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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
B1D06065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D06065KS THT Schottky diodes
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.96 EUR
15+4.76 EUR
39+1.83 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065K BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065K THT Schottky diodes
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
11+6.51 EUR
29+2.46 EUR
500+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D08065KS THT Schottky diodes
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.76 EUR
29+2.46 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065H BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065H THT Schottky diodes
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
9+7.95 EUR
23+3.1 EUR
600+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065KS THT Schottky diodes
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.06 EUR
30+2.39 EUR
500+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D15065K B1D15065K BASiC SEMICONDUCTOR B1D15065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 10µA
Load current: 15A
Power dissipation: 84W
Max. forward impulse current: 112A
Max. forward voltage: 1.75V
Max. off-state voltage: 650V
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D15065K B1D15065K BASiC SEMICONDUCTOR B1D15065K.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 10µA
Load current: 15A
Power dissipation: 84W
Max. forward impulse current: 112A
Max. forward voltage: 1.75V
Max. off-state voltage: 650V
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D16065HC BASiC SEMICONDUCTOR B1D16065HC THT Schottky diodes
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
14+5.11 EUR
600+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D20065HC BASiC SEMICONDUCTOR B1D20065HC THT Schottky diodes
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.91 EUR
16+4.68 EUR
17+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D30065TF BASiC SEMICONDUCTOR B1D30065TF THT Schottky diodes
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.89 EUR
12+5.99 EUR
13+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR B1D40065H THT Schottky diodes
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.81 EUR
9+7.99 EUR
10+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1M080120HC BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HC THT N channel transistors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.61 EUR
4+18.66 EUR
600+18.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1M080120HK BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HK THT N channel transistors
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.61 EUR
4+19.85 EUR
600+19.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D02120E1 B2D02120E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 34W
auf Bestellung 3279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.07 EUR
75+0.96 EUR
85+0.84 EUR
100+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D02120E1 B2D02120E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120E1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 34W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
75+0.96 EUR
85+0.84 EUR
100+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065E1 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 2451 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.27 EUR
90+0.8 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.65 EUR
56+1.27 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065E1 B2D06065E1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+1.42 EUR
57+1.26 EUR
65+1.12 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065E1 B2D06065E1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
57+1.26 EUR
65+1.12 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D06065K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065K BASiC SEMICONDUCTOR B2D08065K THT Schottky diodes
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
11+6.51 EUR
30+2.39 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D08065K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.13 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR B2D08065KS THT Schottky diodes
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.43 EUR
41+1.74 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.67 EUR
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065KS THT Schottky diodes
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.06 EUR
36+2.03 EUR
38+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.93 EUR
26+2.75 EUR
600+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10120HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
7+10.21 EUR
19+3.76 EUR
600+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D15120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D15120H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.98 EUR
14+5.23 EUR
15+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D16065HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.96 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16120HC1 B2D16120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D16120HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 1.82V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 80A
Power dissipation: 74W
Technology: SiC
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.82 EUR
17+4.33 EUR
30+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16120HC1 B2D16120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D16120HC1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 1.82V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 80A
Power dissipation: 74W
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.82 EUR
17+4.33 EUR
30+3.85 EUR
150+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065F1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065F1 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.6 EUR
18+4.02 EUR
19+3.8 EUR
100+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.92 EUR
19+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.92 EUR
18+4.13 EUR
19+3.9 EUR
600+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065TF THT Schottky diodes
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.08 EUR
18+4 EUR
19+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.36 EUR
15+5 EUR
16+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.36 EUR
15+4.82 EUR
16+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30065H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.35 EUR
11+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30065HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30065HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.89 EUR
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30120H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.09 EUR
7+10.47 EUR
8+9.9 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D30120HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.05 EUR
10+7.55 EUR
11+7.14 EUR
600+7.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40065H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40065H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.88 EUR
8+9.52 EUR
30+9.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.53 EUR
5+14.47 EUR
6+13.69 EUR
30+13.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40120HC1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.73 EUR
8+9.52 EUR
600+9.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D60120H1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D60120H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+23.22 EUR
5+16.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M032120Y BASiC SEMICONDUCTOR B2M032120Y THT N channel transistors
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.18 EUR
5+14.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120H BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120H THT N channel transistors
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.71 EUR
7+10.52 EUR
8+9.95 EUR
30+9.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120R BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120R SMD N channel transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16 EUR
7+10.75 EUR
8+10.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120Z BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120Z THT N channel transistors
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.88 EUR
7+10.25 EUR
8+9.7 EUR
30+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH40N120HF BGH40N120HF BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.85 EUR
8+9.78 EUR
10+8.65 EUR
30+7.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.85 EUR
8+9.78 EUR
10+8.65 EUR
30+7.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.93 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HS1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
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5+15.32 EUR
6+13.77 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.16 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.16 EUR
30+10.75 EUR
150+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N120HF1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 28 Stücke:
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6+13.84 EUR
8+9.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH75N65HF1 BGH75N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65HF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 376ns
Turn-on time: 104ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D06065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D06065KS THT Schottky diodes
auf Bestellung 12 Stücke:
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Anzahl Preis
12+5.96 EUR
15+4.76 EUR
39+1.83 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065K
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D08065K THT Schottky diodes
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+71.5 EUR
11+6.51 EUR
29+2.46 EUR
500+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D08065KS THT Schottky diodes
auf Bestellung 19 Stücke:
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19+3.76 EUR
29+2.46 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065H
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065H THT Schottky diodes
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
9+7.95 EUR
23+3.1 EUR
600+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065KS THT Schottky diodes
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Anzahl Preis
24+3.06 EUR
30+2.39 EUR
500+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D15065K B1D15065K.pdf
B1D15065K
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 10µA
Load current: 15A
Power dissipation: 84W
Max. forward impulse current: 112A
Max. forward voltage: 1.75V
Max. off-state voltage: 650V
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D15065K B1D15065K.pdf
B1D15065K
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 10µA
Load current: 15A
Power dissipation: 84W
Max. forward impulse current: 112A
Max. forward voltage: 1.75V
Max. off-state voltage: 650V
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D16065HC
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D16065HC THT Schottky diodes
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
6+11.91 EUR
14+5.11 EUR
600+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D20065HC
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D20065HC THT Schottky diodes
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.91 EUR
16+4.68 EUR
17+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D30065TF
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D30065TF THT Schottky diodes
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.89 EUR
12+5.99 EUR
13+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D40065H
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D40065H THT Schottky diodes
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.81 EUR
9+7.99 EUR
10+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1M080120HC
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1M080120HC THT N channel transistors
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.61 EUR
4+18.66 EUR
600+18.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1M080120HK
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1M080120HK THT N channel transistors
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.61 EUR
4+19.85 EUR
600+19.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D02120E1 B2D02120E1.pdf
B2D02120E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 34W
auf Bestellung 3279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
75+0.96 EUR
85+0.84 EUR
100+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D02120E1 B2D02120E1.pdf
B2D02120E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 34W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
75+0.96 EUR
85+0.84 EUR
100+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065E1 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 2451 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.27 EUR
90+0.8 EUR
95+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.65 EUR
56+1.27 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065E1
B2D06065E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
57+1.26 EUR
65+1.12 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065E1
B2D06065E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2436 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
57+1.26 EUR
65+1.12 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D06065K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065K
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D08065K THT Schottky diodes
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
11+6.51 EUR
30+2.39 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D08065K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.13 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D08065KS THT Schottky diodes
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.43 EUR
41+1.74 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.67 EUR
41+1.74 EUR
44+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065KS THT Schottky diodes
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.06 EUR
36+2.03 EUR
38+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10120H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.93 EUR
26+2.75 EUR
600+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10120HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+17.88 EUR
7+10.21 EUR
19+3.76 EUR
600+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D15120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D15120H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.98 EUR
14+5.23 EUR
15+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D16065HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.96 EUR
20+3.72 EUR
21+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16120HC1 B2D16120HC1.pdf
B2D16120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 1.82V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 80A
Power dissipation: 74W
Technology: SiC
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.82 EUR
17+4.33 EUR
30+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D16120HC1 B2D16120HC1.pdf
B2D16120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Max. forward voltage: 1.82V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 80A
Power dissipation: 74W
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.82 EUR
17+4.33 EUR
30+3.85 EUR
150+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065F1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20065F1 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.6 EUR
18+4.02 EUR
19+3.8 EUR
100+3.66 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20065H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.92 EUR
19+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20065HC1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.92 EUR
18+4.13 EUR
19+3.9 EUR
600+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20065TF
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20065TF THT Schottky diodes
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.08 EUR
18+4 EUR
19+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20120H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.36 EUR
15+5 EUR
16+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D20120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D20120HC1 THT Schottky diodes
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10+7.36 EUR
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16+4.56 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30065H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D30065H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 18 Stücke:
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8+9.35 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30065HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D30065HC1 THT Schottky diodes
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9+8.89 EUR
13+5.51 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D30120H1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 14 Stücke:
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6+14.09 EUR
7+10.47 EUR
8+9.9 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D30120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D30120HC1 THT Schottky diodes
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7+11.05 EUR
10+7.55 EUR
11+7.14 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40065H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D40065H1 THT Schottky diodes
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6+12.88 EUR
8+9.52 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D40120H1 THT Schottky diodes
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4+18.53 EUR
5+14.47 EUR
6+13.69 EUR
30+13.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D40120HC1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D40120HC1 THT Schottky diodes
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5+14.73 EUR
8+9.52 EUR
600+9.5 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D60120H1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D60120H1 THT Schottky diodes
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4+23.22 EUR
5+16.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M032120Y
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2M032120Y THT N channel transistors
auf Bestellung 51 Stücke:
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4+21.18 EUR
5+14.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120H
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2M065120H THT N channel transistors
auf Bestellung 61 Stücke:
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6+13.71 EUR
7+10.52 EUR
8+9.95 EUR
30+9.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120R
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2M065120R SMD N channel transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
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5+16 EUR
7+10.75 EUR
8+10.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2M065120Z
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2M065120Z THT N channel transistors
auf Bestellung 26 Stücke:
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Anzahl Preis
6+12.88 EUR
7+10.25 EUR
8+9.7 EUR
30+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH40N120HF
BGH40N120HF
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.85 EUR
8+9.78 EUR
10+8.65 EUR
30+7.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.85 EUR
8+9.78 EUR
10+8.65 EUR
30+7.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1.pdf
BGH50N65HF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.93 EUR
6+13.51 EUR
30+11.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HF1 BGH50N65HF1.pdf
BGH50N65HF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.93 EUR
6+13.51 EUR
30+11.9 EUR
150+9.97 EUR
600+9.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BGH50N65HS1 BGH50N65HS1.pdf
BGH50N65HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.32 EUR
6+13.77 EUR
30+12.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1.pdf
BGH50N65HS1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.32 EUR
6+13.77 EUR
30+12.17 EUR
150+10.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1.pdf
BGH50N65ZF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.16 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1.pdf
BGH50N65ZF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.16 EUR
30+10.75 EUR
150+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH75N120HF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
BGH75N120HF1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.84 EUR
8+9.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGH75N65HF1 BGH75N65HF1.pdf
BGH75N65HF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 376ns
Turn-on time: 104ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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