Produkte > BASIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers BASIC SEMICONDUCTOR (173) > Seite 1 nach 3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
B1D03120E | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D03120E SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B1D05120E | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D05120E SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B1D06065F | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D06065F SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
B1D06065KF | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.73V Max. forward impulse current: 45A Leakage current: 20µA Power dissipation: 23W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
B1D06065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D06065KS THT Schottky diodes |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
![]() |
B1D08065F | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO263-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape Power dissipation: 48W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
B1D08065F | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO263-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape Power dissipation: 48W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
B1D08065K | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 56W |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
B1D08065K | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 56W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
B1D08065KS | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.73V Max. forward impulse current: 64A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 32W |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
B1D08065KS | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.73V Max. forward impulse current: 64A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 32W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
B1D10065E | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D10065E SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B1D10065F | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D10065F SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B1D10065H | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D10065H THT Schottky diodes |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
B1D10065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D10065KS THT Schottky diodes |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
B1D10120E | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D10120E SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
B1D15065K | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA Mounting: THT Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Leakage current: 10µA Load current: 15A Power dissipation: 84W Max. forward impulse current: 112A Max. forward voltage: 1.75V Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
B1D15065K | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA Mounting: THT Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Leakage current: 10µA Load current: 15A Power dissipation: 84W Max. forward impulse current: 112A Max. forward voltage: 1.75V Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
B1D16065HC | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D16065HC THT Schottky diodes |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
![]() |
B1D20065HC | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube Mounting: THT Application: automotive industry Semiconductor structure: common cathode; double Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying Load current: 10A x2 Max. load current: 20A Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Case: TO247-3 |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
B1D20065HC | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube Mounting: THT Application: automotive industry Semiconductor structure: common cathode; double Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying Load current: 10A x2 Max. load current: 20A Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
B1D30065TF | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D30065TF THT Schottky diodes |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
B1D40065H | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D40065H THT Schottky diodes |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
![]() |
B1M080120HC | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 241W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
B1M080120HC | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 241W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 149nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
B1M080120HK | BASiC SEMICONDUCTOR | B1M080120HK THT N channel transistors |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
![]() |
B2D02120E1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.92V Leakage current: 20µA Max. forward impulse current: 22A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 34W Technology: SiC |
auf Bestellung 3358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D02120E1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.92V Leakage current: 20µA Max. forward impulse current: 22A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 34W Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3358 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
B2D02120K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D02120K1 THT Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B2D04065D | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065D SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B2D04065D1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065D1 SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
B2D04065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Case: TO252-2 Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD |
auf Bestellung 2453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D04065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Case: TO252-2 Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2453 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D04065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.6V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 34A Leakage current: 20µA Power dissipation: 39W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D04065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.6V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 34A Leakage current: 20µA Power dissipation: 39W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
B2D04065KF1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065KF1 THT Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B2D04065V | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065V SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B2D04065V1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065V1 SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B2D05120E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D05120E1 SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B2D05120K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D05120K1 THT Schottky diodes |
auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
![]() |
B2D06065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Technology: SiC |
auf Bestellung 2452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D06065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2452 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
B2D06065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D06065K1 THT Schottky diodes |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
![]() |
B2D06065KF1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Kind of package: tube |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D06065KF1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
B2D06065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D06065KS THT Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B2D06065Q | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D06065Q SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
B2D08065K | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 57W |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D08065K | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 57W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D08065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Kind of package: tube |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D08065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D08065KS | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.54V Max. forward impulse current: 64A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 37W |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
B2D08065KS | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.54V Max. forward impulse current: 64A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Power dissipation: 37W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
B2D10065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065E1 SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B2D10065F | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065F SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B2D10065F1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065F1 SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B2D10065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065K1 THT Schottky diodes |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
B2D10065KF1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065KF1 THT Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B2D10065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065KS THT Schottky diodes |
auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
B2D10065Q | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065Q SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
B1D03120E |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D03120E SMD Schottky diodes
B1D03120E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B1D05120E |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D05120E SMD Schottky diodes
B1D05120E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B1D06065F |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D06065F SMD Schottky diodes
B1D06065F SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B1D06065KF |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 23W
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 23W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B1D06065KS |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D06065KS THT Schottky diodes
B1D06065KS THT Schottky diodes
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.46 EUR |
35+ | 2.04 EUR |
500+ | 1.39 EUR |
B1D08065F |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B1D08065F |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO263-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 48W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B1D08065K |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
B1D08065K |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 56W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.5 EUR |
5+ | 14.3 EUR |
11+ | 6.51 EUR |
29+ | 2.46 EUR |
100+ | 1.47 EUR |
B1D08065KS |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.76 EUR |
B1D08065KS |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.73V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 32W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.76 EUR |
29+ | 2.46 EUR |
B1D10065E |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065E SMD Schottky diodes
B1D10065E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B1D10065F |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065F SMD Schottky diodes
B1D10065F SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B1D10065H |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065H THT Schottky diodes
B1D10065H THT Schottky diodes
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 23.84 EUR |
9+ | 7.95 EUR |
23+ | 3.1 EUR |
600+ | 1.92 EUR |
B1D10065KS |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065KS THT Schottky diodes
B1D10065KS THT Schottky diodes
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
24+ | 3.06 EUR |
35+ | 2.04 EUR |
37+ | 1.94 EUR |
B1D10120E |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10120E SMD Schottky diodes
B1D10120E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B1D15065K |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 10µA
Load current: 15A
Power dissipation: 84W
Max. forward impulse current: 112A
Max. forward voltage: 1.75V
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 10µA
Load current: 15A
Power dissipation: 84W
Max. forward impulse current: 112A
Max. forward voltage: 1.75V
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.15 EUR |
B1D15065K |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 10µA
Load current: 15A
Power dissipation: 84W
Max. forward impulse current: 112A
Max. forward voltage: 1.75V
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Leakage current: 10µA
Load current: 15A
Power dissipation: 84W
Max. forward impulse current: 112A
Max. forward voltage: 1.75V
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.15 EUR |
15+ | 4.76 EUR |
100+ | 2.8 EUR |
B1D16065HC |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D16065HC THT Schottky diodes
B1D16065HC THT Schottky diodes
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.96 EUR |
19+ | 3.76 EUR |
600+ | 3.19 EUR |
B1D20065HC |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Application: automotive industry
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Application: automotive industry
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.52 EUR |
16+ | 4.59 EUR |
17+ | 4.33 EUR |
B1D20065HC |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Application: automotive industry
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Application: automotive industry
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.52 EUR |
16+ | 4.59 EUR |
17+ | 4.33 EUR |
150+ | 4.18 EUR |
B1D30065TF |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D30065TF THT Schottky diodes
