Produkte > MICROCHIP TECHNOLOGY > Alle Produkte des Herstellers MICROCHIP TECHNOLOGY (361697) > Seite 3407 nach 6029
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT100S20LCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT102GA60B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT102GA60L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT106N60B2C6 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO247MAX Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Power dissipation: 833W Case: TO247MAX Mounting: THT Gate charge: 308nC Kind of package: tube Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Drain current: 68A Pulsed drain current: 318A Kind of channel: enhancement On-state resistance: 35mΩ Drain-source voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT106N60LC6 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Power dissipation: 833W Case: TO264 Mounting: THT Gate charge: 308nC Kind of package: tube Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Drain current: 68A Pulsed drain current: 318A Kind of channel: enhancement On-state resistance: 35mΩ Drain-source voltage: 600V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT10M07JVFR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A Technology: POWER MOS 5® Case: ISOTOP Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor On-state resistance: 7mΩ Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain current: 225A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 700W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT10M09LVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT10M11JVFR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 144A; ISOTOP; screw; Idm: 576A Technology: POWER MOS 5® Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor On-state resistance: 11mΩ Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain current: 144A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 576A Power dissipation: 450W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT10M11JVRU2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W Technology: POWER MOS 5® Case: ISOTOP Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Semiconductor structure: diode/transistor On-state resistance: 11mΩ Type of semiconductor module: MOSFET transistor Topology: boost chopper Drain current: 106A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 576A Power dissipation: 450W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT10M11JVRU3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT10M11LVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT10M19BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT10M19SVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT10M19SVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT10M25BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT11F80B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT11N80BC3G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 60nC Power dissipation: 156W Pulsed drain current: 33A Technology: CoolMOS™ Part status: Not recommended for new designs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT1201R2BFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT1201R2BLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 400W; TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Case: TO247-3 Polarisation: unipolar Gate charge: 150nC On-state resistance: 1.2Ω Drain current: 12A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 400W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT1201R4BFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT1201R4BLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Case: TO247-3 Polarisation: unipolar Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 1.4Ω Drain current: 9A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 300W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT1201R4SFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT1201R4SFLLG SMD N channel transistors |
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APT1201R5BVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT1201R5BVFRG THT N channel transistors |
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APT1201R5BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT1201R5BVRG THT N channel transistors |
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APT1201R6BVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT1201R6BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT1201R6BVRG THT N channel transistors |
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APT1201R6SVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT1201R6SVFRG SMD N channel transistors |
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APT12031JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT12040JVR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT12040L2FLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT12040L2FLLG THT N channel transistors |
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APT1204R7BFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT1204R7SFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT12057B2FLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Mounting: THT Case: TO247MAX Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 185nC On-state resistance: 570mΩ Drain current: 22A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 690W Drain-source voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT12057B2LLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Mounting: THT Case: TO247MAX Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 290nC On-state resistance: 570mΩ Drain current: 22A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 690W Drain-source voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT12057JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT12057LFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT12060LVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT12060LVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT12060LVRG THT N channel transistors |
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APT12067JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT12067LFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT12080JVFR | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT12080JVFR Transistor modules MOSFET |
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APT12080LVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT12080LVRG THT N channel transistors |
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APT12M80B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT13F120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT13F120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT13GP120BDQ1G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 20A; 250W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-on time: 21ns Gate charge: 55nC Turn-off time: 270ns Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Power dissipation: 250W Collector-emitter voltage: 1.2kV Technology: POWER MOS 7®; PT Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT13GP120BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT14F100B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT14F100S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT14M100B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT14M100S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT14M120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT14M120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT150GN120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT150GN120JDQ4 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT150GN60B2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT150GN60J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT150GN60JDQ4 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT150GN60LDQ4G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT150GT120JR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 90A; SOT227B Technology: NPT; Thunderblot IGBT® Case: SOT227B Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 90A Pulsed collector current: 450A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT100S20LCTG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT100S20LCTG THT Schottky diodes
APT100S20LCTG THT Schottky diodes
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APT102GA60B2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT102GA60B2 THT IGBT transistors
APT102GA60B2 THT IGBT transistors
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APT102GA60L |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT102GA60L THT IGBT transistors
APT102GA60L THT IGBT transistors
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APT106N60B2C6 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO247MAX
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Power dissipation: 833W
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 318A
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 35mΩ
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO247MAX
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Power dissipation: 833W
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 318A
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 35mΩ
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT106N60LC6 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Power dissipation: 833W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 318A
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 35mΩ
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Power dissipation: 833W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 318A
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 35mΩ
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
APT10M07JVFR |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A
Technology: POWER MOS 5®
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 7mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 225A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 700W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A
Technology: POWER MOS 5®
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 7mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 225A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 700W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT10M09LVFRG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M09LVFRG THT N channel transistors
