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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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B1D03120E BASiC SEMICONDUCTOR B1D03120E SMD Schottky diodes
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B1D05120E BASiC SEMICONDUCTOR B1D05120E SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D06065F BASiC SEMICONDUCTOR B1D06065F SMD Schottky diodes
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B1D06065KS BASiC SEMICONDUCTOR B1D06065KS THT Schottky diodes
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.46 EUR
35+2.04 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 29
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B1D08065F B1D08065F BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA72075F3300D2&compId=B1D08065F.pdf?ci_sign=f6a9406d66683fce5d9928ab358db31976f2ee94 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
Produkt ist nicht verfügbar
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B1D08065F B1D08065F BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA72075F3300D2&compId=B1D08065F.pdf?ci_sign=f6a9406d66683fce5d9928ab358db31976f2ee94 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065K B1D08065K BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA968A0F2C60D2&compId=B1D08065K.pdf?ci_sign=3061af04d3be58c30253f2df789d29c30c2c0e6c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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B1D08065K B1D08065K BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA968A0F2C60D2&compId=B1D08065K.pdf?ci_sign=3061af04d3be58c30253f2df789d29c30c2c0e6c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
5+14.3 EUR
11+6.51 EUR
29+2.46 EUR
100+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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B1D08065KS B1D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAD64EDFF680D2&compId=B1D08065KS.pdf?ci_sign=62b8df5bd7b6e7b60abc24d92c60c3028facdcf1 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065KS B1D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAD64EDFF680D2&compId=B1D08065KS.pdf?ci_sign=62b8df5bd7b6e7b60abc24d92c60c3028facdcf1 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.4 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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B1D10065E BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065E SMD Schottky diodes
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B1D10065F BASiC SEMICONDUCTOR B1D10065F SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065H B1D10065H BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB01C05127E0D2&compId=B1D10065H.pdf?ci_sign=23bf46e00b9a3e44ae93dc37042289f98ac3c210 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065H B1D10065H BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB01C05127E0D2&compId=B1D10065H.pdf?ci_sign=23bf46e00b9a3e44ae93dc37042289f98ac3c210 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
5+14.3 EUR
9+7.95 EUR
23+3.1 EUR
150+1.89 EUR
600+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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B1D10065KS B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBADD0C0C0F00D2&compId=B1D10065KS.pdf?ci_sign=1522eea78d724b5cbcc87ff09d06d7e114ee711c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 38W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.45 EUR
33+2.2 EUR
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065KS B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBADD0C0C0F00D2&compId=B1D10065KS.pdf?ci_sign=1522eea78d724b5cbcc87ff09d06d7e114ee711c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 38W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.45 EUR
33+2.2 EUR
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
100+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10120E BASiC SEMICONDUCTOR B1D10120E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D15065K B1D15065K BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA9F20CFCD60D2&compId=B1D15065K.pdf?ci_sign=b4b2037f60b059832a4fec1348d9db7a74db0c8b Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 84W
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D15065K B1D15065K BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA9F20CFCD60D2&compId=B1D15065K.pdf?ci_sign=b4b2037f60b059832a4fec1348d9db7a74db0c8b Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 84W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.96 EUR
15+4.76 EUR
100+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D16065HC BASiC SEMICONDUCTOR B1D16065HC THT Schottky diodes
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.96 EUR
19+3.76 EUR
600+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D20065HC B1D20065HC BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF812AD8B48DE0D4&compId=B1D20065HC.pdf?ci_sign=1c693b7082dae76927e69fb2b7bff8c3a76b548d Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.52 EUR
16+4.59 EUR
17+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D20065HC B1D20065HC BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF812AD8B48DE0D4&compId=B1D20065HC.pdf?ci_sign=1c693b7082dae76927e69fb2b7bff8c3a76b548d Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.52 EUR
16+4.59 EUR
17+4.33 EUR
150+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D30065TF B1D30065TF BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84E44D240AA0D2&compId=B1D30065TF.pdf?ci_sign=d6d738def4307ec3ae9f4f268712819bb817a2f3 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO3PF; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
Power dissipation: 31W
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.12 EUR
13+5.61 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D30065TF B1D30065TF BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84E44D240AA0D2&compId=B1D30065TF.pdf?ci_sign=d6d738def4307ec3ae9f4f268712819bb817a2f3 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO3PF; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
Power dissipation: 31W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.12 EUR
13+5.61 EUR
150+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D40065H B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB07E2722C00D2&compId=B1D40065H.pdf?ci_sign=be279d29bcbc17407e33f538411607b9a33a00f0 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 185W
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.44 EUR
10+7.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D40065H B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB07E2722C00D2&compId=B1D40065H.pdf?ci_sign=be279d29bcbc17407e33f538411607b9a33a00f0 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 185W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.44 EUR
10+7.42 EUR
150+7.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1M080120HC B1M080120HC BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8136B7B479E0D4&compId=B1M080120HC.pdf?ci_sign=0907b4299a0384db3809e52a040d6882159a5e2b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1M080120HC B1M080120HC BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8136B7B479E0D4&compId=B1M080120HC.pdf?ci_sign=0907b4299a0384db3809e52a040d6882159a5e2b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.32 EUR
150+18.2 EUR
600+17.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1M080120HK B1M080120HK BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HK.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: THT
Case: TO247-4
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1M080120HK B1M080120HK BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HK.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.65 EUR
150+18.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D02120E1 B2D02120E1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA632ACD8DC0D2&compId=B2D02120E1.pdf?ci_sign=f67a22142b5f85752af86cae5ef3f31f479e8230 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 34W
Technology: SiC
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.22 EUR
65+1.1 EUR
80+0.9 EUR
85+0.84 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D02120E1 B2D02120E1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA632ACD8DC0D2&compId=B2D02120E1.pdf?ci_sign=f67a22142b5f85752af86cae5ef3f31f479e8230 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 34W
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
65+1.1 EUR
80+0.9 EUR
85+0.84 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D02120K1 B2D02120K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 35W
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D02120K1 B2D02120K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120K1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 35W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065D BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065D SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065D1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065D1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065E1 B2D04065E1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81328EB92840D4&compId=B2D04065E1.pdf?ci_sign=9e37320e76902e635baf49b6314cdd1d23cf77a3 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+1.06 EUR
76+0.94 EUR
88+0.82 EUR
93+0.77 EUR
100+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065E1 B2D04065E1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81328EB92840D4&compId=B2D04065E1.pdf?ci_sign=9e37320e76902e635baf49b6314cdd1d23cf77a3 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
76+0.94 EUR
88+0.82 EUR
93+0.77 EUR
100+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065K1 B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAA7EB63A240D2&compId=B2D04065K1.pdf?ci_sign=d5f4f524c391ffe2f98a665841cc7b6a7c207245 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 39W
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065K1 B2D04065K1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAA7EB63A240D2&compId=B2D04065K1.pdf?ci_sign=d5f4f524c391ffe2f98a665841cc7b6a7c207245 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 39W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.04 EUR
53+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065KF1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065KF1 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065V BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065V SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065V1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065V1 SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D05120E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D05120E1 SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D05120K1 B2D05120K1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAAC12176420D2&compId=B2D05120K1.pdf?ci_sign=4f8ddf9f9a2b2deb8eade5bd1c420033dcd9ff73 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ir: 30uA
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 30µA
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+1.93 EUR
41+1.74 EUR
47+1.54 EUR
50+1.46 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D05120K1 B2D05120K1 BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAAC12176420D2&compId=B2D05120K1.pdf?ci_sign=4f8ddf9f9a2b2deb8eade5bd1c420033dcd9ff73 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ir: 30uA
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 30µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
41+1.74 EUR
47+1.54 EUR
50+1.46 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065E1 B2D06065E1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.57 EUR
51+1.42 EUR
61+1.17 EUR
65+1.1 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065E1 B2D06065E1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.57 EUR
51+1.42 EUR
61+1.17 EUR
65+1.1 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065K1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D06065K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.19 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065KF1 B2D06065KF1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.83 EUR
44+1.64 EUR
49+1.49 EUR
50+1.44 EUR
52+1.4 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065KF1 B2D06065KF1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
44+1.64 EUR
49+1.49 EUR
50+1.44 EUR
52+1.4 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065KS BASiC SEMICONDUCTOR B2D06065KS THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065Q BASiC SEMICONDUCTOR B2D06065Q SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065K B2D08065K BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAB64305A260D2&compId=B2D08065K.pdf?ci_sign=7ed7ea60629032222bae9db89d33b650494da846 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065K B2D08065K BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAB64305A260D2&compId=B2D08065K.pdf?ci_sign=7ed7ea60629032222bae9db89d33b650494da846 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
25+2.86 EUR
30+2.39 EUR
100+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065K1 B2D08065K1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+2.03 EUR
40+1.82 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065K1 B2D08065K1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.03 EUR
40+1.82 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
100+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065KS B2D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAE107319300D2&compId=B2D08065KS.pdf?ci_sign=81fd319a09c8c318c3ed608ead29194e7bb546b6 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+1.94 EUR
