2N6027 PBFREE Central Semiconductor
auf Bestellung 50091 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 11+ | 4.86 EUR |
| 13+ | 4.26 EUR |
| 100+ | 3.64 EUR |
| 250+ | 3.35 EUR |
| 500+ | 3.17 EUR |
| 1000+ | 3.07 EUR |
| 2500+ | 2.76 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2N6027 PBFREE Central Semiconductor
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Voltage - Output: 6V, Voltage: 40V, Current - Peak: 2 µA, Voltage - Offset (Vt): 1.6 V, Current - Valley (Iv): 50 µA, Part Status: Active, Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA, Power Dissipation (Max): 300 mW.
Weitere Produktangebote 2N6027 PBFREE
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N6027 PBFREE | Hersteller : Central Semiconductor |
 Thyristor Diode PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
2N6027 PBFREE | Hersteller : Central Semiconductor |
Thyristor Diode PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
,TO-226_straightlead.jpg "2N6027 PBFREE") |
2N6027 PBFREE | Hersteller : Central Semiconductor Corp |
Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Part Status: Active Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |