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IRFP21N60LPBF IRFP21N60LPBF Vishay Semiconductors TO247AC_Side.jpg MOSFET 600V N-CH HEXFET
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SIHA21N60EF-GE3 SIHA21N60EF-GE3 Vishay / Siliconix siha21n60ef.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
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SIHB21N60EF-GE3 SIHB21N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb21n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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SIHP21N60EF-GE3 SIHP21N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihp21n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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IRFP21N60L
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IRFP21N60LPBF IR TO247AC_Side.jpg
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T221N600EOF
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IRFP21N60L IRFP21N60L
Produktcode: 24841 		Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFP21N60L IRFP21N60L Vishay sihfp21n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFP21N60LPBF VISHAY TO247AC_Side.jpg Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRFP21N60LPBF VISHAY TO247AC_Side.jpg Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRFP21N60LPBF IRFP21N60LPBF Vishay sihfp21n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHA21N60EF-E3 SIHA21N60EF-E3 Vishay / Siliconix siha21n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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SIHB21N60EF-GE3 VISHAY sihb21n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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SIHB21N60EF-GE3 VISHAY sihb21n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
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Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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SIHB21N60EF-GE3 Vishay sihb21n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
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SIHG21N60EF-GE3 VISHAY sihg21n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
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Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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SIHG21N60EF-GE3 VISHAY sihg21n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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SIHG21N60EF-GE3 SIHG21N60EF-GE3 Vishay sihg21n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG21N60EF-GE3 SIHG21N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg21n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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SIHH21N60E-T1-GE3 VISHAY sihh21n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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SIHH21N60E-T1-GE3 VISHAY sihh21n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
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Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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SIHH21N60E-T1-GE3 SIHH21N60E-T1-GE3 Vishay sihh21n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin PowerPAK EP T/R
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SIHH21N60E-T1-GE3 SIHH21N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh21n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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SiHH21N60EF-T1-GE3 SiHH21N60EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh21n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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SIHP21N60EF-BE3 Vishay sihp21n60ef.pdf N Channel Trans MOSFET
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SIHP21N60EF-GE3 VISHAY sihp21n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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SIHP21N60EF-GE3 VISHAY sihp21n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
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Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
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Kind of channel: enhanced
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SIHP21N60EF-GE3 SIHP21N60EF-GE3 Vishay sihp21n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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45-1231.21N6.000.101 45-1231.21N6.000.101 EAO EQmautoiSH1TLs636cNH Pushbutton Switches Wht LED 24VAC/DC 1NO On-Off Scrw Trm Mtl
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45-1231.21N6.000.401 45-1231.21N6.000.401 EAO EAO_MC_45_Main-Catalogue_US.pdf Pushbutton Switches (45-1231.21N6.000.401)
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N74F521N,602 N74F521N,602 NXP Semiconductors 74f521.pdf Identity Comparator 8-Bit Inverting 20-Pin PDIP Tube
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IRFP21N60LPBF TO247AC_Side.jpg
IRFP21N60LPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET
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SIHA21N60EF-GE3 siha21n60ef.pdf
SIHA21N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
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SIHB21N60EF-GE3 sihb21n60ef.pdf
SIHB21N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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SIHP21N60EF-BE3 sihp21n60ef.pdf
SIHP21N60EF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
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SIHP21N60EF-GE3 sihp21n60ef.pdf
SIHP21N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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IRFP21N60L
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IRFP21N60LPBF TO247AC_Side.jpg
Hersteller: IR
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IRFP21N60PBF
Hersteller: IR
TO-247
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MGP21N60E
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PHB21N60LT
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PHD21N60
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T221N600EOC
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T221N600EOF
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IRFP21N60L
Produktcode: 24841
IRFP21N60L
Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFP21N60L sihfp21n.pdf
IRFP21N60L
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFP21N60LPBF TO247AC_Side.jpg
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRFP21N60LPBF TO247AC_Side.jpg
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRFP21N60LPBF sihfp21n.pdf
IRFP21N60LPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHA21N60EF-E3 siha21n60ef.pdf
SIHA21N60EF-E3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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SIHB21N60EF-GE3 sihb21n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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SIHB21N60EF-GE3 sihb21n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
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Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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SIHB21N60EF-GE3 sihb21n60ef.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
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SIHG21N60EF-GE3 sihg21n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
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Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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SIHG21N60EF-GE3 sihg21n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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SIHG21N60EF-GE3 sihg21n60ef.pdf
SIHG21N60EF-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SIHG21N60EF-GE3 sihg21n60ef.pdf
SIHG21N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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SIHH21N60E-T1-GE3 sihh21n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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SIHH21N60E-T1-GE3 sihh21n60e.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 104W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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SIHH21N60E-T1-GE3 sihh21n60e.pdf
SIHH21N60E-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin PowerPAK EP T/R
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SIHH21N60E-T1-GE3 sihh21n60e.pdf
SIHH21N60E-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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SiHH21N60EF-T1-GE3 sihh21n60ef.pdf
SiHH21N60EF-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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Hersteller: Vishay
N Channel Trans MOSFET
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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SIHP21N60EF-GE3 sihp21n60ef.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SIHP21N60EF-GE3 sihp21n60ef.pdf
SIHP21N60EF-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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45-1231.21N6.000.101 EQmautoiSH1TLs636cNH
45-1231.21N6.000.101
Hersteller: EAO
Pushbutton Switches Wht LED 24VAC/DC 1NO On-Off Scrw Trm Mtl
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45-1231.21N6.000.401 EAO_MC_45_Main-Catalogue_US.pdf
45-1231.21N6.000.401
Hersteller: EAO
Pushbutton Switches (45-1231.21N6.000.401)
Produkt ist nicht verfügbar
N74F521N,602 74f521.pdf
N74F521N,602
Hersteller: NXP Semiconductors
Identity Comparator 8-Bit Inverting 20-Pin PDIP Tube
Produkt ist nicht verfügbar