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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
B2D10120E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120E1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.93 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.72 EUR
22+3.25 EUR
600+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
14+5.11 EUR
500+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D15120H1 B2D15120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD348D82E6180D4&compId=B2D15120H1.pdf?ci_sign=944d45a4fe5c7d2166b4f109a519915fcbb438c2 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.74 EUR
12+6.06 EUR
14+5.18 EUR
15+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D15120H1 B2D15120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD348D82E6180D4&compId=B2D15120H1.pdf?ci_sign=944d45a4fe5c7d2166b4f109a519915fcbb438c2 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.74 EUR
12+6.06 EUR
14+5.18 EUR
15+4.89 EUR
30+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D16065HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.62 EUR
20+3.66 EUR
21+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16120HC1 B2D16120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84BF5FDE4280D2&compId=B2D16120HC1.pdf?ci_sign=1a8df8e905b79df416f91145a0c003af01848789 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 16A
Max. forward voltage: 1.82V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16120HC1 B2D16120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84BF5FDE4280D2&compId=B2D16120HC1.pdf?ci_sign=1a8df8e905b79df416f91145a0c003af01848789 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 16A
Max. forward voltage: 1.82V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
13+5.51 EUR
600+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065F1 B2D20065F1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3444FB4B400D4&compId=B2D20065F1.pdf?ci_sign=187b5aafa7067f2388c8c58d624da27f519719d0 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: reel; tape
Case: TO263-2
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.48 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
25+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065F1 B2D20065F1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3444FB4B400D4&compId=B2D20065F1.pdf?ci_sign=187b5aafa7067f2388c8c58d624da27f519719d0 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: reel; tape
Case: TO263-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.48 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
25+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.51 EUR
12+5.96 EUR
120+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065HC1 B2D20065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84C6F7D7C200D2&compId=B2D20065HC1.pdf?ci_sign=d9d03831b0695c8387f9193ed0da42ce5eb3b37e Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Leakage current: 30µA
Load current: 10A x2
Power dissipation: 74W
Max. forward impulse current: 70A
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.62 EUR
18+4.06 EUR
19+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065HC1 B2D20065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84C6F7D7C200D2&compId=B2D20065HC1.pdf?ci_sign=d9d03831b0695c8387f9193ed0da42ce5eb3b37e Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Leakage current: 30µA
Load current: 10A x2
Power dissipation: 74W
Max. forward impulse current: 70A
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.62 EUR
18+4.06 EUR
19+3.83 EUR
150+3.75 EUR
600+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
5+14.3 EUR
12+5.96 EUR
50+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065TF B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84EAF4FEB3A0D2&compId=B2D20065TF.pdf?ci_sign=7faef75d967d88e2d11712941bd33c77327e625a Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Leakage current: 20µA
Load current: 10A x2
Power dissipation: 33W
Max. forward impulse current: 70A
Max. forward voltage: 1.62V
Max. load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Case: TO3PF
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.06 EUR
20+3.6 EUR
30+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065TF B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84EAF4FEB3A0D2&compId=B2D20065TF.pdf?ci_sign=7faef75d967d88e2d11712941bd33c77327e625a Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Leakage current: 20µA
Load current: 10A x2
Power dissipation: 33W
Max. forward impulse current: 70A
Max. forward voltage: 1.62V
Max. load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Case: TO3PF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.06 EUR
20+3.6 EUR
30+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120F1 B2D20120F1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA875B859580D2&compId=B2D20120F1.pdf?ci_sign=b1f92f48404f256f8dae64c0102f2808dab8d7a7 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 122W
Leakage current: 33µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120F1 B2D20120F1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA875B859580D2&compId=B2D20120F1.pdf?ci_sign=b1f92f48404f256f8dae64c0102f2808dab8d7a7 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 122W
Leakage current: 33µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120H1 B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB1744AD29C0D2&compId=B2D20120H1.pdf?ci_sign=9996b158ed0f0661fafedcb227755d043c3cb319 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Kind of package: tube
Power dissipation: 159W
Leakage current: 40µA
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.99 EUR
15+4.95 EUR
16+4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120H1 B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB1744AD29C0D2&compId=B2D20120H1.pdf?ci_sign=9996b158ed0f0661fafedcb227755d043c3cb319 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Kind of package: tube
Power dissipation: 159W
Leakage current: 40µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.99 EUR
15+4.95 EUR
16+4.68 EUR
150+4.66 EUR
600+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120HC1 B2D20120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84CDECC7A560D2&compId=B2D20120HC1.pdf?ci_sign=7ef6b9f7b4e3dfac520a94a47c61277ac8e0cdd9 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Max. load current: 20A
Leakage current: 40µA
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.99 EUR
15+4.82 EUR
16+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120HC1 B2D20120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84CDECC7A560D2&compId=B2D20120HC1.pdf?ci_sign=7ef6b9f7b4e3dfac520a94a47c61277ac8e0cdd9 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Max. load current: 20A
Leakage current: 40µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.99 EUR
15+4.82 EUR
16+4.56 EUR
600+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30065H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.6 EUR
11+6.88 EUR
12+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30065HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.89 EUR
13+5.82 EUR
14+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30120H1 B2D30120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD33CF1371400D4&compId=B2D30120H1.pdf?ci_sign=3e5f4686db216ef232c83cfa22c4a14232a09301 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.7 EUR
7+10.32 EUR
8+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30120H1 B2D30120H1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD33CF1371400D4&compId=B2D30120H1.pdf?ci_sign=3e5f4686db216ef232c83cfa22c4a14232a09301 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.7 EUR
7+10.32 EUR
8+9.77 EUR
30+9.75 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30120HC1 B2D30120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84D7211E0640D2&compId=B2D30120HC1.pdf?ci_sign=4283c8b23356ac0f9d48f687212f9ca29a232644 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 95W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 135A
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 95W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.5 EUR
10+7.45 EUR
11+7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30120HC1 B2D30120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84D7211E0640D2&compId=B2D30120HC1.pdf?ci_sign=4283c8b23356ac0f9d48f687212f9ca29a232644 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 95W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 135A
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 95W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.5 EUR
10+7.45 EUR
11+7.04 EUR
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B2D40065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40065H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.59 EUR
8+9.35 EUR
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B2D40065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40065HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.45 EUR
11+6.72 EUR
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B2D40120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.01 EUR
6+13.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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B2D40120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.73 EUR
8+9.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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B2D60120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D60120H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.31 EUR
5+16.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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B2M032120Y B2M032120Y BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF84BCAD4237CA60D6&compId=B2M032120Y.pdf?ci_sign=1e5850dfec555eb311743ad15e73b4d072ace078 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 375W
Case: TO247PLUS-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+20.46 EUR
5+14.67 EUR
30+14.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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B2M032120Y B2M032120Y BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF84BCAD4237CA60D6&compId=B2M032120Y.pdf?ci_sign=1e5850dfec555eb311743ad15e73b4d072ace078 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 375W
Case: TO247PLUS-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.46 EUR
5+14.67 EUR
30+14.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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B2M035120YP BASiC SEMICONDUCTOR B2M035120YP THT N channel transistors
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B2M065120H B2M065120H BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC9E916572C0D5&compId=B2M065120H.pdf?ci_sign=ce1d9f3ba05c916d6d50f1392ef645c96272536b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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B2M065120H B2M065120H BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC9E916572C0D5&compId=B2M065120H.pdf?ci_sign=ce1d9f3ba05c916d6d50f1392ef645c96272536b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
5+14.3 EUR
30+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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B2M065120R B2M065120R BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECAFDA66F3E0D5&compId=B2M065120R.pdf?ci_sign=0e3de3a19474d2275883166be9641521f7f0b7d0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 150W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.91 EUR
7+10.64 EUR
8+10.07 EUR
30+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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B2M065120R B2M065120R BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECAFDA66F3E0D5&compId=B2M065120R.pdf?ci_sign=0e3de3a19474d2275883166be9641521f7f0b7d0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 150W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.91 EUR
7+10.64 EUR
8+10.07 EUR
30+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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B2M065120Z B2M065120Z BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECA8988CE9C0D5&compId=B2M065120Z.pdf?ci_sign=8950aa569e86003000b6e12cf4d9a658bef3fd74 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.44 EUR
8+9.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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B2M065120Z B2M065120Z BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECA8988CE9C0D5&compId=B2M065120Z.pdf?ci_sign=8950aa569e86003000b6e12cf4d9a658bef3fd74 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.44 EUR
8+9.58 EUR
30+9.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BGH40N120HF BGH40N120HF BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
