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2SC6091 2SC6091 onsemi SNYOS11425-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-3PMLH
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Power - Max: 3 W
auf Bestellung 63800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
329+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 329
2SC6091 ONSEMI SNYOS11425-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6091 - 2SC6091, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 63800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC6094-TD-E 2SC6094-TD-E onsemi ena0410-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1112+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1112
2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E onsemi ena0434-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 3327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.06 EUR
20+ 0.91 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 17
2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E onsemi ena0434-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.45 EUR
2000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E onsemi ENA0434_D-2310840.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
auf Bestellung 8356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.08 EUR
10+ 0.91 EUR
100+ 0.65 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.46 EUR
2000+ 0.41 EUR
5000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E ONSEMI ONSMS36430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-E ONSEMI ONSMS36430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC6097-TL-E 2SC6097-TL-E onsemi 2SC6097_D-2309487.pdf Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
auf Bestellung 2511 Stücke:
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3+1.2 EUR
10+ 1.04 EUR
100+ 0.71 EUR
700+ 0.67 EUR
1400+ 0.57 EUR
2100+ 0.51 EUR
4900+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2SC6097-TL-E 2SC6097-TL-E onsemi 2sc6097-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 11882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.3 EUR
16+ 1.12 EUR
100+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 14
2SC6097-TL-E 2SC6097-TL-E onsemi 2sc6097-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
700+0.65 EUR
1400+ 0.55 EUR
2100+ 0.49 EUR
4900+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 700
2SC6097-TL-E 2SC6097-TL-E ON Semiconductor 2sc6097-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+0.63 EUR
256+ 0.57 EUR
259+ 0.54 EUR
307+ 0.44 EUR
311+ 0.42 EUR
500+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 240
2SC6097-TL-E 2SC6097-TL-E ON Semiconductor 2sc6097-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
259+0.59 EUR
307+ 0.48 EUR
311+ 0.45 EUR
500+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 259
2SC6097-TL-E 2SC6097-TL-E ONSEMI ONSMS36407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6097-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 390MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC6097-TL-E 2SC6097-TL-E ON Semiconductor 2sc6097-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2800+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2800
2SC6097-TL-E ONSEMI ONSMS36407-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC6097-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 49312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC6097-TL-E 2SC6097-TL-E ONSEMI ONSMS36407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6097-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 390MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC6097-TL-E 2SC6097-TL-E ON Semiconductor 2sc6097-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2800+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2800
2SC6098-E 2SC6098-E onsemi ena0413-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 2.5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 14500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
952+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 952
2SC6098-E 2SC6098-E ONSEMI ONSMS36429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6098-E - 2SC6098-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC6098-TL-E 2SC6098-TL-E onsemi ena0413-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 2.5A TPFA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 6025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
876+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 876
2SC6099-E 2SC6099-E onsemi ena0435-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1110+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1110
2SC6099-E 2SC6099-E ONSEMI ONSMS36431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC6099-E - 2SC6099-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E onsemi ena0435-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.32 EUR
16+ 1.13 EUR
100+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 14
2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E onsemi ENA0435_D-2310807.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.16 EUR
100+ 0.81 EUR
700+ 0.68 EUR
1400+ 0.58 EUR
2100+ 0.51 EUR
4900+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E onsemi ena0435-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
700+0.66 EUR
1400+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 700
2SC609
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC6095-TD-E ON Semiconductor ena0411-d.pdf
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC6097-TL-E ON Semiconductor 2sc6097-d.pdf
auf Bestellung 4018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC6097-TL-E SANYO 2sc6097-d.pdf SOT252/2.5
auf Bestellung 27940 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC6099-TL-E SANYO ena0435-d.pdf TO-252 08+
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC609T
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC6090 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 34462 		Sanyo 2SC6090.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220F
Uceo,V: 700
Ucbo,V: 1500
Ic,A: 10
h21: 15
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6094-TD-E 2SC6094-TD-E onsemi ena0410-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6094-TD-E 2SC6094-TD-E onsemi ena0410-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6095-TD-E 2SC6095-TD-E onsemi ena0411-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 2.5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6095-TD-E 2SC6095-TD-E onsemi ena0411-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 2.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6096-TD-E ON Semiconductor ena0434-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6096-TD-H 2SC6096-TD-H onsemi ena0434-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6096-TD-H 2SC6096-TD-H onsemi ena0434-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6097-E 2SC6097-E onsemi 2sc6097-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6097-TL-E ONSEMI 2sc6097-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 300...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 390MHz
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6097-TL-E ONSEMI 2sc6097-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 300...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 390MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6097-TL-E 2SC6097-TL-E ON Semiconductor 2sc6097-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6098-E 2SC6098-E onsemi ena0413-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 2.5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6098-TL-E 2SC6098-TL-E onsemi ena0413-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 2.5A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6099-E 2SC6099-E onsemi ena0435-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E ON Semiconductor 2sc6099-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E ON Semiconductor 2sc6099-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E ON Semiconductor 2sc6099-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6099-TL-E 2SC6099-TL-E ON Semiconductor 2sc6099-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SC6091 SNYOS11425-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC6091
