Produkte > XP6
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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| XP6-1-1-6-1 | Exeltech | Description: DC TO AC POWER INVERTER, 600WATT Packaging: Box Voltage - Output: 120VAC Voltage - Input: 12VDC AC Outlets: 2 Type: Inverter Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm) Connector - AC Output: NEMA 5-15R (2) Connector - Voltage Input: Wire Leads Region Utilized: North America Remote Capability: Yes Part Status: Active Power - Output Continuous: 600 W Power - Output Surge: 1100 W | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP6-1-2-6-1 | Exeltech | Description: DC TO AC POWER INVERTER, 600WATT Packaging: Box Voltage - Output: 120VAC Voltage - Input: 24VDC AC Outlets: 2 Type: Inverter Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm) Connector - AC Output: NEMA 5-15R (2) Connector - Voltage Input: Wire Leads Region Utilized: North America Remote Capability: Yes Part Status: Active Power - Output Continuous: 600 W Power - Output Surge: 1100 W | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP6-1-4-6-1 | Exeltech | Description: DC TO AC POWER INVERTER, 600WATT Packaging: Box Voltage - Output: 120VAC Voltage - Input: 48VDC AC Outlets: 2 Type: Inverter Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm) Connector - AC Output: NEMA 5-15R (2) Connector - Voltage Input: Wire Leads Region Utilized: North America Remote Capability: Yes Part Status: Active Power - Output Continuous: 600 W Power - Output Surge: 1100 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| XP6-1-E-6-1 | Exeltech | Description: DC TO AC POWER INVERTER, 600WATT Packaging: Box Voltage - Output: 120VAC Voltage - Input: 66VDC AC Outlets: 2 Type: Inverter Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm) Connector - AC Output: NEMA 5-15R (2) Connector - Voltage Input: Wire Leads Region Utilized: North America Remote Capability: Yes Part Status: Active Power - Output Continuous: 600 W Power - Output Surge: 1100 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| XP6-1-I-6-1 | Exeltech | Description: DC TO AC POWER INVERTER, 600WATT Packaging: Box Voltage - Output: 120VAC Voltage - Input: 108VDC AC Outlets: 2 Type: Inverter Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm) Connector - AC Output: NEMA 5-15R (2) Connector - Voltage Input: Wire Leads Region Utilized: North America Remote Capability: Yes Part Status: Active Power - Output Continuous: 600 W Power - Output Surge: 1100 W | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP6-3-1-5-1 | Exeltech | Description: INVERTER 600WATT 230VAC 12VDC Packaging: Box Voltage - Output: 230VAC Voltage - Input: 12VDC AC Outlets: 1 Type: Inverter Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm) Connector - AC Output: IEC 320-C13 Connector - Voltage Input: Terminals Region Utilized: North America Remote Capability: Yes Part Status: Active Power - Output Continuous: 600 W Power - Output Surge: 1100 W | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP6-3-2-5-1 | Exeltech | Description: INVERTER 600WATT 230VAC 24VDC Packaging: Box Voltage - Output: 230VAC Voltage - Input: 24VDC AC Outlets: 1 Type: Inverter Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm) Connector - AC Output: IEC 320-C13 Connector - Voltage Input: Terminals Region Utilized: North America Remote Capability: Yes Part Status: Active Power - Output Continuous: 600 W Power - Output Surge: 1100 W | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP6-3-4-5-1 | Exeltech | Description: INVERTER 600WATT 230VAC 48VDC Packaging: Box Voltage - Output: 230VAC Voltage - Input: 48VDC AC Outlets: 1 Type: Inverter Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm) Connector - AC Output: IEC 320-C13 Connector - Voltage Input: Terminals Region Utilized: North America Remote Capability: Yes Part Status: Active Power - Output Continuous: 600 W Power - Output Surge: 1100 W | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP6-3-I-5-1 | Exeltech | Description: INVERTER 600WATT 230VAC 108VDC Packaging: Box Voltage - Output: 230VAC Voltage - Input: 108VDC AC Outlets: 1 Type: Inverter Size: 12.10" L x 7.69" W x 3.57" H (307.3mm x 195.3mm x 90.7mm) Connector - AC Output: IEC 320-C13 Connector - Voltage Input: Terminals Region Utilized: North America Remote Capability: Yes Part Status: Active Power - Output Continuous: 600 W Power - Output Surge: 1100 W | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP600 | WELLER XCELITE | Description: WELLER XCELITE - XP600 - Schraubendreher, ESD-sicher, Präzisions-Schraubendreher, Schlitz, Phillips, 6-teiliger Satz SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP600 | Apex Tool Group | Description: SCREWDRIVER SET PHIL W/CASE 6PC Packaging: Bulk Features: Black Tip, ESD Safe, Free Turning Cap Type: Screwdriver Set Includes: Plastic Case Tip Type: Phillips, Slotted Part Status: Active | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP600 | Apex Tool Group B.V. | 6-Piece Precision Slotted And Phillips Screwdriver Set | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| XP600 | Xcelite | 6-Piece Precision Slotted And Phillips Screwdriver Set | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| XP600 | Apex Tool Group | Screwdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Xcelite Scrwdrvr Set 6 pc Slottd/Phillip | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| XP600 | Weller | 6-Piece Precision Slotted And Phillips Screwdriver Set | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| XP600 | WELLER | WEL.XP600 Screwdrivers Sets | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| XP600W4 | Apex Tool Group B.V. | WIRE CATCH AND SCREW (10) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| XP60AN750IN | YAGEO XSemi | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220CFM-NL | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP60AN750IN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP60AN750IN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.75 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.92W Bauform - Transistor: TO-220CFM Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: XP60AN750 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP60AN750IN | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220CFM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 36.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220CFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2688 pF @ 100 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP60PN72REN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP60PN72REN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 53mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: XP60PN72 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP60PN72REN | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| XP60PN72REN | YAGEO XSemi | MOSFET N-CH 600V 0.0 53A SOT-23 | auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP60PN72REN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP60PN72REN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 53mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: XP60PN72 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP60PN72REN | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 100 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP60PN72RLEN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP60PN72RLEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 53mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: XP60PN72 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP60PN72RLEN | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 100 V | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP60PN72RLEN | YAGEO XSemi | MOSFET N-CH 600V 0.0 53A SOT-23 | auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP60PN72RLEN | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP60PN72RLEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 53mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: XP60PN72 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP60PN72RLEN | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| XP60SA290DH | XSemi | MOSFET N-CH 600V 13. 3A TO-252 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP60SA290DH | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: XP60SA290D Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP60SA290DH | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 600V 13.3A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1632 pF @ 100 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP60SA290DH | YAGEO XSemi | MOSFET N-CH 600V 13. 3A TO-252 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP60SA290DH | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP60SA290DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13.3 A, 0.29 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: XP60SA290D Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP60SA290DH | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 600V 13.3A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1632 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| XP60SL115DR | XSemi | MOSFET N-CH 600V 28A TO-262 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP60SL115DR | YAGEO XSemi | MOSFET N-CH 600V 28A TO-262 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP60SL115DR | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP60SL115DR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.00155 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: XP60SL115D Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP60SL115DR | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 178W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 100 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP60SL600DH | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP60SL600DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: XP60SL600D Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP60SL600DH | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 100 V | auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP60SL600DH | XSemi | MOSFET N-CH 600V 7A TO-252 | auf Bestellung 2998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP60SL600DH | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP60SL600DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: XP60SL600D Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP60SL600DH | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| XP60SL600DH | YAGEO XSemi | MOSFET N-CH 600V 7A TO-252 | auf Bestellung 2996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP6112-TX | PANASONIC | 09+ | auf Bestellung 3018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6114 | Panasonic | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
| XP6114/CK | auf Bestellung 8550 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6115-(TX) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6115-(TX)(6X) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP611FH | Panasonic | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
| XP6206P332MR | auf Bestellung 57200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6210-(TX) | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6210-(TX)/CR | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6211 | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6211-(TX) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6212-TX | PANASONIC | 09+ | auf Bestellung 3018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6213-(TX) | auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6213-TX | PANASONIC | 09+ | auf Bestellung 3018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6214 | PANASONIC | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
| XP6214-(TX) | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6214-(TX)(AA) | auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6215 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6215-TX | PANASONIC | 09+ | auf Bestellung 3018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6215/8X | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6216 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6216-(TX) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP626AO | YAMAHA | 09+ . | auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP62FP1502PR | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6401 | PANASONIC | auf Bestellung 1672 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
| XP6401 | PANAS0NIC | 03+ | auf Bestellung 2911 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6401-(TX) | auf Bestellung 1555 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6401-TX | auf Bestellung 1770 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6401-W | PANASONIC | SOT26/ | auf Bestellung 2241 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6401/50 | auf Bestellung 7800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6435-(TX) | auf Bestellung 2420 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6501 | Panasonic | SOT363 | auf Bestellung 4178 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6501 | Panasonic | auf Bestellung 1727 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
| XP6501 | PAN | 07+ SOT-363 | auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6501 / 5N | Panasonic | auf Bestellung 13000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
| XP6501-(TX) | PANASONIC | SOT23-6 | auf Bestellung 835 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6501-(TX)/5N | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6501-TX | auf Bestellung 2079 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6501/5N | PANASONIC | 09+ | auf Bestellung 6018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6534 | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6534-TX | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6534-TX/7F | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6534-W | auf Bestellung 14324 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6543 | PAN | 07+ SOT-363 | auf Bestellung 5390 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6543 | PANASONIC | SOT-563 | auf Bestellung 780000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6543-(TX) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6543-Q | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6543-Q(TX) | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6543-R | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6543-R(TX) | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6543-R(TX).TD/XP | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6543-TX | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP65AN1K2IT | YAGEO XSemi | MOSFET N-CH 650V 7A TO-220CFM-T | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP65AN1K2IT | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220CFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 100 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP65SL190DI | YAGEO XSemi | MOSFET N-CH 650V 20A TO-220CFM | auf Bestellung 992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP65SL190DI | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220CFM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220CFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3312 pF @ 100 V | auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP65SL190DI | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP65SL190DI - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.92W Bauform - Transistor: TO-220CFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP65SL190D Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP65SL380DH | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP65SL380DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP65SL380D Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP65SL380DH | YAGEO XSemi | MOSFET N-CH 650V 10A TO-252 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP65SL380DH | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP65SL380DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP65SL380D Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6677GH | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6677GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0123 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP6677 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6677GH | YAGEO XSemi | MOSFET P-CH -40V -60 A TO-252 | auf Bestellung 2996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP6677GH | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6677GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0123 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP6677 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6677GH | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V | auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP6677GH | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| XP686AO | YAMAHA | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
| XP687A0 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP687AD | YAMAHA | DIP | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP687AO | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| XP6N090N | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6N090N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP6N090 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6N090N | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6N090N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP6N090 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6NA1R4CXT | YAGEO XSEMI | Description: FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.6A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11520 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| XP6NA1R4CXT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R4CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.00145 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP6NA1R4C Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6NA1R4CXT | YAGEO XSEMI | Description: FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.6A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 113.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11520 pF @ 50 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP6NA1R4CXT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R4CXT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.00145 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP6NA1R4C Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6NA1R4CXT | YAGEO XSemi | MOSFET N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP6NA1R7CMT | YAGEO XSEMI | Description: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
| XP6NA1R7CMT | YAGEO XSemi | MOSFET N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP6NA1R7CMT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R7CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 0.0017 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP6NA1R7C Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6NA1R7CMT | YAGEO XSEMI | Description: FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP6NA1R7CMT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6NA1R7CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 0.0017 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP6NA1R7C Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6NA2R4IT | YAGEO XSemi | MOSFET N-CH 60V 93A TO-220CFM-T | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP6NA2R4IT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6NA2R4IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0024 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.92W Bauform - Transistor: TO-220CFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP6NA2R4 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6NA2R4IT | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 60V 93A TO220CFM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 34.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220CFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP6NA3R0H | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 0.003 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP6NA3R0 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6NA3R0H | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 0.003 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP6NA3R0 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6NA3R5IT | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 60V 72A TO220CFM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220CFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 50 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP6NA3R5IT | YAGEO XSemi | MOSFET N-CH 60V 72A TO-220CFM-T | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP6NA3R5IT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R5IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 72 A, 0.0035 ohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.92W Bauform - Transistor: TO-220CFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP6NA3R5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6P250N | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP6P250N Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6P250N | YAGEO XSemi | MOSFET P-CH -60V -1. 6A SOT-23S | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| XP6P250N | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP6P250N Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
| XP6R | COAST | Description: COAST - XP6R - Taschenlampe, Handtaschenlampe, LED, 400lm, 180m, Lithium-Ionen-Akku, CR123-Zelle tariffCode: 85131000 Strahlreichweite: 180m productTraceability: No Taschenlampe: Handtaschenlampe rohsCompliant: NA Stromquelle: Akku, CR123-Lithiumbatterien x 1 (nicht im Lieferumfang enthalten) Material des Taschenlampengehäuses: - euEccn: NLR Lumenpaket: 400lm hazardous: true hazardCode: 3481 rohsPhthalatesCompliant: NA Lichtqelle: LED usEccn: EAR99 | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |