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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
EPC23103ENGRT EPC23103ENGRT EPC EPC23103_datasheet.pdf Description: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC23104 EPC Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
auf Bestellung 1718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.23 EUR
10+7.03 EUR
25+6.49 EUR
100+5.88 EUR
250+5.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC23104 EPC Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC23104ENGRT EPC23104ENGRT EPC EPC23104_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC23104ENGRT EPC23104ENGRT EPC EPC23104_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
auf Bestellung 9789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.23 EUR
10+7.03 EUR
25+6.49 EUR
100+5.88 EUR
250+5.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2361 EPC2361 EPC EPC2361_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2361 EPC2361 EPC EPC2361_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V
auf Bestellung 41911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.7 EUR
10+12.07 EUR
50+9.66 EUR
100+8.89 EUR
500+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2361 EPC2361 EPC EPC2361_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
auf Bestellung 10142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.26 EUR
10+9.51 EUR
100+8.76 EUR
500+8.21 EUR
1000+7.52 EUR
3000+7.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2361ENGRT EPC2361ENGRT EPC EPC2361_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2361ENGRT EPC2361ENGRT EPC EPC2361_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2366 EPC2366 EPC EPC2366_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2366 EPC2366 EPC EPC2366_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN
auf Bestellung 5963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.71 EUR
10+5.75 EUR
50+4.47 EUR
100+4.07 EUR
500+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2366ENGRT EPC EPC2366_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2366ENGRT EPC EPC2366_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.88 EUR
10+5.19 EUR
100+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2367 EPC2367 EPC EPC2367_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
auf Bestellung 14047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.86 EUR
10+7.54 EUR
100+6.91 EUR
500+6.58 EUR
1000+5.87 EUR
3000+5.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2367 EPC2367 EPC EPC2367_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2367 EPC2367 EPC EPC2367_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V
auf Bestellung 21740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.33 EUR
10+9.66 EUR
50+7.66 EUR
100+7.02 EUR
500+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2367A EPC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2619 EPC2619 EPC EPC2619_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2619 EPC2619 EPC EPC2619_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
auf Bestellung 7251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.45 EUR
10+5.46 EUR
100+4.63 EUR
500+3.88 EUR
1000+3.67 EUR
2500+3.33 EUR
5000+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2619 EPC2619 EPC EPC2619_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
auf Bestellung 12490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.96 EUR
10+5.93 EUR
50+4.62 EUR
100+4.2 EUR
500+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2619ENGRT EPC2619ENGRT EPC EPC2619_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2619ENGRT EPC2619ENGRT EPC EPC2619_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2801 EPC2801 EPC EPC2801_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2801 EPC2801 EPC EPC2801_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2801 EPC2801 EPC EPC2801_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2815 EPC2815 EPC EPC2815_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2815 EPC2815 EPC EPC2815_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2815 EPC2815 EPC EPC2815_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2818 EPC2818 EPC EPC2818_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2818 EPC2818 EPC EPC2818_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2818 EPC2818 EPC EPC2818_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8002 EPC8002 EPC EPC8002_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8002 EPC8002 EPC EPC8002_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
auf Bestellung 39332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.12 EUR
10+6.02 EUR
50+4.41 EUR
100+4.26 EUR
500+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8002 EPC8002 EPC EPC8002_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8002ENGR EPC8002ENGR EPC EPC8002_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8002TENGR EPC8002TENGR EPC EPC8002_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
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EPC8003ENGR EPC8003ENGR EPC EPC8003_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8003TENGR EPC8003TENGR EPC EPC8003_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
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EPC8004 EPC8004 EPC EPC8004_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
auf Bestellung 8418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.9 EUR
10+5.87 EUR
50+4.56 EUR
100+4.14 EUR
500+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8004 EPC8004 EPC EPC8004_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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EPC8004ENGR EPC8004ENGR EPC EPC8004_Preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8004TENGR EPC8004TENGR EPC EPC8004_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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EPC8005ENGR EPC8005ENGR EPC EPC8005_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
auf Bestellung 20 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8005TENGR EPC8005TENGR EPC EPC8005_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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EPC8007ENGR EPC8007ENGR EPC EPC8007_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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EPC8007TENGR EPC8007TENGR EPC EPC8007_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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EPC8008ENGR EPC8008ENGR EPC EPC8008_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8008TENGR EPC8008TENGR EPC EPC8008_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
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EPC8009 EPC8009 EPC EPC8009_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
auf Bestellung 7615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.03 EUR
10+5.96 EUR
50+4.65 EUR
100+4.22 EUR
500+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8009 EPC8009 EPC EPC8009_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8009ENGR EPC8009ENGR EPC EPC8009_Preliminary.pdf Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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EPC8009TENGR EPC8009TENGR EPC EPC8009_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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EPC8010 EPC8010 EPC EPC8010_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.55 EUR
10+3.61 EUR
100+2.51 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.01 EUR
2500+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8010 EPC8010 EPC EPC8010_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 19093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.39 EUR
10+4.15 EUR
50+3.19 EUR
100+2.88 EUR
500+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8010 EPC8010 EPC EPC8010_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.96 EUR
7500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8010ENGR EPC8010ENGR EPC EPC8010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8010TENGR EPC8010TENGR EPC EPC8010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 3.4A BUMPED DIE
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC9001 EPC9001 EPC EPC9001_qsg.pdf Description: EVAL BOARD FOR EPC2015
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015
Primary Attributes: 40V, 15A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC9001C EPC9001C EPC EPC9001C_qsg.pdf Description: BOARD DEV EPC2015C 40V EGAN
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Embedded: No
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015C
Type: Power Management
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC23103ENGRT EPC23103_datasheet.pdf
EPC23103ENGRT
Hersteller: EPC
Description: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC23104
Hersteller: EPC
Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
auf Bestellung 1718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.23 EUR
10+7.03 EUR
25+6.49 EUR
100+5.88 EUR
250+5.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC23104
Hersteller: EPC
Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC23104ENGRT EPC23104_datasheet.pdf
EPC23104ENGRT
Hersteller: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC23104ENGRT EPC23104_datasheet.pdf
EPC23104ENGRT
Hersteller: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
auf Bestellung 9789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.23 EUR
10+7.03 EUR
25+6.49 EUR
100+5.88 EUR
250+5.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2361 EPC2361_datasheet.pdf
EPC2361
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2361 EPC2361_datasheet.pdf
EPC2361
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V
auf Bestellung 41911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+17.7 EUR
10+12.07 EUR
50+9.66 EUR
100+8.89 EUR
500+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2361 EPC2361_datasheet.pdf
EPC2361
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
auf Bestellung 10142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+17.26 EUR
10+9.51 EUR
100+8.76 EUR
500+8.21 EUR
1000+7.52 EUR
3000+7.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2361ENGRT EPC2361_datasheet.pdf
EPC2361ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2361ENGRT EPC2361_datasheet.pdf
EPC2361ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+19.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2366 EPC2366_datasheet.pdf
EPC2366
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2366 EPC2366_datasheet.pdf
EPC2366
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN
auf Bestellung 5963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.71 EUR
10+5.75 EUR
50+4.47 EUR
100+4.07 EUR
500+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2366ENGRT EPC2366_datasheet.pdf
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2366ENGRT EPC2366_datasheet.pdf
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.88 EUR
10+5.19 EUR
100+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2367 EPC2367_datasheet.pdf
EPC2367
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
auf Bestellung 14047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.86 EUR
10+7.54 EUR
100+6.91 EUR
500+6.58 EUR
1000+5.87 EUR
3000+5.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2367 EPC2367_datasheet.pdf
EPC2367
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2367 EPC2367_datasheet.pdf
EPC2367
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V
auf Bestellung 21740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+14.33 EUR
10+9.66 EUR
50+7.66 EUR
