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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
NSS 4 14 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 14 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 22.2mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 22.2mm
productTraceability: No
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Gewindemaß - Metrisch: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS 4 16 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 16 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 25.4mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 25.4mm
productTraceability: No
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Gewindemaß - Metrisch: -
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Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS 4 2 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 2 01 - Schraube, Flachkopfschraube, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 3.2mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 3.2mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
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Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS 4 3 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 4 3 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 4-40 UNC, Nylon 6.6, 4.8mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 4-40 UNC
Schraubenlänge: 4.8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS 8 16 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 8 16 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 8-32, Nylon 6.6, 25.4mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 8-32
Schraubenlänge: 25.4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS 8 4 01ESSENTRA COMPONENTSDescription: ESSENTRA COMPONENTS - NSS 8 4 01 - Schrauben, Flachkopfschrauben, Schraubensatz, Schlitz, 8-32, Nylon 6.6, 6.4mm Länge
tariffCode: 39269097
Gewindemaß - Imperial: 8-32
Schraubenlänge: 6.4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Schraubenkopf: Flachkopf, Schlitz
Befestigungsmaterial: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS-4-10-01EssentraScrews & Fasteners
Produkt ist nicht verfügbar
NSS-4-10-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.695" (17.65mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.18 EUR
129+ 0.14 EUR
150+ 0.12 EUR
179+ 0.099 EUR
191+ 0.092 EUR
200+ 0.088 EUR
250+ 0.079 EUR
500+ 0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 100
NSS-4-12-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.820" (20.83mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 5265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
136+ 0.13 EUR
159+ 0.11 EUR
191+ 0.092 EUR
205+ 0.086 EUR
213+ 0.083 EUR
250+ 0.074 EUR
500+ 0.07 EUR
1000+ 0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 112
NSS-4-14-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Produkt ist nicht verfügbar
NSS-4-16-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 1.070" (27.18mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 1.000" (25.40mm) 1"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 7439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
139+ 0.13 EUR
164+ 0.11 EUR
196+ 0.09 EUR
210+ 0.084 EUR
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1000+ 0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 112
NSS-4-2-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.195" (4.95mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
139+ 0.13 EUR
162+ 0.11 EUR
194+ 0.091 EUR
207+ 0.085 EUR
216+ 0.082 EUR
250+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 112
NSS-4-2-01EssentraScrews & Fasteners
Produkt ist nicht verfügbar
NSS-4-3-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
auf Bestellung 839 Stücke:
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NSS-4-4-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NSS-4-5-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.383" (9.73mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
auf Bestellung 7830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
139+ 0.13 EUR
162+ 0.11 EUR
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500+ 0.069 EUR
1000+ 0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 112
NSS-4-6-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.445" (11.30mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
Produkt ist nicht verfügbar
NSS-4-7-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.508" (12.90mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
auf Bestellung 5786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
139+ 0.13 EUR
162+ 0.11 EUR
194+ 0.091 EUR
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216+ 0.082 EUR
250+ 0.073 EUR
500+ 0.069 EUR
1000+ 0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 112
NSS-4-8-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 4-40
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #4-40
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.570" (14.48mm)
Head Height: 0.070" (1.78mm)
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.209" (5.30mm)
Drive Type: Slotted
auf Bestellung 2673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
136+ 0.13 EUR
159+ 0.11 EUR
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205+ 0.086 EUR
213+ 0.083 EUR
250+ 0.074 EUR
500+ 0.07 EUR
1000+ 0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 112
NSS-6-10-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.18 EUR
122+ 0.14 EUR
143+ 0.12 EUR
172+ 0.1 EUR
183+ 0.096 EUR
191+ 0.092 EUR
250+ 0.082 EUR
500+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 100
NSS-6-12-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
auf Bestellung 7890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NSS-6-14-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.955" (24.26mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
auf Bestellung 2881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
132+ 0.13 EUR
152+ 0.12 EUR
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250+ 0.077 EUR
500+ 0.073 EUR
1000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 112
NSS-6-16-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
auf Bestellung 9028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NSS-6-2-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.205" (5.21mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
auf Bestellung 8254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
129+ 0.14 EUR
152+ 0.12 EUR
183+ 0.096 EUR
194+ 0.091 EUR
203+ 0.087 EUR
250+ 0.077 EUR
500+ 0.074 EUR
1000+ 0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 112
NSS-6-3-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
auf Bestellung 9185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NSS-6-4-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.330" (8.38mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.250" (6.35mm) 1/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NSS-6-5-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.393" (9.98mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
Produkt ist nicht verfügbar
NSS-6-6-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.455" (11.56mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
auf Bestellung 7772 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
132+ 0.13 EUR
152+ 0.12 EUR
184+ 0.096 EUR
196+ 0.09 EUR
205+ 0.086 EUR
250+ 0.077 EUR
500+ 0.073 EUR
1000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 112
NSS-6-7-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
auf Bestellung 9900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NSS-6-8-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 6-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #6-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.580" (14.73mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.272" (6.90mm)
Drive Type: Slotted
auf Bestellung 9700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
132+ 0.13 EUR
152+ 0.12 EUR
184+ 0.096 EUR
196+ 0.09 EUR
205+ 0.086 EUR
250+ 0.077 EUR
500+ 0.073 EUR
1000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 112
NSS-8-10-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.705" (17.91mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.625" (15.88mm) 5/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
129+ 0.14 EUR
150+ 0.12 EUR
178+ 0.099 EUR
188+ 0.094 EUR
197+ 0.089 EUR
250+ 0.08 EUR
500+ 0.076 EUR
1000+ 0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 112
NSS-8-12-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.830" (21.08mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.750" (19.05mm) 3/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 2822 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
129+ 0.14 EUR
150+ 0.12 EUR
178+ 0.099 EUR
188+ 0.094 EUR
197+ 0.089 EUR
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Mindestbestellmenge: 112
NSS-8-14-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.955" (24.26mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.875" (22.23mm) 7/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Produkt ist nicht verfügbar
NSS-8-16-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
auf Bestellung 9515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NSS-8-2-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.205" (5.21mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.125" (3.18mm) 1/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
auf Bestellung 9688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
132+ 0.13 EUR
152+ 0.12 EUR
182+ 0.097 EUR
193+ 0.092 EUR
202+ 0.087 EUR
250+ 0.078 EUR
500+ 0.074 EUR
1000+ 0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 112
NSS-8-2-01EssentraScrews & Fasteners
Produkt ist nicht verfügbar
NSS-8-3-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.267" (6.78mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.188" (4.78mm) 3/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NSS-8-4-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.330" (8.38mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.250" (6.35mm) 1/4"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 9245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.18 EUR
120+ 0.15 EUR
139+ 0.13 EUR
166+ 0.11 EUR
177+ 0.1 EUR
185+ 0.096 EUR
250+ 0.085 EUR
500+ 0.081 EUR
1000+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 100
NSS-8-5-01EssentraScrews & Fasteners
Produkt ist nicht verfügbar
NSS-8-5-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.393" (9.98mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.313" (7.95mm) 5/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
auf Bestellung 7181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
129+ 0.14 EUR
152+ 0.12 EUR
180+ 0.098 EUR
191+ 0.092 EUR
200+ 0.088 EUR
250+ 0.078 EUR
500+ 0.075 EUR
1000+ 0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 112
NSS-8-6-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.455" (11.56mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.375" (9.53mm) 3/8"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
132+ 0.13 EUR
152+ 0.12 EUR
182+ 0.097 EUR
193+ 0.092 EUR
202+ 0.087 EUR
250+ 0.078 EUR
500+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 112
NSS-8-6-01EssentraScrews & Fasteners
Produkt ist nicht verfügbar
NSS-8-7-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.518" (13.16mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.438" (11.13mm) 7/16"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NSS-8-8-01Essentra ComponentsDescription: MACH SCREW PAN HEAD SLOTTED 8-32
Packaging: Bulk
Material: Nylon
Thread Size: #8-32
Type: Machine Screw
Length - Overall: 0.580" (14.73mm)
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Length - Below Head: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Screw Head Type: Pan Head
Head Diameter: 0.319" (8.10mm)
Drive Type: Slotted
auf Bestellung 2472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
129+ 0.14 EUR
150+ 0.12 EUR
178+ 0.099 EUR
188+ 0.094 EUR
197+ 0.089 EUR
250+ 0.08 EUR
500+ 0.076 EUR
1000+ 0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 112
NSS-G16D2Tripp LiteDescription: NETWORK SWITCH-MANAGED 18 PORT
auf Bestellung 62 Stücke:
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NSS-G24D2Tripp LiteEthernet Modules 24PortGB ManagSwitch L2 w/12-Out PDU
Produkt ist nicht verfügbar
NSS-G24D2Tripp LiteDescription: NETWORK SWITCH-MANAGED 26 PORT
auf Bestellung 47 Stücke:
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NSS-G24D2P24Tripp LiteDescription: NETWORK SWITCH-MANAGED 26 PORT
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NSS-G24D2P24Tripp LiteEthernet Modules 24PortGB ManagSwitch L2 PoE+w/12-Out PDU
Produkt ist nicht verfügbar
NSS1020010 SOT-23
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS10200
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS12100M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 410mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSS12100M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS12100M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V LOW VSAT SOT723 PNP
auf Bestellung 12222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.72 EUR
10+ 0.62 EUR
100+ 0.48 EUR
500+ 0.41 EUR
1000+ 0.34 EUR
2500+ 0.33 EUR
8000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NSS12100M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS12100M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 410mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 7990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.09 EUR
20+ 0.93 EUR
100+ 0.69 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.42 EUR
2000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NSS12100M3T5GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 625mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
563+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 563
NSS12100UW3TCGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS12100UW3TCGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
184+0.85 EUR
222+ 0.68 EUR
224+ 0.65 EUR
305+ 0.46 EUR
308+ 0.44 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 184
NSS12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS12100UW3TCGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS12100UW3TCG
auf Bestellung 9350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS12100UW3TCGonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 740 mW
auf Bestellung 5225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.97 EUR
22+ 0.83 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NSS12100UW3TCGonsemiBipolar Transistors - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3
auf Bestellung 3415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.01 EUR
10+ 0.86 EUR
100+ 0.65 EUR
500+ 0.52 EUR
1000+ 0.4 EUR
3000+ 0.35 EUR
9000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NSS12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 12172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
30+ 0.59 EUR
100+ 0.41 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.26 EUR
2000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NSS12100XV6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 1760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+0.66 EUR
280+ 0.54 EUR
302+ 0.48 EUR
462+ 0.3 EUR
486+ 0.28 EUR
512+ 0.25 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 238
NSS12100XV6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1A; 0.65W; SOT563
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.65W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+0.5 EUR
221+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 142
NSS12100XV6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1A; 0.65W; SOT563
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.65W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
142+0.5 EUR
221+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 142
NSS12100XV6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.23 EUR
8000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSS12100XV6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 2275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+ 0.52 EUR
100+ 0.38 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NSS12100XV6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS12100XV6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 1A 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS12200
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS12200LT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2601 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS12200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 3217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+ 0.55 EUR
100+ 0.3 EUR
1000+ 0.26 EUR
3000+ 0.2 EUR
9000+ 0.18 EUR
24000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NSS12200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
227+0.69 EUR
279+ 0.54 EUR
320+ 0.45 EUR
413+ 0.34 EUR
423+ 0.32 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.27 EUR
3000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 227
NSS12200LT1GON10+ROHS SOT-23
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS12200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
Produkt ist nicht verfügbar
NSS12200LT1G
Produktcode: 113923		Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
NSS12200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS12200WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 650mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS12200WT1GONSOT363
auf Bestellung 2685 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS12200WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NSS12200WT1GON07+;
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS12200WT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 12V Low VCEsat
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.77 EUR
10+ 0.63 EUR
100+ 0.43 EUR
500+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NSS12200WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 2A SC88/SC70-6
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS12200WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 2A 650mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS12201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS12201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS12201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS12201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 4.0A
auf Bestellung 146049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.74 EUR
10+ 0.58 EUR
100+ 0.33 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.19 EUR
9000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NSS12201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS12201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 28745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
31+ 0.58 EUR
100+ 0.35 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NSS12201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS12201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS12201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS12201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+ 0.19 EUR
9000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS12201LT1HonsemiBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
NSS12500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS12500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS12500UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR
auf Bestellung 3044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.51 EUR
10+ 1.3 EUR
100+ 0.9 EUR
500+ 0.76 EUR
1000+ 0.64 EUR
3000+ 0.57 EUR
6000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NSS12500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 3135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.71 EUR
12+ 1.49 EUR
100+ 1.15 EUR
500+ 0.91 EUR
1000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NSS12500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS12500UW3T2G
auf Bestellung 647 Stücke:
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NSS12501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 12V 7.0A
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2+1.51 EUR
10+ 1.3 EUR
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3000+ 0.56 EUR
6000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NSS12501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSS12501UW3T2G
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NSS12501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
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NSS12501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 1992 Stücke:
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11+1.6 EUR
13+ 1.44 EUR
100+ 1.12 EUR
500+ 0.93 EUR
1000+ 0.73 EUR
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NSS12600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 12V 5A CHIPFET
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1603+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1603
NSS12600CF8T1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 12V 5A CHIPFET
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NSS12601CF8T1GON Semiconductor
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NSS12601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
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NSS12601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
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13+1.39 EUR
15+ 1.2 EUR
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500+ 0.69 EUR
1000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NSS12601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 12V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 830 mW
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3000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS12601CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT HEX SCHMITT TRIGGER INVERTOR
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NSS13-LC-V-T/RDiptronicsSlide Switches Slide Type 1P3T
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NSS13-RC-V-T/RDiptronicsSlide Switches SLIDE SWITCH 1P3T
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NSS1C200LonsemiBipolar Transistors - BJT 100V PNP LOW VCE(SAT) TRA
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NSS1C200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP
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4+0.72 EUR
10+ 0.6 EUR
100+ 0.42 EUR
500+ 0.33 EUR
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3000+ 0.22 EUR
9000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NSS1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
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171+0.92 EUR
206+ 0.73 EUR
215+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 171
NSS1C200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
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23+0.79 EUR
26+ 0.68 EUR
100+ 0.47 EUR
500+ 0.37 EUR
1000+ 0.3 EUR
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NSS1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
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215+0.73 EUR
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NSS1C200LT1GON Semiconductor
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NSS1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
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NSS1C200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS1C200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
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NSS1C200MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 2
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.4 EUR
2000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
NSS1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS1C200MZ4T1GON Semiconductor
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NSS1C200MZ4T1GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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NSS1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+0.82 EUR
242+ 0.62 EUR
250+ 0.6 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 191
NSS1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS1C200MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 150
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS1C200MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 6069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.06 EUR
20+ 0.9 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NSS1C200MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 118-122 Tag (e)
3+1.01 EUR
10+ 0.89 EUR
100+ 0.69 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.44 EUR
2000+ 0.38 EUR
10000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NSS1C200MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.94 EUR
189+ 0.8 EUR
191+ 0.76 EUR
242+ 0.58 EUR
250+ 0.55 EUR
500+ 0.41 EUR
1000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 167
NSS1C200MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 101694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1596+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1596
NSS1C200MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP BIP POWER TRAN SOT223
auf Bestellung 4440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1 EUR
10+ 0.87 EUR
100+ 0.61 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.34 EUR
8000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NSS1C200MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS1C200MZT1G
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS1C201LonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 100V SOT23 LOW V-SAT
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NSS1C201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23
auf Bestellung 114449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.77 EUR
10+ 0.61 EUR
100+ 0.33 EUR
1000+ 0.26 EUR
3000+ 0.2 EUR
24000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS1C201LT1G
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
auf Bestellung 21803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.81 EUR
28+ 0.64 EUR
100+ 0.38 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 22
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+0.68 EUR
301+ 0.5 EUR
304+ 0.48 EUR
393+ 0.36 EUR
397+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 231
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS1C201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.22 EUR
6000+ 0.21 EUR
9000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS1C201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS1C201MZ4onsemiBipolar Transistors - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRA
Produkt ist nicht verfügbar
NSS1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.4 EUR
2000+ 0.36 EUR
5000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
NSS1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS1C201MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS1C201MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100V, NPN Low VCE Trans.
