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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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B1D03120E BASiC SEMICONDUCTOR B1D03120E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D05120E BASiC SEMICONDUCTOR B1D05120E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D06065F BASiC SEMICONDUCTOR B1D06065F SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D06065KS B1D06065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D06065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 30W
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D06065KS B1D06065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D06065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 30W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.75 EUR
37+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065F B1D08065F BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065F.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065F B1D08065F BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065F.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065K B1D08065K BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065K B1D08065K BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.21 EUR
11+6.51 EUR
29+2.46 EUR
100+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065KS B1D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.40 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065KS B1D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.40 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065E BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065F BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065F SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065H B1D10065H BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065H B1D10065H BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
5+14.30 EUR
9+7.95 EUR
23+3.10 EUR
150+1.89 EUR
600+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065KS B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 38W
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.90 EUR
28+2.62 EUR
36+2.03 EUR
38+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065KS B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 38W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.90 EUR
28+2.62 EUR
36+2.03 EUR
38+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10120E BASiC SEMICONDUCTOR B1D10120E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D15065K B1D15065K BASiC SEMICONDUCTOR B1D15065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 84W
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D15065K B1D15065K BASiC SEMICONDUCTOR B1D15065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 84W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.51 EUR
15+4.76 EUR
100+2.80 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D16065HC B1D16065HC BASiC SEMICONDUCTOR B1D16065HC.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
Power dissipation: 73W
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.72 EUR
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D16065HC B1D16065HC BASiC SEMICONDUCTOR B1D16065HC.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
Power dissipation: 73W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.72 EUR
18+3.98 EUR
150+3.13 EUR
600+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D20065HC B1D20065HC BASiC SEMICONDUCTOR B1D20065HC.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.56 EUR
15+4.78 EUR
16+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D20065HC B1D20065HC BASiC SEMICONDUCTOR B1D20065HC.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.56 EUR
15+4.78 EUR
16+4.52 EUR
150+4.38 EUR
600+4.35 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D30065TF B1D30065TF BASiC SEMICONDUCTOR B1D30065TF.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO3PF; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 31W
Max. load current: 30A
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.45 EUR
12+6.29 EUR
13+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D30065TF B1D30065TF BASiC SEMICONDUCTOR B1D30065TF.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO3PF; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 31W
Max. load current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.45 EUR
12+6.29 EUR
13+5.95 EUR
150+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D40065H B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR B1D40065H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Power dissipation: 185W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.21 EUR
9+8.21 EUR
10+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D40065H B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR B1D40065H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Power dissipation: 185W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.21 EUR
9+8.21 EUR
10+7.76 EUR
150+7.48 EUR
600+7.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1M080120HC BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HC THT N channel transistors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.60 EUR
4+18.35 EUR
600+18.30 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1M080120HK B1M080120HK BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HK.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1M080120HK B1M080120HK BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HK.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.96 EUR
150+19.20 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D02120E1 B2D02120E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.92V
Max. forward impulse current: 22A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 34W
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.23 EUR
65+1.12 EUR
80+0.90 EUR
85+0.84 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D02120E1 B2D02120E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.92V
Max. forward impulse current: 22A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 34W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
65+1.12 EUR
80+0.90 EUR
85+0.84 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D02120K1 B2D02120K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 35W
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D02120K1 B2D02120K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 35W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065D BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065D SMD Schottky diodes
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B2D04065D1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065D1 SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065E1 B2D04065E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+1.24 EUR
64+1.13 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065E1 B2D04065E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.24 EUR
64+1.13 EUR
84+0.86 EUR
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Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065K1 B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
Kind of package: tube
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065K1 B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
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53+1.34 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065KF1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065KF1 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065V BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065V SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065V1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065V1 SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D05120E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D05120E1 SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D05120K1 B2D05120K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D05120K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+1.93 EUR
41+1.74 EUR
47+1.54 EUR
50+1.46 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D05120K1 B2D05120K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D05120K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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38+1.93 EUR
41+1.74 EUR
47+1.54 EUR
50+1.46 EUR
100+1.42 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065E1 B2D06065E1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.57 EUR
51+1.42 EUR
61+1.17 EUR
65+1.10 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065E1 B2D06065E1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.57 EUR
51+1.42 EUR
61+1.17 EUR
65+1.10 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065K1 B2D06065K1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+1.92 EUR
42+1.72 EUR
48+1.52 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065K1 B2D06065K1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.92 EUR
42+1.72 EUR
48+1.52 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065KF1 B2D06065KF1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.82 EUR
44+1.63 EUR
49+1.49 EUR
50+1.44 EUR
52+1.40 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065KF1 B2D06065KF1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.82 EUR
44+1.63 EUR
49+1.49 EUR
50+1.44 EUR
52+1.40 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065KS BASiC SEMICONDUCTOR B2D06065KS THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065Q BASiC SEMICONDUCTOR B2D06065Q SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065K B2D08065K BASiC SEMICONDUCTOR B2D08065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 57W
Kind of package: tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065K B2D08065K BASiC SEMICONDUCTOR B2D08065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 57W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
29+2.46 EUR
500+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065K1 B2D08065K1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+2.03 EUR
40+1.82 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065K1 B2D08065K1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.03 EUR
40+1.82 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
100+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065KS B2D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR B2D08065KS.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 37W
Kind of package: tube
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.30 EUR
35+2.07 EUR
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D03120E
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D03120E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D05120E
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D05120E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D06065F
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D06065F SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D06065KS B1D06065KS.pdf
B1D06065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 30W
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D06065KS B1D06065KS.pdf
B1D06065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 30W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.75 EUR
37+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065F B1D08065F.pdf
B1D08065F
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065F B1D08065F.pdf
B1D08065F
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065K B1D08065K.pdf
B1D08065K
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065K B1D08065K.pdf
B1D08065K
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.21 EUR
11+6.51 EUR
29+2.46 EUR
100+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065KS B1D08065KS.pdf
B1D08065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.40 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065KS B1D08065KS.pdf
B1D08065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.40 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065E
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065E SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065F
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065F SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065H B1D10065H.pdf
B1D10065H
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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B1D10065H
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
5+14.30 EUR
9+7.95 EUR
23+3.10 EUR
150+1.89 EUR
600+1.86 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065KS B1D10065KS.pdf
B1D10065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 38W
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.90 EUR
28+2.62 EUR
36+2.03 EUR
38+1.93 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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B1D10065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 38W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.90 EUR
28+2.62 EUR
36+2.03 EUR
38+1.93 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10120E
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10120E SMD Schottky diodes
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B1D15065K B1D15065K.pdf
B1D15065K
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 84W
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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B1D15065K
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 84W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.51 EUR
15+4.76 EUR
100+2.80 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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B1D16065HC B1D16065HC.pdf
B1D16065HC
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
Power dissipation: 73W
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.72 EUR
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D16065HC B1D16065HC.pdf
B1D16065HC
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
Power dissipation: 73W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.72 EUR
18+3.98 EUR
150+3.13 EUR
600+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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B1D20065HC B1D20065HC.pdf
B1D20065HC
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.56 EUR
15+4.78 EUR
16+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D20065HC B1D20065HC.pdf
B1D20065HC
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.56 EUR
15+4.78 EUR
16+4.52 EUR
150+4.38 EUR
600+4.35 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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B1D30065TF B1D30065TF.pdf
B1D30065TF
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO3PF; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 31W
Max. load current: 30A
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.45 EUR
12+6.29 EUR
13+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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B1D30065TF B1D30065TF.pdf
B1D30065TF
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO3PF; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 31W
Max. load current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.45 EUR
12+6.29 EUR
13+5.95 EUR
150+5.72 EUR
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B1D40065H B1D40065H.pdf
B1D40065H
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Power dissipation: 185W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.21 EUR
9+8.21 EUR
10+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D40065H B1D40065H.pdf
B1D40065H
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Power dissipation: 185W
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.21 EUR
9+8.21 EUR
10+7.76 EUR
150+7.48 EUR
600+7.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1M080120HC
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1M080120HC THT N channel transistors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.60 EUR
4+18.35 EUR
600+18.30 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1M080120HK B1M080120HK.pdf
B1M080120HK
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1M080120HK B1M080120HK.pdf
B1M080120HK
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.96 EUR
150+19.20 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D02120E1 B2D02120E1.pdf
B2D02120E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.92V
Max. forward impulse current: 22A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 34W
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
65+1.12 EUR
80+0.90 EUR
85+0.84 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D02120E1 B2D02120E1.pdf
B2D02120E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.92V
Max. forward impulse current: 22A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 34W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.23 EUR
65+1.12 EUR
80+0.90 EUR
85+0.84 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D02120K1 B2D02120K1.pdf
B2D02120K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 35W
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D02120K1 B2D02120K1.pdf
B2D02120K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 35W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065D
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065D SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
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B2D04065D1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065D1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
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B2D04065E1 B2D04065E1.pdf
B2D04065E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
64+1.13 EUR
84+0.86 EUR
88+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065E1 B2D04065E1.pdf
B2D04065E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
64+1.13 EUR
84+0.86 EUR
88+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 58
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B2D04065K1 B2D04065K1.pdf
B2D04065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
Kind of package: tube
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065K1 B2D04065K1.pdf
B2D04065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
53+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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B2D04065KF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065KF1 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
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B2D04065V
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065V SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065V1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065V1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D05120E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D05120E1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D05120K1 B2D05120K1.pdf
B2D05120K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
41+1.74 EUR
47+1.54 EUR
50+1.46 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D05120K1 B2D05120K1.pdf
B2D05120K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
41+1.74 EUR
47+1.54 EUR
50+1.46 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065E1
B2D06065E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
51+1.42 EUR
61+1.17 EUR
65+1.10 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065E1
B2D06065E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
51+1.42 EUR
61+1.17 EUR
65+1.10 EUR
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Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065K1
B2D06065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.92 EUR
42+1.72 EUR
48+1.52 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065K1
B2D06065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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Anzahl Preis
38+1.92 EUR
42+1.72 EUR
48+1.52 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065KF1
B2D06065KF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
44+1.63 EUR
49+1.49 EUR
50+1.44 EUR
52+1.40 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065KF1
B2D06065KF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 162 Stücke:
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B2D06065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D06065KS THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065Q
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D06065Q SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065K B2D08065K.pdf
B2D08065K
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 57W
Kind of package: tube
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065K B2D08065K.pdf
B2D08065K
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 57W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
29+2.46 EUR
500+1.50 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065K1
B2D08065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.03 EUR
40+1.82 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065K1
B2D08065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.03 EUR
40+1.82 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
100+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065KS B2D08065KS.pdf
B2D08065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 37W
Kind of package: tube
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.30 EUR
35+2.07 EUR
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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