EPC2102
Hersteller: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.36 EUR |
| 10+ | 14.78 EUR |
| 50+ | 11.97 EUR |
| 100+ | 11.61 EUR |
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Technische Details EPC2102 EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA, Supplier Device Package: Die, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote EPC2102 nach Preis ab 9.9 EUR bis 21.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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EPC2102 | EPC |
GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 |
auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| EPC2102 |
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Hersteller: EPC
GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 21.44 EUR |
| 10+ | 12.02 EUR |
| 100+ | 11.66 EUR |
| 500+ | 11.44 EUR |
| 1000+ | 9.9 EUR |