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APT100S20LCTG MICROCHIP TECHNOLOGY 6583-apt100s20lctg-datasheet APT100S20LCTG THT Schottky diodes
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APT102GA60B2 MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=123656 APT102GA60B2 THT IGBT transistors
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APT102GA60L MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=123656 APT102GA60L THT IGBT transistors
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APT106N60B2C6 APT106N60B2C6 MICROCHIP TECHNOLOGY 6586-apt106n60b2c6-apt106n60lc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO247MAX
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Power dissipation: 833W
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 318A
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 35mΩ
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT106N60LC6 APT106N60LC6 MICROCHIP TECHNOLOGY 6586-apt106n60b2c6-apt106n60lc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Power dissipation: 833W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 318A
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 35mΩ
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10M07JVFR MICROCHIP TECHNOLOGY Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A
Technology: POWER MOS 5®
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 7mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 225A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 700W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10M09LVFRG MICROCHIP TECHNOLOGY apt10m09%28b2%2Cl%29vfr.pdf APT10M09LVFRG THT N channel transistors
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APT10M11JVFR MICROCHIP TECHNOLOGY Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 144A; ISOTOP; screw; Idm: 576A
Technology: POWER MOS 5®
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 11mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 144A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10M11JVRU2 MICROCHIP TECHNOLOGY APT10M11JVRU2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: diode/transistor
On-state resistance: 11mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Topology: boost chopper
Drain current: 106A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10M11JVRU3 MICROCHIP TECHNOLOGY APT10M11JVRU3.pdf APT10M11JVRU3 Transistor modules MOSFET
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APT10M11LVRG MICROCHIP TECHNOLOGY APT10M11LVR_B.pdf APT10M11LVRG THT N channel transistors
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APT10M19BVRG MICROCHIP TECHNOLOGY 6596-apt10m19bvr-datasheet APT10M19BVRG THT N channel transistors
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APT10M19SVFRG MICROCHIP TECHNOLOGY 6595-apt10m19bvfrg-apt10m19svfrg-datasheet APT10M19SVFRG SMD N channel transistors
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APT10M19SVRG MICROCHIP TECHNOLOGY 6597-apt10m19svr-datasheet APT10M19SVRG SMD N channel transistors
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APT10M25BVRG MICROCHIP TECHNOLOGY 6599-apt10m25bvr-datasheet APT10M25BVRG THT N channel transistors
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APT11F80B MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf APT11F80B THT N channel transistors
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APT11N80BC3G APT11N80BC3G MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
Power dissipation: 156W
Pulsed drain current: 33A
Technology: CoolMOS™
Part status: Not recommended for new designs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT1201R2BFLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6603-apt1201r2bfllg-apt1201r2sfllg-datasheet APT1201R2BFLLG THT N channel transistors
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APT1201R2BLLG APT1201R2BLLG MICROCHIP TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT1201R4BFLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6605-apt1201r4bfllg-apt1201r4sfllg-datasheet APT1201R4BFLLG THT N channel transistors
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APT1201R4BLLG APT1201R4BLLG MICROCHIP TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT1201R4SFLLG MICROCHIP TECHNOLOGY APT1201R4SFLLG SMD N channel transistors
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APT1201R5BVFRG MICROCHIP TECHNOLOGY APT1201R5BVFRG THT N channel transistors
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APT1201R5BVRG MICROCHIP TECHNOLOGY APT1201R5BVRG THT N channel transistors
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APT1201R6BVFRG MICROCHIP TECHNOLOGY 5697-apt1201r6bvfr-apt1201r6svfr-datasheet APT1201R6BVFRG THT N channel transistors
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APT1201R6BVRG MICROCHIP TECHNOLOGY APT1201R6BVRG THT N channel transistors
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APT1201R6SVFRG MICROCHIP TECHNOLOGY APT1201R6SVFRG SMD N channel transistors
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APT12031JFLL MICROCHIP TECHNOLOGY 6606-apt12031jfll-datasheet APT12031JFLL Transistor modules MOSFET
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APT12040JVR MICROCHIP TECHNOLOGY APT12057B2_LLL(G)_B.pdf APT12040JVR Transistor modules MOSFET
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APT12040L2FLLG MICROCHIP TECHNOLOGY APT12040L2FLLG THT N channel transistors
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APT1204R7BFLLG MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf APT1204R7BFLLG THT N channel transistors
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APT1204R7SFLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6609-apt1204r7bfllg-apt1204r7sfllg-datasheet APT1204R7SFLLG SMD N channel transistors
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APT12057B2FLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 123952-apt12057b2-lfll-c-pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 570mΩ
Drain current: 22A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 690W
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT12057B2LLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6611-apt12057b2llg-apt12057lllg-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 290nC
On-state resistance: 570mΩ
Drain current: 22A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 690W
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT12057JFLL MICROCHIP TECHNOLOGY 5703-apt12057jfll-c-pdf APT12057JFLL Transistor modules MOSFET
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APT12057LFLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 123952-apt12057b2-lfll-c-pdf APT12057LFLLG THT N channel transistors
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APT12060LVFRG MICROCHIP TECHNOLOGY 5704-apt12060b2vfr-apt12060lvfr-datasheet APT12060LVFRG THT N channel transistors
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APT12060LVRG MICROCHIP TECHNOLOGY APT12060LVRG THT N channel transistors
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APT12067JFLL MICROCHIP TECHNOLOGY 5706-apt12067jfll-b-pdf APT12067JFLL Transistor modules MOSFET
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APT12067LFLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 5705-apt12067b2fll-apt12067lfll-datasheet APT12067LFLLG THT N channel transistors
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APT12080JVFR MICROCHIP TECHNOLOGY APT12080JVFR Transistor modules MOSFET
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APT12080LVRG MICROCHIP TECHNOLOGY APT12080LVRG THT N channel transistors
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APT12M80B MICROCHIP TECHNOLOGY 6618-apt12m80b-apt12m80s-datasheet APT12M80B THT N channel transistors
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APT13F120B MICROCHIP TECHNOLOGY 6621-apt13f120b-apt13f120s-datasheet APT13F120B THT N channel transistors
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APT13F120S MICROCHIP TECHNOLOGY 6621-apt13f120b-apt13f120s-datasheet APT13F120S SMD N channel transistors
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APT13GP120BDQ1G APT13GP120BDQ1G MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 20A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Gate charge: 55nC
Turn-off time: 270ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: POWER MOS 7®; PT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.89 EUR
8+9.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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APT13GP120BG MICROCHIP TECHNOLOGY 6622-apt13gp120bg-apt13gp120sg-datasheet APT13GP120BG THT IGBT transistors
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APT14F100B MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf APT14F100B THT N channel transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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APT14F100S MICROCHIP TECHNOLOGY 6625-apt14f100bg-apt14f100sg-datasheet APT14F100S SMD N channel transistors
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APT14M100B MICROCHIP TECHNOLOGY 6627-apt14m100bg-apt14m100sg-datasheet APT14M100B THT N channel transistors
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APT14M100S MICROCHIP TECHNOLOGY 6627-apt14m100bg-apt14m100sg-datasheet APT14M100S SMD N channel transistors
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APT14M120B MICROCHIP TECHNOLOGY 6629-apt14m120bg-apt14m120sg-datasheet APT14M120B THT N channel transistors
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APT14M120S MICROCHIP TECHNOLOGY 6629-apt14m120bg-apt14m120sg-datasheet APT14M120S SMD N channel transistors
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APT150GN120J MICROCHIP TECHNOLOGY 5738-apt150gn120j-datasheet APT150GN120J IGBT modules
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APT150GN120JDQ4 MICROCHIP TECHNOLOGY 6632-apt150gn120jdq4-datasheet APT150GN120JDQ4 IGBT modules
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APT150GN60B2G MICROCHIP TECHNOLOGY 6633-apt150gn60b2g-datasheet APT150GN60B2G THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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APT150GN60J MICROCHIP TECHNOLOGY 5739-apt150gn60j-datasheet APT150GN60J IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
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APT150GN60JDQ4 MICROCHIP TECHNOLOGY 5740-apt150gn60jdq4-datasheet APT150GN60JDQ4 IGBT modules
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APT150GN60LDQ4G MICROCHIP TECHNOLOGY 6634-apt150gn60ldq4g-datasheet APT150GN60LDQ4G THT IGBT transistors
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APT150GT120JR MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=6636 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 90A; SOT227B
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 90A
Pulsed collector current: 450A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100S20LCTG 6583-apt100s20lctg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT100S20LCTG THT Schottky diodes
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APT102GA60B2 index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=123656
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT102GA60B2 THT IGBT transistors
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APT102GA60L index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=123656
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT102GA60L THT IGBT transistors
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APT106N60B2C6 6586-apt106n60b2c6-apt106n60lc6-datasheet
APT106N60B2C6
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO247MAX
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Power dissipation: 833W
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 318A
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 35mΩ
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT106N60LC6 6586-apt106n60b2c6-apt106n60lc6-datasheet
APT106N60LC6
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Power dissipation: 833W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Pulsed drain current: 318A
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 35mΩ
Drain-source voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10M07JVFR
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A
Technology: POWER MOS 5®
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 7mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 225A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 700W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10M09LVFRG apt10m09%28b2%2Cl%29vfr.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M09LVFRG THT N channel transistors
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APT10M11JVFR
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 144A; ISOTOP; screw; Idm: 576A
Technology: POWER MOS 5®
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 11mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 144A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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APT10M11JVRU2 APT10M11JVRU2.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: diode/transistor
On-state resistance: 11mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Topology: boost chopper
Drain current: 106A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 576A
Power dissipation: 450W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10M11JVRU3 APT10M11JVRU3.pdf
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APT10M11JVRU3 Transistor modules MOSFET
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APT10M11LVRG APT10M11LVR_B.pdf
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APT10M11LVRG THT N channel transistors
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APT10M19BVRG THT N channel transistors
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APT10M19SVFRG 6595-apt10m19bvfrg-apt10m19svfrg-datasheet
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APT10M19SVFRG SMD N channel transistors
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APT10M19SVRG 6597-apt10m19svr-datasheet
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APT10M19SVRG SMD N channel transistors
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APT10M25BVRG THT N channel transistors
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APT11F80B THT N channel transistors
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APT11N80BC3G High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT11N80BC3G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
Power dissipation: 156W
Pulsed drain current: 33A
Technology: CoolMOS™
Part status: Not recommended for new designs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT1201R2BFLLG 6603-apt1201r2bfllg-apt1201r2sfllg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1201R2BFLLG THT N channel transistors
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APT1201R2BLLG
APT1201R2BLLG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT1201R4BFLLG 6605-apt1201r4bfllg-apt1201r4sfllg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1201R4BFLLG THT N channel transistors
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APT1201R4BLLG
APT1201R4BLLG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT1201R4SFLLG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1201R4SFLLG SMD N channel transistors
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APT1201R5BVFRG
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APT1201R5BVFRG THT N channel transistors
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APT1201R5BVRG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1201R5BVRG THT N channel transistors
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APT1201R6BVFRG 5697-apt1201r6bvfr-apt1201r6svfr-datasheet
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APT1201R6BVFRG THT N channel transistors
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APT1201R6BVRG
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APT1201R6BVRG THT N channel transistors
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APT1201R6SVFRG
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APT1201R6SVFRG SMD N channel transistors
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APT12031JFLL Transistor modules MOSFET
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APT12040JVR Transistor modules MOSFET
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APT12040L2FLLG
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APT12040L2FLLG THT N channel transistors
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APT1204R7BFLLG High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
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APT1204R7BFLLG THT N channel transistors
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APT1204R7SFLLG SMD N channel transistors
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APT12057B2FLLG 123952-apt12057b2-lfll-c-pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 570mΩ
Drain current: 22A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 690W
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT12057B2LLG 6611-apt12057b2llg-apt12057lllg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO247MAX
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 7®
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 290nC
On-state resistance: 570mΩ
Drain current: 22A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 690W
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT12057JFLL 5703-apt12057jfll-c-pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12057JFLL Transistor modules MOSFET
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APT12057LFLLG THT N channel transistors
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APT12060LVFRG THT N channel transistors
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APT12060LVRG
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APT12060LVRG THT N channel transistors
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APT12067JFLL Transistor modules MOSFET
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APT12067LFLLG THT N channel transistors
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APT12080JVFR
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APT12080JVFR Transistor modules MOSFET
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APT12080LVRG
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APT12080LVRG THT N channel transistors
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APT12M80B 6618-apt12m80b-apt12m80s-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12M80B THT N channel transistors
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APT13F120B 6621-apt13f120b-apt13f120s-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT13F120B THT N channel transistors
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APT13F120S 6621-apt13f120b-apt13f120s-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT13F120S SMD N channel transistors
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APT13GP120BDQ1G High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT13GP120BDQ1G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 20A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Gate charge: 55nC
Turn-off time: 270ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: POWER MOS 7®; PT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.89 EUR
8+9.55 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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APT13GP120BG 6622-apt13gp120bg-apt13gp120sg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT13GP120BG THT IGBT transistors
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APT14F100B High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT14F100B THT N channel transistors
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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APT14F100S 6625-apt14f100bg-apt14f100sg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT14F100S SMD N channel transistors
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APT14M100B 6627-apt14m100bg-apt14m100sg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT14M100B THT N channel transistors
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APT14M100S 6627-apt14m100bg-apt14m100sg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT14M100S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT14M120B 6629-apt14m120bg-apt14m120sg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT14M120B THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT14M120S 6629-apt14m120bg-apt14m120sg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT14M120S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT150GN120J 5738-apt150gn120j-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT150GN120J IGBT modules
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APT150GN120JDQ4 6632-apt150gn120jdq4-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT150GN120JDQ4 IGBT modules
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APT150GN60B2G 6633-apt150gn60b2g-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT150GN60B2G THT IGBT transistors
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APT150GN60J 5739-apt150gn60j-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT150GN60J IGBT modules
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APT150GN60JDQ4 5740-apt150gn60jdq4-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT150GN60JDQ4 IGBT modules
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APT150GN60LDQ4G 6634-apt150gn60ldq4g-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT150GN60LDQ4G THT IGBT transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT150GT120JR index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=6636
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 90A; SOT227B
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 90A
Pulsed collector current: 450A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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