B1D30065TF THT Schottky diodes
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.89 EUR |
12+ | 6.15 EUR |
13+ | 5.81 EUR |
600+ | 5.72 EUR |
B1D40065H |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D40065H THT Schottky diodes
B1D40065H THT Schottky diodes
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.8 EUR |
9+ | 8.19 EUR |
10+ | 7.75 EUR |
600+ | 7.59 EUR |
B1M080120HC |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.42 EUR |
B1M080120HC |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 241W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.42 EUR |
150+ | 18.2 EUR |
600+ | 17.72 EUR |
B1M080120HK |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1M080120HK THT N channel transistors
B1M080120HK THT N channel transistors
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 28.6 EUR |
4+ | 19.51 EUR |
600+ | 18.76 EUR |
B2D02120E1 |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 34W
Technology: SiC
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 34W
Technology: SiC
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
59+ | 1.22 EUR |
65+ | 1.1 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
85+ | 0.84 EUR |
500+ | 0.8 EUR |
B2D02120E1 |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 34W
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 34W
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
59+ | 1.22 EUR |
65+ | 1.1 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
85+ | 0.84 EUR |
500+ | 0.8 EUR |
B2D02120K1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D02120K1 THT Schottky diodes
B2D02120K1 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B2D04065D |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065D SMD Schottky diodes
B2D04065D SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B2D04065D1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065D1 SMD Schottky diodes
B2D04065D1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B2D04065E1 |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Case: TO252-2
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Case: TO252-2
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 1.03 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
90+ | 0.8 EUR |
95+ | 0.76 EUR |
100+ | 0.73 EUR |
B2D04065E1 |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Case: TO252-2
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Case: TO252-2
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 1.03 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
90+ | 0.8 EUR |
95+ | 0.76 EUR |
100+ | 0.73 EUR |
B2D04065K1 |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
27+ | 2.65 EUR |
B2D04065K1 |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; Ufmax: 1.6V
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 34A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 39W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
27+ | 2.65 EUR |
54+ | 1.33 EUR |
B2D04065KF1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065KF1 THT Schottky diodes
B2D04065KF1 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B2D04065V |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065V SMD Schottky diodes
B2D04065V SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B2D04065V1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065V1 SMD Schottky diodes
B2D04065V1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B2D05120E1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D05120E1 SMD Schottky diodes
B2D05120E1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B2D05120K1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D05120K1 THT Schottky diodes
B2D05120K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.2 EUR |
47+ | 1.54 EUR |
50+ | 1.46 EUR |
B2D06065E1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
46+ | 1.57 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
61+ | 1.17 EUR |
65+ | 1.1 EUR |
500+ | 1.06 EUR |
B2D06065E1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
46+ | 1.57 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
61+ | 1.17 EUR |
65+ | 1.1 EUR |
500+ | 1.06 EUR |
B2D06065K1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D06065K1 THT Schottky diodes
B2D06065K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.19 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
54+ | 1.33 EUR |
B2D06065KF1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.79 EUR |
45+ | 1.6 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
100+ | 1.36 EUR |
B2D06065KF1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.79 EUR |
45+ | 1.6 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
100+ | 1.36 EUR |
B2D06065KS |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D06065KS THT Schottky diodes
B2D06065KS THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B2D06065Q |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D06065Q SMD Schottky diodes
B2D06065Q SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B2D08065K |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
B2D08065K |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 57W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
5+ | 14.3 EUR |
11+ | 6.51 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
30+ | 2.39 EUR |
100+ | 1.4 EUR |
B2D08065K1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
36+ | 2.03 EUR |
40+ | 1.82 EUR |
46+ | 1.56 EUR |
49+ | 1.47 EUR |
B2D08065K1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
36+ | 2.03 EUR |
40+ | 1.82 EUR |
46+ | 1.56 EUR |
49+ | 1.47 EUR |
100+ | 1.46 EUR |
B2D08065KS |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
37+ | 1.94 EUR |
41+ | 1.74 EUR |
B2D08065KS |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.54V
Max. forward impulse current: 64A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 37W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
37+ | 1.94 EUR |
41+ | 1.74 EUR |
100+ | 1.4 EUR |
B2D10065E1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065E1 SMD Schottky diodes
B2D10065E1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B2D10065F |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065F SMD Schottky diodes
B2D10065F SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B2D10065F1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065F1 SMD Schottky diodes
B2D10065F1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B2D10065K1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065K1 THT Schottky diodes
B2D10065K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
27+ | 2.67 EUR |
41+ | 1.74 EUR |
44+ | 1.66 EUR |
B2D10065KF1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065KF1 THT Schottky diodes
B2D10065KF1 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B2D10065KS |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065KS THT Schottky diodes
B2D10065KS THT Schottky diodes
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
24+ | 3.06 EUR |
36+ | 2 EUR |
38+ | 1.89 EUR |
B2D10065Q |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065Q SMD Schottky diodes
B2D10065Q SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH