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H27U518S2CTR-BC H27U518S2CTR-BC HYNIX SEMICONDUCTOR 1382713.pdf Description: HYNIX SEMICONDUCTOR - H27U518S2CTR-BC - Flash-Speicher, SLC-NAND, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, TSOP, 48 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
Flash-Speicher: SLC-NAND
Zugriffszeit: -
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Anzahl der Pins: 48
Speichergröße: 512
Produktpalette: 3V SLC NAND Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
H57V2562GTR-75C H57V2562GTR-75C HYNIX SEMICONDUCTOR Description: HYNIX SEMICONDUCTOR - H57V2562GTR-75C - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 bit, 133 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
DRAM-Ausführung: SDRAM
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
DRAM-Dichte: 256
Zugriffszeit: 6
Versorgungsspannung, nom.: 3.3
IC-Schnittstelle: LVTTL
Betriebstemperatur, min.: 0
Taktfrequenz: 133
Anzahl der Pins: 54
Produktpalette: H57V
Betriebstemperatur, max.: 70
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 16 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
HY27UF082G2B-TPCB HY27UF082G2B-TPCB HYNIX SEMICONDUCTOR 359838.pdf Description: HYNIX SEMICONDUCTOR - HY27UF082G2B-TPCB - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 GB, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
Flash-Speicher: SLC-NAND
Zugriffszeit: 20
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 256M x 8 Bit
Anzahl der Pins: 48
Speichergröße: 2
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
OBSOLETE HYNIX TYPE Hynix Semiconductor OBSOLETE HYNIX TYPE
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H27U518S2CTR-BC 1382713.pdf
H27U518S2CTR-BC
Hersteller: HYNIX SEMICONDUCTOR
Description: HYNIX SEMICONDUCTOR - H27U518S2CTR-BC - Flash-Speicher, SLC-NAND, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, TSOP, 48 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
Flash-Speicher: SLC-NAND
Zugriffszeit: -
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 64M x 8 Bit
Anzahl der Pins: 48
Speichergröße: 512
Produktpalette: 3V SLC NAND Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
H57V2562GTR-75C
H57V2562GTR-75C
Hersteller: HYNIX SEMICONDUCTOR
Description: HYNIX SEMICONDUCTOR - H57V2562GTR-75C - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 bit, 133 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
DRAM-Ausführung: SDRAM
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
DRAM-Dichte: 256
Zugriffszeit: 6
Versorgungsspannung, nom.: 3.3
IC-Schnittstelle: LVTTL
Betriebstemperatur, min.: 0
Taktfrequenz: 133
Anzahl der Pins: 54
Produktpalette: H57V
Betriebstemperatur, max.: 70
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 16 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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HY27UF082G2B-TPCB 359838.pdf
HY27UF082G2B-TPCB
Hersteller: HYNIX SEMICONDUCTOR
Description: HYNIX SEMICONDUCTOR - HY27UF082G2B-TPCB - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 GB, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
Flash-Speicher: SLC-NAND
Zugriffszeit: 20
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 256M x 8 Bit
Anzahl der Pins: 48
Speichergröße: 2
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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OBSOLETE HYNIX TYPE
Hersteller: Hynix Semiconductor
OBSOLETE HYNIX TYPE
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