auf Bestellung 6533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+ 1.14 EUR
100+ 0.87 EUR
500+ 0.69 EUR
1000+ 0.55 EUR
2000+ 0.5 EUR
10000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NSS1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS1C201MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C201MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS1C201MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 9388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.07 EUR
20+ 0.91 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NSS1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS1C201MZ4T1GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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NSS1C201MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS1C201MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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186+0.84 EUR
211+ 0.71 EUR
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276+ 0.51 EUR
280+ 0.48 EUR
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NSS1C201MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
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NSS1C201MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA NPN
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500+ 0.52 EUR
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8000+ 0.32 EUR
24000+ 0.3 EUR
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NSS1C201MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS1C201MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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276+ 0.55 EUR
280+ 0.52 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.29 EUR
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NSS1C201MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS1C201MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 5938 Stücke:
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19+0.93 EUR
23+ 0.79 EUR
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500+ 0.43 EUR
1000+ 0.35 EUR
2000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NSS1C300ET4GON Semiconductor
auf Bestellung 1863 Stücke:
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NSS1C300ET4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 28589 Stücke:
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13+1.41 EUR
16+ 1.15 EUR
100+ 0.9 EUR
500+ 0.76 EUR
1000+ 0.62 EUR
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NSS1C300ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT 100 V, 3 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
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2+1.41 EUR
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2500+ 0.59 EUR
5000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NSS1C300ET4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS1C300ET4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS1C300ET4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 33
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
NSS1C300ET4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.58 EUR
5000+ 0.56 EUR
12500+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NSS1C300ET4GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
NSS1C301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.5 EUR
15+ 1.22 EUR
100+ 0.95 EUR
500+ 0.81 EUR
1000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NSS1C301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
NSS1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 4422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.06 EUR
20+ 0.92 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NSS1C301ET4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.09 EUR
167+ 0.91 EUR
175+ 0.83 EUR
219+ 0.64 EUR
250+ 0.61 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 144
NSS1C301ET4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor
auf Bestellung 8712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.05 EUR
10+ 0.81 EUR
100+ 0.62 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.45 EUR
2500+ 0.4 EUR
5000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NSS1C301ET4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NSS1C301ET4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS1C301ET4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS200-50NAE
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS20101JT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20101JT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 1 A, 255 mW, SC-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20101JT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+ 0.099 EUR
9000+ 0.082 EUR
30000+ 0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1048+0.15 EUR
1058+ 0.14 EUR
1780+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 1048
NSS20101JT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
auf Bestellung 2374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+ 0.43 EUR
100+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.097 EUR
9000+ 0.083 EUR
24000+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NSS20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
393+0.4 EUR
510+ 0.3 EUR
514+ 0.28 EUR
1048+ 0.13 EUR
1068+ 0.12 EUR
1780+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 393
NSS20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20101JT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 1A SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 43804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
41+ 0.43 EUR
100+ 0.21 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NSS20101JT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 300mW 3-Pin SC-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20200DMTTBGON SemiconductorDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20200DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 4620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.57 EUR
10+ 0.45 EUR
100+ 0.25 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
333+0.47 EUR
486+ 0.31 EUR
492+ 0.3 EUR
690+ 0.2 EUR
1000+ 0.16 EUR
3000+ 0.15 EUR
6000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 333
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 21276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.56 EUR
40+ 0.45 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32
NSS20200LT1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.59 EUR
330+ 0.46 EUR
333+ 0.44 EUR
486+ 0.29 EUR
492+ 0.27 EUR
690+ 0.19 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.14 EUR
6000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 265
NSS20200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.16 EUR
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NSS20200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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NSS20200LT1G 4A/20VONSOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
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NSS20200W6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 555 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20200W6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20200W6T1G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 20185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS20200W6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 555 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20200W6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 2A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 555 mW
auf Bestellung 20185 Stücke:
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1480+0.33 EUR
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NSS20201DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20201DMTTBGON SemiconductorDescription: TRANS PNP 20V 2A 6WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT Low VCE(sat) Transistor, NPN, 20 V, 4.0 A
auf Bestellung 363 Stücke:
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5+0.65 EUR
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NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 44277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2968+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2968
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS20201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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NSS20201LT1GON
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS20201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 44277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS20201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS20201MR6T1GON Semiconductor
auf Bestellung 4740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS20201MR6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20201MR6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 46370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS20201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.95 EUR
22+ 0.82 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NSS20201MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 20V Low VCEsat
auf Bestellung 2268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.01 EUR
10+ 0.89 EUR
100+ 0.68 EUR
500+ 0.54 EUR
1000+ 0.43 EUR
3000+ 0.39 EUR
6000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NSS20201MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 2A 780mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20300MR
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS20300MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20300MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 545 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS20300MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 20V Low VCEsat
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.91 EUR
10+ 0.78 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.35 EUR
3000+ 0.32 EUR
6000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NSS20300MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20300MR6T1GON Semiconductor
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS20300MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 3A 106000mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20300MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 545 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.9 EUR
23+ 0.78 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 20
NSS20500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.06 EUR
20+ 0.9 EUR
100+ 0.67 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NSS20500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20500UW3T2GON08NOPB
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS20500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20500UW3T2GONWDFN3
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS20500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS20500UW3T2GON09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS20500UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 4094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+ 0.79 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.43 EUR
