Produkte > MICROCHIP TECHNOLOGY > Alle Produkte des Herstellers MICROCHIP TECHNOLOGY (361637) > Seite 3412 nach 6028
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT34F60S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT34M120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT34M60B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT34M60S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT35GA90B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT35GA90BD15 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT35GN120BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT35GN120L2DQ2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT35GN120SG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT35GP120B2D2G | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT35GP120B2D2G THT IGBT transistors |
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APT35GP120B2DQ2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 46A; 543W; T-Max Mounting: THT Case: T-Max Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Gate charge: 150nC Turn-off time: 0.22µs Collector current: 46A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 140A Power dissipation: 543W Collector-emitter voltage: 1.2kV Technology: POWER MOS 7®; PT Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT35GP120BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 46A; 543W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Gate charge: 150nC Turn-off time: 222ns Collector current: 46A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 140A Power dissipation: 543W Collector-emitter voltage: 1.2kV Technology: POWER MOS 7®; PT Type of transistor: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT35GP120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 29A; SOT227B Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Case: SOT227B Kind of package: tube Collector current: 29A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 140A Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: POWER MOS 7®; PT Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT35GP120JDQ2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT35GT120JU2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw Technology: Field Stop; Trench Case: SOT227B Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: boost chopper Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 55A Pulsed collector current: 80A Application: motors Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT35GT120JU3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 35A Technology: Field Stop; Trench Case: SOT227B Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: buck chopper Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 35A Pulsed collector current: 80A Application: motors Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT36GA60B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT36GA60BD15 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT36GA60SD15 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT37F50B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT37F50S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT37M100B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT37M100L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT38F50J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT38F80B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 26A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 260nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT38F80L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 26A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 1.04kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 260nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT38M50J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT38N60BC6 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 112A; 278W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 278W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 112nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT39F60J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 600V; 26A; ISOTOP; screw; Idm: 210A; 480W Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 480W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor Pulsed drain current: 210A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT39M60J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 600V; 26A; ISOTOP; screw; Idm: 210A; 480W Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 480W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor Pulsed drain current: 210A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT4014BVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 28A; Idm: 112A Polarisation: unipolar Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Gate charge: 160nC On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 300W Drain current: 28A Drain-source voltage: 400V Pulsed drain current: 112A Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT4020BVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT4020BVFRG THT N channel transistors |
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APT40DQ100BCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT40DQ100BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT40DQ120BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT40DQ120SG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT40DQ60BCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT40DQ60BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT40DR160HJ | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT40GF120JRD | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT40GF120JRD IGBT modules |
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APT40GF120JRDQ2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT40GL120JU2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Pulsed collector current: 70A Application: motors Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: Field Stop; Trench Topology: boost chopper Type of semiconductor module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT40GL120JU3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Pulsed collector current: 70A Application: motors Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: Field Stop; Trench Topology: buck chopper Type of semiconductor module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT40GLQ120JCU2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT40GP60B2DQ2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT40GP60BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT40GP60J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT40GP60JDQ2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT40GP90B2DQ2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT40GP90BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT40GP90J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT40GP90JDQ2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT40GR120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT40GR120B2D30 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT40GR120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 500W; D3PAK Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Turn-on time: 47ns Turn-off time: 232ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 500W Kind of package: tube Gate charge: 0.21µC Technology: NPT Ultra Fast IGBT Part status: Not recommended for new designs Mounting: SMD Case: D3PAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT40M35JVR | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT40M35JVR Transistor modules MOSFET |
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APT40M70JVR | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT40M70JVR Transistor modules MOSFET |
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APT40M70LVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT40M70LVRG THT N channel transistors |
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APT41F100J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 1kV; 42A; ISOTOP; screw; Idm: 260A; 960W Semiconductor structure: single transistor Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.2Ω Drain current: 42A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 260A Drain-source voltage: 1kV Power dissipation: 960W Kind of channel: enhancement Case: ISOTOP Type of semiconductor module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 8® Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT41M80B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; Idm: 150A; 1.04kW Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 260nC On-state resistance: 0.21Ω Drain current: 27A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 150A Drain-source voltage: 800V Power dissipation: 1.04kW Kind of channel: enhancement Case: TO247MAX Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT34F60S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT34F60S SMD N channel transistors
APT34F60S SMD N channel transistors
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APT34M120J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT34M120J Transistor modules MOSFET
APT34M120J Transistor modules MOSFET
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APT34M60B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT34M60B THT N channel transistors
APT34M60B THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT34M60S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT34M60S SMD N channel transistors
APT34M60S SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
APT35GA90B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GA90B THT IGBT transistors
APT35GA90B THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT35GA90BD15 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GA90BD15 THT IGBT transistors
APT35GA90BD15 THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT35GN120BG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GN120BG THT IGBT transistors
APT35GN120BG THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT35GN120L2DQ2G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GN120L2DQ2G THT IGBT transistors
APT35GN120L2DQ2G THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT35GN120SG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GN120SG SMD IGBT transistors
APT35GN120SG SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT35GP120B2D2G |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GP120B2D2G THT IGBT transistors
APT35GP120B2D2G THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT35GP120B2DQ2G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 46A; 543W; T-Max
Mounting: THT
Case: T-Max
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 150nC
Turn-off time: 0.22µs
Collector current: 46A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 140A
Power dissipation: 543W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: POWER MOS 7®; PT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 46A; 543W; T-Max
Mounting: THT
Case: T-Max
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 150nC
Turn-off time: 0.22µs
Collector current: 46A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 140A
Power dissipation: 543W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: POWER MOS 7®; PT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 75.43 EUR |
APT35GP120BG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 46A; 543W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 150nC
Turn-off time: 222ns
Collector current: 46A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 140A
Power dissipation: 543W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: POWER MOS 7®; PT
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 46A; 543W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 150nC
Turn-off time: 222ns
Collector current: 46A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 140A
Power dissipation: 543W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: POWER MOS 7®; PT
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4+ | 19.79 EUR |
APT35GP120J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 29A; SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Collector current: 29A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 140A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: POWER MOS 7®; PT
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 29A; SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Collector current: 29A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 140A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: POWER MOS 7®; PT
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 71.5 EUR |
2+ | 39.83 EUR |
APT35GP120JDQ2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GP120JDQ2 IGBT modules
APT35GP120JDQ2 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT35GT120JU2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Technology: Field Stop; Trench
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: boost chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 80A
Application: motors
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Technology: Field Stop; Trench
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: boost chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Pulsed collector current: 80A
Application: motors
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT35GT120JU3 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 35A
Technology: Field Stop; Trench
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: buck chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 80A
Application: motors
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 35A
Technology: Field Stop; Trench
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: buck chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 80A
Application: motors
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT36GA60B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT36GA60B THT IGBT transistors
APT36GA60B THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT36GA60BD15 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT36GA60BD15 THT IGBT transistors
APT36GA60BD15 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT36GA60SD15 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT36GA60SD15 SMD IGBT transistors
APT36GA60SD15 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT37F50B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT37F50B THT N channel transistors
APT37F50B THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT37F50S |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT37F50S SMD N channel transistors
APT37F50S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT37M100B2 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT37M100B2 THT N channel transistors
APT37M100B2 THT N channel transistors
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT37M100L THT N channel transistors
APT37M100L THT N channel transistors
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APT38F50J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT38F50J Transistor modules MOSFET
APT38F50J Transistor modules MOSFET
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APT38F80B2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT38F80L |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT38M50J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT38M50J Transistor modules MOSFET
APT38M50J Transistor modules MOSFET
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APT38N60BC6 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 112A; 278W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 112A; 278W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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APT39F60J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 26A; ISOTOP; screw; Idm: 210A; 480W
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 480W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: 210A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 26A; ISOTOP; screw; Idm: 210A; 480W
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 480W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: 210A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
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APT39M60J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 26A; ISOTOP; screw; Idm: 210A; 480W
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 480W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: 210A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 26A; ISOTOP; screw; Idm: 210A; 480W
Technology: POWER MOS 8®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 480W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Pulsed drain current: 210A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
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APT4014BVFRG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 28A; Idm: 112A
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 300W
Drain current: 28A
Drain-source voltage: 400V
Pulsed drain current: 112A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 28A; Idm: 112A
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 300W
Drain current: 28A
Drain-source voltage: 400V
Pulsed drain current: 112A
Kind of package: tube
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APT4020BVFRG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT4020BVFRG THT N channel transistors
APT4020BVFRG THT N channel transistors
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APT40DQ100BCTG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40DQ100BCTG THT universal diodes
APT40DQ100BCTG THT universal diodes
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APT40DQ100BG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40DQ100BG THT universal diodes
APT40DQ100BG THT universal diodes
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APT40DQ120BG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40DQ120BG THT universal diodes
APT40DQ120BG THT universal diodes
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Stück im Wert von UAH
APT40DQ120SG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40DQ120SG SMD universal diodes
APT40DQ120SG SMD universal diodes
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APT40DQ60BCTG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40DQ60BCTG THT universal diodes
APT40DQ60BCTG THT universal diodes
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Stück im Wert von UAH
APT40DQ60BG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40DQ60BG THT universal diodes
APT40DQ60BG THT universal diodes
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APT40DR160HJ |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40DR160HJ Sing. ph. diode bridge rectif. - others
APT40DR160HJ Sing. ph. diode bridge rectif. - others
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APT40GF120JRD |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GF120JRD IGBT modules
APT40GF120JRD IGBT modules
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APT40GF120JRDQ2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GF120JRDQ2 IGBT modules
APT40GF120JRDQ2 IGBT modules
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APT40GL120JU2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Pulsed collector current: 70A
Application: motors
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Topology: boost chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Pulsed collector current: 70A
Application: motors
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Topology: boost chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
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APT40GL120JU3 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Pulsed collector current: 70A
Application: motors
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Topology: buck chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Pulsed collector current: 70A
Application: motors
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Topology: buck chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
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APT40GLQ120JCU2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GLQ120JCU2 IGBT modules
APT40GLQ120JCU2 IGBT modules
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APT40GP60B2DQ2G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GP60B2DQ2G THT IGBT transistors
APT40GP60B2DQ2G THT IGBT transistors
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APT40GP60BG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GP60BG THT IGBT transistors
APT40GP60BG THT IGBT transistors
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APT40GP60J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GP60J IGBT modules
APT40GP60J IGBT modules
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Stück im Wert von UAH
APT40GP60JDQ2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GP60JDQ2 IGBT modules
APT40GP60JDQ2 IGBT modules
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Stück im Wert von UAH
APT40GP90B2DQ2G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GP90B2DQ2G THT IGBT transistors
APT40GP90B2DQ2G THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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APT40GP90BG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GP90BG THT IGBT transistors
APT40GP90BG THT IGBT transistors
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APT40GP90J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GP90J IGBT modules
APT40GP90J IGBT modules
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APT40GP90JDQ2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GP90JDQ2 IGBT modules
APT40GP90JDQ2 IGBT modules
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APT40GR120B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GR120B THT IGBT transistors
APT40GR120B THT IGBT transistors
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APT40GR120B2D30 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40GR120B2D30 THT IGBT transistors
APT40GR120B2D30 THT IGBT transistors
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APT40GR120S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 500W; D3PAK
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 232ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Gate charge: 0.21µC
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Part status: Not recommended for new designs
Mounting: SMD
Case: D3PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 500W; D3PAK
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 232ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Kind of package: tube
Gate charge: 0.21µC
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Part status: Not recommended for new designs
Mounting: SMD
Case: D3PAK
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APT40M35JVR |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40M35JVR Transistor modules MOSFET
APT40M35JVR Transistor modules MOSFET
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APT40M70JVR |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40M70JVR Transistor modules MOSFET
APT40M70JVR Transistor modules MOSFET
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Stück im Wert von UAH
APT40M70LVRG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT40M70LVRG THT N channel transistors
APT40M70LVRG THT N channel transistors
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APT41F100J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 42A; ISOTOP; screw; Idm: 260A; 960W
Semiconductor structure: single transistor
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.2Ω
Drain current: 42A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 260A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 960W
Kind of channel: enhancement
Case: ISOTOP
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 8®
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 42A; ISOTOP; screw; Idm: 260A; 960W
Semiconductor structure: single transistor
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.2Ω
Drain current: 42A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 260A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 960W
Kind of channel: enhancement
Case: ISOTOP
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 8®
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT41M80B2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; Idm: 150A; 1.04kW
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 260nC
On-state resistance: 0.21Ω
Drain current: 27A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 800V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Case: TO247MAX
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; Idm: 150A; 1.04kW
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 260nC
On-state resistance: 0.21Ω
Drain current: 27A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 800V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Case: TO247MAX
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 8®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH