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1.5KE150CA-D1-0000 1.5KE150CA-D1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1.5KE%20SERIES.pdf Description: TVS DIODE 128VWM 207VC DO201AE
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1.5KE150CA-D1-0000 1.5KE150CA-D1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1.5KE%20SERIES.pdf Description: TVS DIODE 128VWM 207VC DO201AE
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1.5KE16A-D1-0000 1.5KE16A-D1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1.5KE%20SERIES.pdf Description: TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC DO201AE
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1.5KE200A-D1-3000 1.5KE200A-D1-3000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1.5KE%20SERIES.pdf Description: TVS DIODE 171VWM 274VC DO201AE
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1.5KE200A-D1-3000 1.5KE200A-D1-3000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1.5KE%20SERIES.pdf Description: TVS DIODE 171VWM 274VC DO201AE
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1.5KE27A-D1-0000 1.5KE27A-D1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1.5KE%20SERIES.pdf Description: TVS DIODE 23.1V 37.5V DO-201AE
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1.5KE300CA-D1-0000 1.5KE300CA-D1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1.5KE%20SERIES.pdf Description: TVS DIODE 256VWM 414VC DO201AE
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1.5KE300CA-D1-0000 1.5KE300CA-D1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1.5KE%20SERIES.pdf Description: TVS DIODE 256VWM 414VC DO201AE
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1.5KE39A-D1-0000 1.5KE39A-D1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1.5KE%20SERIES.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO201AE
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1.5KE39A-D1-0000 1.5KE39A-D1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1.5KE%20SERIES.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO201AE
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1.5KE400A-D1-0000 1.5KE400A-D1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1.5KE%20SERIES.pdf Description: TVS DIODE 342VWM 548VC DO201AE
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1.5KE400A-D1-0000 1.5KE400A-D1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1.5KE%20SERIES.pdf Description: TVS DIODE 342VWM 548VC DO201AE
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1.5KE43CA-D1-0000 1.5KE43CA-D1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1.5KE%20SERIES.pdf Description: TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO201AE
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1.5KE43CA-D1-0000 1.5KE43CA-D1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1.5KE%20SERIES.pdf Description: TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO201AE
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1.5KE6.8CA-D1-0000 1.5KE6.8CA-D1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1.5KE%20SERIES.pdf Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO201AE
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1.5KE6.8CA-D1-0000 1.5KE6.8CA-D1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1.5KE%20SERIES.pdf Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO201AE
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10A10 10A10 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 10A10-GPP140-%E5%85%89%E4%BC%8F.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A R-6
Packaging: Bulk
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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10A10G 10A10G Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 10A05G%20THRU%2010A10G%20.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A R-6
Packaging: Bulk
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 1000 V
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10A10G 10A10G Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 10A05G%20THRU%2010A10G%20.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 1000 V
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1N4004G-D1-3000 1N4004G-D1-3000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1N4001G%20THRU%201N4007G.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
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1N4004G-D1-3000 1N4004G-D1-3000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1N4001G%20THRU%201N4007G.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
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1N4007G-D1-3000 1N4007G-D1-3000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1N4001G%20THRU%201N4007G.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO41
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1N4007G-D1-3000 1N4007G-D1-3000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1N4001G%20THRU%201N4007G.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO41
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1N4148W-F2-0001HF 1N4148W-F2-0001HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1N4148W-SOD-123-%E6%B5%B7%E9%B8%A5%E8%84%9A%20.pdf Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
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1N4148W-F2-0001HF 1N4148W-F2-0001HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1N4148W-SOD-123-%E6%B5%B7%E9%B8%A5%E8%84%9A%20.pdf Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
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1N4148WS-F2-0000HF 1N4148WS-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd Description: DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD323
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3000+0.067 EUR
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1N4148WS-F2-0000HF 1N4148WS-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd Description: DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD323
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1N4148WT-F2-0000HF 1N4148WT-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1N4148WT-SOD523.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD523
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1N4148WT-F2-0000HF 1N4148WT-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1N4148WT-SOD523.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD523
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1N4448W-F2-0000HF 1N4448W-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1N4448W-SOD123-%E6%B5%B7%E9%B8%A5%E8%84%9A.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123
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1N4448W-F2-0000HF 1N4448W-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1N4448W-SOD123-%E6%B5%B7%E9%B8%A5%E8%84%9A.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123
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110+ 0.16 EUR
500+ 0.11 EUR
1000+ 0.072 EUR
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1N4448WS-F2-0000HF 1N4448WS-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1N4448WS_DS.pdf Description: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323
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1N4448WS-F2-0000HF 1N4448WS-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1N4448WS_DS.pdf Description: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323
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110+ 0.16 EUR
500+ 0.11 EUR
1000+ 0.072 EUR
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1N4937G-D1-3000 1N4937G-D1-3000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1N4933G%20THRU%201N4937G.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
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1N5399G-D1-0000 1N5399G-D1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1N5391G%20THRU%201N5399G.pdf Description: DIODE GEN PUR 1000V 1.5A DO204AC
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1N5399G-D1-0000 1N5399G-D1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1N5391G%20THRU%201N5399G.pdf Description: DIODE GEN PUR 1000V 1.5A DO204AC
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1N5408G-D1-0000 1N5408G-D1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1N5400G%20THRU%201N5408G.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO201AD
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1N5408G-D1-0000 1N5408G-D1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1N5400G%20THRU%201N5408G.pdf Description: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO201AD
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1N5819-D1-0001 1N5819-D1-0001 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1N5817%20THRU%201N5819.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41
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1N5819-D1-0001 1N5819-D1-0001 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1N5817%20THRU%201N5819.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41
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1SS355-F2-0000HF 1SS355-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1SS355-SOD-323-%E6%B5%B7%E9%B8%A5%E8%84%9A.pdf Description: DIODE GEN PURP 80V 150MA SOD323
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1SS355-F2-0000HF 1SS355-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 1SS355-SOD-323-%E6%B5%B7%E9%B8%A5%E8%84%9A.pdf Description: DIODE GEN PURP 80V 150MA SOD323
auf Bestellung 2545 Stücke:
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48+0.37 EUR
58+ 0.3 EUR
110+ 0.16 EUR
500+ 0.11 EUR
1000+ 0.072 EUR
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2N7002A-F2-0000HF 2N7002A-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 2N7002A%20Rev3.0.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
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2N7002A-F2-0000HF 2N7002A-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 2N7002A%20Rev3.0.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
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2N7002-F2-0000HF 2N7002-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 2N7002%20Rev3.0.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
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2N7002-F2-0000HF 2N7002-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 2N7002%20Rev3.0.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
auf Bestellung 1880 Stücke:
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43+ 0.42 EUR
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2N7002KDW-F2-0000HF 2N7002KDW-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 2N7002KDW%20Rev3.0.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-363
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2N7002KDW-F2-0000HF 2N7002KDW-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 2N7002KDW%20Rev3.0.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-363
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2N7002KW-F2-0000HF 2N7002KW-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 2N7002KW%20Rev3.0.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-323
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2N7002KW-F2-0000HF 2N7002KW-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 2N7002KW%20Rev3.0.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-323
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2N7002W-F2-0000HF 2N7002W-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 2N7002W%20Rev3.0.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-323
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2N7002W-F2-0000HF 2N7002W-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 2N7002W%20Rev3.0.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-323
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60EPS16 60EPS16 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 60EPS12_thru_60EPS16.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 60A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1600 V
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60EPS16-B1-0000HF 60EPS16-B1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd 60EPS12_thru_60EPS16.pdf Description: DIODE GEN PURP 1600V 60A TO247AC
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ABS10-F1-3001HF ABS10-F1-3001HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd ABS2%20THRU%20ABS10.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 1A ABS
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ABS10-F1-3001HF ABS10-F1-3001HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd ABS2%20THRU%20ABS10.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 1A ABS
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ABS1506-F1-3000HF ABS1506-F1-3000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd ABS1502%20THRU%20ABS1510.pdf Description: RECT BRIDGE 600V 1.5A ABS
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1.5KE150CA-D1-0000 1.5KE%20SERIES.pdf
1.5KE150CA-D1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: TVS DIODE 128VWM 207VC DO201AE
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1.5KE150CA-D1-0000 1.5KE%20SERIES.pdf
1.5KE150CA-D1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: TVS DIODE 128VWM 207VC DO201AE
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1.5KE16A-D1-0000 1.5KE%20SERIES.pdf
1.5KE16A-D1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC DO201AE
Produkt ist nicht verfügbar
1.5KE16A-D1-0000 1.5KE%20SERIES.pdf
1.5KE16A-D1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC DO201AE
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1.5KE200A-D1-3000 1.5KE%20SERIES.pdf
1.5KE200A-D1-3000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: TVS DIODE 171VWM 274VC DO201AE
Produkt ist nicht verfügbar
1.5KE200A-D1-3000 1.5KE%20SERIES.pdf
1.5KE200A-D1-3000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: TVS DIODE 171VWM 274VC DO201AE
Produkt ist nicht verfügbar
1.5KE27A-D1-0000 1.5KE%20SERIES.pdf
1.5KE27A-D1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: TVS DIODE 23.1V 37.5V DO-201AE
Produkt ist nicht verfügbar
1.5KE27A-D1-0000 1.5KE%20SERIES.pdf
1.5KE27A-D1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: TVS DIODE 23.1V 37.5V DO-201AE
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1.5KE300CA-D1-0000 1.5KE%20SERIES.pdf
1.5KE300CA-D1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: TVS DIODE 256VWM 414VC DO201AE
Produkt ist nicht verfügbar
1.5KE300CA-D1-0000 1.5KE%20SERIES.pdf
1.5KE300CA-D1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: TVS DIODE 256VWM 414VC DO201AE
Produkt ist nicht verfügbar
1.5KE39A-D1-0000 1.5KE%20SERIES.pdf
1.5KE39A-D1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO201AE
Produkt ist nicht verfügbar
1.5KE39A-D1-0000 1.5KE%20SERIES.pdf
1.5KE39A-D1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO201AE
Produkt ist nicht verfügbar
1.5KE400A-D1-0000 1.5KE%20SERIES.pdf
1.5KE400A-D1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: TVS DIODE 342VWM 548VC DO201AE
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1.5KE400A-D1-0000 1.5KE%20SERIES.pdf
1.5KE400A-D1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: TVS DIODE 342VWM 548VC DO201AE
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1.5KE43CA-D1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO201AE
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1.5KE43CA-D1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC DO201AE
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1.5KE6.8CA-D1-0000 1.5KE%20SERIES.pdf
1.5KE6.8CA-D1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO201AE
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1.5KE6.8CA-D1-0000 1.5KE%20SERIES.pdf
1.5KE6.8CA-D1-0000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO201AE
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10A10 10A10-GPP140-%E5%85%89%E4%BC%8F.pdf
10A10
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A R-6
Packaging: Bulk
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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10A10G 10A05G%20THRU%2010A10G%20.pdf
10A10G
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A R-6
Packaging: Bulk
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 1000 V
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10A10G 10A05G%20THRU%2010A10G%20.pdf
10A10G
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 1000 V
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1N4004G-D1-3000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
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1N4004G-D1-3000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
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1N4007G-D1-3000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO41
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1N4007G-D1-3000
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO41
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Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
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Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
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1N4148WS-F2-0000HF
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Description: DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD323
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Description: DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD323
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Description: DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD523
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Description: DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD523
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58+ 0.31 EUR
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Description: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123
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Description: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123
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Description: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323
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Description: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323
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58+ 0.3 EUR
110+ 0.16 EUR
500+ 0.11 EUR
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Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
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Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
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1N5399G-D1-0000 1N5391G%20THRU%201N5399G.pdf
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Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PUR 1000V 1.5A DO204AC
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Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PUR 1000V 1.5A DO204AC
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1N5408G-D1-0000 1N5400G%20THRU%201N5408G.pdf
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Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO201AD
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Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1000V 3A DO201AD
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2500+ 0.28 EUR
6250+ 0.26 EUR
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Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41
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1N5819-D1-0001
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41
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Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 80V 150MA SOD323
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Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 80V 150MA SOD323
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48+0.37 EUR
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2N7002A-F2-0000HF 2N7002A%20Rev3.0.pdf
2N7002A-F2-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
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2N7002A-F2-0000HF 2N7002A%20Rev3.0.pdf
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Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
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Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
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2N7002-F2-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
auf Bestellung 1880 Stücke:
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Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-363
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Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-363
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2N7002KW-F2-0000HF 2N7002KW%20Rev3.0.pdf
2N7002KW-F2-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-323
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002KW-F2-0000HF 2N7002KW%20Rev3.0.pdf
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Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-323
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002W-F2-0000HF 2N7002W%20Rev3.0.pdf
2N7002W-F2-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-323
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002W-F2-0000HF 2N7002W%20Rev3.0.pdf
2N7002W-F2-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-323
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60EPS16 60EPS12_thru_60EPS16.pdf
60EPS16
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 60A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1600 V
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60EPS16-B1-0000HF 60EPS12_thru_60EPS16.pdf
60EPS16-B1-0000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 1600V 60A TO247AC
Produkt ist nicht verfügbar
ABS10-F1-3001HF ABS2%20THRU%20ABS10.pdf
ABS10-F1-3001HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 1A ABS
Produkt ist nicht verfügbar
ABS10-F1-3001HF ABS2%20THRU%20ABS10.pdf
ABS10-F1-3001HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 1A ABS
Produkt ist nicht verfügbar
ABS1506-F1-3000HF ABS1502%20THRU%20ABS1510.pdf
ABS1506-F1-3000HF
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 600V 1.5A ABS
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