Produkte > GLOBAL POWER TECHNOLOGY-GPT > Alle Produkte des Herstellers GLOBAL POWER TECHNOLOGY-GPT (143) > Seite 1 nach 3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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G3S06502A | Global Power Technology-GPT |
 Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A 2-PIN |
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G3S06502A | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A 2-PIN |
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G3S06503A | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIC 650V 11.5A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 181pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 11.5A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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G3S06504A | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN |
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G3S06504A | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN |
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G3S06504B | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 3-PIN |
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G3S06504B | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 3-PIN |
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G3S06504C | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN |
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G3S06504C | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN |
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G3S06506A | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 2-PIN |
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G3S06506A | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 2-PIN |
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G3S06506B | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 3-PIN |
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G3S06506B | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 3-PIN |
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G3S06508B | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 3-PIN |
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G3S06508B | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 3-PIN |
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G3S06508J | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO220ISO Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 23A Supplier Device Package: TO-220ISO Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
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G3S06508J | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO220ISO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 23A Supplier Device Package: TO-220ISO Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
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G3S06512B | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE ARR SIC 650V 27A TO247AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 27A (DC) Supplier Device Package: TO-247AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
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G3S06512B | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE ARR SIC 650V 27A TO247AB Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 27A (DC) Supplier Device Package: TO-247AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
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G3S06520A | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1170pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 56.5A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
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G3S06520A | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1170pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 56.5A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
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G3S06540B | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 3-PI |
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G3S06540B | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 3-PI |
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G3S12002A | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 7A TO220AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 136pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 7A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
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G3S12002A | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 7A TO220AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 136pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 7A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
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G3S12002C | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI |
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G3S12002C | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI |
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G3S12003C | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 3A 2-PI |
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G3S12003C | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 3A 2-PI |
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G3S12005A | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI |
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G3S12005A | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI |
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G3S12006B | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 6A 3-PI |
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G3S12006B | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 6A 3-PI |
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G3S12010B | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P |
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G3S12010B | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P |
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G3S12010BM | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P |
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G3S12010BM | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P |
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G3S12015P | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 42A TO247AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1379pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 42A Supplier Device Package: TO-247AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
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G3S12015P | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 42A TO247AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1379pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 42A Supplier Device Package: TO-247AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
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G3S12040B | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P |
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G3S12040B | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P |
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G3S17020B | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 20A 3-P Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 24A (DC) Supplier Device Package: TO-247AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1700 V |
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G3S17020B | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 20A 3-P Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 24A (DC) Supplier Device Package: TO-247AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1700 V |
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G4S06508AT | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIC 650V 24.5A TO220AC |
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G4S06508AT | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIC 650V 24.5A TO220AC |
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G4S06508CT | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24A Supplier Device Package: TO-252 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
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G4S06508CT | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24A Supplier Device Package: TO-252 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
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G4S06508DT | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263 |
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G4S06508DT | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263 |
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G4S06508HT | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F |
Produkt ist nicht verfügbar |
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G4S06508HT | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F |
Produkt ist nicht verfügbar |
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G4S06508JT | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIC 650V 23.5A TO220ISO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 23.5A Supplier Device Package: TO-220ISO Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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G4S06508JT | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIC 650V 23.5A TO220ISO Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 23.5A Supplier Device Package: TO-220ISO Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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G4S06508QT | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 34A 4DFN |
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G4S06508QT | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 34A 4DFN |
Produkt ist nicht verfügbar |
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G4S06510JT | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIC 650V 31.2A TO220ISO Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 31.2A Supplier Device Package: TO-220ISO Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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G4S06510JT | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIC 650V 31.2A TO220ISO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 31.2A Supplier Device Package: TO-220ISO Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
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G4S06510QT | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8 |
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G4S06510QT | Global Power Technology-GPT |
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8 |
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G4S06515HT | Global Power Technology-GPT |
Description: DIODE SIL CARB 650V 23.8A TO220F |
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| G3S06502A |
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Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A 2-PIN
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A 2-PIN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S06502A |
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Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A 2-PIN
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A 2-PIN
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S06503A |
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Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIC 650V 11.5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 181pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11.5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Description: DIODE SIC 650V 11.5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 181pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11.5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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| G3S06504A |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN
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| G3S06504A |
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Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN
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| G3S06504B |
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Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 3-PIN
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| G3S06504B |
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Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 3-PIN
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| G3S06504C |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN
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| G3S06504C |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN
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Stück im Wert von UAH
| G3S06506A |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 2-PIN
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 2-PIN
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Stück im Wert von UAH
| G3S06506A |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 2-PIN
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 2-PIN
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Stück im Wert von UAH
| G3S06506B |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 3-PIN
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 3-PIN
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Stück im Wert von UAH
| G3S06506B |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 3-PIN
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 3-PIN
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Stück im Wert von UAH
| G3S06508B |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 3-PIN
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 3-PIN
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Stück im Wert von UAH
| G3S06508B |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 3-PIN
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 3-PIN
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Stück im Wert von UAH
| G3S06508J |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO220ISO
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO220ISO
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S06508J |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO220ISO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO220ISO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S06512B |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE ARR SIC 650V 27A TO247AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 27A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Description: DIODE ARR SIC 650V 27A TO247AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 27A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S06512B |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE ARR SIC 650V 27A TO247AB
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 27A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Description: DIODE ARR SIC 650V 27A TO247AB
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 27A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S06520A |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56.5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Description: DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56.5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S06520A |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56.5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Description: DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56.5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S06540B |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 3-PI
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 3-PI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S06540B |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 3-PI
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 3-PI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S12002A |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 7A TO220AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 136pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 7A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 7A TO220AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 136pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 7A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S12002A |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 7A TO220AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 136pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 7A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 7A TO220AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 136pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 7A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S12002C |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S12002C |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S12003C |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 3A 2-PI
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 3A 2-PI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S12003C |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 3A 2-PI
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 3A 2-PI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S12005A |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S12005A |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S12006B |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 6A 3-PI
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 6A 3-PI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S12006B |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 6A 3-PI
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 6A 3-PI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S12010B |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S12010B |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S12010BM |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S12010BM |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S12015P |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 42A TO247AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1379pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-247AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 42A TO247AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1379pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-247AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S12015P |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 42A TO247AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1379pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-247AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 42A TO247AC
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1379pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-247AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S12040B |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S12040B |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S17020B |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 20A 3-P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 24A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1700 V
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 20A 3-P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 24A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| G3S17020B |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 20A 3-P
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 24A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1700 V
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 20A 3-P
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 24A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1700 V
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| G4S06508AT |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIC 650V 24.5A TO220AC
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| G4S06508AT |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIC 650V 24.5A TO220AC
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| G4S06508CT |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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| G4S06508CT |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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| G4S06508DT |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263
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Stück im Wert von UAH
| G4S06508DT |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263
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| G4S06508HT |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F
Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F
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| G4S06508HT |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F
Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F
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| G4S06508JT |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIC 650V 23.5A TO220ISO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23.5A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Description: DIODE SIC 650V 23.5A TO220ISO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23.5A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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| G4S06508JT |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIC 650V 23.5A TO220ISO
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23.5A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Description: DIODE SIC 650V 23.5A TO220ISO
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23.5A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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| G4S06508QT |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 34A 4DFN
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 34A 4DFN
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Stück im Wert von UAH
| G4S06508QT |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 34A 4DFN
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 34A 4DFN
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Stück im Wert von UAH
| G4S06510JT |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIC 650V 31.2A TO220ISO
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 31.2A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Description: DIODE SIC 650V 31.2A TO220ISO
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 31.2A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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Stück im Wert von UAH
| G4S06510JT |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIC 650V 31.2A TO220ISO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 31.2A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Description: DIODE SIC 650V 31.2A TO220ISO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 31.2A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
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Stück im Wert von UAH
| G4S06510QT |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8
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Stück im Wert von UAH
| G4S06510QT |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8
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Stück im Wert von UAH
| G4S06515HT |
|
Hersteller: Global Power Technology-GPT
Description: DIODE SIL CARB 650V 23.8A TO220F
Description: DIODE SIL CARB 650V 23.8A TO220F
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