Seite 2 nach 3

Wählen Sie Seite: [ << Vorherige Seite ] 1 2 3 [ Nächste Seite >> ]

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
G4S06515HT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARB 650V 23.8A TO220F	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G4S06515PT	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 15A 2-PI	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G4S06515PT	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 15A 2-PI	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G4S06515QT	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 15A DFN8	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G4S06515QT	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 15A DFN8	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G4S06520BT	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 3-PI	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G4S06520BT	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 3-PI	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G4S06540PT	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 2-PI	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G4S06540PT	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 2-PI	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G4S12020BM	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G4S12020BM	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G4S12020D	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 2-P	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G4S12020D	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 2-P	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G4S12040BM	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 64.5A (DC) Supplier Device Package: TO-247AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G4S12040BM	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 64.5A (DC) Supplier Device Package: TO-247AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G4S6508Z	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFN	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G4S6508Z	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFN	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G51XT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIC 650V 1.84A SOD123FL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 57.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.84A Supplier Device Package: SOD-123FL Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G51XT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIC 650V 1.84A SOD123FL Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 57.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.84A Supplier Device Package: SOD-123FL Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06504AT	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06504AT	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06504CT	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06504CT	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06504HT	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06504HT	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06505AT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIC 650V 24.5A TO220AC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06505AT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIC 650V 24.5A TO220AC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06505CT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24A Supplier Device Package: TO-252 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06505CT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24A Supplier Device Package: TO-252 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06505DT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06505DT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06505HT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06505HT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06506AT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIC 650V 24.5A TO220AC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06506AT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIC 650V 24.5A TO220AC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06506CT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24A Supplier Device Package: TO-252 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06506CT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24A Supplier Device Package: TO-252 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06506DT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06506DT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06506HT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06506HT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06506QT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 34A 4DFN	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06506QT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 34A 4DFN	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06508PT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIC 650V 31.2A TO247AC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06508PT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIC 650V 31.2A TO247AC	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06510QT	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06510QT	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06520AT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIC 650V 68.8A TO220AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1600pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 68.8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S06520AT	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIC 650V 68.8A TO220AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1600pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 68.8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S12002A	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S12002A	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S12002C	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S12002C	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S12008A	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 8A 2-PI	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S12008A	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 8A 2-PI	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S12008D	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 26.1A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 26.1A Supplier Device Package: TO-263 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S12008D	Global Power Technology-GPT	Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 26.1A TO263 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 26.1A Supplier Device Package: TO-263 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S12010BM	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S12010BM	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
G5S12010PM	Global Power Technology-GPT	Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

G4S06515HT