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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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B2D10065F BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065F SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065F1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065F1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065K1 B2D10065K1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBABDF5F15240D2&compId=B2D10065K1.pdf?ci_sign=eb152733b23c5971bcfe50fb9713da408f300aff Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.55 EUR
32+2.29 EUR
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065K1 B2D10065K1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBABDF5F15240D2&compId=B2D10065K1.pdf?ci_sign=eb152733b23c5971bcfe50fb9713da408f300aff Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.55 EUR
32+2.29 EUR
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065KF1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065KF1 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065KS B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAE8E3E5D040D2&compId=B2D10065KS.pdf?ci_sign=a14e9efcff747493ab72c10a0ac27c9e27c97d84 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 47W
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.9 EUR
28+2.62 EUR
36+2 EUR
38+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065KS B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAE8E3E5D040D2&compId=B2D10065KS.pdf?ci_sign=a14e9efcff747493ab72c10a0ac27c9e27c97d84 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 47W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.9 EUR
28+2.62 EUR
36+2 EUR
38+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065Q BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065Q SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120E1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120H1 B2D10120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB0CFE937500D2&compId=B2D10120H1.pdf?ci_sign=ec3d224460fd00af2f59bdfa6bd42d5b68f5eb8c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.73 EUR
22+3.37 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120H1 B2D10120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB0CFE937500D2&compId=B2D10120H1.pdf?ci_sign=ec3d224460fd00af2f59bdfa6bd42d5b68f5eb8c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.73 EUR
22+3.37 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
600+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120HC1 B2D10120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84B7DCE42CE0D2&compId=B2D10120HC1.pdf?ci_sign=4385f3ca73508b5cd0d475e3b72c254e897634f2 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 20uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 10A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 20µA
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120HC1 B2D10120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84B7DCE42CE0D2&compId=B2D10120HC1.pdf?ci_sign=4385f3ca73508b5cd0d475e3b72c254e897634f2 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 20uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 10A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 20µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.76 EUR
600+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120K1 B2D10120K1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAC2AED9D8A0D2&compId=B2D10120K1.pdf?ci_sign=8c0048882842d4f86f909551e1635eb8c2689a4b Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ufmax: 2V
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120K1 B2D10120K1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAC2AED9D8A0D2&compId=B2D10120K1.pdf?ci_sign=8c0048882842d4f86f909551e1635eb8c2689a4b Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ufmax: 2V
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
5+14.3 EUR
14+5.11 EUR
500+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D15120H1 B2D15120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD348D82E6180D4&compId=B2D15120H1.pdf?ci_sign=944d45a4fe5c7d2166b4f109a519915fcbb438c2 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.92 EUR
12+6.23 EUR
14+5.13 EUR
15+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D15120H1 B2D15120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD348D82E6180D4&compId=B2D15120H1.pdf?ci_sign=944d45a4fe5c7d2166b4f109a519915fcbb438c2 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.92 EUR
12+6.23 EUR
14+5.13 EUR
15+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16065HC1 B2D16065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.9 EUR
17+4.4 EUR
20+3.65 EUR
21+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16065HC1 B2D16065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.9 EUR
17+4.4 EUR
20+3.65 EUR
21+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16120HC1 B2D16120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84BF5FDE4280D2&compId=B2D16120HC1.pdf?ci_sign=1a8df8e905b79df416f91145a0c003af01848789 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 74W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 16A
Max. forward voltage: 1.82V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 30µA
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.39 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16120HC1 B2D16120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84BF5FDE4280D2&compId=B2D16120HC1.pdf?ci_sign=1a8df8e905b79df416f91145a0c003af01848789 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 74W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 16A
Max. forward voltage: 1.82V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 30µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.39 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
