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2N6292G

2N6292G ON Semiconductor

2n6107-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 70V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details 2N6292G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N6292G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 70 V, 7 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2.3hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 40W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 2NXXXX, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N6292G 2N6292G ON Semiconductor 2n6107-d.pdf description Trans GP BJT NPN 70V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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2N6292G 2N6292G ON Semiconductor 2n6107-d.pdf description Trans GP BJT NPN 70V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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2N6292G 2N6292G onsemi 2N6107-D.PDF description Bipolar Transistors - BJT 7A 70V 40W NPN
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2N6292G 2N6292G ONSEMI ONSM-S-A0014594748-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - 2N6292G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 70 V, 7 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2.3hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2N6292G 2N6292G onsemi 2N6107-D.PDF description Description: TRANS NPN 70V 7A TO-220
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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2N6292G description 2n6107-d.pdf
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2N6292G description ONSM-S-A0014594748-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6292G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 70 V, 7 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2.3hFE
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
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Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Active
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Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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