| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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| B32672Z4105K289 | EPC | DIP |
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| B41821-A3108-M008 | EPC | SMD |
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| B66281-G-X187 | EPC | 07+ |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| B66281-P-X187 | EPC | 07+ |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| B66283-P-X187 | EPC | 07+ |
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| B82422-T1104-K-100 | EPC | SMD |
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B82462G4472M (4,7uH 20% 2A) Produktcode: 58203
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EPC |
 Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMDNennwert: 4,7 µH Genauigkeit: ±20% Beschreibung und Eigenschaften: Leistungsdrossel, Ferrit-Hantelkern, 4,7uH, ±20%, Idc=2A, Rdc max/typ=0.04 Ohm, SMD: 6.3x6.3mm,h=3mm Typ: Leistungs- SMD auf Ferrithantel Abmessungen: 6,3x6,3 mm, h=3 mm Betriebsstrom, A: 1,8 A |
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BOOK GAN FET | EPC |
Description: TEXT GAN TRANSISTORS Packaging: Bulk Type: Book Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma Publisher: Power Conversion Publications Part Status: Active ISBN: 9780615569253 |
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| CN1206K20G2 | EPC | SMD |
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EPC1001 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
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EPC1001 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
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EPC1001 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
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EPC1005 | EPC |
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE |
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EPC1005 | EPC |
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE |
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EPC1005 | EPC |
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE |
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EPC1007 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE |
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EPC1007 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE |
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EPC1007 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE |
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EPC1009 | EPC |
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE |
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EPC1009 | EPC |
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE |
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EPC1009 | EPC |
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE |
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EPC1010 | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
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EPC1010 | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
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EPC1010 | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
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EPC1011 | EPC |
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
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EPC1011 | EPC |
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
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EPC1011 | EPC |
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
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EPC1012 | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
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EPC1012 | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
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EPC1012 | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
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EPC1013 | EPC |
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE |
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EPC1013 | EPC |
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE |
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EPC1013 | EPC |
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE |
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EPC1014 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE |
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EPC1014 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE |
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EPC1014 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE |
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EPC1015 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
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EPC1015 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
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EPC1015 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
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EPC2001 | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE |
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EPC2001 | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE |
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| EPC2001 | EPC |
N-Ch 100V 25A Транзистори |
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EPC2001C | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
auf Bestellung 51514 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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EPC2001C | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
auf Bestellung 49930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC2001C | EPC |
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| EPC2001C | EPC |
TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE Транзистори |
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EPC2007 | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE |
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EPC2007 | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE |
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| EPC2007 | EPC |
N-Ch 100V 6A Транзистори |
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EPC2007C | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
auf Bestellung 16365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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EPC2007C | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC2007C | EPC |
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE Транзистори |
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EPC2010 | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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EPC2010 | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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EPC2010C | EPC |
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 |
auf Bestellung 2782 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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EPC2010C | EPC |
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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EPC2010CENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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EPC2010CENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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EPC2010CENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE |
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| EPC2010ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
auf Bestellung 734 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| B32672Z4105K289 |
Hersteller: EPC
DIP
DIP
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| B41821-A3108-M008 |
Hersteller: EPC
SMD
SMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| B66281-G-X187 |
Hersteller: EPC
07+
07+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| B66281-P-X187 |
Hersteller: EPC
07+
07+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| B66283-P-X187 |
Hersteller: EPC
07+
07+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| B82422-T1104-K-100 |
Hersteller: EPC
SMD
SMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| B82462G4472M (4,7uH 20% 2A) Produktcode: 58203
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: EPC
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 4,7 µH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungsdrossel, Ferrit-Hantelkern, 4,7uH, ±20%, Idc=2A, Rdc max/typ=0.04 Ohm, SMD: 6.3x6.3mm,h=3mm
Typ: Leistungs- SMD auf Ferrithantel
Abmessungen: 6,3x6,3 mm, h=3 mm
Betriebsstrom, A: 1,8 A
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 4,7 µH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungsdrossel, Ferrit-Hantelkern, 4,7uH, ±20%, Idc=2A, Rdc max/typ=0.04 Ohm, SMD: 6.3x6.3mm,h=3mm
Typ: Leistungs- SMD auf Ferrithantel
Abmessungen: 6,3x6,3 mm, h=3 mm
Betriebsstrom, A: 1,8 A
auf Bestellung 33 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.05 EUR |
| 10+ | 0.9 EUR |
| 100+ | 0.79 EUR |
| BOOK GAN FET |
Hersteller: EPC
Description: TEXT GAN TRANSISTORS
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion
Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma
Publisher: Power Conversion Publications
Part Status: Active
ISBN: 9780615569253
Description: TEXT GAN TRANSISTORS
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion
Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma
Publisher: Power Conversion Publications
Part Status: Active
ISBN: 9780615569253
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Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CN1206K20G2 |
Hersteller: EPC
SMD
SMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| EPC1001 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1001 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1001 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1005 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1005 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1005 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1007 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1007 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1007 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1009 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1009 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1009 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1010 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1010 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1010 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1011 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1011 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1011 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1012 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1012 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1012 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1013 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1013 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
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Stück im Wert von UAH
| EPC1013 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
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Stück im Wert von UAH
| EPC1014 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
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Stück im Wert von UAH
| EPC1014 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1014 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
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Stück im Wert von UAH
| EPC1015 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1015 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC1015 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC2001 |
|
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
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Stück im Wert von UAH
| EPC2001 |
|
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
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Stück im Wert von UAH
| EPC2001 |
|
Hersteller: EPC
N-Ch 100V 25A Транзистори
N-Ch 100V 25A Транзистори
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Stück im Wert von UAH
| EPC2001C |
|
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 51514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.46 EUR |
| 10+ | 7.69 EUR |
| 100+ | 5.53 EUR |
| 500+ | 5.11 EUR |
| EPC2001C |
|
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 49930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 4.18 EUR |
| EPC2001C |
|
Hersteller: EPC
TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE Транзистори
TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE Транзистори
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Stück im Wert von UAH
| EPC2007 |
|
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
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Stück im Wert von UAH
| EPC2007 |
|
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
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Stück im Wert von UAH
| EPC2007 |
|
Hersteller: EPC
N-Ch 100V 6A Транзистори
N-Ch 100V 6A Транзистори
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Stück im Wert von UAH
| EPC2007C |
|
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 16365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.87 EUR |
| 10+ | 3.81 EUR |
| 100+ | 2.64 EUR |
| 500+ | 2.13 EUR |
| 1000+ | 2.07 EUR |
| EPC2007C |
|
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.96 EUR |
| EPC2007C |
|
Hersteller: EPC
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE Транзистори
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE Транзистори
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC2010 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC2010 |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC2010C |
|
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 2782 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.3 EUR |
| 10+ | 9.73 EUR |
| 100+ | 7.5 EUR |
| EPC2010C |
|
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC2010CENGR |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC2010CENGR |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC2010CENGR |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| EPC2010ENGR |
|
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)