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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI2302HDS-T1-GE3VishayN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302HDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 4884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
11+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302HDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.6A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.6A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302HDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302SMicrodiode ElectronicsSI2302S
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.042 EUR
12000+0.037 EUR
18000+0.033 EUR
24000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302SGOODWORKDescription: SOT-23
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302VISHAY
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303UMWDescription: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
auf Bestellung 2311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
103+0.2 EUR
116+0.18 EUR
137+0.15 EUR
250+0.14 EUR
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303UMWDescription: SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303KEXIN09+
auf Bestellung 201018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303GOODWORKDescription: 30V 3A 120m@10V SOT-23
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303(L3SUB)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303-DS
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303-TP
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
auf Bestellung 6226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
42+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303ADSVISHAY
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI2303ADS-T1
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI2303BDSVISHAY
auf Bestellung 30290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI2303BDS-T
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI2303BDS-T1VISHAY
auf Bestellung 18200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303BDS-T1Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.49A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303BDS-T1-E
auf Bestellung 40383 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.49A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303BDS-T1-E3VISHAYSOT23
auf Bestellung 1812000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.49A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303BDST1E3VISHAY
auf Bestellung 117100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CD
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2303CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+1.39 EUR
255+0.92 EUR
368+0.58 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 30V 1.9A
auf Bestellung 67602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.82 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 1.9A/2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
auf Bestellung 5266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2303CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+1.39 EUR
255+0.92 EUR
368+0.58 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
auf Bestellung 6208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2303CDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.158 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
auf Bestellung 3958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.73 EUR
235+0.99 EUR
356+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 28190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.48 EUR
10+0.92 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-E3
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2303CDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.158 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
auf Bestellung 3958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.73 EUR
235+0.99 EUR
356+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
auf Bestellung 41995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
283+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2303CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 14297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.84 EUR
219+1.06 EUR
339+0.63 EUR
500+0.56 EUR
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1 EUR
158+0.54 EUR
205+0.42 EUR
227+0.38 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2303CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.51 EUR
9000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.36 EUR
6000+0.32 EUR
9000+0.31 EUR
15000+0.29 EUR
30000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SOT-23
auf Bestellung 32831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.48 EUR
10+0.92 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2303CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 14312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.8 EUR
225+1.04 EUR
349+0.62 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si2303CDS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: P -30V 2.7A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
299+0.07 EUR
1000+0.069 EUR
3000+0.064 EUR
6000+0.063 EUR
15000+0.061 EUR
30000+0.058 EUR
75000+0.055 EUR
150000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 299 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303CDST1GE3
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303D/R3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303DL-T1-E3
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303DSSILICONIXSOP
auf Bestellung 202000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303DS-T1VISHAY
auf Bestellung 36200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303DS-T1 SOT23VISHAY
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303DS-T1-E3VISAYSOT-23
auf Bestellung 12750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303DS-T1-E3-VISHAY
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303DS-T1SOT2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303DS/A3PERVISHAY
auf Bestellung 246200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303K-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2303K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 30V 1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304KEXIN09+
auf Bestellung 201018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304-TP
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304AUMWDescription: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
auf Bestellung 2561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
47+0.45 EUR
65+0.32 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304AUMWDescription: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1VISHAY
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N CHAN 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2304BDS-T1-E3 - Channel Type:N Channel
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.08W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 70mohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 12278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.68 EUR
192+1.21 EUR
210+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.44 EUR
194+0.86 EUR
285+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-E3 L4Y0AVishayTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; SI2304BDS TSI2304bds
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-E3-SVISHAYSOT23
auf Bestellung 2719 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-E3/L4V9AVISHAY
auf Bestellung 9200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.51 EUR
381+0.44 EUR
449+0.36 EUR
509+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-GE3VBsemiTransistor N-MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C~150°C; SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; Transistors - FETs, MOSFETs - Single; SI2304BDS-T1-GE3-VB; SI2304BDS TSI2304bds VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-GE3VishayTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; SI2304BDS TSI2304bds
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
384+0.45 EUR
452+0.38 EUR
512+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 384 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2304BDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 10A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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