Produkte > BASIC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers BASIC SEMICONDUCTOR (178) > Seite 1 nach 3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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B1D03120E | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D03120E SMD Schottky diodes |
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B1D05120E | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D05120E SMD Schottky diodes |
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B1D06065F | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D06065F SMD Schottky diodes |
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B1D06065KS | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 45A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 30W |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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B1D06065KS | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 45A Leakage current: 20µA Kind of package: tube Power dissipation: 30W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B1D08065F | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D08065F SMD Schottky diodes |
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B1D08065K | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D08065K THT Schottky diodes |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B1D08065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D08065KS THT Schottky diodes |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B1D10065E | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D10065E SMD Schottky diodes |
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B1D10065F | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D10065F SMD Schottky diodes |
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B1D10065H | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA Kind of package: tube Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.75V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 75A Leakage current: 20µA Power dissipation: 68W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-2 |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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B1D10065H | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA Kind of package: tube Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.75V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 75A Leakage current: 20µA Power dissipation: 68W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B1D10065KS | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA Kind of package: tube Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.75V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 75A Leakage current: 20µA Power dissipation: 38W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Case: TO220ISO |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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B1D10065KS | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA Kind of package: tube Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.75V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 75A Leakage current: 20µA Power dissipation: 38W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Case: TO220ISO Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B1D10120E | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D10120E SMD Schottky diodes |
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B1D15065K | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 112A Leakage current: 10µA Power dissipation: 84W Kind of package: tube |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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B1D15065K | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 112A Leakage current: 10µA Power dissipation: 84W Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B1D16065HC | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Max. load current: 16A Power dissipation: 73W |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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B1D16065HC | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Kind of package: tube Max. load current: 16A Power dissipation: 73W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B1D20065HC | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube Mounting: THT Case: TO247-3 Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 20A Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Application: automotive industry Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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B1D20065HC | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube Mounting: THT Case: TO247-3 Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 20A Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Application: automotive industry Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B1D30065TF | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D30065TF THT Schottky diodes |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B1D40065H | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D40065H THT Schottky diodes |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B1M080120HC | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 241W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 149nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 80A Technology: SiC Mounting: THT |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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B1M080120HC | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 241W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 149nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 80A Technology: SiC Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B1M080120HK | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Case: TO247-4 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 241W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 149nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 80A Technology: SiC Mounting: THT |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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B1M080120HK | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W Case: TO247-4 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 27A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 241W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 149nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 80A Technology: SiC Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B2D02120E1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.92V Leakage current: 20µA Max. forward impulse current: 22A Kind of package: reel; tape Technology: SiC Power dissipation: 34W |
auf Bestellung 3365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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B2D02120E1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: TO252-2 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.92V Leakage current: 20µA Max. forward impulse current: 22A Kind of package: reel; tape Technology: SiC Power dissipation: 34W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3365 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B2D02120K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D02120K1 THT Schottky diodes |
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B2D04065D | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065D SMD Schottky diodes |
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B2D04065D1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065D1 SMD Schottky diodes |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B2D04065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065E1 SMD Schottky diodes |
auf Bestellung 2467 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B2D04065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065K1 THT Schottky diodes |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B2D04065KF1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065KF1 THT Schottky diodes |
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B2D04065V | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065V SMD Schottky diodes |
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B2D04065V1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D04065V1 SMD Schottky diodes |
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B2D05120E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D05120E1 SMD Schottky diodes |
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B2D05120K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D05120K1 THT Schottky diodes |
auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B2D06065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape Mounting: SMD Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO252-2 Max. off-state voltage: 650V |
auf Bestellung 2452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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B2D06065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape Mounting: SMD Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO252-2 Max. off-state voltage: 650V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2452 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B2D06065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube Mounting: THT Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 650V |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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B2D06065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube Mounting: THT Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B2D06065KF1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube Mounting: THT Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220FP-2 Max. off-state voltage: 650V |
auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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B2D06065KF1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube Mounting: THT Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220FP-2 Max. off-state voltage: 650V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B2D06065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D06065KS THT Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B2D06065Q | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D06065Q SMD Schottky diodes |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B2D08065K | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D08065K THT Schottky diodes |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B2D08065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D08065K1 THT Schottky diodes |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B2D08065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D08065KS THT Schottky diodes |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B2D10065E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065E1 SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B2D10065F | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065F SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B2D10065F1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065F1 SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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B2D10065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA Kind of package: tube Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.7V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 85A Leakage current: 20µA Power dissipation: 62W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Case: TO220-2 |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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B2D10065K1 | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA Kind of package: tube Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.7V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 85A Leakage current: 20µA Power dissipation: 62W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Case: TO220-2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B2D10065KF1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065KF1 THT Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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B2D10065KS | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA Kind of package: tube Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.7V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 85A Leakage current: 10µA Power dissipation: 47W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Case: TO220ISO |
auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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B2D10065KS | BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA Kind of package: tube Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.7V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 85A Leakage current: 10µA Power dissipation: 47W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Case: TO220ISO Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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B2D10065Q | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10065Q SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
B2D10120E1 | BASiC SEMICONDUCTOR | B2D10120E1 SMD Schottky diodes |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
B1D03120E |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D03120E SMD Schottky diodes
B1D03120E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B1D05120E |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D05120E SMD Schottky diodes
B1D05120E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B1D06065F |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D06065F SMD Schottky diodes
B1D06065F SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B1D06065KS |
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Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 30W
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 30W
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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29+ | 2.46 EUR |
B1D06065KS |
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Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 30W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ISO; Ir: 20uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 45A
Leakage current: 20µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 30W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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29+ | 2.46 EUR |
34+ | 2.10 EUR |
B1D08065F |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D08065F SMD Schottky diodes
B1D08065F SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
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B1D08065K |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D08065K THT Schottky diodes
B1D08065K THT Schottky diodes
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.51 EUR |
29+ | 2.46 EUR |
500+ | 1.47 EUR |
B1D08065KS |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D08065KS THT Schottky diodes
B1D08065KS THT Schottky diodes
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
21+ | 3.40 EUR |
29+ | 2.46 EUR |
500+ | 1.62 EUR |
B1D10065E |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065E SMD Schottky diodes
B1D10065E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B1D10065F |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10065F SMD Schottky diodes
B1D10065F SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B1D10065H |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 68W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-2
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 68W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-2
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 23.84 EUR |
B1D10065H |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 68W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 68W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 23.84 EUR |
5+ | 14.30 EUR |
9+ | 7.95 EUR |
23+ | 3.10 EUR |
150+ | 1.89 EUR |
600+ | 1.86 EUR |
B1D10065KS |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 38W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220ISO
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 38W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220ISO
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.90 EUR |
28+ | 2.62 EUR |
35+ | 2.04 EUR |
37+ | 1.94 EUR |
B1D10065KS |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 38W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220ISO
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 38W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220ISO
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.90 EUR |
28+ | 2.62 EUR |
35+ | 2.04 EUR |
37+ | 1.94 EUR |
B1D10120E |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D10120E SMD Schottky diodes
B1D10120E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B1D15065K |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 84W
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 84W
Kind of package: tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.76 EUR |
B1D15065K |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 84W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 112A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 84W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
15+ | 4.76 EUR |
100+ | 2.83 EUR |
B1D16065HC |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
Power dissipation: 73W
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
Power dissipation: 73W
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.72 EUR |
19+ | 3.76 EUR |
B1D16065HC |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
Power dissipation: 73W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; Ir: 10uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 10µA
Kind of package: tube
Max. load current: 16A
Power dissipation: 73W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.72 EUR |
19+ | 3.76 EUR |
150+ | 3.13 EUR |
B1D20065HC |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.56 EUR |
15+ | 4.79 EUR |
16+ | 4.52 EUR |
B1D20065HC |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 20A
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.56 EUR |
15+ | 4.79 EUR |
16+ | 4.52 EUR |
150+ | 4.38 EUR |
600+ | 4.35 EUR |
B1D30065TF |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D30065TF THT Schottky diodes
B1D30065TF THT Schottky diodes
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.89 EUR |
12+ | 6.15 EUR |
13+ | 5.81 EUR |
600+ | 5.72 EUR |
B1D40065H |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B1D40065H THT Schottky diodes
B1D40065H THT Schottky diodes
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.80 EUR |
9+ | 8.19 EUR |
10+ | 7.75 EUR |
600+ | 7.59 EUR |
B1M080120HC |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 149nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Technology: SiC
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 149nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Technology: SiC
