Produkte > EPC > Alle Produkte des Herstellers EPC (727) > Seite 5 nach 13

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
EPC2067 EPC2067 EPC EPC2067_datasheet.pdf Description: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2069 EPC2069 EPC EPC2069_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.32 EUR
10+4.27 EUR
100+3.88 EUR
500+3.31 EUR
1000+2.95 EUR
2000+2.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2069 EPC2069 EPC EPC2069_datasheet.pdf Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+7.14 EUR
2000+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2069 EPC2069 EPC EPC2069_datasheet.pdf Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Part Status: Not For New Designs
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.59 EUR
10+10.78 EUR
100+8.98 EUR
500+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2070 EPC2070 EPC EPC2070_datasheet.pdf Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2070 EPC2070 EPC EPC2070_datasheet.pdf Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
auf Bestellung 1817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
50+1.61 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2070 EPC2070 EPC EPC2070_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
auf Bestellung 14253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+1.62 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.09 EUR
2500+0.98 EUR
5000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2071 EPC2071 EPC EPC2071_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.12 EUR
10+8.16 EUR
100+7.5 EUR
500+6.85 EUR
1000+5.93 EUR
2000+5.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2071 EPC2071 EPC EPC2071_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+5.7 EUR
2000+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2071 EPC2071 EPC EPC2071_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 14259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.55 EUR
10+9.87 EUR
100+7.2 EUR
500+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2088 EPC2088 EPC EPC2088_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2088 EPC2088 EPC EPC2088_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
auf Bestellung 34776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.92 EUR
10+6.6 EUR
100+4.72 EUR
500+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2088 EPC2088 EPC EPC2088_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.65 EUR
2000+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2090 EPC2090 EPC EPC2090_datasheet.pdf GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
auf Bestellung 2139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.52 EUR
10+4.96 EUR
100+3.47 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.84 EUR
2500+2.64 EUR
5000+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2091 EPC2091 EPC EPC2091_datasheet.pdf GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.53 EUR
10+12.02 EUR
100+9.03 EUR
500+8.98 EUR
1000+8.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2092 EPC2092 EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2100 EPC2100 EPC EPC2100_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.63 EUR
10+14.26 EUR
100+10.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2100 EPC2100 EPC EPC2100_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2100 EPC EPC2100_datasheet.pdf
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2100ENG EPC2100ENG EPC EPC2106_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2100ENGRT EPC2100ENGRT EPC EPC2100_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2101 EPC2101 EPC EPC2101_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.07 EUR
10+14.57 EUR
100+10.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2101 EPC2101 EPC EPC2101_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2101ENG EPC2101ENG EPC EPC2101_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2101ENGRT EPC2101ENGRT EPC EPC2101_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2102 EPC2102 EPC EPC2102_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.8 EUR
10+15.1 EUR
50+12.23 EUR
100+11.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2102 EPC2102 EPC EPC2102_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.44 EUR
10+12.02 EUR
100+11.66 EUR
500+11.44 EUR
1000+9.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2102 EPC2102 EPC EPC2102_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2102ENG EPC2102ENG EPC EPC2102_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2102ENGRT EPC2102ENGRT EPC EPC2102_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2103 EPC2103 EPC EPC2103_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.73 EUR
10+11.6 EUR
100+11.16 EUR
500+11 EUR
1000+9.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2103 EPC2103 EPC EPC2103_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+9.13 EUR
1500+9.08 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2103 EPC2103 EPC EPC2103_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
auf Bestellung 2129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.63 EUR
10+14.26 EUR
50+11.53 EUR
100+11.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2103ENG EPC2103ENG EPC EPC2103_datasheet.pdf Description: GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2103ENGRT EPC2103ENGRT EPC EPC2103_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2103ENGRT EPC2103ENGRT EPC EPC2103_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2104 EPC2104 EPC EPC2104_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.36 EUR
10+14.78 EUR
50+11.97 EUR
100+11.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2104 EPC2104 EPC EPC2104_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+9.5 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2104ENG EPC2104ENG EPC EPC2104_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2104ENGRT EPC2104ENGRT EPC EPC2104_datasheet.pdf Description: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2104ENGRT EPC2104ENGRT EPC EPC2104_datasheet.pdf Description: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2105 EPC2105 EPC EPC2105_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.75 EUR
10+14.3 EUR
100+10.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2105 EPC2105 EPC EPC2105_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+9.65 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2105ENG EPC2105ENG EPC EPC2105_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2105ENGRT EPC2105ENGRT EPC EPC2105_datasheet.pdf Description: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2105ENGRT EPC2105ENGRT EPC EPC2105_datasheet.pdf Description: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2106 EPC2106 EPC EPC2106_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
auf Bestellung 2048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.11 EUR
10+3.31 EUR
100+2.26 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.71 EUR
2500+1.52 EUR
5000+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2106 EPC2106 EPC EPC2106_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.61 EUR
7500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2106 EPC2106 EPC EPC2106_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 38519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
10+3.49 EUR
50+2.65 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2106ENGRT EPC2106ENGRT EPC EPC2106_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2106ENGRT EPC2106ENGRT EPC EPC2106_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2107 EPC2107 EPC EPC2107_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.57 EUR
10+3.61 EUR
100+2.48 EUR
500+2 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2107 EPC2107 EPC EPC2107_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+2 EUR
1000+1.84 EUR
1500+1.77 EUR
2500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC EPC2107_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC EPC2107_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
auf Bestellung 4617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC EPC2107_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
auf Bestellung 4617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2108 EPC2108 EPC EPC2108_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2108 EPC2108 EPC EPC2108_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.02 EUR
10+3.24 EUR
100+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2108ENGRT EPC2108ENGRT EPC EPC2108_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
auf Bestellung 4690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2108ENGRT EPC2108ENGRT EPC EPC2108_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2067 EPC2067_datasheet.pdf
EPC2067
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2069 EPC2069_datasheet.pdf
EPC2069
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.32 EUR
10+4.27 EUR
100+3.88 EUR
500+3.31 EUR
1000+2.95 EUR
2000+2.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2069 EPC2069_datasheet.pdf
EPC2069
Hersteller: EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+7.14 EUR
2000+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2069 EPC2069_datasheet.pdf
EPC2069
Hersteller: EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Part Status: Not For New Designs
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.59 EUR
10+10.78 EUR
100+8.98 EUR
500+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2070 EPC2070_datasheet.pdf
EPC2070
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2070 EPC2070_datasheet.pdf
EPC2070
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
auf Bestellung 1817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
50+1.61 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2070 EPC2070_datasheet.pdf
EPC2070
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
auf Bestellung 14253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.39 EUR
10+1.62 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.09 EUR
2500+0.98 EUR
5000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2071 EPC2071_datasheet.pdf
EPC2071
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.12 EUR
10+8.16 EUR
100+7.5 EUR
500+6.85 EUR
1000+5.93 EUR
2000+5.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2071 EPC2071_datasheet.pdf
EPC2071
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+5.7 EUR
2000+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2071 EPC2071_datasheet.pdf
EPC2071
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 14259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+14.55 EUR
10+9.87 EUR
100+7.2 EUR
500+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2088 EPC2088_datasheet.pdf
EPC2088
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2088 EPC2088_datasheet.pdf
EPC2088
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
auf Bestellung 34776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.92 EUR
10+6.6 EUR
100+4.72 EUR
500+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2088 EPC2088_datasheet.pdf
EPC2088
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+3.65 EUR
2000+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2090 EPC2090_datasheet.pdf
EPC2090
Hersteller: EPC
GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
auf Bestellung 2139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.52 EUR
10+4.96 EUR
100+3.47 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.84 EUR
2500+2.64 EUR
5000+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2091 EPC2091_datasheet.pdf
EPC2091
Hersteller: EPC
GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+17.53 EUR
10+12.02 EUR
100+9.03 EUR
500+8.98 EUR
1000+8.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2092
EPC2092
Hersteller: EPC
GaN FETs 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2100 EPC2100_datasheet.pdf
EPC2100
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+20.63 EUR
10+14.26 EUR
100+10.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2100 EPC2100_datasheet.pdf
EPC2100
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2100 EPC2100_datasheet.pdf
Hersteller: EPC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2100ENG EPC2106_preliminary.pdf
EPC2100ENG
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2100ENGRT EPC2100_datasheet.pdf
EPC2100ENGRT
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2101 EPC2101_datasheet.pdf
EPC2101
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+21.07 EUR
10+14.57 EUR
100+10.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2101 EPC2101_datasheet.pdf
EPC2101
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2101ENG EPC2101_preliminary.pdf
EPC2101ENG
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2101ENGRT EPC2101_datasheet.pdf
EPC2101ENGRT
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2102 EPC2102_datasheet.pdf
EPC2102
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+21.8 EUR
10+15.1 EUR
50+12.23 EUR
100+11.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2102 EPC2102_datasheet.pdf
EPC2102
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+21.44 EUR
10+12.02 EUR
100+11.66 EUR
500+11.44 EUR
1000+9.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2102 EPC2102_datasheet.pdf
EPC2102
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2102ENG EPC2102_preliminary.pdf
EPC2102ENG
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2102ENGRT EPC2102_datasheet.pdf
EPC2102ENGRT
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2103 EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+20.73 EUR
10+11.6 EUR
100+11.16 EUR
500+11 EUR
1000+9.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2103 EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+9.13 EUR
1500+9.08 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2103 EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
auf Bestellung 2129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+20.63 EUR
10+14.26 EUR
50+11.53 EUR
100+11.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2103ENG EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103ENG
Hersteller: EPC
Description: GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2103ENGRT EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103ENGRT
Hersteller: EPC
Description: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2103ENGRT EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103ENGRT
Hersteller: EPC
Description: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2104 EPC2104_datasheet.pdf
EPC2104
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+21.36 EUR
10+14.78 EUR
50+11.97 EUR
100+11.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2104 EPC2104_datasheet.pdf
EPC2104
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+9.5 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2104ENG EPC2104_preliminary.pdf
EPC2104ENG
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2104ENGRT EPC2104_datasheet.pdf
EPC2104ENGRT
Hersteller: EPC
Description: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2104ENGRT EPC2104_datasheet.pdf
EPC2104ENGRT
Hersteller: EPC
Description: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2105 EPC2105_datasheet.pdf
EPC2105
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+20.75 EUR
10+14.3 EUR
100+10.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2105 EPC2105_datasheet.pdf
EPC2105
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+9.65 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2105ENG EPC2105_preliminary.pdf
EPC2105ENG
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2105ENGRT EPC2105_datasheet.pdf
EPC2105ENGRT
Hersteller: EPC
Description: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2105ENGRT EPC2105_datasheet.pdf
EPC2105ENGRT
Hersteller: EPC
Description: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2106 EPC2106_datasheet.pdf
EPC2106
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
auf Bestellung 2048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.11 EUR
10+3.31 EUR
100+2.26 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.71 EUR
2500+1.52 EUR
5000+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2106 EPC2106_datasheet.pdf
EPC2106
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.61 EUR
7500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2106 EPC2106_datasheet.pdf
EPC2106
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
auf Bestellung 38519 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.4 EUR
10+3.49 EUR
50+2.65 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2106ENGRT EPC2106_datasheet.pdf
EPC2106ENGRT
Hersteller: EPC
Description: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2106ENGRT EPC2106_datasheet.pdf
EPC2106ENGRT
Hersteller: EPC
Description: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2107 EPC2107_datasheet.pdf
EPC2107
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.57 EUR
10+3.61 EUR
100+2.48 EUR
500+2 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2107 EPC2107_datasheet.pdf
EPC2107
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+2 EUR
1000+1.84 EUR
1500+1.77 EUR
2500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2107ENGRT EPC2107_preliminary.pdf
EPC2107ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2107ENGRT EPC2107_preliminary.pdf
EPC2107ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
auf Bestellung 4617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2107ENGRT EPC2107_preliminary.pdf
EPC2107ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
auf Bestellung 4617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2108 EPC2108_datasheet.pdf
EPC2108
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2108 EPC2108_datasheet.pdf
EPC2108
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+5.02 EUR
10+3.24 EUR
100+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2108ENGRT EPC2108_preliminary.pdf
EPC2108ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
auf Bestellung 4690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2108ENGRT EPC2108_preliminary.pdf
EPC2108ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Nächste Seite >> ]