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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N6284GSTMNPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=20A (40A имп.), h21=750-18000, 160Вт, TO-3 PB-free (комплемент. 2N6287) Транзистори
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2N6284G
Produktcode: 129923
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6284GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 20A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 160 W
auf Bestellung 2112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.34 EUR
10+9.03 EUR
100+6.59 EUR
500+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6284GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6284GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N6284GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6284G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.67 EUR
26+9.09 EUR
100+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6284GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6284GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.1 EUR
23+7.5 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6285onsemiDescription: TRANS PNP DARL 60V 20A DIE
Power - Max: 160 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Supplier Device Package: Die
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+139.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2N6285SGSPNP 20A 60V 160W 2N6285 T2N6285
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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2N6285ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6285 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: NO
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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2N6285On SemiconductorPNP, 60V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-204 Транзистори
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2N6285Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N6285ON SemiconductorTrans Darlington PNP 60V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+137.03 EUR
100+128.31 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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2N6286Microchip TechnologyDarlington Transistors 80V 20A 175W PNP Power BJT THT
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2N6286Microchip TechnologyTrans Darlington PNP 80V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6286Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP DARL 80V 20A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 1A, 3V
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 175 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N6286MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N6286onsemiDarlington Transistors 20A 80V Bipolar
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2N6286G
Produktcode: 182086
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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2N6286GON SemiconductorTrans Darlington PNP 80V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6286GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 80V 20A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 160 W
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2N6286GOn SemiconductorBipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 20A 160W Through Hole TO-204 (TO-3) Транзистори
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2N6286GonsemiDarlington Transistors 20A 80V Bipolar Power PNP
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2N6286GON SemiconductorTrans Darlington PNP 80V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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2N6286GON SemiconductorTrans Darlington PNP 80V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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2N6286GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6286G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 40 A, 160 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 160
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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2N6287CDILCategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 20A
Power dissipation: 160W
Case: TO3
Pulsed collector current: 40A
Current gain: 100...18000
Mounting: THT
Kind of package: bulk
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.58 EUR
56+1.54 EUR
61+1.39 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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2N6287Microchip TechnologyDarlington Transistors 100V 20A 160W PNP Power BJT THT
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+120.98 EUR
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2N6287STMPNP Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=20A (40A имп.), h21=750-18000, 160Вт, TO-3 (комплемент. 2N6284) Транзистори
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2N6287STMicroelectronicsDarlington Transistors PNP Darlington Sw
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2N6287STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 20A TO-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 160 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6287---PNP Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=20A (40A имп.), h21=750-18000, 160Вт, TO-3 (комплемент. 2N6284) Транзистори
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2N6287ONSEMICategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 20A
Power dissipation: 160W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
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2N6287
Produktcode: 73585
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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2N6287onsemiDarlington Transistors 20A 100V Bipolar
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2N6287Microchip TechnologyTrans Darlington PNP 100V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N6287CDIL2N6287 PNP Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=20A (40A имп.), Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6287Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP DARL 100V 20A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 1A, 3V
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 175 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6287ON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N6287 PBFREECentralsemi2N6287 PBFREE 2N6287 PNP Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=20A (40A имп.), h21=750-18000, 160Вт, TO-3 (комплемент. 2N6284) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6287 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors . .
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2N6287 TIN/LEADCentral Semiconductor2N6287 TIN/LEAD
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6287 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 5.0A 160W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6287GonsemiDarlington Transistors 20A 100V Bipolar Power PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6287GOn SemiconductorPNP Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=20A (40A имп.), h21=750-18000, 160Вт, TO-3 PB-free (комплемент. 2N6284) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6287GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 20A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 160 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6287GSTMPNP Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=20A (40A имп.), h21=750-18000, 160Вт, TO-3 PB-free (комплемент. 2N6284) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6287GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6287G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 20 A, 160 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6287GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6287GNTE2N6287G 2N6287 PNP Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=20A (40A имп.), h21=750-18000, 160Вт, TO-3 (комплемент. 2N6284) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6287G (ON) pnp, TO-204-2, Darlington-Transistor 20A 100V
Produktcode: 129310
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6287JANTXVMicrochip TechnologyTrans Darlington PNP 100V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6287WPON Semiconductor2N6287WP
auf Bestellung 3185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+24.59 EUR
10+21.42 EUR
25+19.81 EUR
100+18.34 EUR
500+17.23 EUR
1000+16.16 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6287WPON Semiconductor2N6287WP
auf Bestellung 3185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+24.59 EUR
10+21.9 EUR
25+20.58 EUR
100+19.37 EUR
500+18.67 EUR
1000+17.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6287WPOn Semiconductor2N6287WP 2N6284G NPN Дарлингтон, Uкэ=100V, Iк=20A (40A имп.), h21=750-18000, 160Вт, TO-3 PB-free (комплемент. 2N6287) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6287WPonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 20A TO204
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6288STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6288onsemiDescription: TRANS NPN 30V 7A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 40 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6288onsemiBipolar Transistors - BJT 7A 30V 40W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6288 LEDFREEDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6288 LEDFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Pwr SW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6288 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Pwr SW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6288 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 30Vceo 5.0V 7.0A 40W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6288GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6288G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 7 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6288GonsemiBipolar Transistors - BJT 7A 30V 40W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6288GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
650+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6288GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 7A TO-220
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 5837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
468+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 468 Stücke
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2N6288GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 7A TO-220
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N628AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N629MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6290 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 50V 7A TO220-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.47 EUR
10+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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2N6290 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Power SW
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1+3.5 EUR
10+2.93 EUR
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2500+1.82 EUR
5000+1.75 EUR
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2N6290 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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2N6290 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 50Vceo 5.0Vebo 7.0A 40W
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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2N6292onsemiBipolar Transistors - BJT 7A 70V 40W NPN
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2N6292ARKNPN 7A 70V 40W (=BDP285) 2N6292 T2N6292
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N6292Vishay SemiconductorsBipolar Transistors - BJT
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2N6292ARKNPN 7A 70V 40W (=BDP285) 2N6292 T2N6292
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
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100+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N6292STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
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2N6292ARKNPN 7A 70V 40W (=BDP285) 2N6292 T2N6292
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N6292onsemiDescription: TRANS NPN 70V 7A TO-220
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6292MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N6292 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 70 V, 7 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.27 EUR
163+1.43 EUR
183+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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2N6292 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Power SW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6292 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 80Vcbo 70Vceo 5.0V 7.0A 10A 40W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6292.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N6292. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 70 V, 7 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6292GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 70V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.05 EUR
255+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6292GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 7A; 40W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Collector current: 7A
Power dissipation: 40W
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 4MHz
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.87 EUR
60+1.42 EUR
72+1.19 EUR
111+0.77 EUR
112+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6292GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 70V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6292GOn SemiconductorPNP Дарлингтон, Uкэ=80V, Iк=7A, TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6292GonsemiDescription: TRANS NPN 70V 7A TO-220
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
50+1.37 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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2N6292GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 70V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.84 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6292GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 70V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.05 EUR
255+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6292GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6292G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 70 V, 7 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2.3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.82 EUR
152+1.54 EUR
165+1.31 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6292GonsemiBipolar Transistors - BJT 7A 70V 40W NPN
auf Bestellung 1105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.37 EUR
100+1.21 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
2800+0.81 EUR
5600+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6293Harris CorporationDescription: TRANS NPN 80V 7A TO220
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6294Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 50 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6294Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6294MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6294 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Power Transistor Darlington
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.3 EUR
10+20.17 EUR
120+20.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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