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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
B2D08065KS B2D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR B2D08065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 37W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.30 EUR
35+2.07 EUR
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065E1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065F BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065F SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065F1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065F1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065K1 B2D10065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.55 EUR
32+2.29 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065K1 B2D10065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.55 EUR
32+2.29 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065KF1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065KF1 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065KS B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 47W
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.90 EUR
28+2.62 EUR
36+2.00 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065KS B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 47W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.90 EUR
28+2.62 EUR
36+2.00 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065Q BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065Q SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120E1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120H1 B2D10120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.73 EUR
22+3.37 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120H1 B2D10120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.73 EUR
22+3.37 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
600+2.40 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120HC1 B2D10120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 64W
Kind of package: tube
Max. load current: 10A
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.53 EUR
22+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120HC1 B2D10120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 64W
Kind of package: tube
Max. load current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.53 EUR
22+3.25 EUR
600+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120K1 B2D10120K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120K1 B2D10120K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
5+14.30 EUR
14+5.11 EUR
500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D15120H1 B2D15120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D15120H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.92 EUR
12+6.23 EUR
14+5.16 EUR
15+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D15120H1 B2D15120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D15120H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.92 EUR
12+6.23 EUR
14+5.16 EUR
15+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16065HC1 B2D16065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.88 EUR
17+4.38 EUR
20+3.65 EUR
21+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16065HC1 B2D16065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.88 EUR
17+4.38 EUR
20+3.65 EUR
21+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16120HC1 B2D16120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D16120HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.39 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16120HC1 B2D16120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D16120HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.39 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
600+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065F1 B2D20065F1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065F1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO263-2
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.56 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
25+3.63 EUR
100+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065F1 B2D20065F1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065F1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO263-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.56 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
25+3.63 EUR
100+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065H1 B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065H1 B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
3+23.84 EUR
5+14.30 EUR
12+5.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065HC1 B2D20065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.62 EUR
18+4.06 EUR
19+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065HC1 B2D20065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.62 EUR
18+4.06 EUR
19+3.83 EUR
150+3.75 EUR
600+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
5+14.30 EUR
12+5.96 EUR
50+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065TF B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065TF.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 33W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO3PF
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.82 EUR
18+4.09 EUR
19+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065TF B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065TF.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 33W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO3PF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.82 EUR
18+4.09 EUR
19+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120F1 B2D20120F1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120F1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 122W
Leakage current: 33µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120F1 B2D20120F1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120F1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 122W
Leakage current: 33µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120H1 B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 159W
Kind of package: tube
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.99 EUR
15+4.90 EUR
16+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120H1 B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 159W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.99 EUR
15+4.90 EUR
16+4.63 EUR
600+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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B2D20120HC1 B2D20120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Max. load current: 20A
Leakage current: 40µA
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.99 EUR
15+4.82 EUR
16+4.56 EUR
30+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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B2D20120HC1 B2D20120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Max. load current: 20A
Leakage current: 40µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.99 EUR
15+4.82 EUR
16+4.56 EUR
30+4.55 EUR
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B2D30065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30065H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 20 Stücke:
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7+10.60 EUR
11+6.88 EUR
12+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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B2D30065HC1 B2D30065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30065HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.45 EUR
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30065HC1 B2D30065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30065HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
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9+8.45 EUR
13+5.51 EUR
600+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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B2D30120H1 B2D30120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30120H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.86 EUR
7+10.27 EUR
8+9.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30120H1 B2D30120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30120H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.86 EUR
7+10.27 EUR
8+9.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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B2D30120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30120HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 46 Stücke:
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7+11.05 EUR
10+7.42 EUR
11+7.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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B2D40065H1 B2D40065H1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.17 EUR
8+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40065H1 B2D40065H1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.17 EUR
8+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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B2D40065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40065HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.45 EUR
11+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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B2D40120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.01 EUR
6+13.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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B2D40120HC1 B2D40120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.92V
Max. forward impulse current: 180A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 112W
Kind of package: tube
Max. load current: 40A
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.99 EUR
8+9.35 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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B2D40120HC1 B2D40120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.92V
Max. forward impulse current: 180A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 112W
Kind of package: tube
Max. load current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.99 EUR
8+9.35 EUR
600+9.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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B2D60120H1 B2D60120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D60120H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 70µA
Power dissipation: 361W
Kind of package: tube
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+16.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D60120H1 B2D60120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D60120H1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 70µA
Power dissipation: 361W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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B2M032120Y B2M032120Y BASiC SEMICONDUCTOR B2M032120Y.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 40nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Case: TO247PLUS-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.05 EUR
5+14.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M032120Y B2M032120Y BASiC SEMICONDUCTOR B2M032120Y.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 40nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Case: TO247PLUS-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.05 EUR
5+14.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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B2M035120YP BASiC SEMICONDUCTOR B2M035120YP THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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B2M065120H B2M065120H BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120H.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.10 EUR
7+10.54 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120H B2M065120H BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120H.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.10 EUR
7+10.54 EUR
30+10.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120R B2M065120R BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Technology: SiC
Mounting: SMD
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.93 EUR
7+10.25 EUR
30+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120R B2M065120R BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Technology: SiC
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.93 EUR
7+10.25 EUR
30+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120Z B2M065120Z BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065KS B2D08065KS.pdf
B2D08065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 37W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.30 EUR
35+2.07 EUR
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065E1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065F
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065F SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065F1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065F1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
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B2D10065K1 B2D10065K1.pdf
B2D10065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.55 EUR
32+2.29 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065K1 B2D10065K1.pdf
B2D10065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.55 EUR
32+2.29 EUR
41+1.76 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065KF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065KF1 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065KS B2D10065KS.pdf
B2D10065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 47W
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.90 EUR
28+2.62 EUR
36+2.00 EUR
38+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065KS B2D10065KS.pdf
B2D10065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 47W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.90 EUR
28+2.62 EUR
36+2.00 EUR
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Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065Q
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065Q SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10120E1 SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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B2D10120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.73 EUR
22+3.37 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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B2D10120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.73 EUR
22+3.37 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
600+2.40 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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B2D10120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 64W
Kind of package: tube
Max. load current: 10A
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
22+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120HC1 B2D10120HC1.pdf
B2D10120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 64W
Kind of package: tube
Max. load current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.53 EUR
22+3.25 EUR
600+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120K1 B2D10120K1.pdf
B2D10120K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120K1 B2D10120K1.pdf
B2D10120K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
5+14.30 EUR
14+5.11 EUR
500+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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B2D15120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.92 EUR
12+6.23 EUR
14+5.16 EUR
15+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D15120H1 B2D15120H1.pdf
B2D15120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.92 EUR
12+6.23 EUR
14+5.16 EUR
15+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16065HC1
B2D16065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.88 EUR
17+4.38 EUR
20+3.65 EUR
21+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16065HC1
B2D16065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.88 EUR
17+4.38 EUR
20+3.65 EUR
21+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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B2D16120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.39 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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B2D16120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.39 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
600+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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B2D20065F1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO263-2
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.56 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
25+3.63 EUR
100+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065F1 B2D20065F1.pdf
B2D20065F1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO263-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.56 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
25+3.63 EUR
100+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065H1 B2D20065H1.pdf
B2D20065H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065H1 B2D20065H1.pdf
B2D20065H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
3+23.84 EUR
5+14.30 EUR
12+5.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065HC1 B2D20065HC1.pdf
B2D20065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.62 EUR
18+4.06 EUR
19+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065HC1 B2D20065HC1.pdf
B2D20065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.62 EUR
18+4.06 EUR
19+3.83 EUR
150+3.75 EUR
600+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20065K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
5+14.30 EUR
12+5.96 EUR
50+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065TF B2D20065TF.pdf
B2D20065TF
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 33W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO3PF
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.82 EUR
18+4.09 EUR
19+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065TF B2D20065TF.pdf
B2D20065TF
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 33W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO3PF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.82 EUR
18+4.09 EUR
19+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120F1 B2D20120F1.pdf
B2D20120F1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 122W
Leakage current: 33µA
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B2D20120F1 B2D20120F1.pdf
B2D20120F1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 122W
Leakage current: 33µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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B2D20120H1 B2D20120H1.pdf
B2D20120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 159W
Kind of package: tube
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.99 EUR
15+4.90 EUR
16+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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B2D20120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 159W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.99 EUR
15+4.90 EUR
16+4.63 EUR
600+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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B2D20120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Max. load current: 20A
Leakage current: 40µA
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.99 EUR
15+4.82 EUR
16+4.56 EUR
30+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120HC1 B2D20120HC1.pdf
B2D20120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Max. load current: 20A
Leakage current: 40µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.99 EUR
15+4.82 EUR
16+4.56 EUR
30+4.55 EUR
600+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30065H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D30065H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.60 EUR
11+6.88 EUR
12+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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B2D30065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.45 EUR
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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B2D30065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.45 EUR
13+5.51 EUR
600+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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B2D30120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.86 EUR
7+10.27 EUR
8+9.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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B2D30120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.86 EUR
7+10.27 EUR
8+9.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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B2D30120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D30120HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.05 EUR
10+7.42 EUR
11+7.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40065H1
B2D40065H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.17 EUR
8+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40065H1
B2D40065H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; tube
Case: TO247-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.17 EUR
8+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D40065HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.45 EUR
11+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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B2D40120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D40120H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.01 EUR
6+13.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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B2D40120HC1 B2D40120HC1.pdf
B2D40120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.92V
Max. forward impulse current: 180A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 112W
Kind of package: tube
Max. load current: 40A
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.99 EUR
8+9.35 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40120HC1 B2D40120HC1.pdf
B2D40120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; 112W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.92V
Max. forward impulse current: 180A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 112W
Kind of package: tube
Max. load current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.99 EUR
8+9.35 EUR
600+9.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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B2D60120H1 B2D60120H1.pdf
B2D60120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 70µA
Power dissipation: 361W
Kind of package: tube
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D60120H1 B2D60120H1.pdf
B2D60120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 70uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 70µA
Power dissipation: 361W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M032120Y B2M032120Y.pdf
B2M032120Y
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 40nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Case: TO247PLUS-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.05 EUR
5+14.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M032120Y B2M032120Y.pdf
B2M032120Y
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 40nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Case: TO247PLUS-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
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Anzahl Preis
4+21.05 EUR
5+14.59 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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B2M035120YP
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2M035120YP THT N channel transistors
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B2M065120H B2M065120H.pdf
B2M065120H
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.10 EUR
7+10.54 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120H B2M065120H.pdf
B2M065120H
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.10 EUR
7+10.54 EUR
30+10.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120R B2M065120R.pdf
B2M065120R
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Technology: SiC
Mounting: SMD
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.93 EUR
7+10.25 EUR
30+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120R B2M065120R.pdf
B2M065120R
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Case: TO263-7
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 85A
Technology: SiC
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.93 EUR
7+10.25 EUR
30+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120Z B2M065120Z.pdf
B2M065120Z
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
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