600+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065F1 B2D20065F1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3444FB4B400D4&compId=B2D20065F1.pdf?ci_sign=187b5aafa7067f2388c8c58d624da27f519719d0 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO263-2
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.53 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
25+3.62 EUR
100+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065F1 B2D20065F1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3444FB4B400D4&compId=B2D20065F1.pdf?ci_sign=187b5aafa7067f2388c8c58d624da27f519719d0 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO263-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.53 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
25+3.62 EUR
100+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065H1 B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065H1 B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
5+14.3 EUR
12+5.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065HC1 B2D20065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84C6F7D7C200D2&compId=B2D20065HC1.pdf?ci_sign=d9d03831b0695c8387f9193ed0da42ce5eb3b37e Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Power dissipation: 74W
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.62 EUR
18+4.06 EUR
19+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065HC1 B2D20065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84C6F7D7C200D2&compId=B2D20065HC1.pdf?ci_sign=d9d03831b0695c8387f9193ed0da42ce5eb3b37e Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Power dissipation: 74W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.62 EUR
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B2D20065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065K1 THT Schottky diodes
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B2D20065TF B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84EAF4FEB3A0D2&compId=B2D20065TF.pdf?ci_sign=7faef75d967d88e2d11712941bd33c77327e625a Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 33W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO3PF
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.06 EUR
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B2D20065TF B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84EAF4FEB3A0D2&compId=B2D20065TF.pdf?ci_sign=7faef75d967d88e2d11712941bd33c77327e625a Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 33W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO3PF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.06 EUR
20+3.6 EUR
30+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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B2D20120F1 B2D20120F1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA875B859580D2&compId=B2D20120F1.pdf?ci_sign=b1f92f48404f256f8dae64c0102f2808dab8d7a7 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 122W
Leakage current: 33µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120F1 B2D20120F1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA875B859580D2&compId=B2D20120F1.pdf?ci_sign=b1f92f48404f256f8dae64c0102f2808dab8d7a7 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 122W
Leakage current: 33µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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B2D20120H1 B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB1744AD29C0D2&compId=B2D20120H1.pdf?ci_sign=9996b158ed0f0661fafedcb227755d043c3cb319 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Kind of package: tube
Power dissipation: 159W
Leakage current: 40µA
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.99 EUR
15+4.9 EUR
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Mindestbestellmenge: 11
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B2D20120H1 B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB1744AD29C0D2&compId=B2D20120H1.pdf?ci_sign=9996b158ed0f0661fafedcb227755d043c3cb319 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Kind of package: tube
Power dissipation: 159W
Leakage current: 40µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
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11+6.99 EUR
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B2D20120HC1 B2D20120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84CDECC7A560D2&compId=B2D20120HC1.pdf?ci_sign=7ef6b9f7b4e3dfac520a94a47c61277ac8e0cdd9 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Max. load current: 20A
Leakage current: 40µA
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.99 EUR
15+4.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 11
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B2D20120HC1 B2D20120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84CDECC7A560D2&compId=B2D20120HC1.pdf?ci_sign=7ef6b9f7b4e3dfac520a94a47c61277ac8e0cdd9 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Max. load current: 20A
Leakage current: 40µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
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11+6.99 EUR
15+4.82 EUR
16+4.56 EUR
600+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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B2D30065H1 B2D30065H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF811A69DED3E0D4&compId=B2D30065H1.pdf?ci_sign=1266e701f66eb8868a25e20de2ce93551ed9146a Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.35 EUR
11+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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B2D30065H1 B2D30065H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF811A69DED3E0D4&compId=B2D30065H1.pdf?ci_sign=1266e701f66eb8868a25e20de2ce93551ed9146a Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.35 EUR
11+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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B2D30065HC1 B2D30065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3775C9F08C0D4&compId=B2D30065HC1.pdf?ci_sign=9d7b0e65f2796bdfe200af683ac98c51da68438d Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.45 EUR
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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B2D30065HC1 B2D30065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3775C9F08C0D4&compId=B2D30065HC1.pdf?ci_sign=9d7b0e65f2796bdfe200af683ac98c51da68438d Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.45 EUR
13+5.51 EUR
600+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30120H1 B2D30120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD33CF1371400D4&compId=B2D30120H1.pdf?ci_sign=3e5f4686db216ef232c83cfa22c4a14232a09301 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.97 EUR
7+10.28 EUR
8+9.72 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30120H1 B2D30120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD33CF1371400D4&compId=B2D30120H1.pdf?ci_sign=3e5f4686db216ef232c83cfa22c4a14232a09301 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.97 EUR
7+10.28 EUR
8+9.72 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30120HC1 B2D30120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84D7211E0640D2&compId=B2D30120HC1.pdf?ci_sign=4283c8b23356ac0f9d48f687212f9ca29a232644 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 95W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 95W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 135A
Leakage current: 40µA
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.5 EUR
10+7.41 EUR
11+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30120HC1 B2D30120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84D7211E0640D2&compId=B2D30120HC1.pdf?ci_sign=4283c8b23356ac0f9d48f687212f9ca29a232644 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 95W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 95W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 135A
Leakage current: 40µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.5 EUR
10+7.41 EUR
11+7.01 EUR
150+6.99 EUR
600+6.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40065H1 B2D40065H1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.77 EUR
8+9.35 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40065H1 B2D40065H1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.77 EUR
8+9.35 EUR
30+9.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40065HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.45 EUR
11+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.01 EUR
6+13.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40120HC1 B2D40120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84DEE1E441C0D2&compId=B2D40120HC1.pdf?ci_sign=da4731e4ec8c883a2a17a3c28e41161f5fd46b38 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 112W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.92V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 180A
Leakage current: 30µA
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.99 EUR
8+9.35 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40120HC1 B2D40120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84DEE1E441C0D2&compId=B2D40120HC1.pdf?ci_sign=da4731e4ec8c883a2a17a3c28e41161f5fd46b38 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 112W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.92V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 180A
Leakage current: 30µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.99 EUR
8+9.35 EUR
600+9.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D60120H1 B2D60120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC995F9210C0D5&compId=B2D60120H1.pdf?ci_sign=a79feabe1bc83a0b768a3cf6a1d58dacb379e46e Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 361W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 70µA
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+16.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D60120H1 B2D60120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC995F9210C0D5&compId=B2D60120H1.pdf?ci_sign=a79feabe1bc83a0b768a3cf6a1d58dacb379e46e Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 361W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 70µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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B2M032120Y B2M032120Y BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF84BCAD4237CA60D6&compId=B2M032120Y.pdf?ci_sign=1e5850dfec555eb311743ad15e73b4d072ace078 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 60A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 40nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Drain-source voltage: 1.2kV
auf Bestellung 51 Stücke:
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B2M032120Y B2M032120Y BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF84BCAD4237CA60D6&compId=B2M032120Y.pdf?ci_sign=1e5850dfec555eb311743ad15e73b4d072ace078 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 60A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 40nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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B2M035120YP BASiC SEMICONDUCTOR B2M035120YP THT N channel transistors
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B2M065120H B2M065120H BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC9E916572C0D5&compId=B2M065120H.pdf?ci_sign=ce1d9f3ba05c916d6d50f1392ef645c96272536b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 1.2kV
auf Bestellung 4 Stücke:
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B2M065120H B2M065120H BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC9E916572C0D5&compId=B2M065120H.pdf?ci_sign=ce1d9f3ba05c916d6d50f1392ef645c96272536b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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B2M065120R B2M065120R BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECAFDA66F3E0D5&compId=B2M065120R.pdf?ci_sign=0e3de3a19474d2275883166be9641521f7f0b7d0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.27 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
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Mindestbestellmenge: 6
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B2M065120R B2M065120R BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECAFDA66F3E0D5&compId=B2M065120R.pdf?ci_sign=0e3de3a19474d2275883166be9641521f7f0b7d0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.27 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
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B2M065120Z B2M065120Z BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECA8988CE9C0D5&compId=B2M065120Z.pdf?ci_sign=8950aa569e86003000b6e12cf4d9a658bef3fd74 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 1.2kV
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.77 EUR
8+9.52 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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B2D10065F
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065F SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065F1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065F1 SMD Schottky diodes
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B2D10065K1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBABDF5F15240D2&compId=B2D10065K1.pdf?ci_sign=eb152733b23c5971bcfe50fb9713da408f300aff
B2D10065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.55 EUR
32+2.29 EUR
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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B2D10065K1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBABDF5F15240D2&compId=B2D10065K1.pdf?ci_sign=eb152733b23c5971bcfe50fb9713da408f300aff
B2D10065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.55 EUR
32+2.29 EUR
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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B2D10065KF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065KF1 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065KS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAE8E3E5D040D2&compId=B2D10065KS.pdf?ci_sign=a14e9efcff747493ab72c10a0ac27c9e27c97d84
B2D10065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 47W
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.9 EUR
28+2.62 EUR
36+2 EUR
38+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065KS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAE8E3E5D040D2&compId=B2D10065KS.pdf?ci_sign=a14e9efcff747493ab72c10a0ac27c9e27c97d84
B2D10065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 47W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.9 EUR
28+2.62 EUR
36+2 EUR
38+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065Q
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065Q SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10120E1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB0CFE937500D2&compId=B2D10120H1.pdf?ci_sign=ec3d224460fd00af2f59bdfa6bd42d5b68f5eb8c
B2D10120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.73 EUR
22+3.37 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB0CFE937500D2&compId=B2D10120H1.pdf?ci_sign=ec3d224460fd00af2f59bdfa6bd42d5b68f5eb8c
B2D10120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.73 EUR
22+3.37 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
600+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84B7DCE42CE0D2&compId=B2D10120HC1.pdf?ci_sign=4385f3ca73508b5cd0d475e3b72c254e897634f2
B2D10120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 20uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 10A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 20µA
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84B7DCE42CE0D2&compId=B2D10120HC1.pdf?ci_sign=4385f3ca73508b5cd0d475e3b72c254e897634f2
B2D10120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 20uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 10A
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 20µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.76 EUR
600+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120K1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAC2AED9D8A0D2&compId=B2D10120K1.pdf?ci_sign=8c0048882842d4f86f909551e1635eb8c2689a4b
B2D10120K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ufmax: 2V
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120K1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAC2AED9D8A0D2&compId=B2D10120K1.pdf?ci_sign=8c0048882842d4f86f909551e1635eb8c2689a4b
B2D10120K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ufmax: 2V
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
5+14.3 EUR
14+5.11 EUR
500+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D15120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD348D82E6180D4&compId=B2D15120H1.pdf?ci_sign=944d45a4fe5c7d2166b4f109a519915fcbb438c2
B2D15120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.92 EUR
12+6.23 EUR
14+5.13 EUR
15+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D15120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD348D82E6180D4&compId=B2D15120H1.pdf?ci_sign=944d45a4fe5c7d2166b4f109a519915fcbb438c2
B2D15120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.92 EUR
12+6.23 EUR
14+5.13 EUR
15+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16065HC1
B2D16065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16065HC1
B2D16065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.9 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84BF5FDE4280D2&compId=B2D16120HC1.pdf?ci_sign=1a8df8e905b79df416f91145a0c003af01848789
B2D16120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 74W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 16A
Max. forward voltage: 1.82V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 30µA
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.39 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84BF5FDE4280D2&compId=B2D16120HC1.pdf?ci_sign=1a8df8e905b79df416f91145a0c003af01848789
B2D16120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 74W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 16A
Max. forward voltage: 1.82V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 30µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.39 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
600+3.46 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065F1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3444FB4B400D4&compId=B2D20065F1.pdf?ci_sign=187b5aafa7067f2388c8c58d624da27f519719d0
B2D20065F1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO263-2
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.53 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
25+3.62 EUR
100+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065F1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3444FB4B400D4&compId=B2D20065F1.pdf?ci_sign=187b5aafa7067f2388c8c58d624da27f519719d0
B2D20065F1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO263-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.53 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
25+3.62 EUR
100+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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B2D20065H1 B2D20065H1.pdf
B2D20065H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065H1 B2D20065H1.pdf
B2D20065H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
3+23.84 EUR
5+14.3 EUR
12+5.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84C6F7D7C200D2&compId=B2D20065HC1.pdf?ci_sign=d9d03831b0695c8387f9193ed0da42ce5eb3b37e
B2D20065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Power dissipation: 74W
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.62 EUR
18+4.06 EUR
19+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84C6F7D7C200D2&compId=B2D20065HC1.pdf?ci_sign=d9d03831b0695c8387f9193ed0da42ce5eb3b37e
B2D20065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Power dissipation: 74W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.62 EUR
18+4.06 EUR
19+3.83 EUR
150+3.75 EUR
600+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20065K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
5+14.3 EUR
12+5.96 EUR
50+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065TF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84EAF4FEB3A0D2&compId=B2D20065TF.pdf?ci_sign=7faef75d967d88e2d11712941bd33c77327e625a
B2D20065TF
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 33W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO3PF
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.06 EUR
20+3.6 EUR
30+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065TF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84EAF4FEB3A0D2&compId=B2D20065TF.pdf?ci_sign=7faef75d967d88e2d11712941bd33c77327e625a
B2D20065TF
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 33W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO3PF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.06 EUR
20+3.6 EUR
30+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120F1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA875B859580D2&compId=B2D20120F1.pdf?ci_sign=b1f92f48404f256f8dae64c0102f2808dab8d7a7
B2D20120F1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 122W
Leakage current: 33µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120F1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA875B859580D2&compId=B2D20120F1.pdf?ci_sign=b1f92f48404f256f8dae64c0102f2808dab8d7a7
B2D20120F1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 122W
Leakage current: 33µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB1744AD29C0D2&compId=B2D20120H1.pdf?ci_sign=9996b158ed0f0661fafedcb227755d043c3cb319
B2D20120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Kind of package: tube
Power dissipation: 159W
Leakage current: 40µA
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.99 EUR
15+4.9 EUR
16+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB1744AD29C0D2&compId=B2D20120H1.pdf?ci_sign=9996b158ed0f0661fafedcb227755d043c3cb319
B2D20120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Kind of package: tube
Power dissipation: 159W
Leakage current: 40µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.99 EUR
15+4.9 EUR
16+4.63 EUR
600+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84CDECC7A560D2&compId=B2D20120HC1.pdf?ci_sign=7ef6b9f7b4e3dfac520a94a47c61277ac8e0cdd9
B2D20120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Max. load current: 20A
Leakage current: 40µA
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.99 EUR
15+4.82 EUR
16+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84CDECC7A560D2&compId=B2D20120HC1.pdf?ci_sign=7ef6b9f7b4e3dfac520a94a47c61277ac8e0cdd9
B2D20120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Max. load current: 20A
Leakage current: 40µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.99 EUR
15+4.82 EUR
16+4.56 EUR
600+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30065H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF811A69DED3E0D4&compId=B2D30065H1.pdf?ci_sign=1266e701f66eb8868a25e20de2ce93551ed9146a
B2D30065H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.35 EUR
11+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30065H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF811A69DED3E0D4&compId=B2D30065H1.pdf?ci_sign=1266e701f66eb8868a25e20de2ce93551ed9146a
B2D30065H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.35 EUR
11+6.52 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30065HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3775C9F08C0D4&compId=B2D30065HC1.pdf?ci_sign=9d7b0e65f2796bdfe200af683ac98c51da68438d
B2D30065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.45 EUR
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30065HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3775C9F08C0D4&compId=B2D30065HC1.pdf?ci_sign=9d7b0e65f2796bdfe200af683ac98c51da68438d
B2D30065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.45 EUR
13+5.51 EUR
600+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD33CF1371400D4&compId=B2D30120H1.pdf?ci_sign=3e5f4686db216ef232c83cfa22c4a14232a09301
B2D30120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.97 EUR
7+10.28 EUR
8+9.72 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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B2D30120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD33CF1371400D4&compId=B2D30120H1.pdf?ci_sign=3e5f4686db216ef232c83cfa22c4a14232a09301
B2D30120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.97 EUR
7+10.28 EUR
8+9.72 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84D7211E0640D2&compId=B2D30120HC1.pdf?ci_sign=4283c8b23356ac0f9d48f687212f9ca29a232644
B2D30120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 95W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 95W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 135A
Leakage current: 40µA
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.5 EUR
10+7.41 EUR
11+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84D7211E0640D2&compId=B2D30120HC1.pdf?ci_sign=4283c8b23356ac0f9d48f687212f9ca29a232644
B2D30120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 95W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 95W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 135A
Leakage current: 40µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.5 EUR
10+7.41 EUR
11+7.01 EUR
150+6.99 EUR
600+6.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40065H1
B2D40065H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.77 EUR
8+9.35 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40065H1
B2D40065H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.77 EUR
8+9.35 EUR
30+9.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D40065HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 47 Stücke:
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Anzahl Preis
7+10.45 EUR
11+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D40120H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.01 EUR
6+13.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84DEE1E441C0D2&compId=B2D40120HC1.pdf?ci_sign=da4731e4ec8c883a2a17a3c28e41161f5fd46b38
B2D40120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 112W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.92V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 180A
Leakage current: 30µA
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.99 EUR
8+9.35 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84DEE1E441C0D2&compId=B2D40120HC1.pdf?ci_sign=da4731e4ec8c883a2a17a3c28e41161f5fd46b38
B2D40120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 112W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Max. forward voltage: 1.92V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 180A
Leakage current: 30µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.99 EUR
8+9.35 EUR
600+9.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D60120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC995F9210C0D5&compId=B2D60120H1.pdf?ci_sign=a79feabe1bc83a0b768a3cf6a1d58dacb379e46e
B2D60120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 361W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 70µA
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D60120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC995F9210C0D5&compId=B2D60120H1.pdf?ci_sign=a79feabe1bc83a0b768a3cf6a1d58dacb379e46e
B2D60120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 361W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 70µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M032120Y pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF84BCAD4237CA60D6&compId=B2M032120Y.pdf?ci_sign=1e5850dfec555eb311743ad15e73b4d072ace078
B2M032120Y
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 60A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 40nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Drain-source voltage: 1.2kV
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.01 EUR
5+14.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M032120Y pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF84BCAD4237CA60D6&compId=B2M032120Y.pdf?ci_sign=1e5850dfec555eb311743ad15e73b4d072ace078
B2M032120Y
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 60A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 40nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.01 EUR
5+14.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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B2M035120YP
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2M035120YP THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC9E916572C0D5&compId=B2M065120H.pdf?ci_sign=ce1d9f3ba05c916d6d50f1392ef645c96272536b
B2M065120H
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 1.2kV
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC9E916572C0D5&compId=B2M065120H.pdf?ci_sign=ce1d9f3ba05c916d6d50f1392ef645c96272536b
B2M065120H
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
5+14.3 EUR
30+9.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECAFDA66F3E0D5&compId=B2M065120R.pdf?ci_sign=0e3de3a19474d2275883166be9641521f7f0b7d0
B2M065120R
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.27 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
30+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECAFDA66F3E0D5&compId=B2M065120R.pdf?ci_sign=0e3de3a19474d2275883166be9641521f7f0b7d0
B2M065120R
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.27 EUR
7+10.64 EUR
8+10.05 EUR
30+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECA8988CE9C0D5&compId=B2M065120Z.pdf?ci_sign=8950aa569e86003000b6e12cf4d9a658bef3fd74
B2M065120Z
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 1.2kV
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.77 EUR
8+9.52 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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