1000+ 0.32 EUR
3000+ 0.29 EUR
9000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NSS20500UW3T2GON Semiconductor
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS20500UW3TBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.06 EUR
20+ 0.9 EUR
100+ 0.67 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NSS20500UW3TBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 7929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+ 0.79 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.43 EUR
1000+ 0.35 EUR
3000+ 0.3 EUR
9000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NSS20500UW3TBGonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A 3WDFN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS20500UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20500UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 3000mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 20V 7.0A
auf Bestellung 118007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.7 EUR
10+ 0.61 EUR
100+ 0.46 EUR
500+ 0.39 EUR
1000+ 0.33 EUR
3000+ 0.3 EUR
9000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.4 EUR
6000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS20501UW3T2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS20501UW3T2G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 1.5 W, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 25915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1 EUR
21+ 0.86 EUR
100+ 0.59 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 5987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.87 EUR
240+ 0.63 EUR
250+ 0.61 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.33 EUR
3000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 180
NSS20501UW3T2G
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.34 EUR
9000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
NSS20501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.34 EUR
6000+ 0.32 EUR
9000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS20501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 5987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+1.04 EUR
178+ 0.85 EUR
180+ 0.81 EUR
240+ 0.58 EUR
250+ 0.56 EUR
500+ 0.43 EUR
1000+ 0.3 EUR
3000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 151
NSS20501UW3TBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20501UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20501UW3TBGonsemiDescription: TRANS NPN 20V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.97 EUR
22+ 0.83 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.45 EUR
1000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NSS20501UW3TBGonsemiBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.98 EUR
10+ 0.84 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.38 EUR
3000+ 0.32 EUR
9000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NSS20501UW3TBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 20V 6A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1480+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
NSS20601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20601CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT OCTAL BUS TRANSCEIVR
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+ 1.49 EUR
100+ 1.24 EUR
500+ 0.97 EUR
1000+ 0.78 EUR
3000+ 0.74 EUR
6000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NSS20601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW
auf Bestellung 261065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.72 EUR
13+ 1.4 EUR
100+ 1.09 EUR
500+ 0.93 EUR
1000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NSS20601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS20601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 20V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 830 mW
auf Bestellung 261000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.71 EUR
6000+ 0.68 EUR
9000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS3-BKEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385"
Packaging: Bulk
Color: Black
Voltage Rating: 600V
Current Rating (Amps): 30A
Pitch: 0.385" (9.77mm)
Number of Rows: 2 (Raised, Staggered)
Terminal Block Type: Barrier Block
Top Termination: Screws with Captive Plate
Bottom Termination: Closed
Barrier Type: 2 Wall (Dual)
Number of Circuits: 3
Number of Wire Entries: 6
Produkt ist nicht verfügbar
NSS3-BKBussmann / EatonLabels & Industrial Warning Signs BLOCK NYLON NSS3
Produkt ist nicht verfügbar
NSS3-WHBussmann / EatonDIN Rail Terminal Blocks TERM BLOCK WHITE
Produkt ist nicht verfügbar
NSS3-WHEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: CONN BARRIER STRIP 3CIRC 0.385"
Packaging: Bulk
Color: White
Voltage Rating: 600V
Current Rating (Amps): 30A
Pitch: 0.385" (9.77mm)
Number of Rows: 2 (Raised, Staggered)
Terminal Block Type: Barrier Block
Top Termination: Screws with Captive Plate
Bottom Termination: Closed
Barrier Type: 2 Wall (Dual)
Number of Circuits: 3
Number of Wire Entries: 6
Produkt ist nicht verfügbar
NSS30070MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS30070MR6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
Produkt ist nicht verfügbar
NSS30070MR6T1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS30070MR6T1GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 0.7A SC74-6
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS30070MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 0.7A SC74
auf Bestellung 251013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1948+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1948
NSS30071MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.7A SC74
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.86 EUR
25+ 0.73 EUR
100+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 21
NSS30071MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
auf Bestellung 2591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.7 EUR
10+ 0.61 EUR
100+ 0.45 EUR
500+ 0.34 EUR
1000+ 0.32 EUR
3000+ 0.26 EUR
9000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NSS30071MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS30071MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.7A SC74
Produkt ist nicht verfügbar
NSS30071MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS30071MR6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 700mA 30V Low VCEsat
auf Bestellung 3631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NSS30071MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW Automotive 6-Pin SC-74 T/R
auf Bestellung 556 Stücke:
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NSS30071MR6T1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
409+0.38 EUR
620+ 0.24 EUR
627+ 0.23 EUR
633+ 0.22 EUR
1092+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 409
NSS30100LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
auf Bestellung 272679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
34+ 0.53 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS30100LT1GON09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS30100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS30100LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
auf Bestellung 270000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
9000+ 0.16 EUR
75000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS30100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30100LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS30100LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat
auf Bestellung 3537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+ 0.49 EUR
100+ 0.29 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.18 EUR
9000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NSS30100LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.54 EUR
347+ 0.43 EUR
409+ 0.36 EUR
620+ 0.23 EUR
627+ 0.21 EUR
633+ 0.2 EUR
1092+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 291
NSS30100LT1GONSOT23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS30100LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30100LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 315927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS30101LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
auf Bestellung 7183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
34+ 0.53 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.29 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NSS30101LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 30V Low VCEsat
auf Bestellung 20829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+ 0.5 EUR
100+ 0.27 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.16 EUR
24000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NSS30101LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 0.71W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.71W
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Current gain: 900
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NSS30101LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS30101LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
380+0.41 EUR
397+ 0.38 EUR
401+ 0.36 EUR
623+ 0.22 EUR
650+ 0.21 EUR
694+ 0.18 EUR
1061+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 380
NSS30101LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS30101LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 1A 710mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS30101LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 0.71W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Frequency: 100MHz
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.71W
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Current gain: 900
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Produkt ist nicht verfügbar
NSS30201MR6T1
auf Bestellung 33500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS30201MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 30V Low VCEsat
auf Bestellung 3505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.05 EUR
10+ 0.9 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.4 EUR
3000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NSS30201MR6T1GON09+
auf Bestellung 6751 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS30201MR6T1GON Semiconductor
auf Bestellung 2236 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS30201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
auf Bestellung 53665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.84 EUR
24+ 0.73 EUR
100+ 0.51 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 21
NSS30201MR6T1GON07NOPB
auf Bestellung 6683 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS30201MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 1180mW 6-Pin TSOP T/R
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NSS30201MR6T1GONTSOP-6 0719+
auf Bestellung 1135 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS30201MR6T1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+ 0.27 EUR
9000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS35200CF8T1
auf Bestellung 12814 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS35200CF8T1GSanyoDescription: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
726+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 726
NSS35200CF8T1GONSSOP8
auf Bestellung 18000 Stücke:
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NSS35200CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 13500mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
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NSS35200CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 13500mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
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NSS35200CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat
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NSS35200CF8T1GON09+
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NSS35200CF8T1GON Semiconductor
auf Bestellung 1790 Stücke:
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NSS35200CF8TIGonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW
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NSS35200MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R
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NSS35200MR6T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat
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3+0.98 EUR
10+ 0.84 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.38 EUR
3000+ 0.33 EUR
9000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NSS35200MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS35200MR6T1GON07+;
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NSS35200MR6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 35V 2A 1000mW 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 688 Stücke:
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NSS35200MR6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 3547 Stücke:
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19+0.95 EUR
22+ 0.81 EUR
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500+ 0.44 EUR
1000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NSS3CS-WHEaton BussmannDescription: TERM BLOCK W/COMBO SCREW
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NSS3CS-WHBussmann / EatonDIN Rail Terminal Blocks TB W/COMBO SCREW
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NSS3PP-WHBussmann / EatonDIN Rail Terminal Blocks TERM BLK W PP WHITE
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NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
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NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 185708 Stücke:
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317+0.49 EUR
395+ 0.38 EUR
711+ 0.2 EUR
1045+ 0.13 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.094 EUR
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NSS40200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR
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5+0.59 EUR
10+ 0.46 EUR
100+ 0.26 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NSS40200LT1GON
auf Bestellung 30000 Stücke:
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NSS40200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.16 EUR
6000+ 0.15 EUR
9000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS40200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
9000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS40200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 16750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
39+ 0.46 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 31
NSS40200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS40200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
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NSS40200UW6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
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NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
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NSS40200UW6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR
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NSS40200UW6T1GON Semiconductor
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS40200UW6T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40200UW6T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 219202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1045+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1045
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 67851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
32+ 0.55 EUR
100+ 0.33 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 316
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V NPN TRANSISTOR 40V 4.0A
auf Bestellung 260689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.7 EUR
10+ 0.42 EUR
100+ 0.3 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.18 EUR
9000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NSS40201LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
265+0.27 EUR
315+ 0.23 EUR
390+ 0.18 EUR
415+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 265
NSS40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.64 EUR
314+ 0.48 EUR
316+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 243
NSS40201LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.27 EUR
315+ 0.23 EUR
390+ 0.18 EUR
415+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 265
NSS40201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+ 0.18 EUR
9000+ 0.17 EUR
30000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS40201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS40201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS40300onsemionsemi PNP SOT223 BIP POWER TRAN
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40300DDR2ONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300DDR2 - TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS40300DDR2onsemiDescription: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1158+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1158
NSS40300DDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.57 EUR
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NSS40300DDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP
auf Bestellung 1007 Stücke:
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2+1.46 EUR
10+ 1.26 EUR
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500+ 0.74 EUR
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2500+ 0.56 EUR
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NSS40300DDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
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NSS40300DDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40300DDR2GON Semiconductor
auf Bestellung 398 Stücke:
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NSS40300DDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 6687 Stücke:
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12+1.5 EUR
14+ 1.29 EUR
100+ 0.9 EUR
500+ 0.75 EUR
1000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NSS40300MDG
auf Bestellung 5388 Stücke:
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NSS40300MDR2GON Semiconductor
auf Bestellung 355 Stücke:
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NSS40300MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
auf Bestellung 241 Stücke:
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2+1.49 EUR
10+ 1.31 EUR
100+ 0.91 EUR
500+ 0.76 EUR
1000+ 0.64 EUR
2500+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NSS40300MDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 15525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.5 EUR
14+ 1.3 EUR
100+ 0.9 EUR
500+ 0.75 EUR
1000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NSS40300MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40300MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40300MDR2GonsemiDescription: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.57 EUR
5000+ 0.54 EUR
12500+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NSS40300MZ4onsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40300MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3400 Stücke:
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198+0.79 EUR
256+ 0.59 EUR
259+ 0.56 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.28 EUR
3000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 198
NSS40300MZ4T1GON Semiconductor
auf Bestellung 31720 Stücke:
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NSS40300MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A
auf Bestellung 2419 Stücke:
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4+0.87 EUR
10+ 0.75 EUR
100+ 0.54 EUR
500+ 0.43 EUR
1000+ 0.35 EUR
2000+ 0.31 EUR
10000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NSS40300MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 2232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.97 EUR
22+ 0.84 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+0.91 EUR
197+ 0.77 EUR
198+ 0.73 EUR
256+ 0.55 EUR
259+ 0.52 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 172
NSS40300MZ4T1GON
auf Bestellung 41500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS40300MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.37 EUR
2000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
NSS40300MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40300MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 55786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.83 EUR
26+ 0.7 EUR
100+ 0.49 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.31 EUR
2000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 22
NSS40300MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40300MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40300MZ4T3G
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS40300MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+ 0.71 EUR
100+ 0.53 EUR
500+ 0.42 EUR
1000+ 0.29 EUR
8000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NSS40300MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.28 EUR
8000+ 0.26 EUR
12000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSS40300UT001
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS40301MDG
auf Bestellung 5388 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS40301MDR2GonsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40301MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40301MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40301MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
auf Bestellung 22680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+ 1.01 EUR
100+ 0.8 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.64 EUR
2500+ 0.55 EUR
5000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NSS40301MDR2G
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS40301MDR2GonsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 2527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.5 EUR
14+ 1.3 EUR
100+ 0.9 EUR
500+ 0.75 EUR
1000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NSS40301MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP
auf Bestellung 9714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+ 0.55 EUR
100+ 0.42 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.3 EUR
2000+ 0.27 EUR
10000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
NSS40301MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.33 EUR
2000+ 0.29 EUR
5000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
NSS40301MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
344+0.45 EUR
364+ 0.41 EUR
368+ 0.39 EUR
408+ 0.34 EUR
420+ 0.32 EUR
500+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 344
NSS40301MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
368+0.43 EUR
408+ 0.37 EUR
420+ 0.35 EUR
500+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 368
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40301MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 7809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.86 EUR
24+ 0.74 EUR
100+ 0.51 EUR
500+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
NSS40301MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.86 EUR
24+ 0.74 EUR
100+ 0.51 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 21
NSS40301MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40301MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40301MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40301MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP SOT223
auf Bestellung 1841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+ 0.75 EUR
100+ 0.56 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.31 EUR
4000+ 0.3 EUR
8000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NSS40301UT001
auf Bestellung 8000 Stücke:
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NSS40302PDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A
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2+1.99 EUR
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NSS40302PDR2GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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9+2.01 EUR
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500+ 1.08 EUR
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NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
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NSS40302PDR2GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
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NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
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NSS40400CF8T1G
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NSS40400CF8T1GonsemiDescription: LOW VCES 40V SS XTR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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1603+0.31 EUR
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NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
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NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
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NSS40500UW3T2G
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NSS40500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
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NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
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NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS40500UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR
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4+0.92 EUR
10+ 0.78 EUR
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500+ 0.45 EUR
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3000+ 0.31 EUR
9000+ 0.29 EUR
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NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
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NSS40500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
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21+ 0.86 EUR
100+ 0.59 EUR
500+ 0.46 EUR
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NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
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162+0.93 EUR
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500+ 0.66 EUR
1000+ 0.55 EUR
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NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
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NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
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154+1.02 EUR
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185+ 0.75 EUR
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NSS40501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT QUAD 2-INPUT OR GATE
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3000+ 0.54 EUR
6000+ 0.52 EUR
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NSS40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.58 EUR
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NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
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NSS40600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
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11+1.69 EUR
13+ 1.38 EUR
100+ 1.07 EUR
500+ 0.91 EUR
1000+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 11
NSS40600CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 6A 1400mW 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
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NSS40600CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 6A 1400mW 8-Pin Chip FET T/R
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NSS40600CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LOW VCES 40V PNP
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2+1.75 EUR
10+ 1.56 EUR
100+ 1.22 EUR
500+ 1.01 EUR
1000+ 0.8 EUR
3000+ 0.68 EUR
24000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NSS40601CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 6A 1400mW Automotive 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS40601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
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NSS40601CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT HEX UNBUFFED INVERTR
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2+1.69 EUR
10+ 1.52 EUR
100+ 1.19 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.78 EUR
3000+ 0.72 EUR
9000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NSS40601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
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NSS43400MZ4T3G
auf Bestellung 1556 Stücke:
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NSS4532-200-F
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS504-012N-CAEG1T??
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS504-012N-CFED1B
auf Bestellung 7600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS507-212F-GAAG1TMISAKI07+
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS5E472J
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60100DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60100DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
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NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60100DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 5433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.02 EUR
20+ 0.88 EUR
100+ 0.61 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60101DMR6T1GonsemiDescription: NSS60101DMR6T1G - 60 V, 1 A, LOW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60101DMR6T1GON Semiconductor60 V, 1 A NPN Bipolar Junction Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60101DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60101DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 2730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.04 EUR
20+ 0.89 EUR
100+ 0.62 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 17
NSS60101DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60101DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.03 EUR
10+ 0.9 EUR
100+ 0.67 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.41 EUR
3000+ 0.37 EUR
9000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NSS60101DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60200DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60200DMTTBGON SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 2A LOWVCES AT PNP
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60200DMTTBGON SemiconductorPNP Bipolar Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 11950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
33+ 0.54 EUR
100+ 0.32 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 26
NSS60200LT1G
Produktcode: 121380		Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+ 0.18 EUR
9000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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NSS60200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
auf Bestellung 1883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.7 EUR
10+ 0.42 EUR
100+ 0.3 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.18 EUR
9000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NSS60200SMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.92 EUR
23+ 0.78 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.43 EUR
1000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 20
NSS60200SMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
6000+ 0.29 EUR
9000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS60200SMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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4+0.93 EUR
10+ 0.8 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.43 EUR
1000+ 0.34 EUR
3000+ 0.32 EUR
9000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NSS60200SMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
auf Bestellung 3909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1610+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1610
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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NSS60201LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 2A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Current gain: 100...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
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NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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NSS60201LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR
auf Bestellung 8995 Stücke:
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10+ 0.64 EUR
100+ 0.36 EUR
1000+ 0.24 EUR
3000+ 0.21 EUR
9000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
NSS60201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 26768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.83 EUR
28+ 0.64 EUR
100+ 0.38 EUR
500+ 0.36 EUR
1000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 22
NSS60201LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
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NSS60201LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 2A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Current gain: 100...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NSS60201LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60201LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.22 EUR
6000+ 0.21 EUR
9000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS60201SMTTBGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.92 EUR
23+ 0.78 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.43 EUR
1000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 20
NSS60201SMTTBGON Semiconductor60 V, 2 A, Low VCE(sat) NPN Transistor
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NSS60201SMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT 60V SINGLE 2A LOWVC E(SAT)
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60201SMTTBGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSS60600onsemionsemi SOT223 PNP LOW VCE(SAT)
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60600MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.37 EUR
2000+ 0.33 EUR
5000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
NSS60600MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 70hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS60600MZ4T1GON10+
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.33 EUR
2000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
NSS60600MZ4T1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 10813 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.97 EUR
22+ 0.84 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NSS60600MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60600MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 6 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.33 EUR
2000+ 0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
NSS60600MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
auf Bestellung 2972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.97 EUR
10+ 0.84 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.38 EUR
2000+ 0.35 EUR
10000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NSS60600MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60600MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSS60600MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
auf Bestellung 19883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.98 EUR
10+ 0.85 EUR
100+ 0.64 EUR
500+ 0.5 EUR
1000+ 0.36 EUR
4000+ 0.33 EUR
8000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60600MZ4T3G
auf Bestellung 3340 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
NSS60600MZ4T3GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 7915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.02 EUR
21+ 0.86 EUR
100+ 0.6 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.38 EUR
2000+ 0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 18
NSS60600MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS60601MZ4onsemionsemi NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
Produkt ist nicht verfügbar
NSS60601MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 17999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+0.72 EUR
296+ 0.51 EUR
299+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 216
NSS60601MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSS60601MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 17000 Stücke:
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NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS60601MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
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NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS60601MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60601MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 60 V, 6 A, 710 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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NSS60601MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS60601MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
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19+0.95 EUR
22+ 0.82 EUR
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NSS60601MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT 60V/6A LOW VCE(SAT) NPN
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2000+ 0.38 EUR
4000+ 0.35 EUR
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NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS60601MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
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NSS60601MZ4T3G
Produktcode: 173995		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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NSS60601MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NSS6GEEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: RAIL MOUNTED TERM. BLOCK
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NSS6GEBussmann / EatonLabels and Industrial Warning Signs RAIL MOUNTED TERM. BLOCK
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NSSB064T
Produktcode: 170623		LEDs > LEDs sichtbare Spektrum SMD
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NSSB1001LT1onsemiDescription: SS BRT
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
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4438+0.12 EUR
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NSSB1001LT1
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NSSC-1NeutrikAC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap D for powerCON receptacles
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1+11.74 EUR
10+ 11.19 EUR
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2500+ 8.55 EUR
NSSC-1NEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: SEALING SELF-CLOSING CAP D
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NSSC-1NEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: SEALING SELF-CLOSING CAP D
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NSSC-2NeutrikAC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap D for powerCON receptacle
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1+11.28 EUR
10+ 10.52 EUR
260+ 9.12 EUR
1000+ 8.06 EUR
2500+ 8.03 EUR
5000+ 7.92 EUR
10000+ 7.87 EUR
NSSC-2NEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: SEALING SELF-CLOSING CAP FPX
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NSSC-2NEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: SEALING SELF-CLOSING CAP FPX
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NSSC-2NeutrikpowerCON Self-closing cap for NAC3FPX-TOP
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NSSC-3NEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: SEALING SELF-CLOSING CAP PX
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NSSC-3NeutrikAC Power Plugs & Receptacles Sealing self-closing cap PX for powerCON receptacle
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1+22.3 EUR
10+ 16.12 EUR
100+ 16.1 EUR
260+ 15.66 EUR
500+ 15.12 EUR
1000+ 14.64 EUR
2500+ 14.61 EUR
NSSC-3NEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: SEALING SELF-CLOSING CAP PX
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NSSL100T
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NSSM009T
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NSSM016AT
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NSSM227T
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NSSM440TVRT
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NSSR426CT
auf Bestellung 400 Stücke:
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NSSS-50GDigi InternationalDescription: NET+WORKS SUPPORT ADD'L SEAT
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NSSS-50TDigi InternationalDescription: NET+WORKS SUPPORT W/ONE SEAT
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NSSS-7520GDigi InternationalDescription: NET+WORKS SUPPORT UNLIM SEAT
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NSSS-7520TDigi InternationalDescription: NET+WORKS SUPPORT 1SEAT NS7520
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NSSS-9360GDigi InternationalDescription: NETWORKS SUPPORT UNL SEAT NS9360
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NSSS-9360TDigi InternationalDescription: NET+WORKS MULTI UNL SEAT NS9360
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NSSS-9750GDigi InternationalDescription: NETWORKS SUPPORT UNL SEAT NS9750
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NSSS-9750TDigi InternationalDescription: NET+WORKS MULTI ONE SEAT NS9750
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NSSS-GHSDigi InternationalDescription: NETWORKS MULTI SUPPORT ADDL SEAT
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NSSW004T
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NSSW004TENICHIA09+
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NSSW006TNICHIA
auf Bestellung 10000 Stücke:
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NSSW006T-T238
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NSSW008AT
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NSSW008BT
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NSSW008CT
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NSSW008CT-P1NICHIA2010+ LED
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NSSW008CT-P1-T117
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NSSW008DTNICHASMD 08+
auf Bestellung 3500 Stücke:
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NSSW020ATTSMT05+
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NSSW020AT-TS9
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NSSW020BTNICHIA
auf Bestellung 10000 Stücke:
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NSSW020BTNICHIA06+
auf Bestellung 1000 Stücke:
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NSSW020BT-P1
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NSSW020BT-T170
auf Bestellung 5000 Stücke:
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NSSW020CT
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NSSW063AT
Produktcode: 106214		NichiaLEDs > LEDs sichtbare Spektrum SMD
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NSSW064T
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NSSW157AT-H3Nichia CorporationСвітлодіод SMD; Кол. світ. = білий; Iv, мКд @ Ток, мА = 9.4 @ 80 мА; Кут світ., 2? = 120; Лінза = Прозора безбарвна; Габ. розм, мм = 3 х 1.5 х 0.52; Iроб, мА = 80; Uроб, В = 3; Тексп, °C = -40...+100; Серія = 157; CRI=85; 3x1.4x0.52mm
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15+ 0.43 EUR
100+ 0.37 EUR
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NSSW206T
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NSSW206TE
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NSSW208ATENICHIA
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NSSW440-9159-TRB
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NSSW440THRNICHIA
auf Bestellung 27794 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSSW440TVRNICHIA
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NSSWD37TNICHIALED
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