Produkte > MICROCHIP TECHNOLOGY > Alle Produkte des Herstellers MICROCHIP TECHNOLOGY (361637) > Seite 3413 nach 6028
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT41M80L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; Idm: 150A; 1.04kW; TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 260nC On-state resistance: 0.21Ω Drain current: 27A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 150A Drain-source voltage: 800V Power dissipation: 1.04kW Kind of channel: enhancement Case: TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT42F50S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT43GA90B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT43GA90BD30 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT44F80B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT44F80L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 29A; Idm: 173A; 1135W; TO264 Mounting: THT Case: TO264 Drain-source voltage: 800V Drain current: 29A On-state resistance: 0.21Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1135W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 305nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 173A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT45GP120B2DQ2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 54A; 625W; T-Max Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: T-Max Technology: POWER MOS 7®; PT Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 47ns Gate charge: 185nC Turn-off time: 230ns Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 54A Pulsed collector current: 170A Power dissipation: 625W Collector-emitter voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT45GP120BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 54A; 625W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Technology: POWER MOS 7®; PT Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 47ns Gate charge: 185nC Turn-off time: 230ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 54A Pulsed collector current: 170A Power dissipation: 625W Collector-emitter voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT45GP120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 34A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Case: SOT227B Technology: POWER MOS 7®; PT Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 34A Pulsed collector current: 170A Max. off-state voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT45GP120JDQ2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 34A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Case: SOT227B Technology: POWER MOS 7® Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 34A Pulsed collector current: 170A Power dissipation: 329W Max. off-state voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT45GR65B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 650V; 56A; 543W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Part status: Not recommended for new designs Technology: NPT; POWER MOS 8® Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 47ns Gate charge: 150nC Turn-off time: 175ns Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 56A Pulsed collector current: 224A Power dissipation: 543W Collector-emitter voltage: 650V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT45M100J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 1kV; 28A; ISOTOP; screw; Idm: 260A; 960W Kind of channel: enhancement Type of semiconductor module: MOSFET transistor Case: ISOTOP Technology: POWER MOS 8® Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.18Ω Drain current: 28A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 960W Drain-source voltage: 1kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT46GA90JD40 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT47F60J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 600V; 31A; ISOTOP; screw; Idm: 245A; 540W Technology: POWER MOS 8® Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor On-state resistance: 90mΩ Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain current: 31A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 600V Pulsed drain current: 245A Power dissipation: 540W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT47GA60JD40 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT47M60J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT47N60BC3G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 260nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT47N60SC3G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; D3PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Pulsed drain current: 141A Power dissipation: 417W Case: D3PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT48M80B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT48M80L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT4F120K | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT4F120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT4M120K | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT4M120K THT N channel transistors |
auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT5010B2FLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5010B2LLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5010B2VFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT5010B2VFRG THT N channel transistors |
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APT5010B2VRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5010JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 500V; 41A; ISOTOP; screw; Idm: 164A; 378W Technology: POWER MOS 7® Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor On-state resistance: 0.1Ω Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain current: 41A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V Pulsed drain current: 164A Power dissipation: 378W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT5010JLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 500V; 41A; ISOTOP; screw; Idm: 164A; 378W Technology: POWER MOS 7® Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor On-state resistance: 0.1Ω Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain current: 41A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V Pulsed drain current: 164A Power dissipation: 378W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT5010JLLU2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5010JLLU3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5010JVFR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5010JVR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 500V; 44A; ISOTOP; screw; Idm: 176A; 450W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.1Ω Pulsed drain current: 176A Power dissipation: 450W Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT5010JVRU2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; diode/transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 176A; 450W Technology: POWER MOS 5® Case: ISOTOP Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Semiconductor structure: diode/transistor On-state resistance: 0.1Ω Type of semiconductor module: MOSFET transistor Topology: boost chopper Drain current: 33A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V Pulsed drain current: 176A Power dissipation: 450W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT5010JVRU3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5010LFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5010LLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5010LVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5010LVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 47A; Idm: 188A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 47A Pulsed drain current: 188A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT5014BFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5014BLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5014SLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5015BVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5015BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5015SVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5016BFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5016BLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5017BVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5017BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5017SVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5018BFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5018BLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5018SFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5018SLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5020BVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5020BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5024BFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5024BLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT5024BVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT5024BVFRG THT N channel transistors |
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APT5024BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT5024BVRG THT N channel transistors |
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APT41M80L |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; Idm: 150A; 1.04kW; TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 260nC
On-state resistance: 0.21Ω
Drain current: 27A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 800V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; Idm: 150A; 1.04kW; TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 260nC
On-state resistance: 0.21Ω
Drain current: 27A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 800V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Case: TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT42F50S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT42F50S SMD N channel transistors
APT42F50S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT43GA90B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT43GA90B THT IGBT transistors
APT43GA90B THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT43GA90BD30 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT43GA90BD30 THT IGBT transistors
APT43GA90BD30 THT IGBT transistors
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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5+ | 15.57 EUR |
6+ | 11.95 EUR |
7+ | 11.3 EUR |
APT44F80B2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT44F80B2 THT N channel transistors
APT44F80B2 THT N channel transistors
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2+ | 44.56 EUR |
3+ | 30.89 EUR |
APT44F80L |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 29A; Idm: 173A; 1135W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 29A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1135W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 305nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 173A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 29A; Idm: 173A; 1135W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 29A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1135W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 305nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 173A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT45GP120B2DQ2G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 54A; 625W; T-Max
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: T-Max
Technology: POWER MOS 7®; PT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Gate charge: 185nC
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 54A
Pulsed collector current: 170A
Power dissipation: 625W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 54A; 625W; T-Max
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: T-Max
Technology: POWER MOS 7®; PT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Gate charge: 185nC
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 54A
Pulsed collector current: 170A
Power dissipation: 625W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT45GP120BG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 54A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Technology: POWER MOS 7®; PT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Gate charge: 185nC
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 54A
Pulsed collector current: 170A
Power dissipation: 625W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 54A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Technology: POWER MOS 7®; PT
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Gate charge: 185nC
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 54A
Pulsed collector current: 170A
Power dissipation: 625W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT45GP120J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 34A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Technology: POWER MOS 7®; PT
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 170A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 34A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Technology: POWER MOS 7®; PT
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 170A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT45GP120JDQ2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 34A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Technology: POWER MOS 7®
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 170A
Power dissipation: 329W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 34A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Technology: POWER MOS 7®
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 170A
Power dissipation: 329W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT45GR65B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 650V; 56A; 543W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Part status: Not recommended for new designs
Technology: NPT; POWER MOS 8®
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Gate charge: 150nC
Turn-off time: 175ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 56A
Pulsed collector current: 224A
Power dissipation: 543W
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 650V; 56A; 543W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Part status: Not recommended for new designs
Technology: NPT; POWER MOS 8®
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Gate charge: 150nC
Turn-off time: 175ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 56A
Pulsed collector current: 224A
Power dissipation: 543W
Collector-emitter voltage: 650V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT45M100J |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 28A; ISOTOP; screw; Idm: 260A; 960W
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 8®
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 28A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 28A; ISOTOP; screw; Idm: 260A; 960W
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Technology: POWER MOS 8®
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 28A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 1kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT46GA90JD40 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT46GA90JD40 IGBT modules
APT46GA90JD40 IGBT modules
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Stück im Wert von UAH
APT47F60J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 31A; ISOTOP; screw; Idm: 245A; 540W
Technology: POWER MOS 8®
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 90mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 31A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 540W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 31A; ISOTOP; screw; Idm: 245A; 540W
Technology: POWER MOS 8®
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 90mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 31A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 540W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT47GA60JD40 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT47GA60JD40 IGBT modules
APT47GA60JD40 IGBT modules
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APT47M60J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT47M60J Transistor modules MOSFET
APT47M60J Transistor modules MOSFET
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APT47N60BC3G |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT47N60SC3G |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: D3PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT48M80B2 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT48M80B2 THT N channel transistors
APT48M80B2 THT N channel transistors
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APT48M80L |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT48M80L THT N channel transistors
APT48M80L THT N channel transistors
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APT4F120K |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT4F120K THT N channel transistors
APT4F120K THT N channel transistors
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 6.51 EUR |
12+ | 6.15 EUR |
APT4F120S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT4F120S SMD N channel transistors
APT4F120S SMD N channel transistors
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APT4M120K |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT4M120K THT N channel transistors
APT4M120K THT N channel transistors
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.25 EUR |
12+ | 6.36 EUR |
14+ | 5.16 EUR |
APT5010B2FLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010B2FLLG THT N channel transistors
APT5010B2FLLG THT N channel transistors
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APT5010B2LLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010B2LLG THT N channel transistors
APT5010B2LLG THT N channel transistors
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APT5010B2VFRG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010B2VFRG THT N channel transistors
APT5010B2VFRG THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
APT5010B2VRG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010B2VRG THT N channel transistors
APT5010B2VRG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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APT5010JFLL |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 41A; ISOTOP; screw; Idm: 164A; 378W
Technology: POWER MOS 7®
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 0.1Ω
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 41A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 164A
Power dissipation: 378W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 41A; ISOTOP; screw; Idm: 164A; 378W
Technology: POWER MOS 7®
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 0.1Ω
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 41A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 164A
Power dissipation: 378W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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APT5010JLL |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 41A; ISOTOP; screw; Idm: 164A; 378W
Technology: POWER MOS 7®
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 0.1Ω
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 41A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 164A
Power dissipation: 378W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 41A; ISOTOP; screw; Idm: 164A; 378W
Technology: POWER MOS 7®
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 0.1Ω
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 41A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 164A
Power dissipation: 378W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT5010JLLU2 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010JLLU2 Transistor modules MOSFET
APT5010JLLU2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT5010JLLU3 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010JLLU3 Transistor modules MOSFET
APT5010JLLU3 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT5010JVFR |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010JVFR Transistor modules MOSFET
APT5010JVFR Transistor modules MOSFET
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT5010JVR |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 44A; ISOTOP; screw; Idm: 176A; 450W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 450W
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 44A; ISOTOP; screw; Idm: 176A; 450W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 450W
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 53.21 EUR |
10+ | 51.77 EUR |
APT5010JVRU2 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 176A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: diode/transistor
On-state resistance: 0.1Ω
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Topology: boost chopper
Drain current: 33A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 450W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 176A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: diode/transistor
On-state resistance: 0.1Ω
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Topology: boost chopper
Drain current: 33A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 450W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
APT5010JVRU3 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010JVRU3 Transistor modules MOSFET
APT5010JVRU3 Transistor modules MOSFET
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Stück im Wert von UAH
APT5010LFLLG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010LFLLG THT N channel transistors
APT5010LFLLG THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
APT5010LLLG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010LLLG THT N channel transistors
APT5010LLLG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT5010LVFRG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5010LVFRG THT N channel transistors
APT5010LVFRG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT5010LVRG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 47A; Idm: 188A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 188A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 47A; Idm: 188A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 188A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT5014BFLLG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5014BFLLG THT N channel transistors
APT5014BFLLG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT5014BLLG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5014BLLG THT N channel transistors
APT5014BLLG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT5014SLLG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5014SLLG SMD N channel transistors
APT5014SLLG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT5015BVFRG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5015BVFRG THT N channel transistors
APT5015BVFRG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT5015BVRG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5015BVRG THT N channel transistors
APT5015BVRG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5015SVFRG SMD N channel transistors
APT5015SVFRG SMD N channel transistors
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APT5016BFLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5016BFLLG THT N channel transistors
APT5016BFLLG THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
APT5016BLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5016BLLG THT N channel transistors
APT5016BLLG THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
APT5017BVFRG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5017BVFRG THT N channel transistors
APT5017BVFRG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT5017BVRG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5017BVRG THT N channel transistors
APT5017BVRG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT5017SVRG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5017SVRG SMD N channel transistors
APT5017SVRG SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
APT5018BFLLG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5018BFLLG THT N channel transistors
APT5018BFLLG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT5018BLLG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5018BLLG THT N channel transistors
APT5018BLLG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT5018SFLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5018SFLLG SMD N channel transistors
APT5018SFLLG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT5018SLLG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5018SLLG SMD N channel transistors
APT5018SLLG SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
APT5020BVFRG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5020BVFRG THT N channel transistors
APT5020BVFRG THT N channel transistors
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APT5020BVRG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5020BVRG THT N channel transistors
APT5020BVRG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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APT5024BFLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5024BFLLG THT N channel transistors
APT5024BFLLG THT N channel transistors
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APT5024BLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5024BLLG THT N channel transistors
APT5024BLLG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT5024BVFRG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5024BVFRG THT N channel transistors
APT5024BVFRG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT5024BVRG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT5024BVRG THT N channel transistors
APT5024BVRG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH