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2N6027G 2N6027G
Produktcode: 28415 		ON 2N6027G.PDF Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-92
U,zu,V: 40V
I-auf,mA: 0,15mA
Imax,A: 0,5A
Angaben: Unijunktionstransistor
verfügbar: 30 Stück
1+0.2 EUR
10+ 0.18 EUR
2N6027 TRE PBFREE Central Semiconductor 2n6027-6028.pdf Silicon Programmable Unijunction Transistors
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2N6027G-T92-B UTC PUT 40V 70mA 350mW *obsolete* 2N6027G, 2N6027RL1G, 2N6027RLRAG 2N6027 T2N6027
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 100
2N6027G-T92-B UTC PUT 40V 70mA 350mW *obsolete* 2N6027G, 2N6027RL1G, 2N6027RLRAG 2N6027 T2N6027
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
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2N6027 MOT CAN
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2N6027 ON
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2N6027 APM PBFREE Central Semiconductor 2n6027-6028.pdf Silicon Programmable Unijunction Transistors
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2N6027 PBFREE 2N6027 PBFREE Central Semiconductor 2n6027-6028.pdf Thyristor Diode PUT 40V 5A 3-Pin TO-92
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2N6027 PBFREE 2N6027 PBFREE Central Semiconductor 2n6027-6028.pdf Thyristor Diode PUT 40V 5A 3-Pin TO-92
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2N6027 PBFREE 2N6027 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N6027-6028.PDF Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Active
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
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2N6027 TIN/LEAD Central Semiconductor 2n6027-6028.pdf Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92
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2N6027 TRA PBFREE Central Semiconductor Through-Hole-Programmable UJT
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2N6027 TRE PBFREE Central Semiconductor 2n6027-6028.pdf 2N6027 TRE PBFREE
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2N6027 TRE PBFREE Central Semiconductor 2n6027-6028.pdf Silicon Programmable Unijunction Transistors
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2N6027G 2N6027G ON Semiconductor 2n6027-d.pdf Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 Box
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2N6027G 2N6027G onsemi Description: TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
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2N6027RL1 2N6027RL1 onsemi 2N6027.pdf Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
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2N6027RL1G 2N6027RL1G ON Semiconductor 2n6027-d.pdf Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 T/R
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2N6027RL1G 2N6027RL1G onsemi 2N6027.pdf Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N6027RLRA 2N6027RLRA onsemi Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
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2N6027RLRAG 2N6027RLRAG ON Semiconductor 2n6027-d.pdf Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 T/R
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2N6027RLRAG 2N6027RLRAG onsemi Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
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2N6027G
Produktcode: 28415		 2N6027G.PDF
2N6027G
Hersteller: ON
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: TO-92
U,zu,V: 40V
I-auf,mA: 0,15mA
Imax,A: 0,5A
Angaben: Unijunktionstransistor
verfügbar: 30 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.2 EUR
10+ 0.18 EUR
2N6027 TRE PBFREE 2n6027-6028.pdf
Hersteller: Central Semiconductor
Silicon Programmable Unijunction Transistors
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2N6027G-T92-B
Hersteller: UTC
PUT 40V 70mA 350mW *obsolete* 2N6027G, 2N6027RL1G, 2N6027RLRAG 2N6027 T2N6027
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
100+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100
2N6027G-T92-B
Hersteller: UTC
PUT 40V 70mA 350mW *obsolete* 2N6027G, 2N6027RL1G, 2N6027RLRAG 2N6027 T2N6027
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
100+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100
2N6027
Hersteller: MOT
CAN
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2N6027
Hersteller: ON
auf Bestellung 2000 Stücke:
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2N6027 APM PBFREE 2n6027-6028.pdf
Hersteller: Central Semiconductor
Silicon Programmable Unijunction Transistors
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2N6027 PBFREE 2n6027-6028.pdf
2N6027 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
Thyristor Diode PUT 40V 5A 3-Pin TO-92
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2N6027 PBFREE 2n6027-6028.pdf
2N6027 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
Thyristor Diode PUT 40V 5A 3-Pin TO-92
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2N6027 PBFREE 2N6027-6028.PDF
2N6027 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Active
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
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2N6027 TIN/LEAD 2n6027-6028.pdf
Hersteller: Central Semiconductor
Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92
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2N6027 TRA PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
Through-Hole-Programmable UJT
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2N6027 TRE PBFREE 2n6027-6028.pdf
Hersteller: Central Semiconductor
2N6027 TRE PBFREE
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2N6027 TRE PBFREE 2n6027-6028.pdf
Hersteller: Central Semiconductor
Silicon Programmable Unijunction Transistors
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2N6027G 2n6027-d.pdf
2N6027G
Hersteller: ON Semiconductor
Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 Box
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2N6027G
2N6027G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N6027RL1 2N6027.pdf
2N6027RL1
Hersteller: onsemi
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
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2N6027RL1G 2n6027-d.pdf
2N6027RL1G
Hersteller: ON Semiconductor
Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 T/R
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2N6027RL1G 2N6027.pdf
2N6027RL1G
Hersteller: onsemi
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
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2N6027RLRA
2N6027RLRA
Hersteller: onsemi
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N6027RLRAG 2n6027-d.pdf
2N6027RLRAG
Hersteller: ON Semiconductor
Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N6027RLRAG
2N6027RLRAG
Hersteller: onsemi
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
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