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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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B32672Z4105K289 EPC DIP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B41821-A3108-M008    EPC SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66281-G-X187 EPC 07+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66281-P-X187 EPC 07+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66283-P-X187 EPC 07+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B82422-T1104-K-100 EPC SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B82462G4472M (4,7uH 20% 2A) B82462G4472M (4,7uH 20% 2A)
Produktcode: 58203
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EPC b82462g4-54763.pdf Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 4,7 uH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs- auf Ferrithantel, 4,7uH, ±20%, Idc=2А, Rdc max/typ=0.04 Ohm, SMD: 6.3x6.3mm,h=3mm
Typ: Leistungs- SMD auf Ferrithantel
Abmessungen: 6.3x6.3mm, h=3mm
Робочий струм, А: 1.8A
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1+0.88 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BOOK GAN FET BOOK GAN FET EPC Description: TEXT GAN TRANSISTORS
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion
Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma
Publisher: Power Conversion Publications
Part Status: Active
ISBN: 9780615569253
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CN1206K20G2 EPC SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1001 EPC1001 EPC EPC1001_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
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EPC1001 EPC1001 EPC EPC1001_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
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EPC1001 EPC1001 EPC EPC1001_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
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EPC1005 EPC1005 EPC EPC1005_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
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EPC1005 EPC1005 EPC EPC1005_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
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EPC1005 EPC1005 EPC EPC1005_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1007 EPC1007 EPC EPC1007_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1007 EPC1007 EPC EPC1007_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1007 EPC1007 EPC EPC1007_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1009 EPC1009 EPC EPC1009_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1009 EPC1009 EPC EPC1009_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
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EPC1009 EPC1009 EPC EPC1009_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
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EPC1010 EPC1010 EPC EPC1010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1010 EPC1010 EPC EPC1010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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EPC1010 EPC1010 EPC EPC1010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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EPC1011 EPC1011 EPC EPC1011_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1011 EPC1011 EPC EPC1011_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1011 EPC1011 EPC EPC1011_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1012 EPC1012 EPC EPC1012_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1012 EPC1012 EPC EPC1012_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1012 EPC1012 EPC EPC1012_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1013 EPC1013 EPC EPC1013_datasheet.pdf Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1013 EPC1013 EPC EPC1013_datasheet.pdf Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1013 EPC1013 EPC EPC1013_datasheet.pdf Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1014 EPC1014 EPC EPC1014_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1014 EPC1014 EPC EPC1014_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1014 EPC1014 EPC EPC1014_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1015 EPC1015 EPC EPC1015_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1015 EPC1015 EPC EPC1015_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1015 EPC1015 EPC EPC1015_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2001 EPC2001 EPC EPC2001_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2001 EPC2001 EPC EPC2001_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2001C EPC2001C EPC EPC2001C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2001C EPC2001C EPC EPC2001C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 76257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.07 EUR
10+6.74 EUR
100+4.86 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2007 EPC2007 EPC EPC2007_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2007 EPC2007 EPC EPC2007_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2007C EPC2007C EPC EPC2007C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 21983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.19 EUR
10+3.37 EUR
100+2.33 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2007C EPC2007C EPC EPC2007C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2010 EPC2010 EPC EPC2010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2010 EPC2010 EPC EPC2010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2010C EPC2010C EPC EPC2010C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 4352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.43 EUR
10+9.13 EUR
100+6.70 EUR
500+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2010C EPC2010C EPC EPC2010C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2010CENGR EPC2010CENGR EPC EPC2010C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2010CENGR EPC2010CENGR EPC EPC2010C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2010CENGR EPC2010CENGR EPC EPC2010C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2010ENGR EPC EPC2010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012 EPC2012 EPC EPC2012_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012 EPC2012 EPC EPC2012_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012C EPC2012C EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012C EPC2012C EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 16888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.25 EUR
10+4.10 EUR
100+2.87 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012CENGR EPC2012CENGR EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B32672Z4105K289
Hersteller: EPC
DIP
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B41821-A3108-M008   
Hersteller: EPC
SMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66281-G-X187
Hersteller: EPC
07+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66281-P-X187
Hersteller: EPC
07+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B66283-P-X187
Hersteller: EPC
07+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B82422-T1104-K-100
Hersteller: EPC
SMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
B82462G4472M (4,7uH 20% 2A)
Produktcode: 58203
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b82462g4-54763.pdf
