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B32672Z4105K289 EPC DIP
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B41821-A3108-M008    EPC SMD
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B66281-G-X187 EPC 07+
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B66281-P-X187 EPC 07+
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B66283-P-X187 EPC 07+
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B82422-T1104-K-100 EPC SMD
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B82462G4472M (4,7uH 20% 2A) B82462G4472M (4,7uH 20% 2A)
Produktcode: 58203 		EPC b82462g4-54763.pdf Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 4,7 uH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs- auf Ferrithantel, 4,7uH, ±20%, Idc=2А, Rdc max/typ=0.04 Ohm, SMD: 6.3x6.3mm,h=3mm
Typ: Leistungs- SMD auf Ferrithantel
Abmessungen: 6.3x6.3mm, h=3mm
Робочий струм, А: 1.8A
auf Bestellung 54 Stück:
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1+0.88 EUR
10+ 0.76 EUR
BOOK GAN FET BOOK GAN FET EPC Description: TEXT GAN TRANSISTORS
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion
Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma
Publisher: Power Conversion Publications
Part Status: Active
ISBN: 9780615569253
auf Bestellung 3 Stücke:
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1+94.69 EUR
CN1206K20G2 EPC SMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
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EPC1001 EPC1001 EPC EPC1001_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
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EPC1001 EPC1001 EPC EPC1001_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
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EPC1001 EPC1001 EPC EPC1001_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
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EPC1005 EPC1005 EPC EPC1005_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
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EPC1005 EPC1005 EPC EPC1005_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
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EPC1007 EPC1007 EPC EPC1007_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
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EPC1007 EPC1007 EPC EPC1007_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
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EPC1009 EPC1009 EPC EPC1009_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
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EPC1009 EPC1009 EPC EPC1009_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
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EPC1009 EPC1009 EPC EPC1009_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
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EPC1010 EPC1010 EPC EPC1010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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EPC1010 EPC1010 EPC EPC1010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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EPC1010 EPC1010 EPC EPC1010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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EPC1011 EPC1011 EPC EPC1011_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
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EPC1011 EPC1011 EPC EPC1011_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
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EPC1011 EPC1011 EPC EPC1011_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
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EPC1012 EPC1012 EPC EPC1012_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
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EPC1012 EPC1012 EPC EPC1012_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
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EPC1012 EPC1012 EPC EPC1012_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
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EPC1013 EPC1013 EPC EPC1013_datasheet.pdf Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
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EPC1013 EPC1013 EPC EPC1013_datasheet.pdf Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
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EPC1014 EPC1014 EPC EPC1014_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
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EPC1014 EPC1014 EPC EPC1014_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
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EPC1014 EPC1014 EPC EPC1014_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
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EPC1015 EPC1015 EPC EPC1015_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
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EPC1015 EPC1015 EPC EPC1015_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
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EPC1015 EPC1015 EPC EPC1015_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
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EPC2001 EPC2001 EPC EPC2001_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
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EPC2001 EPC2001 EPC EPC2001_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
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EPC2001C EPC2001C EPC EPC2001C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 102500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
EPC2001C EPC2001C EPC EPC2001C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 107396 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3+11.96 EUR
10+ 10.04 EUR
100+ 8.12 EUR
500+ 7.22 EUR
1000+ 6.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3
EPC2007 EPC2007 EPC EPC2007_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
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EPC2007 EPC2007 EPC EPC2007_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
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EPC2007C EPC2007C EPC EPC2007C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 20496 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.43 EUR
10+ 4.52 EUR
100+ 3.59 EUR
500+ 3.04 EUR
1000+ 2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5
EPC2007C EPC2007C EPC EPC2007C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+2.45 EUR
5000+ 2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
EPC2010 EPC2010 EPC EPC2010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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EPC2010 EPC2010 EPC EPC2010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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EPC2010C EPC2010C EPC EPC2010C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 6389 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+15.76 EUR
10+ 13.5 EUR
100+ 11.25 EUR
500+ 9.93 EUR
1000+ 8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
EPC2010C EPC2010C EPC EPC2010C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
EPC2010CENGR EPC2010CENGR EPC EPC2010C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
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EPC2010CENGR EPC2010CENGR EPC EPC2010C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
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EPC2010CENGR EPC2010CENGR EPC EPC2010C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
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EPC2010ENGR EPC EPC2010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EPC2012 EPC2012 EPC EPC2012_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
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EPC2012 EPC2012 EPC EPC2012_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
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EPC2012C EPC2012C EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 10741 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.02 EUR
10+ 5.82 EUR
100+ 4.63 EUR
500+ 3.92 EUR
1000+ 3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
EPC2012C EPC2012C EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2500+3.16 EUR
5000+ 3.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
EPC2012CENGR EPC2012CENGR EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
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B32672Z4105K289
Hersteller: EPC
DIP
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
B41821-A3108-M008   
Hersteller: EPC
SMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
B66281-G-X187
Hersteller: EPC
07+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
B66281-P-X187
Hersteller: EPC
07+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
B66283-P-X187
Hersteller: EPC
07+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
B82422-T1104-K-100
Hersteller: EPC
SMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
B82462G4472M (4,7uH 20% 2A)
Produktcode: 58203		 b82462g4-54763.pdf
B82462G4472M (4,7uH 20% 2A)
Hersteller: EPC
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 4,7 uH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs- auf Ferrithantel, 4,7uH, ±20%, Idc=2А, Rdc max/typ=0.04 Ohm, SMD: 6.3x6.3mm,h=3mm
Typ: Leistungs- SMD auf Ferrithantel
Abmessungen: 6.3x6.3mm, h=3mm
Робочий струм, А: 1.8A
auf Bestellung 54 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.88 EUR
10+ 0.76 EUR
BOOK GAN FET
BOOK GAN FET
Hersteller: EPC
Description: TEXT GAN TRANSISTORS
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion
Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma
Publisher: Power Conversion Publications
Part Status: Active
ISBN: 9780615569253
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+94.69 EUR
CN1206K20G2
Hersteller: EPC
SMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EPC1001 EPC1001_datasheet.pdf
EPC1001
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
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EPC1001 EPC1001_datasheet.pdf
EPC1001
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
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EPC1001 EPC1001_datasheet.pdf
EPC1001
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
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EPC1005 EPC1005_datasheet.pdf
EPC1005
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
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EPC1005 EPC1005_datasheet.pdf
EPC1005
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
EPC1005 EPC1005_datasheet.pdf
EPC1005
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
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EPC1007 EPC1007_datasheet.pdf
EPC1007
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
EPC1007 EPC1007_datasheet.pdf
EPC1007
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
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EPC1007 EPC1007_datasheet.pdf
EPC1007
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
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EPC1009 EPC1009_datasheet.pdf
EPC1009
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
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EPC1009 EPC1009_datasheet.pdf
EPC1009
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
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EPC1009 EPC1009_datasheet.pdf
EPC1009
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
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EPC1010 EPC1010_datasheet.pdf
EPC1010
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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EPC1010 EPC1010_datasheet.pdf
EPC1010
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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EPC1010 EPC1010_datasheet.pdf
EPC1010
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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EPC1011 EPC1011_datasheet.pdf
EPC1011
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
EPC1011 EPC1011_datasheet.pdf
EPC1011
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
EPC1011 EPC1011_datasheet.pdf
EPC1011
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
EPC1012 EPC1012_datasheet.pdf
EPC1012
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
EPC1012 EPC1012_datasheet.pdf
EPC1012
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
EPC1012 EPC1012_datasheet.pdf
EPC1012
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
EPC1013 EPC1013_datasheet.pdf
EPC1013
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
EPC1013 EPC1013_datasheet.pdf
EPC1013
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
EPC1013 EPC1013_datasheet.pdf
EPC1013
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
EPC1014 EPC1014_datasheet.pdf
EPC1014
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
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EPC1014
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
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EPC1014
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
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EPC1015
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
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EPC1015
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
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EPC1015
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
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EPC2001 EPC2001_datasheet.pdf
EPC2001
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
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EPC2001
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
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EPC2001C EPC2001C_datasheet.pdf
EPC2001C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 102500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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EPC2001C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 107396 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+11.96 EUR
10+ 10.04 EUR
100+ 8.12 EUR
500+ 7.22 EUR
1000+ 6.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3
EPC2007 EPC2007_datasheet.pdf
EPC2007
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
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EPC2007
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
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EPC2007C EPC2007C_datasheet.pdf
EPC2007C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 20496 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+5.43 EUR
10+ 4.52 EUR
100+ 3.59 EUR
500+ 3.04 EUR
1000+ 2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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EPC2007C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+2.45 EUR
5000+ 2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
EPC2010 EPC2010_datasheet.pdf
EPC2010
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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EPC2010
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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EPC2010C EPC2010C_datasheet.pdf
EPC2010C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 6389 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+15.76 EUR
10+ 13.5 EUR
100+ 11.25 EUR
500+ 9.93 EUR
1000+ 8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
EPC2010C EPC2010C_datasheet.pdf
EPC2010C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
EPC2010CENGR EPC2010C_datasheet.pdf
EPC2010CENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
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EPC2010CENGR EPC2010C_datasheet.pdf
EPC2010CENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
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EPC2010CENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
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EPC2010ENGR EPC2010_datasheet.pdf
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
EPC2012 EPC2012_datasheet.pdf
EPC2012
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
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EPC2012
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
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EPC2012C EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 10741 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+7.02 EUR
10+ 5.82 EUR
100+ 4.63 EUR
500+ 3.92 EUR
1000+ 3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
EPC2012C EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+3.16 EUR
5000+ 3.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
EPC2012CENGR EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012CENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
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