GE3 sizf928dt.pdf
SIZF928DT-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 530 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 530µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 530µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+6.3 EUR
62+3.78 EUR
100+2.4 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.68 EUR
5000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2338DS-T1-GE3 si2338ds.pdf
SI2338DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2338DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.028 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 19244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
135+1.86 EUR
216+1.08 EUR
334+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR870ADP-T1-GE3 sir870adp.pdf
SIR870ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
auf Bestellung 30618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+6.75 EUR
57+4.08 EUR
100+2.94 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826ADP-T1-GE3 sir826adp.pdf
SIR826ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.15 EUR
55+4.25 EUR
100+2.74 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50034E_GE3 2795472.pdf
SQD50034E_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+4.22 EUR
79+2.98 EUR
111+1.94 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ462ADP-T1-GE3 sij462adp.pdf
SIJ462ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ462ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 39.3 A, 7200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+3.8 EUR
86+2.71 EUR
122+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P11H1F0GHFW10502KA VISH-S-A0019155722-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
P11H1F0GHFW10502KA
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - P11H1F0GHFW10502KA - Drehpotentiometer, Hohes Drehmoment, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 1 W, ± 10%, P11H Series
tariffCode: 85334090
Produkthöhe: 13.6mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en)
Widerstandstechnologie: Cermet
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Potentiometermontage: Panelmontage
Nennleistung: 1W
Einstellungsart: Drehschalter
isCanonical: Y
Bahnwiderstand: 5kohm
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl der Einbaustellen: 1
Wellendurchmesser: 6.35mm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 10%
Temperaturkoeffizient: ± 150ppm/°C
Produktlänge: 35.6mm
euEccn: NLR
Potentiometer: Modular
Länge der Welle: 9.65mm
Produktpalette: P11H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Potentiometeranschlüsse: Leiterplattenstift
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 12.8mm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+52.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3129DV-T1-GE3 si3129dv.pdf
SI3129DV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3129DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 5.4 A, 0.0689 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0689ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
130+1.93 EUR
183+1.27 EUR
268+0.8 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.57 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ260DT-T1-GE3 siz260dt.pdf
SIZ260DT-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ260DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0204ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0204ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 13613 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
73+3.43 EUR
122+1.92 EUR
151+1.43 EUR
500+1.2 EUR
1500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA86EP-T1_GE3 sqja86ep.pdf
SQJA86EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA86EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 11913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
89+2.82 EUR
127+1.83 EUR
163+1.32 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.92 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR826ADP-T1-GE3 sir826adp.pdf
SIR826ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.74 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJH800E-T1-GE3 VISH-S-A0020332029-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIJH800E-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 1550 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1550µohm
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+16.74 EUR
23+10.48 EUR
100+7.07 EUR
500+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS30DN-T1-GE3 VISH-S-A0010924909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISS30DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 8250 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8250µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.88 EUR
126+1.84 EUR
167+1.29 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS30ADN-T1-GE3 VISH-S-A0024456859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISS30ADN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS30ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 8900 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
75+3.38 EUR
119+1.96 EUR
174+1.24 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS126DN-T1-GE3 sis126dn.pdf
SIS126DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.75 EUR
136+1.71 EUR
180+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS32LDN-T1-GE3 VISH-S-A0024456861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISS32LDN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 36429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.4 EUR
107+2.17 EUR
156+1.38 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ478DP-T1-GE3 sij478dp.pdf
SIJ478DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.53 EUR
114+1.89 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.45 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJH800E-T1-GE3 VISH-S-A0020332029-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIJH800E-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 1550 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00122ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1550µohm
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+7.07 EUR
500+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB80EP-T1_GE3 sqjb80ep.pdf
SQJB80EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+3.47 EUR
103+2.26 EUR
131+1.64 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ480E-T1_GE3 sqjq480e.pdf
SQJQ480E-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 3000 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+10.22 EUR
38+6.25 EUR
100+4.07 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSA80ENW-T1_GE3 sqsa80enw.pdf
SQSA80ENW-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.12 EUR
121+1.93 EUR
167+1.29 EUR
500+1.12 EUR
1500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJB80EP-T1_GE3 sqjb80ep.pdf
SQJB80EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.47 EUR
103+2.26 EUR
131+1.64 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSA80ENW-T1_GE3 sqsa80enw.pdf
SQSA80ENW-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
80+3.12 EUR
121+1.93 EUR
167+1.29 EUR
500+1.12 EUR
1500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJA86EP-T1_GE3 sqja86ep.pdf
SQJA86EP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA86EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 11913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.82 EUR
127+1.83 EUR
163+1.32 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.92 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ480E-T1_GE3 sqjq480e.pdf
SQJQ480E-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 3000 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.07 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS128LDN-T1-GE3 tf-sis128ldn-t1-ge3.pdf
SIS128LDN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.82 EUR
147+1.58 EUR
183+1.17 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQD50P08-28_GE3 VISH-S-A0001225101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQD50P08-28_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 1994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.11 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJ478DP-T1-GE3 sij478dp.pdf
SIJ478DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+3.3 EUR
92+2.53 EUR
114+1.89 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.45 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184ER-T1_GE3 sqjq184er.pdf
SQJQ184ER-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.45 EUR
500+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ184ER-T1_GE3 sqjq184er.pdf
SQJQ184ER-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+10.02 EUR
35+6.66 EUR
100+4.45 EUR
500+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ186ER-T1_GE3 sqjq186er.pdf
SQJQ186ER-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.34 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQJQ186ER-T1_GE3 sqjq186er.pdf
SQJQ186ER-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 2300 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+7.57 EUR
46+5.15 EUR
100+3.34 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQS181ELNW-T1_GE3 3973110.pdf
SQS181ELNW-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQS181ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0241 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0241ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+3.55 EUR
109+2.14 EUR
154+1.4 EUR
500+1.12 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIJH5800E-T1-GE3 sijh5800e.pdf
SIJH5800E-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH5800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 302 A, 1350 µohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.56 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQSA82CENW-T1_GE3 sqsa82cenw.pdf
SQSA82CENW-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQSA82CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.046 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
168+1.49 EUR
260+0.89 EUR
307+0.7 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ1470AEH-T1_GE3 sq1470aeh.pdf
SQ1470AEH-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.065 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 5444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
126+2 EUR
200+1.17 EUR
309+0.69 EUR
500+0.56 EUR
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ1421EDH-T1_GE3 sq1421edh.pdf
SQ1421EDH-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ1421EDH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.29 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 24914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
128+1.96 EUR
206+1.13 EUR
318+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISS76LDN-T1-GE3 siss76ldn.pdf
SISS76LDN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 6250 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.45 EUR
72+3.25 EUR
107+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ1470AEH-T1_GE3 sq1470aeh.pdf
SQ1470AEH-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.065 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 5534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
127+1.98 EUR
203+1.15 EUR
312+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA483ADJ-T1-GE3 sia483adj.pdf
SIA483ADJ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIA483ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.02 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 17.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 17.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 2824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
134+1.87 EUR
216+1.07 EUR
335+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA400EDJ-T1-GE3 sia400edj.pdf
SIA400EDJ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+1.55 EUR
206+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA918EDJ-T1-GE3 sia918edj.pdf
SIA918EDJ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIA918EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
150+1.68 EUR
240+0.98 EUR
372+0.57 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQA401EJ-T1_GE3 2328164.pdf
SQA401EJ-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQA401EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.125 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
141+1.77 EUR
211+1.09 EUR
319+0.68 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA431DJ-T1-GE3 sia431dj.pdf
SIA431DJ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIA431DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.025 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
97+2.59 EUR
155+1.5 EUR
238+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA429DJT-T1-GE3 sia429dj.pdf
SIA429DJT-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIA429DJT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0205 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 19W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+2.42 EUR
168+1.39 EUR
258+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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