B82462G4472M (4,7uH 20% 2A)
Hersteller: EPC
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 4,7 uH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs- auf Ferrithantel, 4,7uH, ±20%, Idc=2А, Rdc max/typ=0.04 Ohm, SMD: 6.3x6.3mm,h=3mm
Typ: Leistungs- SMD auf Ferrithantel
Abmessungen: 6.3x6.3mm, h=3mm
Робочий струм, А: 1.8A
auf Bestellung 54 Stück:
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Anzahl Preis
1+0.88 EUR
10+0.76 EUR
100+0.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BOOK GAN FET
BOOK GAN FET
Hersteller: EPC
Description: TEXT GAN TRANSISTORS
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion
Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma
Publisher: Power Conversion Publications
Part Status: Active
ISBN: 9780615569253
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CN1206K20G2
Hersteller: EPC
SMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1001 EPC1001_datasheet.pdf
EPC1001
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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EPC1001
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
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EPC1001
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
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EPC1005
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
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EPC1005
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
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EPC1005
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Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
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EPC1007
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
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EPC1007
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
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EPC1007
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Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
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EPC1009 EPC1009_datasheet.pdf
EPC1009
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
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EPC1009
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Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
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EPC1009
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
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EPC1010 EPC1010_datasheet.pdf
EPC1010
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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EPC1010
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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EPC1010
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC1011 EPC1011_datasheet.pdf
EPC1011
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
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EPC1011
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
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EPC1011
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
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EPC1012 EPC1012_datasheet.pdf
EPC1012
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
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EPC1012
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
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EPC1012
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
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EPC1013 EPC1013_datasheet.pdf
EPC1013
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
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EPC1013
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
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EPC1013
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
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EPC1014 EPC1014_datasheet.pdf
EPC1014
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
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EPC1014
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
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EPC1014
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
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EPC1015 EPC1015_datasheet.pdf
EPC1015
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
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EPC1015
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
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EPC1015
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
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EPC2001 EPC2001_datasheet.pdf
EPC2001
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
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EPC2001
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
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EPC2001C EPC2001C_datasheet.pdf
EPC2001C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2001C EPC2001C_datasheet.pdf
EPC2001C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 76257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.07 EUR
10+6.74 EUR
100+4.86 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2007 EPC2007_datasheet.pdf
EPC2007
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2007 EPC2007_datasheet.pdf
EPC2007
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
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EPC2007C EPC2007C_datasheet.pdf
EPC2007C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 21983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.19 EUR
10+3.37 EUR
100+2.33 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2007C EPC2007C_datasheet.pdf
EPC2007C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2010 EPC2010_datasheet.pdf
EPC2010
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2010 EPC2010_datasheet.pdf
EPC2010
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2010C EPC2010C_datasheet.pdf
EPC2010C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 4352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+13.43 EUR
10+9.13 EUR
100+6.70 EUR
500+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2010C EPC2010C_datasheet.pdf
EPC2010C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2010CENGR EPC2010C_datasheet.pdf
EPC2010CENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2010CENGR EPC2010C_datasheet.pdf
EPC2010CENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2010CENGR EPC2010C_datasheet.pdf
EPC2010CENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2010ENGR EPC2010_datasheet.pdf
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012 EPC2012_datasheet.pdf
EPC2012
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012 EPC2012_datasheet.pdf
EPC2012
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012C EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012C EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 16888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.25 EUR
10+4.10 EUR
100+2.87 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012CENGR EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012CENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
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