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2SC6096-TD-H ON Semiconductor


ENA0434-D-1804098.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
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Technische Details 2SC6096-TD-H ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 100V 2A PCP, Power - Max: 1.3 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PCP, Frequency - Transition: 300MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC6096-TD-H ON Semiconductor ena0434-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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