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065KS B2D08065KS BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAE107319300D2&compId=B2D08065KS.pdf?ci_sign=81fd319a09c8c318c3ed608ead29194e7bb546b6 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.94 EUR
41+1.74 EUR
100+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065E1 BASiC SEMICONDUCTOR B2D10065E1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D03120E
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D03120E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D05120E
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D05120E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D06065F
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D06065F SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D06065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D06065KS THT Schottky diodes
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.46 EUR
35+2.04 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA72075F3300D2&compId=B1D08065F.pdf?ci_sign=f6a9406d66683fce5d9928ab358db31976f2ee94
B1D08065F
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA72075F3300D2&compId=B1D08065F.pdf?ci_sign=f6a9406d66683fce5d9928ab358db31976f2ee94
B1D08065F
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA968A0F2C60D2&compId=B1D08065K.pdf?ci_sign=3061af04d3be58c30253f2df789d29c30c2c0e6c
B1D08065K
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA968A0F2C60D2&compId=B1D08065K.pdf?ci_sign=3061af04d3be58c30253f2df789d29c30c2c0e6c
B1D08065K
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
5+14.3 EUR
11+6.51 EUR
29+2.46 EUR
100+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065KS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAD64EDFF680D2&compId=B1D08065KS.pdf?ci_sign=62b8df5bd7b6e7b60abc24d92c60c3028facdcf1
B1D08065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D08065KS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAD64EDFF680D2&compId=B1D08065KS.pdf?ci_sign=62b8df5bd7b6e7b60abc24d92c60c3028facdcf1
B1D08065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.4 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065E
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065F
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065F SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB01C05127E0D2&compId=B1D10065H.pdf?ci_sign=23bf46e00b9a3e44ae93dc37042289f98ac3c210
B1D10065H
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB01C05127E0D2&compId=B1D10065H.pdf?ci_sign=23bf46e00b9a3e44ae93dc37042289f98ac3c210
B1D10065H
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 68W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+23.84 EUR
5+14.3 EUR
9+7.95 EUR
23+3.1 EUR
150+1.89 EUR
600+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065KS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBADD0C0C0F00D2&compId=B1D10065KS.pdf?ci_sign=1522eea78d724b5cbcc87ff09d06d7e114ee711c
B1D10065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 38W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.45 EUR
33+2.2 EUR
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10065KS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBADD0C0C0F00D2&compId=B1D10065KS.pdf?ci_sign=1522eea78d724b5cbcc87ff09d06d7e114ee711c
B1D10065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 38W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.45 EUR
33+2.2 EUR
37+1.96 EUR
39+1.86 EUR
100+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D10120E
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10120E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D15065K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA9F20CFCD60D2&compId=B1D15065K.pdf?ci_sign=b4b2037f60b059832a4fec1348d9db7a74db0c8b
B1D15065K
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 84W
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D15065K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA9F20CFCD60D2&compId=B1D15065K.pdf?ci_sign=b4b2037f60b059832a4fec1348d9db7a74db0c8b
B1D15065K
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 84W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+5.96 EUR
15+4.76 EUR
100+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D16065HC
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D16065HC THT Schottky diodes
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.96 EUR
19+3.76 EUR
600+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D20065HC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF812AD8B48DE0D4&compId=B1D20065HC.pdf?ci_sign=1c693b7082dae76927e69fb2b7bff8c3a76b548d
B1D20065HC
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.52 EUR
16+4.59 EUR
17+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D20065HC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF812AD8B48DE0D4&compId=B1D20065HC.pdf?ci_sign=1c693b7082dae76927e69fb2b7bff8c3a76b548d
B1D20065HC
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.52 EUR
16+4.59 EUR
17+4.33 EUR
150+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D30065TF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84E44D240AA0D2&compId=B1D30065TF.pdf?ci_sign=d6d738def4307ec3ae9f4f268712819bb817a2f3
B1D30065TF
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO3PF; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
Power dissipation: 31W
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.12 EUR
13+5.61 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D30065TF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8C84E44D240AA0D2&compId=B1D30065TF.pdf?ci_sign=d6d738def4307ec3ae9f4f268712819bb817a2f3
B1D30065TF
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO3PF; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 110A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Max. load current: 30A
Power dissipation: 31W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.12 EUR
13+5.61 EUR
150+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D40065H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB07E2722C00D2&compId=B1D40065H.pdf?ci_sign=be279d29bcbc17407e33f538411607b9a33a00f0
B1D40065H
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 185W
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.44 EUR
10+7.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1D40065H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBB07E2722C00D2&compId=B1D40065H.pdf?ci_sign=be279d29bcbc17407e33f538411607b9a33a00f0
B1D40065H
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 310A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 185W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.44 EUR
10+7.42 EUR
150+7.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1M080120HC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8136B7B479E0D4&compId=B1M080120HC.pdf?ci_sign=0907b4299a0384db3809e52a040d6882159a5e2b
B1M080120HC