APT10M09LVFRG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT10M11JVFR |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 144A; ISOTOP; screw; Idm: 576A
Technology: POWER MOS 5®
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 11mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 144A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 144A; ISOTOP; screw; Idm: 576A
Technology: POWER MOS 5®
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 11mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 144A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
APT10M11JVRU2 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: diode/transistor
On-state resistance: 11mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Topology: boost chopper
Drain current: 106A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: diode/transistor
On-state resistance: 11mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Topology: boost chopper
Drain current: 106A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT10M11JVRU3 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M11JVRU3 Transistor modules MOSFET
APT10M11JVRU3 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT10M11LVRG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M11LVRG THT N channel transistors
APT10M11LVRG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
APT10M19BVRG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M19BVRG THT N channel transistors
APT10M19BVRG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT10M19SVFRG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M19SVFRG SMD N channel transistors
APT10M19SVFRG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
APT10M19SVRG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M19SVRG SMD N channel transistors
APT10M19SVRG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT10M25BVRG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M25BVRG THT N channel transistors
APT10M25BVRG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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APT11F80B |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT11F80B THT N channel transistors
APT11F80B THT N channel transistors
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APT11N80BC3G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
Power dissipation: 156W
Pulsed drain current: 33A
Technology: CoolMOS™
Part status: Not recommended for new designs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
Power dissipation: 156W
Pulsed drain current: 33A
Technology: CoolMOS™
Part status: Not recommended for new designs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
APT1201R2BFLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1201R2BFLLG THT N channel transistors
APT1201R2BFLLG THT N channel transistors
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APT1201R2BLLG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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APT1201R4BFLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1201R4BFLLG THT N channel transistors
APT1201R4BFLLG THT N channel transistors
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APT1201R4BLLG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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APT1201R4SFLLG SMD N channel transistors
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APT1201R5BVFRG THT N channel transistors
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APT1201R5BVRG THT N channel transistors
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APT1201R6BVFRG THT N channel transistors
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APT1201R6BVRG THT N channel transistors
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APT1201R6SVFRG SMD N channel transistors
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APT12031JFLL Transistor modules MOSFET
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APT12040JVR Transistor modules MOSFET
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APT12040L2FLLG THT N channel transistors
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APT1204R7BFLLG THT N channel transistors
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APT1204R7SFLLG SMD N channel transistors
APT1204R7SFLLG SMD N channel transistors
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APT12057B2FLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 570mΩ
Drain current: 22A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 690W
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 570mΩ
Drain current: 22A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 690W
Drain-source voltage: 1.2kV
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APT12057B2LLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 290nC
On-state resistance: 570mΩ
Drain current: 22A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 690W
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 290nC
On-state resistance: 570mΩ
Drain current: 22A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 690W
Drain-source voltage: 1.2kV
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12057JFLL Transistor modules MOSFET
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APT12057LFLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12057LFLLG THT N channel transistors
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APT12060LVFRG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12060LVFRG THT N channel transistors
APT12060LVFRG THT N channel transistors
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12060LVRG THT N channel transistors
APT12060LVRG THT N channel transistors
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APT12067JFLL |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12067JFLL Transistor modules MOSFET
APT12067JFLL Transistor modules MOSFET
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APT12067LFLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12067LFLLG THT N channel transistors
APT12067LFLLG THT N channel transistors
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APT12080JVFR |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12080JVFR Transistor modules MOSFET
APT12080JVFR Transistor modules MOSFET
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APT12080LVRG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12080LVRG THT N channel transistors
APT12080LVRG THT N channel transistors
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APT12M80B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12M80B THT N channel transistors
APT12M80B THT N channel transistors
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APT13F120B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT13F120B THT N channel transistors
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APT13F120S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT13F120S SMD N channel transistors
APT13F120S SMD N channel transistors
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APT13GP120BDQ1G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 20A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Gate charge: 55nC
Turn-off time: 270ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: POWER MOS 7®; PT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 20A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Gate charge: 55nC
Turn-off time: 270ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: POWER MOS 7®; PT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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6+ | 13.89 EUR |
8+ | 9.55 EUR |
APT13GP120BG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT13GP120BG THT IGBT transistors
APT13GP120BG THT IGBT transistors
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APT14F100B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT14F100B THT N channel transistors
APT14F100B THT N channel transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 13.07 EUR |
APT14F100S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT14F100S SMD N channel transistors
APT14F100S SMD N channel transistors
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APT14M100B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT14M100B THT N channel transistors
APT14M100B THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
APT14M100S |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT14M100S SMD N channel transistors
APT14M100S SMD N channel transistors
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APT14M120B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT14M120B THT N channel transistors
APT14M120B THT N channel transistors
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APT14M120S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT14M120S SMD N channel transistors
APT14M120S SMD N channel transistors
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APT150GN120J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT150GN120J IGBT modules
APT150GN120J IGBT modules
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APT150GN120JDQ4 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT150GN120JDQ4 IGBT modules
APT150GN120JDQ4 IGBT modules
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APT150GN60B2G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT150GN60B2G THT IGBT transistors
APT150GN60B2G THT IGBT transistors
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APT150GN60J |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT150GN60J IGBT modules
APT150GN60J IGBT modules
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Im Einkaufswagen
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APT150GN60JDQ4 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT150GN60JDQ4 IGBT modules
APT150GN60JDQ4 IGBT modules
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APT150GN60LDQ4G |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT150GN60LDQ4G THT IGBT transistors
APT150GN60LDQ4G THT IGBT transistors
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APT150GT120JR |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 90A; SOT227B
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 90A
Pulsed collector current: 450A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 90A; SOT227B
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 90A
Pulsed collector current: 450A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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