| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| S07K385/B72207S381K101V57 | EPC |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SIOV-CN1206K14G/B72520V140K062 | EPC |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| T83-A420X / B88069X7960B5502 | EPC |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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UP1966E | EPC |
 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 85 V Supplier Device Package: 12-WLCSP-B (1.6x1.6) Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 4ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: GaN FET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.5V, 2.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 7.1A, 12.5A DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UP1966E | EPC |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 85 V Supplier Device Package: 12-WLCSP-B (1.6x1.6) Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 4ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: GaN FET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.5V, 2.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 7.1A, 12.5A DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 153887 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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Транзистор N-Channel EPC2032 EPC | EPC | N-Channel 100 V 48A (Ta) Транзистори польові |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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Транзистор польовий EPC2218 EPC | EPC | 100 V, 231 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor Транзистори польові |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| S07K385/B72207S381K101V57 |
Hersteller: EPC
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| SIOV-CN1206K14G/B72520V140K062 |
Hersteller: EPC
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| T83-A420X / B88069X7960B5502 |
Hersteller: EPC
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| UP1966E |
|
Hersteller: EPC
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 85 V
Supplier Device Package: 12-WLCSP-B (1.6x1.6)
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 4ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.5V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 7.1A, 12.5A
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 85 V
Supplier Device Package: 12-WLCSP-B (1.6x1.6)
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 4ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.5V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 7.1A, 12.5A
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 2.2 EUR |
| 6000+ | 2.15 EUR |
| 9000+ | 1.95 EUR |
| UP1966E |
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Hersteller: EPC
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 85 V
Supplier Device Package: 12-WLCSP-B (1.6x1.6)
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 4ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.5V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 7.1A, 12.5A
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 85 V
Supplier Device Package: 12-WLCSP-B (1.6x1.6)
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 4ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: GaN FET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.5V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 7.1A, 12.5A
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 153887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.3 EUR |
| 10+ | 3.19 EUR |
| 25+ | 2.9 EUR |
| 100+ | 2.59 EUR |
| 250+ | 2.45 EUR |
| 500+ | 2.38 EUR |
| Транзистор N-Channel EPC2032 EPC |
Hersteller: EPC
N-Channel 100 V 48A (Ta) Транзистори польові
N-Channel 100 V 48A (Ta) Транзистори польові
Produkt ist nicht verfügbar
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| Транзистор польовий EPC2218 EPC |
Hersteller: EPC
100 V, 231 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor Транзистори польові
100 V, 231 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor Транзистори польові
Produkt ist nicht verfügbar
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