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1M080120HC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8136B7B479E0D4&compId=B1M080120HC.pdf?ci_sign=0907b4299a0384db3809e52a040d6882159a5e2b
B1M080120HC
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.32 EUR
150+18.2 EUR
600+17.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1M080120HK B1M080120HK.pdf
B1M080120HK
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: THT
Case: TO247-4
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B1M080120HK B1M080120HK.pdf
B1M080120HK
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.65 EUR
150+18.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D02120E1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA632ACD8DC0D2&compId=B2D02120E1.pdf?ci_sign=f67a22142b5f85752af86cae5ef3f31f479e8230
B2D02120E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 34W
Technology: SiC
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
65+1.1 EUR
80+0.9 EUR
85+0.84 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D02120E1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBA632ACD8DC0D2&compId=B2D02120E1.pdf?ci_sign=f67a22142b5f85752af86cae5ef3f31f479e8230
B2D02120E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 34W
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
65+1.1 EUR
80+0.9 EUR
85+0.84 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D02120K1 B2D02120K1.pdf
B2D02120K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 35W
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D02120K1 B2D02120K1.pdf
B2D02120K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 35W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065D
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065D SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065D1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065D1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065E1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81328EB92840D4&compId=B2D04065E1.pdf?ci_sign=9e37320e76902e635baf49b6314cdd1d23cf77a3
B2D04065E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
76+0.94 EUR
88+0.82 EUR
93+0.77 EUR
100+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065E1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF81328EB92840D4&compId=B2D04065E1.pdf?ci_sign=9e37320e76902e635baf49b6314cdd1d23cf77a3
B2D04065E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
76+0.94 EUR
88+0.82 EUR
93+0.77 EUR
100+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065K1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAA7EB63A240D2&compId=B2D04065K1.pdf?ci_sign=d5f4f524c391ffe2f98a665841cc7b6a7c207245
B2D04065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 39W
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065K1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAA7EB63A240D2&compId=B2D04065K1.pdf?ci_sign=d5f4f524c391ffe2f98a665841cc7b6a7c207245
B2D04065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 39W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.04 EUR
53+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065KF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065KF1 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065V
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065V SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D04065V1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065V1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D05120E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D05120E1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D05120K1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAAC12176420D2&compId=B2D05120K1.pdf?ci_sign=4f8ddf9f9a2b2deb8eade5bd1c420033dcd9ff73
B2D05120K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ir: 30uA
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 30µA
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
41+1.74 EUR
47+1.54 EUR
50+1.46 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D05120K1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAAC12176420D2&compId=B2D05120K1.pdf?ci_sign=4f8ddf9f9a2b2deb8eade5bd1c420033dcd9ff73
B2D05120K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ir: 30uA
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 64W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 30µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.93 EUR
41+1.74 EUR
47+1.54 EUR
50+1.46 EUR
100+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065E1
B2D06065E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
51+1.42 EUR
61+1.17 EUR
65+1.1 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065E1
B2D06065E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.57 EUR
51+1.42 EUR
61+1.17 EUR
65+1.1 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D06065K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.19 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065KF1
B2D06065KF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
44+1.64 EUR
49+1.49 EUR
50+1.44 EUR
52+1.4 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065KF1
B2D06065KF1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
44+1.64 EUR
49+1.49 EUR
50+1.44 EUR
52+1.4 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D06065KS THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D06065Q
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D06065Q SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAB64305A260D2&compId=B2D08065K.pdf?ci_sign=7ed7ea60629032222bae9db89d33b650494da846
B2D08065K
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAB64305A260D2&compId=B2D08065K.pdf?ci_sign=7ed7ea60629032222bae9db89d33b650494da846
B2D08065K
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
25+2.86 EUR
30+2.39 EUR
100+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065K1
B2D08065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.03 EUR
40+1.82 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065K1
B2D08065K1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.03 EUR
40+1.82 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
100+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065KS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAE107319300D2&compId=B2D08065KS.pdf?ci_sign=81fd319a09c8c318c3ed608ead29194e7bb546b6
B2D08065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
41+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D08065KS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8BBAE107319300D2&compId=B2D08065KS.pdf?ci_sign=81fd319a09c8c318c3ed608ead29194e7bb546b6
B2D08065KS
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
41+1.74 EUR
100+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B2D10065E1
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065E1 SMD Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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