100+7.02 EUR
500+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2367A
Hersteller: EPC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2619 EPC2619_datasheet.pdf
EPC2619
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2619 EPC2619_datasheet.pdf
EPC2619
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
auf Bestellung 7251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.45 EUR
10+5.46 EUR
100+4.63 EUR
500+3.88 EUR
1000+3.67 EUR
2500+3.33 EUR
5000+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2619 EPC2619_datasheet.pdf
EPC2619
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
auf Bestellung 12490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.96 EUR
10+5.93 EUR
50+4.62 EUR
100+4.2 EUR
500+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2619ENGRT EPC2619_datasheet.pdf
EPC2619ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2619ENGRT EPC2619_datasheet.pdf
EPC2619ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2801 EPC2801_datasheet.pdf
EPC2801
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2801 EPC2801_datasheet.pdf
EPC2801
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2801 EPC2801_datasheet.pdf
EPC2801
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2815 EPC2815_datasheet.pdf
EPC2815
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2815 EPC2815_datasheet.pdf
EPC2815
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2815 EPC2815_datasheet.pdf
EPC2815
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2818 EPC2818_datasheet.pdf
EPC2818
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2818 EPC2818_datasheet.pdf
EPC2818
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2818 EPC2818_datasheet.pdf
EPC2818
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8002 EPC8002_datasheet.pdf
EPC8002
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8002 EPC8002_datasheet.pdf
EPC8002
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
auf Bestellung 39332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.12 EUR
10+6.02 EUR
50+4.41 EUR
100+4.26 EUR
500+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8002 EPC8002_datasheet.pdf
EPC8002
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8002ENGR EPC8002_datasheet.pdf
EPC8002ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8002TENGR EPC8002_datasheet.pdf
EPC8002TENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8003ENGR EPC8003_datasheet.pdf
EPC8003ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8003TENGR EPC8003_datasheet.pdf
EPC8003TENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8004 EPC8004_datasheet.pdf
EPC8004
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
auf Bestellung 8418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.9 EUR
10+5.87 EUR
50+4.56 EUR
100+4.14 EUR
500+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8004 EPC8004_datasheet.pdf
EPC8004
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8004ENGR EPC8004_Preliminary.pdf
EPC8004ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8004TENGR EPC8004_datasheet.pdf
EPC8004TENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8005ENGR EPC8005_datasheet.pdf
EPC8005ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8005TENGR EPC8005_datasheet.pdf
EPC8005TENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8007ENGR EPC8007_datasheet.pdf
EPC8007ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8007TENGR EPC8007_datasheet.pdf
EPC8007TENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8008ENGR EPC8008_datasheet.pdf
EPC8008ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8008TENGR EPC8008_datasheet.pdf
EPC8008TENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8009 EPC8009_datasheet.pdf
EPC8009
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
auf Bestellung 7615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.03 EUR
10+5.96 EUR
50+4.65 EUR
100+4.22 EUR
500+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8009 EPC8009_datasheet.pdf
EPC8009
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8009ENGR EPC8009_Preliminary.pdf
EPC8009ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8009TENGR EPC8009_datasheet.pdf
EPC8009TENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8010 EPC8010_datasheet.pdf
EPC8010
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.55 EUR
10+3.61 EUR
100+2.51 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.01 EUR
2500+1.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC8010 EPC8010_datasheet.pdf
EPC8010
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
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EPC8010 EPC8010_datasheet.pdf
EPC8010
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
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EPC8010ENGR EPC8010_datasheet.pdf
EPC8010ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
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EPC8010TENGR EPC8010_datasheet.pdf
EPC8010TENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 3.4A BUMPED DIE
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EPC9001 EPC9001_qsg.pdf
EPC9001
Hersteller: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2015
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015
Primary Attributes: 40V, 15A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Produkt ist nicht verfügbar
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EPC9001C EPC9001C_qsg.pdf
EPC9001C
Hersteller: EPC
Description: BOARD DEV EPC2015C 40V EGAN
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Embedded: No
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015C
Type: Power Management
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Packaging: Bulk
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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