Hersteller: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-3PMLH
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Power - Max: 3 W
auf Bestellung 63800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
329+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 329
2SC6091 SNYOS11425-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6091 - 2SC6091, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 63800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC6094-TD-E ena0410-d.pdf
2SC6094-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1112+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1112
2SC6096-TD-E ena0434-d.pdf
2SC6096-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 3327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+1.06 EUR
20+ 0.91 EUR
100+ 0.63 EUR
500+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 17
2SC6096-TD-E ena0434-d.pdf
2SC6096-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.45 EUR
2000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2SC6096-TD-E ENA0434_D-2310840.pdf
2SC6096-TD-E
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
auf Bestellung 8356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.08 EUR
10+ 0.91 EUR
100+ 0.65 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.46 EUR
2000+ 0.41 EUR
5000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2SC6096-TD-E ONSMS36430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6096-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC6096-TD-E ONSMS36430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6096-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC6097-TL-E 2SC6097_D-2309487.pdf
2SC6097-TL-E
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
auf Bestellung 2511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.2 EUR
10+ 1.04 EUR
100+ 0.71 EUR
700+ 0.67 EUR
1400+ 0.57 EUR
2100+ 0.51 EUR
4900+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
2SC6097-TL-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 11882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+1.3 EUR
16+ 1.12 EUR
100+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 14
2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
2SC6097-TL-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
700+0.65 EUR
1400+ 0.55 EUR
2100+ 0.49 EUR
4900+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 700
2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
2SC6097-TL-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
240+0.63 EUR
256+ 0.57 EUR
259+ 0.54 EUR
307+ 0.44 EUR
311+ 0.42 EUR
500+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 240
2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
2SC6097-TL-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
259+0.59 EUR
307+ 0.48 EUR
311+ 0.45 EUR
500+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 259
2SC6097-TL-E ONSMS36407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6097-TL-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6097-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 390MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
2SC6097-TL-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2800+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2800
2SC6097-TL-E ONSMS36407-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6097-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 49312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC6097-TL-E ONSMS36407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6097-TL-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6097-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 390MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
2SC6097-TL-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2800+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2800
2SC6098-E ena0413-d.pdf
2SC6098-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 2.5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 14500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
952+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 952
2SC6098-E ONSMS36429-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6098-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6098-E - 2SC6098-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 14500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC6098-TL-E ena0413-d.pdf
2SC6098-TL-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 2.5A TPFA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 6025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
876+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 876
2SC6099-E ena0435-d.pdf
2SC6099-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
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2SC6099-E ONSMS36431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC6099-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6099-E - 2SC6099-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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2SC6099-TL-E ena0435-d.pdf
2SC6099-TL-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
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2SC6099-TL-E ENA0435_D-2310807.pdf
2SC6099-TL-E
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
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2SC6099-TL-E ena0435-d.pdf
2SC6099-TL-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
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1400+ 0.56 EUR
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2SC609
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2SC6095-TD-E ena0411-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
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2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
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2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
Hersteller: SANYO
SOT252/2.5
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2SC6099-TL-E ena0435-d.pdf
Hersteller: SANYO
TO-252 08+
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2SC609T
auf Bestellung 17400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC6090 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 34462		 2SC6090.pdf
Hersteller: Sanyo
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220F
Uceo,V: 700
Ucbo,V: 1500
Ic,A: 10
h21: 15
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6094-TD-E ena0410-d.pdf
2SC6094-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6094-TD-E ena0410-d.pdf
2SC6094-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6095-TD-E ena0411-d.pdf
2SC6095-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 2.5A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6095-TD-E ena0411-d.pdf
2SC6095-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 2.5A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6096-TD-E ena0434-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SC6096-TD-H ena0434-d.pdf
2SC6096-TD-H
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6096-TD-H ena0434-d.pdf
2SC6096-TD-H
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
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2SC6097-E 2sc6097-d.pdf
2SC6097-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 300...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 390MHz
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 300...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 390MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6097-TL-E 2sc6097-d.pdf
2SC6097-TL-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6098-E ena0413-d.pdf
2SC6098-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 2.5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6098-TL-E ena0413-d.pdf
2SC6098-TL-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 2.5A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6099-E ena0435-d.pdf
2SC6099-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6099-TL-E 2sc6099-d.pdf
2SC6099-TL-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6099-TL-E 2sc6099-d.pdf
2SC6099-TL-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6099-TL-E 2sc6099-d.pdf
2SC6099-TL-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SC6099-TL-E 2sc6099-d.pdf
2SC6099-TL-E
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar