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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
EPC2010ENGR EPC EPC2010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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EPC2012 EPC2012 EPC EPC2012_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
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EPC2012 EPC EPC2012_datasheet.pdf
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EPC2012 EPC2012 EPC EPC2012_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
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EPC2012C EPC2012C EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.46 EUR
7500+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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EPC2012C EPC2012C EPC EPC2012C_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
auf Bestellung 4429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.95 EUR
10+3.92 EUR
100+2.74 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.31 EUR
2500+2.05 EUR
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EPC2012C EPC2012C EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 57999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.75 EUR
10+5.07 EUR
50+3.92 EUR
100+3.55 EUR
500+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012CENGR EPC2012CENGR EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
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EPC2012CENGR EPC2012CENGR EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
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EPC2012CENGR EPC2012CENGR EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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EPC2013 EPC Description: TRANS GAN 150V 10MO BUMPED DIE
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EPC2014 EPC2014 EPC EPC2014_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
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EPC2014 EPC2014 EPC EPC2014_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2014C EPC2014C EPC EPC2014C_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
auf Bestellung 6629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.78 EUR
10+1.84 EUR
100+1.65 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.27 EUR
2500+1.08 EUR
5000+1 EUR
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EPC2014C EPC2014C EPC EPC2014C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
auf Bestellung 31512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.33 EUR
10+2.77 EUR
50+2.11 EUR
100+1.88 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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EPC2014C EPC2014C EPC EPC2014C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.25 EUR
7500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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EPC2015 EPC2015 EPC EPC2015_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015 EPC EPC2015_datasheet.pdf
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015 EPC2015 EPC EPC2015_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
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EPC2015C EPC2015C EPC EPC2015C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015C EPC2015C EPC EPC2015C_datasheet.pdf
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015C EPC2015C EPC EPC2015C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
auf Bestellung 8149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.63 EUR
10+7.77 EUR
50+6.13 EUR
100+5.59 EUR
500+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015CENGR EPC2015CENGR EPC EPC2015C_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015CENGR EPC2015CENGR EPC EPC2015C_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015CENGR EPC2015CENGR EPC EPC2015C_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2016 EPC2016 EPC EPC2016_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 11A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2016 EPC EPC2016_datasheet.pdf
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EPC2016C EPC2016C EPC EPC2016C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
auf Bestellung 31849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.1 EUR
10+4.63 EUR
50+3.56 EUR
100+3.22 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2016C EPC2016C EPC EPC2016C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.21 EUR
7500+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2016C EPC2016C EPC EPC2016C_datasheet.pdf
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.12 EUR
10+3.12 EUR
100+2.8 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.21 EUR
2500+1.92 EUR
5000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2018 EPC2018 EPC EPC2018_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 150V 12A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019 EPC2019 EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 21899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.34 EUR
10+6.87 EUR
50+5.38 EUR
100+4.89 EUR
500+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019 EPC2019 EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.77 EUR
3000+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019 EPC EPC2019_datasheet.pdf
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019ENG EPC2019ENG EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019ENG EPC2019ENG EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019ENG EPC2019ENG EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020 EPC2020 EPC EPC2020_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+8.02 EUR
1500+7.83 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020 EPC2020 EPC EPC2020_datasheet.pdf
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.22 EUR
10+8.96 EUR
100+8.4 EUR
500+7.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020 EPC2020 EPC EPC2020_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
auf Bestellung 4308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.54 EUR
10+12.71 EUR
50+10.22 EUR
100+9.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020ENG EPC2020ENG EPC EPC2020_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020ENGR EPC2020ENGR EPC EPC2020_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020ENGR EPC2020ENGR EPC EPC2020_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 1500 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020ENGR EPC2020ENGR EPC EPC2020_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2021 EPC2021 EPC EPC2021_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.11 EUR
10+14.54 EUR
50+11.73 EUR
100+11.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2021 EPC2021 EPC EPC2021_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+9.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2021ENG EPC2021ENG EPC EPC2021_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2021ENGR EPC2021ENGR EPC EPC2021_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022 EPC2022 EPC EPC2022_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 12058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.37 EUR
10+13.34 EUR
50+10.77 EUR
100+10.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022 EPC2022 EPC EPC2022_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 11600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022ENG EPC2022ENG EPC EPC2022_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022ENGRT EPC2022ENGRT EPC EPC2022_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022ENGRT EPC2022ENGRT EPC EPC2022_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022ENGRT EPC2022ENGRT EPC EPC2022_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022ENGRT EPC EPC2022_preliminary.pdf TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023 EPC2023 EPC EPC2023_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 5297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.71 EUR
10+12.83 EUR
50+10.33 EUR
100+9.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023 EPC2023 EPC EPC2023_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+8.1 EUR
1500+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023 EPC2023 EPC EPC2023_datasheet.pdf
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.36 EUR
10+9.04 EUR
100+8.5 EUR
500+7.51 EUR
1000+7.34 EUR
2500+7.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023ENG EPC2023ENG EPC EPC2023_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 3370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023ENGR EPC2023ENGR EPC EPC2023_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2010ENGR EPC2010_datasheet.pdf
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012 EPC2012_datasheet.pdf
EPC2012
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012 EPC2012_datasheet.pdf
Hersteller: EPC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012 EPC2012_datasheet.pdf
EPC2012
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012C EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.46 EUR
7500+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012C EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012C
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
auf Bestellung 4429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.95 EUR
10+3.92 EUR
100+2.74 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.31 EUR
2500+2.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012C EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 57999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.75 EUR
10+5.07 EUR
50+3.92 EUR
100+3.55 EUR
500+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012CENGR EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012CENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012CENGR EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012CENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012CENGR EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012CENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2013
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 150V 10MO BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2014 EPC2014_datasheet.pdf
EPC2014
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2014 EPC2014_datasheet.pdf
EPC2014
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2014C EPC2014C_datasheet.pdf
EPC2014C
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
auf Bestellung 6629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.78 EUR
10+1.84 EUR
100+1.65 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.27 EUR
2500+1.08 EUR
5000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2014C EPC2014C_datasheet.pdf
EPC2014C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
auf Bestellung 31512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.33 EUR
10+2.77 EUR
50+2.11 EUR
100+1.88 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2014C EPC2014C_datasheet.pdf
EPC2014C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.25 EUR
7500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015 EPC2015_datasheet.pdf
EPC2015
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015 EPC2015_datasheet.pdf
Hersteller: EPC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015 EPC2015_datasheet.pdf
EPC2015
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015C EPC2015C_datasheet.pdf
EPC2015C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015C EPC2015C_datasheet.pdf
EPC2015C
Hersteller: EPC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015C EPC2015C_datasheet.pdf
EPC2015C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
auf Bestellung 8149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.63 EUR
10+7.77 EUR
50+6.13 EUR
100+5.59 EUR
500+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015CENGR EPC2015C_preliminary.pdf
EPC2015CENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015CENGR EPC2015C_preliminary.pdf
EPC2015CENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015CENGR EPC2015C_preliminary.pdf
EPC2015CENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2016 EPC2016_datasheet.pdf
EPC2016
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 11A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2016 EPC2016_datasheet.pdf
Hersteller: EPC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2016C EPC2016C_datasheet.pdf
EPC2016C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
auf Bestellung 31849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.1 EUR
10+4.63 EUR
50+3.56 EUR
100+3.22 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2016C EPC2016C_datasheet.pdf
EPC2016C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.21 EUR
7500+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2016C EPC2016C_datasheet.pdf
EPC2016C
Hersteller: EPC
auf Bestellung 2498 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+6.12 EUR
10+3.12 EUR
100+2.8 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.21 EUR
2500+1.92 EUR
5000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2018 EPC2018_datasheet.pdf
EPC2018
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 150V 12A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019 EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 21899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.34 EUR
10+6.87 EUR
50+5.38 EUR
100+4.89 EUR
500+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019 EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+3.77 EUR
3000+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019 EPC2019_datasheet.pdf
Hersteller: EPC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019ENG EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019ENG
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019ENG EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019ENG
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019ENG EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019ENG
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020 EPC2020_datasheet.pdf
EPC2020
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+8.02 EUR
1500+7.83 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020 EPC2020_datasheet.pdf
EPC2020
Hersteller: EPC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+16.22 EUR
10+8.96 EUR
100+8.4 EUR
500+7.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020 EPC2020_datasheet.pdf
EPC2020
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
auf Bestellung 4308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+18.54 EUR
10+12.71 EUR
50+10.22 EUR
100+9.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020ENG EPC2020_preliminary.pdf
EPC2020ENG
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020ENGR EPC2020_preliminary.pdf
EPC2020ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020ENGR EPC2020_preliminary.pdf
EPC2020ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020ENGR EPC2020_preliminary.pdf
EPC2020ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2021 EPC2021_datasheet.pdf
EPC2021
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+21.11 EUR
10+14.54 EUR
50+11.73 EUR
100+11.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2021 EPC2021_datasheet.pdf
EPC2021
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+9.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2021ENG EPC2021_preliminary.pdf
EPC2021ENG
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2021ENGR EPC2021_datasheet.pdf
EPC2021ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022 EPC2022_datasheet.pdf
EPC2022
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 12058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+19.37 EUR
10+13.34 EUR
50+10.77 EUR
100+10.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022 EPC2022_datasheet.pdf
EPC2022
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 11600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022ENG EPC2022_preliminary.pdf
EPC2022ENG
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022ENGRT EPC2022_preliminary.pdf
EPC2022ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022ENGRT EPC2022_preliminary.pdf
EPC2022ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022ENGRT EPC2022_preliminary.pdf
EPC2022ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022ENGRT EPC2022_preliminary.pdf
Hersteller: EPC
TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023 EPC2023_datasheet.pdf
EPC2023
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 5297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+18.71 EUR
10+12.83 EUR
50+10.33 EUR
100+9.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023 EPC2023_datasheet.pdf
EPC2023
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+8.1 EUR
1500+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023 EPC2023_datasheet.pdf
EPC2023
Hersteller: EPC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+16.36 EUR
10+9.04 EUR
100+8.5 EUR
500+7.51 EUR
1000+7.34 EUR
2500+7.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023ENG EPC2023_preliminary.pdf
EPC2023ENG
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 3370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023ENGR EPC2023_preliminary.pdf
EPC2023ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
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