Produkte > MICROCHIP TECHNOLOGY > Alle Produkte des Herstellers MICROCHIP TECHNOLOGY (361697) > Seite 3408 nach 6029
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT15D100BCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT15D100BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT15D100BHBG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT15D100KG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT15D120BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT15D120KG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 15A; tube; TO220-2; Ufmax: 2V; 32ns Features of semiconductor devices: fast switching Mounting: THT Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Reverse recovery time: 32ns Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Max. forward voltage: 2V Load current: 15A Max. off-state voltage: 1.2kV Case: TO220-2 Technology: FRED Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 294 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT15D40BCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT15D40KG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT15D60BCAG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT15D60BCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT15D60BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT15D60KG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT15DQ100BCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT15DQ100BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT15DQ100KG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 15A; tube; TO220-2; Ufmax: 2.5V; 20ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 2.5V Kind of package: tube Reverse recovery time: 20ns Application: automotive industry Features of semiconductor devices: fast switching Technology: FRED Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT15DQ120BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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auf Bestellung 255 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT15DQ120BHBG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT15DQ120KG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 15A; tube; TO220-2; Ufmax: 2.8V; 21ns Application: automotive industry Features of semiconductor devices: fast switching Mounting: THT Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Reverse recovery time: 21ns Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Max. forward voltage: 2.8V Load current: 15A Max. off-state voltage: 1.2kV Case: TO220-2 Technology: FRED Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT15DQ60BCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT15DQ60BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT15DQ60KG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 15A; tube; TO220-2; Ufmax: 2V; 15ns Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 2V Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 15ns Application: automotive industry Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching Technology: FRED Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Case: TO220-2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT15DQ60SG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT15DS60BG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT15DS60BG THT universal diodes |
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APT15GN120BDQ1G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 22A; 195W; TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 90nC Turn-on time: 19ns Turn-off time: 355ns Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 22A Pulsed collector current: 45A Power dissipation: 195W Collector-emitter voltage: 1.2kV Technology: Field Stop Case: TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT15GN120SDQ1G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 22A; 195W; D3PAK Kind of package: tube Gate charge: 90nC Turn-on time: 19ns Turn-off time: 355ns Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 22A Pulsed collector current: 45A Power dissipation: 195W Collector-emitter voltage: 1.2kV Technology: Field Stop Case: D3PAK Mounting: SMD Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT15GP60BDQ1G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT15GP60BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT15GP90BDQ1G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT15GT120BRDQ1G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 18A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Part status: Not recommended for new designs Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 18A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 21ns Turn-off time: 137ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT17F100B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT17F100S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT17F120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT17F80B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT17F80S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT18F60B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT18M100B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT18M100S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT18M80B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT19F100J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT19M120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT200GN60B2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT200GN60J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT200GN60JDQ4 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT200GT60JR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT20GN60BDQ1G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT20GN60BDQ2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT20GN60BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 24A; 136W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 24A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 19ns Turn-off time: 290ns Technology: Field Stop Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT20GN60SDQ2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT20M11JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 176A; ISOTOP; screw; Idm: 704A Technology: POWER MOS 7® Case: ISOTOP Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor On-state resistance: 11mΩ Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain current: 176A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 200V Pulsed drain current: 704A Power dissipation: 694W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT20M11JLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 176A; ISOTOP; screw; Idm: 704A Technology: POWER MOS 7® Case: ISOTOP Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor On-state resistance: 11mΩ Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain current: 176A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 200V Pulsed drain current: 704A Power dissipation: 694W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT20M11JVFR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 200V; 175A; ISOTOP; screw; Idm: 700A Technology: POWER MOS 5® Case: ISOTOP Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor On-state resistance: 11mΩ Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain current: 175A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 200V Pulsed drain current: 700A Power dissipation: 700W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT20M11JVR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 200V; 175A; ISOTOP; screw; Idm: 700A Technology: POWER MOS V® Case: ISOTOP Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Kind of package: tube Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor On-state resistance: 11mΩ Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain current: 175A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 200V Pulsed drain current: 700A Power dissipation: 700W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT20M120JCU2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT20M120JCU3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT20M16B2FLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT20M16B2FLLG THT N channel transistors |
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APT20M16B2LLG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT20M16B2LLG THT N channel transistors |