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BGH40N120HF BGH40N120HF BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
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BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.76 EUR
7+10.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.76 EUR
7+10.28 EUR
600+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.61 EUR
7+10.72 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.61 EUR
7+10.72 EUR
150+10.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.01 EUR
8+9.6 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.01 EUR
8+9.6 EUR
30+9.55 EUR
150+9.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BGH75N120HF1 BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECCECE227760D5&compId=BGH75N120HF1.pdf?ci_sign=949d4a4e398410fc506a42f8d5813cc0c24ea047 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Gate charge: 398nC
Turn-off time: 443ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 568W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
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BGH75N120HF1 BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECCECE227760D5&compId=BGH75N120HF1.pdf?ci_sign=949d4a4e398410fc506a42f8d5813cc0c24ea047 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Gate charge: 398nC
Turn-off time: 443ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 568W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH75N65HF1 BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF811ECE5D64E0D4&compId=BGH75N65HF1.pdf?ci_sign=3a179e4fb72070de62aa7ee1cebaf82200144ccd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 444nC
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 376ns
Power dissipation: 405W
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH75N65HF1 BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF811ECE5D64E0D4&compId=BGH75N65HF1.pdf?ci_sign=3a179e4fb72070de62aa7ee1cebaf82200144ccd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 444nC
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 376ns
Power dissipation: 405W
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 444nC
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Power dissipation: 405W
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.76 EUR
7+11.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 444nC
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Power dissipation: 405W
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.76 EUR
7+11.03 EUR
150+10.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BTD21520EAPR BASiC SEMICONDUCTOR Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOP16; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Supply voltage: 3...18V DC
Output current: -6...4A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Insulation voltage: 5kV
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SOP16
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B2D10120E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10120E1 SMD Schottky diodes
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B2D10120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10120H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.93 EUR
28+2.57 EUR
30+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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B2D10120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10120HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.72 EUR
22+3.25 EUR
600+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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B2D10120K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10120K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
14+5.11 EUR
500+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D15120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD348D82E6180D4&compId=B2D15120H1.pdf?ci_sign=944d45a4fe5c7d2166b4f109a519915fcbb438c2
B2D15120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.74 EUR
12+6.06 EUR
14+5.18 EUR
15+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D15120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD348D82E6180D4&compId=B2D15120H1.pdf?ci_sign=944d45a4fe5c7d2166b4f109a519915fcbb438c2
B2D15120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.74 EUR
12+6.06 EUR
14+5.18 EUR
15+4.89 EUR
30+4.8 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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B2D16065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D16065HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.62 EUR
20+3.66 EUR
21+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84BF5FDE4280D2&compId=B2D16120HC1.pdf?ci_sign=1a8df8e905b79df416f91145a0c003af01848789
B2D16120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 16A
Max. forward voltage: 1.82V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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B2D16120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84BF5FDE4280D2&compId=B2D16120HC1.pdf?ci_sign=1a8df8e905b79df416f91145a0c003af01848789
B2D16120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 16A
Max. forward voltage: 1.82V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
13+5.51 EUR
600+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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B2D20065F1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3444FB4B400D4&compId=B2D20065F1.pdf?ci_sign=187b5aafa7067f2388c8c58d624da27f519719d0
B2D20065F1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: reel; tape
Case: TO263-2
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.48 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
25+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065F1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD3444FB4B400D4&compId=B2D20065F1.pdf?ci_sign=187b5aafa7067f2388c8c58d624da27f519719d0
B2D20065F1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: reel; tape
Case: TO263-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.48 EUR
19+3.95 EUR
20+3.73 EUR
25+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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B2D20065H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20065H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.51 EUR
12+5.96 EUR
120+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84C6F7D7C200D2&compId=B2D20065HC1.pdf?ci_sign=d9d03831b0695c8387f9193ed0da42ce5eb3b37e
B2D20065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Leakage current: 30µA
Load current: 10A x2
Power dissipation: 74W
Max. forward impulse current: 70A
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.62 EUR
18+4.06 EUR
19+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84C6F7D7C200D2&compId=B2D20065HC1.pdf?ci_sign=d9d03831b0695c8387f9193ed0da42ce5eb3b37e
B2D20065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Leakage current: 30µA
Load current: 10A x2
Power dissipation: 74W
Max. forward impulse current: 70A
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.62 EUR
18+4.06 EUR
19+3.83 EUR
150+3.75 EUR
600+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20065K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
5+14.3 EUR
12+5.96 EUR
50+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065TF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84EAF4FEB3A0D2&compId=B2D20065TF.pdf?ci_sign=7faef75d967d88e2d11712941bd33c77327e625a
B2D20065TF
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Leakage current: 20µA
Load current: 10A x2
Power dissipation: 33W
Max. forward impulse current: 70A
Max. forward voltage: 1.62V
Max. load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Case: TO3PF
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.06 EUR
20+3.6 EUR
30+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065TF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84EAF4FEB3A0D2&compId=B2D20065TF.pdf?ci_sign=7faef75d967d88e2d11712941bd33c77327e625a
B2D20065TF
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Leakage current: 20µA
Load current: 10A x2
Power dissipation: 33W
Max. forward impulse current: 70A
Max. forward voltage: 1.62V
Max. load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Case: TO3PF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.06 EUR
20+3.6 EUR
30+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120F1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA875B859580D2&compId=B2D20120F1.pdf?ci_sign=b1f92f48404f256f8dae64c0102f2808dab8d7a7
B2D20120F1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 122W
Leakage current: 33µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120F1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA875B859580D2&compId=B2D20120F1.pdf?ci_sign=b1f92f48404f256f8dae64c0102f2808dab8d7a7
B2D20120F1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; 122W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 122W
Leakage current: 33µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB1744AD29C0D2&compId=B2D20120H1.pdf?ci_sign=9996b158ed0f0661fafedcb227755d043c3cb319
B2D20120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Kind of package: tube
Power dissipation: 159W
Leakage current: 40µA
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.99 EUR
15+4.95 EUR
16+4.68 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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B2D20120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB1744AD29C0D2&compId=B2D20120H1.pdf?ci_sign=9996b158ed0f0661fafedcb227755d043c3cb319
B2D20120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 190A
Kind of package: tube
Power dissipation: 159W
Leakage current: 40µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.99 EUR
15+4.95 EUR
16+4.68 EUR
150+4.66 EUR
600+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84CDECC7A560D2&compId=B2D20120HC1.pdf?ci_sign=7ef6b9f7b4e3dfac520a94a47c61277ac8e0cdd9
B2D20120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Max. load current: 20A
Leakage current: 40µA
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.99 EUR
15+4.82 EUR
16+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84CDECC7A560D2&compId=B2D20120HC1.pdf?ci_sign=7ef6b9f7b4e3dfac520a94a47c61277ac8e0cdd9
B2D20120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Max. load current: 20A
Leakage current: 40µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.99 EUR
15+4.82 EUR
16+4.56 EUR
600+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30065H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D30065H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.6 EUR
11+6.88 EUR
12+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D30065HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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9+8.89 EUR
13+5.82 EUR
14+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD33CF1371400D4&compId=B2D30120H1.pdf?ci_sign=3e5f4686db216ef232c83cfa22c4a14232a09301
B2D30120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.7 EUR
7+10.32 EUR
8+9.77 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30120H1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD33CF1371400D4&compId=B2D30120H1.pdf?ci_sign=3e5f4686db216ef232c83cfa22c4a14232a09301
B2D30120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.7 EUR
7+10.32 EUR
8+9.77 EUR
30+9.75 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84D7211E0640D2&compId=B2D30120HC1.pdf?ci_sign=4283c8b23356ac0f9d48f687212f9ca29a232644
B2D30120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 95W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 135A
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 95W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.5 EUR
10+7.45 EUR
11+7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30120HC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84D7211E0640D2&compId=B2D30120HC1.pdf?ci_sign=4283c8b23356ac0f9d48f687212f9ca29a232644
B2D30120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; 95W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 135A
Leakage current: 40µA
Power dissipation: 95W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.5 EUR
10+7.45 EUR
11+7.04 EUR
150+6.99 EUR
600+6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40065H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D40065H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.59 EUR
8+9.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D40065HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.45 EUR
11+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D40120H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.01 EUR
6+13.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D40120HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.73 EUR
8+9.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D60120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D60120H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+26.31 EUR
5+16.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M032120Y pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF84BCAD4237CA60D6&compId=B2M032120Y.pdf?ci_sign=1e5850dfec555eb311743ad15e73b4d072ace078
B2M032120Y
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 375W
Case: TO247PLUS-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.46 EUR
5+14.67 EUR
30+14.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M032120Y pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF84BCAD4237CA60D6&compId=B2M032120Y.pdf?ci_sign=1e5850dfec555eb311743ad15e73b4d072ace078
B2M032120Y
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 375W
Case: TO247PLUS-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.46 EUR
5+14.67 EUR
30+14.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M035120YP
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2M035120YP THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC9E916572C0D5&compId=B2M065120H.pdf?ci_sign=ce1d9f3ba05c916d6d50f1392ef645c96272536b
B2M065120H
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83EC9E916572C0D5&compId=B2M065120H.pdf?ci_sign=ce1d9f3ba05c916d6d50f1392ef645c96272536b
B2M065120H
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
5+14.3 EUR
30+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECAFDA66F3E0D5&compId=B2M065120R.pdf?ci_sign=0e3de3a19474d2275883166be9641521f7f0b7d0
B2M065120R
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 150W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.91 EUR
7+10.64 EUR
8+10.07 EUR
30+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECAFDA66F3E0D5&compId=B2M065120R.pdf?ci_sign=0e3de3a19474d2275883166be9641521f7f0b7d0
B2M065120R
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 150W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.91 EUR
7+10.64 EUR
8+10.07 EUR
30+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECA8988CE9C0D5&compId=B2M065120Z.pdf?ci_sign=8950aa569e86003000b6e12cf4d9a658bef3fd74
B2M065120Z
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.44 EUR
8+9.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECA8988CE9C0D5&compId=B2M065120Z.pdf?ci_sign=8950aa569e86003000b6e12cf4d9a658bef3fd74
B2M065120Z
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.44 EUR
8+9.58 EUR
30+9.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH40N120HF
BGH40N120HF
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH40N120HF
BGH40N120HF
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7
BGH50N65HF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.76 EUR
7+10.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81454BB1CA00D4&compId=BGH50N65HF1.pdf?ci_sign=0edd13eeed748c5d6425cc7ccdc2829605f857f7
BGH50N65HF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.76 EUR
7+10.28 EUR
600+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6
BGH50N65HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.61 EUR
7+10.72 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BGH50N65HS1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6
BGH50N65HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.61 EUR
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Mindestbestellmenge: 6
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BGH50N65ZF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.01 EUR
8+9.6 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BGH50N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34
BGH50N65ZF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.01 EUR
8+9.6 EUR
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150+9.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BGH75N120HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECCECE227760D5&compId=BGH75N120HF1.pdf?ci_sign=949d4a4e398410fc506a42f8d5813cc0c24ea047
BGH75N120HF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Gate charge: 398nC
Turn-off time: 443ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 568W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH75N120HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECCECE227760D5&compId=BGH75N120HF1.pdf?ci_sign=949d4a4e398410fc506a42f8d5813cc0c24ea047
BGH75N120HF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Gate charge: 398nC
Turn-off time: 443ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 568W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BGH75N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF811ECE5D64E0D4&compId=BGH75N65HF1.pdf?ci_sign=3a179e4fb72070de62aa7ee1cebaf82200144ccd
BGH75N65HF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 444nC
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 376ns
Power dissipation: 405W
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH75N65HF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF811ECE5D64E0D4&compId=BGH75N65HF1.pdf?ci_sign=3a179e4fb72070de62aa7ee1cebaf82200144ccd
BGH75N65HF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 444nC
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 376ns
Power dissipation: 405W
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH75N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a
BGH75N65ZF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 444nC
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Power dissipation: 405W
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.76 EUR
7+11.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH75N65ZF1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81418D7F00E0D4&compId=BGH75N65ZF1.pdf?ci_sign=9bd9110b64ab700c8fe00668cc4519cd5505647a
BGH75N65ZF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 444nC
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Power dissipation: 405W
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.76 EUR
7+11.03 EUR
150+10.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTD21520EAPR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SOP16; -6÷4A; Ch: 2; 3÷18VDC; 5kV
Supply voltage: 3...18V DC
Output current: -6...4A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Insulation voltage: 5kV
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SOP16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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