Produkte > EPC > Alle Produkte des Herstellers EPC (686) > Seite 2 nach 12

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
EPC2012 EPC EPC2012_datasheet.pdf
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012 EPC2012 EPC EPC2012_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012 EPC2012 EPC EPC2012_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012C EPC2012C EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.89 EUR
5000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012C EPC2012C EPC EPC2012C_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
auf Bestellung 4429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.61 EUR
10+3.7 EUR
100+2.59 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.18 EUR
2500+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012C EPC2012C EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 5801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.93 EUR
10+3.89 EUR
100+2.72 EUR
500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012CENGR EPC2012CENGR EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012CENGR EPC2012CENGR EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012CENGR EPC2012CENGR EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2013 EPC Description: TRANS GAN 150V 10MO BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2014 EPC2014 EPC EPC2014_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2014 EPC2014 EPC EPC2014_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2014C EPC2014C EPC EPC2014C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
auf Bestellung 4418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.54 EUR
10+2.26 EUR
100+1.53 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2014C EPC2014C EPC EPC2014C_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
auf Bestellung 16205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.33 EUR
10+2.15 EUR
100+1.45 EUR
500+1.16 EUR
1000+1.09 EUR
2500+0.96 EUR
5000+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2014C EPC2014C EPC EPC2014C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015 EPC2015 EPC EPC2015_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015 EPC EPC2015_datasheet.pdf
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015 EPC2015 EPC EPC2015_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015C EPC2015C EPC EPC2015C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
auf Bestellung 11365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.57 EUR
10+6.4 EUR
100+4.61 EUR
500+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015C EPC2015C EPC EPC2015C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015CENGR EPC2015CENGR EPC EPC2015C_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015CENGR EPC2015CENGR EPC EPC2015C_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015CENGR EPC2015CENGR EPC EPC2015C_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2016 EPC2016 EPC EPC2016_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 11A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2016 EPC EPC2016_datasheet.pdf
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2016C EPC2016C EPC EPC2016C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.7 EUR
5000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2016C EPC2016C EPC EPC2016C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
auf Bestellung 60538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.44 EUR
10+3.55 EUR
100+2.47 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2018 EPC2018 EPC EPC2018_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 150V 12A DIE
Vgs (Max): +6V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019 EPC2019 EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 28898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.94 EUR
10+5.27 EUR
100+3.75 EUR
500+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019 EPC2019 EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.9 EUR
2000+2.72 EUR
3000+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019 EPC EPC2019_datasheet.pdf
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019ENG EPC2019ENG EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019ENG EPC2019ENG EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019ENG EPC2019ENG EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020 EPC2020 EPC EPC2020_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.88 EUR
10+10.89 EUR
100+8.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020 EPC2020 EPC EPC2020_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+7.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020ENG EPC2020ENG EPC EPC2020_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020ENGR EPC2020ENGR EPC EPC2020_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020ENGR EPC2020ENGR EPC EPC2020_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020ENGR EPC2020ENGR EPC EPC2020_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2021 EPC2021 EPC EPC2021_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.19 EUR
10+11.16 EUR
100+8.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2021 EPC2021 EPC EPC2021_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2021ENG EPC2021ENG EPC EPC2021_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2021ENGR EPC2021ENGR EPC EPC2021_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022 EPC2022 EPC EPC2022_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 23024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.08 EUR
10+10.38 EUR
100+8.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022 EPC2022 EPC EPC2022_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022ENG EPC2022ENG EPC EPC2022_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022ENGRT EPC2022ENGRT EPC EPC2022_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022ENGRT EPC2022ENGRT EPC EPC2022_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022ENGRT EPC2022ENGRT EPC EPC2022_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022ENGRT EPC EPC2022_preliminary.pdf TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023 EPC2023 EPC EPC2023_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 6310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.28 EUR
10+10.48 EUR
100+7.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023 EPC2023 EPC EPC2023_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+6.62 EUR
1000+6.47 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023ENG EPC2023ENG EPC EPC2023_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 3370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023ENGR EPC2023ENGR EPC EPC2023_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023ENGR EPC2023ENGR EPC EPC2023_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023ENGR EPC2023ENGR EPC EPC2023_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2024 EPC2024 EPC EPC2024_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 40V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 19mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2024 EPC2024 EPC EPC2024_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 40V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 19mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
auf Bestellung 4359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.27 EUR
10+9.79 EUR
100+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2025 EPC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012 EPC2012_datasheet.pdf
Hersteller: EPC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012 EPC2012_datasheet.pdf
EPC2012
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012 EPC2012_datasheet.pdf
EPC2012
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012C EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.89 EUR
5000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012C EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012C
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
auf Bestellung 4429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.61 EUR
10+3.7 EUR
100+2.59 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.18 EUR
2500+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012C EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 5801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+5.93 EUR
10+3.89 EUR
100+2.72 EUR
500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012CENGR EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012CENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012CENGR EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012CENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2012CENGR EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012CENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2013
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 150V 10MO BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2014 EPC2014_datasheet.pdf
EPC2014
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2014 EPC2014_datasheet.pdf
EPC2014
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2014C EPC2014C_datasheet.pdf
EPC2014C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
auf Bestellung 4418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.54 EUR
10+2.26 EUR
100+1.53 EUR
500+1.22 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2014C EPC2014C_datasheet.pdf
EPC2014C
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
auf Bestellung 16205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.33 EUR
10+2.15 EUR
100+1.45 EUR
500+1.16 EUR
1000+1.09 EUR
2500+0.96 EUR
5000+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2014C EPC2014C_datasheet.pdf
EPC2014C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015 EPC2015_datasheet.pdf
EPC2015
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015 EPC2015_datasheet.pdf
Hersteller: EPC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015 EPC2015_datasheet.pdf
EPC2015
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015C EPC2015C_datasheet.pdf
EPC2015C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
auf Bestellung 11365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.57 EUR
10+6.4 EUR
100+4.61 EUR
500+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015C EPC2015C_datasheet.pdf
EPC2015C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015CENGR EPC2015C_preliminary.pdf
EPC2015CENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015CENGR EPC2015C_preliminary.pdf
EPC2015CENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2015CENGR EPC2015C_preliminary.pdf
EPC2015CENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2016 EPC2016_datasheet.pdf
EPC2016
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 11A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2016 EPC2016_datasheet.pdf
Hersteller: EPC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2016C EPC2016C_datasheet.pdf
EPC2016C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.7 EUR
5000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2016C EPC2016C_datasheet.pdf
EPC2016C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
auf Bestellung 60538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.44 EUR
10+3.55 EUR
100+2.47 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2018 EPC2018_datasheet.pdf
EPC2018
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 150V 12A DIE
Vgs (Max): +6V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019 EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 28898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.94 EUR
10+5.27 EUR
100+3.75 EUR
500+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019 EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+2.9 EUR
2000+2.72 EUR
3000+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019 EPC2019_datasheet.pdf
Hersteller: EPC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019ENG EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019ENG
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019ENG EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019ENG
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2019ENG EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019ENG
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020 EPC2020_datasheet.pdf
EPC2020
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+15.88 EUR
10+10.89 EUR
100+8.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020 EPC2020_datasheet.pdf
EPC2020
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+7.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020ENG EPC2020_preliminary.pdf
EPC2020ENG
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020ENGR EPC2020_preliminary.pdf
EPC2020ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020ENGR EPC2020_preliminary.pdf
EPC2020ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2020ENGR EPC2020_preliminary.pdf
EPC2020ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2021 EPC2021_datasheet.pdf
EPC2021
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+16.19 EUR
10+11.16 EUR
100+8.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2021 EPC2021_datasheet.pdf
EPC2021
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2021ENG EPC2021_preliminary.pdf
EPC2021ENG
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2021ENGR EPC2021_datasheet.pdf
EPC2021ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022 EPC2022_datasheet.pdf
EPC2022
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 23024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+15.08 EUR
10+10.38 EUR
100+8.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022 EPC2022_datasheet.pdf
EPC2022
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+6.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022ENG EPC2022_preliminary.pdf
EPC2022ENG
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022ENGRT EPC2022_preliminary.pdf
EPC2022ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022ENGRT EPC2022_preliminary.pdf
EPC2022ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022ENGRT EPC2022_preliminary.pdf
EPC2022ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2022ENGRT EPC2022_preliminary.pdf
Hersteller: EPC
TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023 EPC2023_datasheet.pdf
EPC2023
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 6310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+15.28 EUR
10+10.48 EUR
100+7.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023 EPC2023_datasheet.pdf
EPC2023
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+6.62 EUR
1000+6.47 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023ENG EPC2023_preliminary.pdf
EPC2023ENG
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 3370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023ENGR EPC2023_preliminary.pdf
EPC2023ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023ENGR EPC2023_preliminary.pdf
EPC2023ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2023ENGR EPC2023_preliminary.pdf
EPC2023ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2024 EPC2024_datasheet.pdf
EPC2024
Hersteller: EPC
Description: GANFET NCH 40V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 19mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2024 EPC2024_datasheet.pdf
EPC2024
Hersteller: EPC
Description: GANFET NCH 40V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 19mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
auf Bestellung 4359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+14.27 EUR
10+9.79 EUR
100+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2025
Hersteller: EPC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Nächste Seite >> ]