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APT20M16LFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT20M16LLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT20M16LLLG THT N channel transistors |
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APT20M18B2VFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT20M18B2VRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
APT15D100BCTG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15D100BCTG THT universal diodes
APT15D100BCTG THT universal diodes
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT15D100BG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15D100BG THT universal diodes
APT15D100BG THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT15D100BHBG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15D100BHBG THT universal diodes
APT15D100BHBG THT universal diodes
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT15D100KG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15D100KG THT universal diodes
APT15D100KG THT universal diodes
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT15D120BG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15D120BG THT universal diodes
APT15D120BG THT universal diodes
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT15D120KG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 15A; tube; TO220-2; Ufmax: 2V; 32ns
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 32ns
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Max. forward voltage: 2V
Load current: 15A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO220-2
Technology: FRED
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 15A; tube; TO220-2; Ufmax: 2V; 32ns
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 32ns
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Max. forward voltage: 2V
Load current: 15A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO220-2
Technology: FRED
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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27+ | 2.75 EUR |
APT15D40BCTG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15D40BCTG THT universal diodes
APT15D40BCTG THT universal diodes
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT15D40KG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15D40KG THT universal diodes
APT15D40KG THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT15D60BCAG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15D60BCAG THT universal diodes
APT15D60BCAG THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT15D60BCTG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15D60BCTG THT universal diodes
APT15D60BCTG THT universal diodes
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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9+ | 8.88 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
20+ | 6.81 EUR |
APT15D60BG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15D60BG THT universal diodes
APT15D60BG THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT15D60KG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15D60KG THT universal diodes
APT15D60KG THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT15DQ100BCTG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15DQ100BCTG THT universal diodes
APT15DQ100BCTG THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT15DQ100BG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15DQ100BG THT universal diodes
APT15DQ100BG THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT15DQ100KG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 15A; tube; TO220-2; Ufmax: 2.5V; 20ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.5V
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 20ns
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: FRED
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 15A; tube; TO220-2; Ufmax: 2.5V; 20ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 2.5V
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 20ns
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: FRED
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4+ | 17.88 EUR |
5+ | 14.3 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
APT15DQ120BG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15DQ120BG THT universal diodes
APT15DQ120BG THT universal diodes
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.6 EUR |
24+ | 3.05 EUR |
25+ | 2.89 EUR |
APT15DQ120BHBG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15DQ120BHBG THT universal diodes
APT15DQ120BHBG THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT15DQ120KG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 15A; tube; TO220-2; Ufmax: 2.8V; 21ns
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 21ns
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Max. forward voltage: 2.8V
Load current: 15A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO220-2
Technology: FRED
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 15A; tube; TO220-2; Ufmax: 2.8V; 21ns
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 21ns
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Max. forward voltage: 2.8V
Load current: 15A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO220-2
Technology: FRED
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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48+ | 1.52 EUR |
50+ | 1.46 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
APT15DQ60BCTG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15DQ60BCTG THT universal diodes
APT15DQ60BCTG THT universal diodes
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.65 EUR |
20+ | 3.66 EUR |
21+ | 3.46 EUR |
APT15DQ60BG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15DQ60BG THT universal diodes
APT15DQ60BG THT universal diodes
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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15+ | 5.09 EUR |
22+ | 3.29 EUR |
24+ | 3.1 EUR |
APT15DQ60KG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 15A; tube; TO220-2; Ufmax: 2V; 15ns
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 15ns
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: FRED
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Case: TO220-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 15A; tube; TO220-2; Ufmax: 2V; 15ns
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 15ns
Application: automotive industry
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: FRED
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Case: TO220-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT15DQ60SG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15DQ60SG SMD universal diodes
APT15DQ60SG SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT15DS60BG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15DS60BG THT universal diodes
APT15DS60BG THT universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT15GN120BDQ1G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 22A; 195W; TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 355ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 22A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 195W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 22A; 195W; TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 355ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 22A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 195W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop
Case: TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT15GN120SDQ1G |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 22A; 195W; D3PAK
Kind of package: tube
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 355ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 22A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 195W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 22A; 195W; D3PAK
Kind of package: tube
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 355ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 22A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 195W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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APT15GP60BDQ1G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15GP60BDQ1G THT IGBT transistors
APT15GP60BDQ1G THT IGBT transistors
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APT15GP60BG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15GP60BG THT IGBT transistors
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APT15GP90BDQ1G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15GP90BDQ1G THT IGBT transistors
APT15GP90BDQ1G THT IGBT transistors
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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APT15GT120BRDQ1G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 18A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Part status: Not recommended for new designs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 137ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 18A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Part status: Not recommended for new designs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 45A
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APT17F100B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT17F100B THT N channel transistors
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APT17F100S SMD N channel transistors
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APT17F120J |
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APT17F120J Transistor modules MOSFET
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT17F80B THT N channel transistors
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APT17F80S |
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APT17F80S SMD N channel transistors
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APT18F60B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT18F60B THT N channel transistors
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APT18M100B |
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APT18M100B THT N channel transistors
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT18M100S SMD N channel transistors
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT18M80B THT N channel transistors
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APT19F100J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT19F100J Transistor modules MOSFET
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APT19M120J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT19M120J Transistor modules MOSFET
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APT200GN60B2G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT200GN60B2G THT IGBT transistors
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APT200GN60J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT200GN60J IGBT modules
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APT200GN60JDQ4 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT200GN60JDQ4 IGBT modules
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APT200GT60JR |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT200GT60JR IGBT modules
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APT20GN60BDQ1G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT20GN60BDQ1G THT IGBT transistors
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APT20GN60BDQ2G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT20GN60BDQ2G THT IGBT transistors
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APT20GN60BG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 24A; 136W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 290ns
Technology: Field Stop
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 24A; 136W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 290ns
Technology: Field Stop
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT20GN60SDQ2G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT20GN60SDQ2G SMD IGBT transistors
APT20GN60SDQ2G SMD IGBT transistors
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APT20M11JFLL |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 176A; ISOTOP; screw; Idm: 704A
Technology: POWER MOS 7®
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 11mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 176A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Pulsed drain current: 704A
Power dissipation: 694W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 176A; ISOTOP; screw; Idm: 704A
Technology: POWER MOS 7®
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 11mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 176A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Pulsed drain current: 704A
Power dissipation: 694W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT20M11JLL |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 176A; ISOTOP; screw; Idm: 704A
Technology: POWER MOS 7®
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 11mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 176A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Pulsed drain current: 704A
Power dissipation: 694W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 176A; ISOTOP; screw; Idm: 704A
Technology: POWER MOS 7®
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 11mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 176A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
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Power dissipation: 694W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT20M11JVFR |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 175A; ISOTOP; screw; Idm: 700A
Technology: POWER MOS 5®
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 11mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 175A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Pulsed drain current: 700A
Power dissipation: 700W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 175A; ISOTOP; screw; Idm: 700A
Technology: POWER MOS 5®
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 11mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 175A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Pulsed drain current: 700A
Power dissipation: 700W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT20M11JVR |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 175A; ISOTOP; screw; Idm: 700A
Technology: POWER MOS V®
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 11mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 175A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Pulsed drain current: 700A
Power dissipation: 700W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 175A; ISOTOP; screw; Idm: 700A
Technology: POWER MOS V®
Case: ISOTOP
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 11mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 175A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Pulsed drain current: 700A
Power dissipation: 700W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT20M120JCU2 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT20M120JCU2 Transistor modules MOSFET
APT20M120JCU2 Transistor modules MOSFET
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APT20M120JCU3 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT20M120JCU3 Transistor modules MOSFET
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APT20M16B2FLLG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT20M16B2FLLG THT N channel transistors
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APT20M16B2LLG |
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APT20M16B2LLG THT N channel transistors
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APT20M16LFLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT20M16LFLLG THT N channel transistors
APT20M16LFLLG THT N channel transistors
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APT20M16LLLG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT20M16LLLG THT N channel transistors
APT20M16LLLG THT N channel transistors
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APT20M18B2VFRG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT20M18B2VFRG THT N channel transistors
APT20M18B2VFRG THT N channel transistors
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APT20M18B2VRG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT20M18B2VRG THT N channel transistors
APT20M18B2VRG THT N channel transistors
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