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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
EPC2025 EPC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2025 EPC Description: GANFET N-CH 300V 4A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 194 pF @ 240 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2025ENGR EPC2025ENGR EPC EPC2025_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2029 EPC2029 EPC EPC2029_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 48A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.14 EUR
10+12.48 EUR
100+10.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2029 EPC2029 EPC EPC2029_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 48A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+8.32 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2029ENGR EPC2029ENGR EPC EPC2029_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2029ENGRT EPC2029ENGRT EPC EPC2029_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2029ENGRT EPC2029ENGRT EPC EPC2029_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2029ENGRT EPC2029ENGRT EPC EPC2029_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2030 EPC2030 EPC EPC2030_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.34 EUR
10+11.83 EUR
100+8.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2030 EPC2030 EPC EPC2030_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+6.2 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2030ENGR EPC2030ENGR EPC EPC2030_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2030ENGRT EPC2030ENGRT EPC EPC2030_preliminary.pdf Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
auf Bestellung 3967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2030ENGRT EPC2030ENGRT EPC EPC2030_preliminary.pdf Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2031 EPC2031 EPC EPC2031_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2031 EPC2031 EPC EPC2031_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300
auf Bestellung 14113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.18 EUR
10+10.34 EUR
100+8.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2031 EPC2031 EPC EPC2031_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+6.6 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2031ENGR EPC2031ENGR EPC EPC2031_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2031ENGRT EPC2031ENGRT EPC EPC2031_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2031ENGRT EPC2031ENGRT EPC EPC2031_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2032 EPC2032 EPC EPC2032_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 50 V
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.34 EUR
10+11.16 EUR
100+8.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2032 EPC EPC2032_datasheet.pdf
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2032 EPC2032 EPC EPC2032_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 50 V
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+6.97 EUR
1000+6.7 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2032ENGR EPC2032ENGR EPC EPC2032_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2032ENGRT EPC2032ENGRT EPC EPC2032_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2032ENGRT EPC2032ENGRT EPC EPC2032_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2032ENGRT EPC2032ENGRT EPC EPC2032_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2033 EPC2033 EPC EPC2033_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 150V 48A DIE
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+9.95 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2033 EPC2033 EPC EPC2033_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 150V 48A DIE
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.05 EUR
10+14.55 EUR
100+10.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2033ENGR EPC2033ENGR EPC EPC2033_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2033ENGRT EPC2033ENGRT EPC EPC2033_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2033ENGRT EPC2033ENGRT EPC EPC2033_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2033ENGRT EPC2033ENGRT EPC EPC2033_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2034 EPC2034 EPC EPC2034_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2034 EPC2034 EPC EPC2034_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2034 EPC EPC2034_datasheet.pdf
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2034C EPC2034C EPC EPC2034C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 7068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.71 EUR
10+13.59 EUR
100+10.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2034C EPC2034C EPC EPC2034C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+9.94 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2034ENGR EPC2034ENGR EPC EPC2034_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2034ENGRT EPC2034ENGRT EPC EPC2034_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2034ENGRT EPC2034ENGRT EPC EPC2034_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2034ENGRT EPC2034ENGRT EPC EPC2034_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2035 EPC2035 EPC EPC2035_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
auf Bestellung 19384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.06 EUR
5000+0.99 EUR
7500+0.95 EUR
12500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2035 EPC2035 EPC EPC2035_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
auf Bestellung 19920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.77 EUR
10+2.4 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2035 EPC2035 EPC EPC2035_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
auf Bestellung 7164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.43 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.07 EUR
5000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2036 EPC2036 EPC EPC2036_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.06 EUR
5000+0.99 EUR
7500+0.95 EUR
12500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2036 EPC2036 EPC EPC2036_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
auf Bestellung 11648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.43 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.07 EUR
5000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2036 EPC2036 EPC EPC2036_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 27357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
10+2.39 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2037 EPC2037 EPC EPC2037_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 225660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
10+2.39 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2037 EPC2037 EPC EPC2037_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
auf Bestellung 8642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.43 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.07 EUR
5000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2037 EPC2037 EPC EPC2037_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 225590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.06 EUR
5000+0.99 EUR
7500+0.95 EUR
12500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2037ENGR EPC EPC2037_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2037ENGR EPC EPC2037_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2037ENGR EPC EPC2037_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2038 EPC2038 EPC EPC2038_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 119329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
10+2.39 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2038 EPC2038 EPC EPC2038_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
auf Bestellung 11264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.43 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.07 EUR
5000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2038 EPC2038 EPC EPC2038_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 115000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2038ENGR EPC2038ENGR EPC EPC2038_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2038ENGR EPC2038ENGR EPC EPC2038_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2038ENGR EPC2038ENGR EPC EPC2038_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2025
Hersteller: EPC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2025
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 300V 4A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 194 pF @ 240 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2025ENGR EPC2025_datasheet.pdf
EPC2025ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2029 EPC2029_datasheet.pdf
EPC2029
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 48A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+18.14 EUR
10+12.48 EUR
100+10.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2029 EPC2029_datasheet.pdf
EPC2029
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 48A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+8.32 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2029ENGR EPC2029_preliminary.pdf
EPC2029ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2029ENGRT EPC2029_preliminary.pdf
EPC2029ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2029ENGRT EPC2029_preliminary.pdf
EPC2029ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2029ENGRT EPC2029_preliminary.pdf
EPC2029ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2030 EPC2030_datasheet.pdf
EPC2030
Hersteller: EPC
Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+17.34 EUR
10+11.83 EUR
100+8.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2030 EPC2030_datasheet.pdf
EPC2030
Hersteller: EPC
Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+6.2 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2030ENGR EPC2030_preliminary.pdf
EPC2030ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2030ENGRT EPC2030_preliminary.pdf
EPC2030ENGRT
Hersteller: EPC
Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
auf Bestellung 3967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2030ENGRT EPC2030_preliminary.pdf
EPC2030ENGRT
Hersteller: EPC
Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2031 EPC2031_datasheet.pdf
EPC2031
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2031 EPC2031_datasheet.pdf
EPC2031
Hersteller: EPC
Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300
auf Bestellung 14113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+15.18 EUR
10+10.34 EUR
100+8.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2031 EPC2031_datasheet.pdf
EPC2031
Hersteller: EPC
Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+6.6 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2031ENGR EPC2031_preliminary.pdf
EPC2031ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2031ENGRT EPC2031_datasheet.pdf
EPC2031ENGRT
Hersteller: EPC
Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2031ENGRT EPC2031_datasheet.pdf
EPC2031ENGRT
Hersteller: EPC
Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2032 EPC2032_datasheet.pdf
EPC2032
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 50 V
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+16.34 EUR
10+11.16 EUR
100+8.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2032 EPC2032_datasheet.pdf
Hersteller: EPC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2032 EPC2032_datasheet.pdf
EPC2032
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 50 V
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+6.97 EUR
1000+6.7 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2032ENGR EPC2032_preliminary.pdf
EPC2032ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2032ENGRT EPC2032_preliminary.pdf
EPC2032ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2032ENGRT EPC2032_preliminary.pdf
EPC2032ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2032ENGRT EPC2032_preliminary.pdf
EPC2032ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2033 EPC2033_datasheet.pdf
EPC2033
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 150V 48A DIE
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+9.95 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2033 EPC2033_datasheet.pdf
EPC2033
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 150V 48A DIE
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+21.05 EUR
10+14.55 EUR
100+10.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2033ENGR EPC2033_preliminary.pdf
EPC2033ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2033ENGRT EPC2033_preliminary.pdf
EPC2033ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2033ENGRT EPC2033_preliminary.pdf
EPC2033ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2033ENGRT EPC2033_preliminary.pdf
EPC2033ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2034 EPC2034_datasheet.pdf
EPC2034
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2034 EPC2034_datasheet.pdf
EPC2034
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2034 EPC2034_datasheet.pdf
Hersteller: EPC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2034C EPC2034C_datasheet.pdf
EPC2034C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 7068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+19.71 EUR
10+13.59 EUR
100+10.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2034C EPC2034C_datasheet.pdf
EPC2034C
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+9.94 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2034ENGR EPC2034_preliminary.pdf
EPC2034ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2034ENGRT EPC2034_preliminary.pdf
EPC2034ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2034ENGRT EPC2034_preliminary.pdf
EPC2034ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2034ENGRT EPC2034_preliminary.pdf
EPC2034ENGRT
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2035 EPC2035_datasheet.pdf
EPC2035
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
auf Bestellung 19384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.06 EUR
5000+0.99 EUR
7500+0.95 EUR
12500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2035 EPC2035_datasheet.pdf
EPC2035
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
auf Bestellung 19920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.77 EUR
10+2.4 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2035 EPC2035_datasheet.pdf
EPC2035
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
auf Bestellung 7164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.8 EUR
10+2.43 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.07 EUR
5000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2036 EPC2036_datasheet.pdf
EPC2036
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.06 EUR
5000+0.99 EUR
7500+0.95 EUR
12500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2036 EPC2036_datasheet.pdf
EPC2036
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
auf Bestellung 11648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.8 EUR
10+2.43 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.07 EUR
5000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2036 EPC2036_datasheet.pdf
EPC2036
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 27357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.72 EUR
10+2.39 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2037 EPC2037_datasheet.pdf
EPC2037
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 225660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.72 EUR
10+2.39 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2037 EPC2037_datasheet.pdf
EPC2037
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
auf Bestellung 8642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.8 EUR
10+2.43 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.07 EUR
5000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2037 EPC2037_datasheet.pdf
EPC2037
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 225590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.06 EUR
5000+0.99 EUR
7500+0.95 EUR
12500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2037ENGR EPC2037_preliminary.pdf
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2037ENGR EPC2037_preliminary.pdf
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2037ENGR EPC2037_preliminary.pdf
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2038 EPC2038_datasheet.pdf
EPC2038
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 119329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.72 EUR
10+2.39 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2038 EPC2038_datasheet.pdf
EPC2038
Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
auf Bestellung 11264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.8 EUR
10+2.43 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.07 EUR
5000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2038 EPC2038_datasheet.pdf
EPC2038
Hersteller: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 115000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2038ENGR EPC2038_preliminary.pdf
EPC2038ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2038ENGR EPC2038_preliminary.pdf
EPC2038ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EPC2038ENGR EPC2038_preliminary.pdf
EPC2038ENGR
Hersteller: EPC
Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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