Produkte > GLOBAL POWER TECHNOLOGY-GPT > Alle Produkte des Herstellers GLOBAL POWER TECHNOLOGY-GPT (143) > Seite 3 nach 3

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
G5S12010PM G5S12010PM Global Power Technology-GPT 1315501p.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12016BM G5S12016BM Global Power Technology-GPT 132358la.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 16A 3-P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12016BM G5S12016BM Global Power Technology-GPT 132358la.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 16A 3-P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12020BM G5S12020BM Global Power Technology-GPT 1325437u.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12020BM G5S12020BM Global Power Technology-GPT 1325437u.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12030BM G5S12030BM Global Power Technology-GPT 132640q2.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 30A 3-P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12030BM G5S12030BM Global Power Technology-GPT 132640q2.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 30A 3-P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12040B G5S12040B Global Power Technology-GPT 142105di.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12040B G5S12040B Global Power Technology-GPT 142105di.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12040BM G5S12040BM Global Power Technology-GPT 132742yn.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 62A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12040BM G5S12040BM Global Power Technology-GPT 132742yn.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 62A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S6506Z G5S6506Z Global Power Technology-GPT 170734q3.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S6506Z G5S6506Z Global Power Technology-GPT 170734q3.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAS06520A GAS06520A Global Power Technology-GPT 134733kx.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 66A TO220AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1390pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 66A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAS06520A GAS06520A Global Power Technology-GPT 134733kx.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 66A TO220AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1390pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 66A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAS06520D GAS06520D Global Power Technology-GPT 134809qy.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 79.5A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1390pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 79.5A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAS06520D GAS06520D Global Power Technology-GPT 134809qy.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 79.5A TO263
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1390pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 79.5A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAS06520H GAS06520H Global Power Technology-GPT 13483728.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1390pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAS06520H GAS06520H Global Power Technology-GPT 13483728.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220F
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1390pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAS06520L GAS06520L Global Power Technology-GPT 134921ta.pdf Description: DIODE SIC 650V 66.5A TO247AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1390pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 66.5A
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAS06520L GAS06520L Global Power Technology-GPT 134921ta.pdf Description: DIODE SIC 650V 66.5A TO247AB
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1390pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 66.5A
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAS06520P GAS06520P Global Power Technology-GPT 135006s4.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 2-PI
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAS06520P GAS06520P Global Power Technology-GPT 135006s4.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 2-PI
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12010PM 1315501p.pdf
G5S12010PM
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12016BM 132358la.pdf
G5S12016BM
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 16A 3-P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12016BM 132358la.pdf
G5S12016BM
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 16A 3-P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12020BM 1325437u.pdf
G5S12020BM
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12020BM 1325437u.pdf
G5S12020BM
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12030BM 132640q2.pdf
G5S12030BM
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 30A 3-P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12030BM 132640q2.pdf
G5S12030BM
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 30A 3-P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12040B 142105di.pdf
G5S12040B
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12040B 142105di.pdf
G5S12040B
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12040BM 132742yn.pdf
G5S12040BM
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 62A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S12040BM 132742yn.pdf
G5S12040BM
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 62A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S6506Z 170734q3.pdf
G5S6506Z
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G5S6506Z 170734q3.pdf
G5S6506Z
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAS06520A 134733kx.pdf
GAS06520A
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARB 650V 66A TO220AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1390pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 66A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAS06520A 134733kx.pdf
GAS06520A
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARB 650V 66A TO220AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1390pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 66A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAS06520D 134809qy.pdf
GAS06520D
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARB 650V 79.5A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1390pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 79.5A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAS06520D 134809qy.pdf
GAS06520D
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARB 650V 79.5A TO263
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1390pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 79.5A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAS06520H 13483728.pdf
GAS06520H
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1390pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAS06520H 13483728.pdf
GAS06520H
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220F
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1390pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAS06520L 134921ta.pdf
GAS06520L
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIC 650V 66.5A TO247AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1390pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 66.5A
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAS06520L 134921ta.pdf
GAS06520L
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIC 650V 66.5A TO247AB
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1390pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 66.5A
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAS06520P 135006s4.pdf
GAS06520P
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 2-PI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAS06520P 135006s4.pdf
GAS06520P
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 2-PI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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