Mounting: THT
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.32 EUR |
B1M080120HC |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 149nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Technology: SiC
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 149nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Technology: SiC
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 18.32 EUR |
150+ | 18.20 EUR |
600+ | 17.60 EUR |
B1M080120HK |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 149nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Technology: SiC
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 149nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Technology: SiC
Mounting: THT
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 19.48 EUR |
B1M080120HK |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 149nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Technology: SiC
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 149nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Technology: SiC
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 19.48 EUR |
150+ | 18.73 EUR |
B2D02120E1 |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 34W
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 34W
auf Bestellung 3365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
54+ | 1.34 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
82+ | 0.87 EUR |
B2D02120E1 |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 34W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.92V
Leakage current: 20µA
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Power dissipation: 34W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3365 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
54+ | 1.34 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
82+ | 0.87 EUR |
B2D02120K1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D02120K1 THT Schottky diodes
B2D02120K1 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
B2D04065D |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065D SMD Schottky diodes
B2D04065D SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B2D04065D1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065D1 SMD Schottky diodes
B2D04065D1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B2D04065E1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065E1 SMD Schottky diodes
B2D04065E1 SMD Schottky diodes
auf Bestellung 2467 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 1.44 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
81+ | 0.89 EUR |
B2D04065K1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065K1 THT Schottky diodes
B2D04065K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
35+ | 2.04 EUR |
49+ | 1.46 EUR |
500+ | 0.97 EUR |
B2D04065KF1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065KF1 THT Schottky diodes
B2D04065KF1 THT Schottky diodes
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B2D04065V |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065V SMD Schottky diodes
B2D04065V SMD Schottky diodes
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Stück im Wert von UAH
B2D04065V1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D04065V1 SMD Schottky diodes
B2D04065V1 SMD Schottky diodes
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B2D05120E1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D05120E1 SMD Schottky diodes
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B2D05120K1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D05120K1 THT Schottky diodes
B2D05120K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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33+ | 2.20 EUR |
47+ | 1.54 EUR |
50+ | 1.46 EUR |
B2D06065E1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Mounting: SMD
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO252-2
Max. off-state voltage: 650V
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Mounting: SMD
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO252-2
Max. off-state voltage: 650V
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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46+ | 1.57 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
61+ | 1.17 EUR |
65+ | 1.10 EUR |
500+ | 1.06 EUR |
B2D06065E1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Mounting: SMD
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO252-2
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Mounting: SMD
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO252-2
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
46+ | 1.57 EUR |
51+ | 1.42 EUR |
61+ | 1.17 EUR |
65+ | 1.10 EUR |
500+ | 1.06 EUR |
B2D06065K1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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35+ | 2.10 EUR |
38+ | 1.90 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
50+ | 1.46 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
B2D06065K1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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35+ | 2.10 EUR |
38+ | 1.90 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
50+ | 1.46 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
B2D06065KF1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Mounting: THT
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Max. off-state voltage: 650V
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Mounting: THT
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Max. off-state voltage: 650V
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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36+ | 2.03 EUR |
40+ | 1.82 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
52+ | 1.40 EUR |
B2D06065KF1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Mounting: THT
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Mounting: THT
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220FP-2
Max. off-state voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
36+ | 2.03 EUR |
40+ | 1.82 EUR |
49+ | 1.49 EUR |
52+ | 1.40 EUR |
500+ | 1.34 EUR |
B2D06065KS |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D06065KS THT Schottky diodes
B2D06065KS THT Schottky diodes
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B2D06065Q |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D06065Q SMD Schottky diodes
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Stück im Wert von UAH
B2D08065K |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D08065K THT Schottky diodes
B2D08065K THT Schottky diodes
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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8+ | 8.94 EUR |
11+ | 6.51 EUR |
29+ | 2.46 EUR |
500+ | 1.59 EUR |
B2D08065K1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D08065K1 THT Schottky diodes
B2D08065K1 THT Schottky diodes
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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34+ | 2.13 EUR |
46+ | 1.56 EUR |
49+ | 1.47 EUR |
B2D08065KS |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D08065KS THT Schottky diodes
B2D08065KS THT Schottky diodes
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.43 EUR |
41+ | 1.74 EUR |
500+ | 1.62 EUR |
B2D10065E1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065E1 SMD Schottky diodes
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B2D10065F |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065F SMD Schottky diodes
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B2D10065F1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065F1 SMD Schottky diodes
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B2D10065K1 |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 62W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220-2
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 62W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220-2
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.55 EUR |
32+ | 2.29 EUR |
41+ | 1.76 EUR |
44+ | 1.66 EUR |
B2D10065K1 |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 62W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 20µA
Power dissipation: 62W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.55 EUR |
32+ | 2.29 EUR |
41+ | 1.76 EUR |
44+ | 1.66 EUR |
B2D10065KF1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065KF1 THT Schottky diodes
B2D10065KF1 THT Schottky diodes
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B2D10065KS |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 47W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220ISO
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 47W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220ISO
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.90 EUR |
28+ | 2.62 EUR |
36+ | 2.02 EUR |
38+ | 1.90 EUR |
B2D10065KS |
![]() |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 47W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220ISO
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 10µA
Power dissipation: 47W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO220ISO
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.90 EUR |
28+ | 2.62 EUR |
36+ | 2.02 EUR |
38+ | 1.90 EUR |
B2D10065Q |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10065Q SMD Schottky diodes
B2D10065Q SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
B2D10120E1 |
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
B2D10120E1 SMD Schottky diodes
B2D10120E1 SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH